JP2007318093A - Cmosイメージセンサ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板内に形成されたフォトダイオードと、前記基板上に形成された第1のゲート電極ないし第4のゲート電極と、該第1のゲート電極ないし第4のゲート電極の両側壁にそれぞれ形成されるが、前記第3のゲート電極と第4のゲート電極との間が埋め込まれるように形成されたスペーサと、前記第3のゲート電極と第4のゲート電極との間に埋め込まれたスペーサの下の前記基板内に形成された第1のイオン注入領域と、前記スペーサの間に露出した前記基板内に、前記第1のイオン注入領域よりも高い高濃度で形成された第2のイオン注入領域とを備えることを特徴とする。
【選択図】図5
Description
Tx トランスファートランジスタ
Rx リセットトランジスタ
Dx ドライブトランジスタ
Sx セレクトトランジスタ
11、111 P+基板
12、112 P−エピ層
13、113 素子分離膜
14、114 P−ウェル
15、115 ゲート酸化膜
16、116 ポリシリコン膜
17A〜17D、117A〜117D ゲート電極
18、118 N−拡散層
19、119 LDD領域
20、120 ハロー領域
21、121 スペーサ
22、122 P0拡散層
23A〜23D、123A〜123D 高濃度イオン注入領域
Claims (14)
- 基板内に形成されたフォトダイオードと、
前記基板上に形成された第1のゲート電極ないし第4のゲート電極と、
該第1のゲート電極ないし第4のゲート電極の両側壁にそれぞれ形成されるが、前記第3のゲート電極と第4のゲート電極との間が埋め込まれるように形成されたスペーサと、
前記第3のゲート電極と第4のゲート電極との間に埋め込まれたスペーサの下の前記基板内に形成された第1のイオン注入領域と、
前記スペーサの間に露出した前記基板内に、前記第1のイオン注入領域よりも高い高濃度で形成された第2のイオン注入領域と
を備えることを特徴とするCMOSイメージセンサ。 - 前記第3のゲート電極及び第4のゲート電極が、前記スペーサが前記第3のゲート電極と第4のゲート電極との間で埋め込まれる程度の間隔を有して互いに離隔されるように形成されたことを特徴とする請求項1に記載のCMOSイメージセンサ。
- 前記第3のゲート電極と第4のゲート電極との間隔が50nm〜150nmの範囲であることを特徴とする請求項1又は2に記載のCMOSイメージセンサ。
- 基板内に形成されたフォトダイオードと、
前記基板上に形成された第1のゲート電極ないし第3のゲート電極と、
該第1のゲート電極ないし第3のゲート電極の両側壁にそれぞれ形成されるが、前記第2のゲート電極と第3のゲート電極との間が埋め込まれるように形成されたスペーサと、
前記第2のゲート電極と第3のゲート電極との間に埋め込まれたスペーサの下の前記基板内に形成された第1のイオン注入領域と、
前記スペーサの間に露出した前記基板内に、前記第1のイオン注入領域よりも高い高濃度で形成された第2のイオン注入領域と
を備えることを特徴とするCMOSイメージセンサ。 - 前記第2のゲート電極及び第3のゲート電極が、前記スペーサが前記第2のゲート電極と第3のゲート電極との間で埋め込まれる程度の間隔を有して互いに離隔されるように形成されることを特徴とする請求項4に記載のCMOSイメージセンサ。
- 前記第2のゲート電極と第3のゲート電極との間の間隔が50nm〜150nmの範囲であることを特徴とする請求項4又は5に記載のCMOSイメージセンサ。
- 基板上に第1のゲート電極ないし第4のゲート電極を形成するステップと、
前記第1のゲート電極の一側に露出する前記基板内にフォトダイオードを形成するステップと、
前記第3のゲート電極と第4のゲート電極との間に露出する前記基板内に第1のイオン注入領域を形成するステップと、
前記第1のゲート電極ないし第4のゲート電極の両側壁にそれぞれ形成されるが、前記第3のゲート電極と第4のゲート電極との間が埋め込まれるようにスペーサを形成するステップと、
該スペーサの間に露出した前記基板内に、前記第1のイオン注入領域よりも高い高濃度で第2のイオン注入領域を形成するステップと
を含むことを特徴とするCMOSイメージセンサの製造方法。 - 前記第3のゲート電極及び第4のゲート電極が、前記スペーサが前記第3のゲート電極と第4のゲート電極との間で埋め込まれる程度の間隔を有して互いに離隔されるように形成されることを特徴とする請求項7に記載のCMOSイメージセンサの製造方法。
- 前記第3のゲート電極と第4のゲート電極との間隔が50nm〜150nmの範囲になるように形成されることを特徴とする請求項7又は8に記載のCMOSイメージセンサの製造方法。
- 前記第2のイオン注入領域が、前記スペーサを用いたイオン注入処理を行って、前記第1のゲート電極ないし第3のゲート電極の間及び前記第4のゲート電極の一側に露出する前記基板内に形成されることを特徴とする請求項8に記載のCMOSイメージセンサの製造方法。
- 基板上に第1のゲート電極ないし第3のゲート電極を形成するステップと、
前記第1のゲート電極の一側に露出する前記基板内にフォトダイオードを形成するステップと、
前記第2のゲート電極及び第3のゲート電極の間に露出する前記基板内に第1のイオン注入領域を形成するステップと、
前記第1のゲート電極ないし第3のゲート電極の両側壁にそれぞれ形成されるが、前記第2のゲート電極と第3のゲート電極との間が埋め込まれるようにスペーサを形成するステップと、
該スペーサの間に露出した前記基板内に、前記第1のイオン注入領域よりも高い高濃度で第2のイオン注入領域を形成するステップと
を含むことを特徴とするCMOSイメージセンサの製造方法。 - 前記第2のゲート電極及び第3のゲート電極が、前記スペーサが前記第2のゲート電極と第3のゲート電極との間で埋め込まれる程度の間隔を有して互いに離隔されるように形成されることを特徴とする請求項11に記載のCMOSイメージセンサの製造方法。
- 前記第2のゲート電極と第3のゲート電極との間隔が50nm〜150nmの範囲になるように形成されることを特徴とする請求項11又は12に記載のCMOSイメージセンサの製造方法。
- 前記第2のイオン注入領域が、前記スペーサを用いたイオン注入処理を行って、前記第1のゲート電極と第2のゲート電極との間及び前記第3のゲート電極の一側に露出する前記基板内に形成されることを特徴とする請求項12に記載のCMOSイメージセンサの製造方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20100120355A (ko) * | 2009-05-06 | 2010-11-16 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서 |
JP2012504332A (ja) * | 2008-09-29 | 2012-02-16 | クロステック・キャピタル,リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | トランジスタ、トランジスタを備えた画像センサ、画像センサの製造方法 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009065155A (ja) * | 2007-09-06 | 2009-03-26 | Dongbu Hitek Co Ltd | イメージセンサー |
KR101033347B1 (ko) * | 2008-10-14 | 2011-05-09 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지센서의 제조방법 |
US8253200B2 (en) * | 2008-11-19 | 2012-08-28 | Omnivision Technologies, Inc. | Lightly-doped drains (LDD) of image sensor transistors using selective epitaxy |
US20100149379A1 (en) * | 2008-12-16 | 2010-06-17 | Summa Joseph R | Image sensor with three-dimensional interconnect and ccd |
US8680619B2 (en) * | 2010-03-16 | 2014-03-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Compnay, Ltd. | Method of fabricating hybrid impact-ionization semiconductor device |
BR112013029020A2 (pt) | 2011-05-12 | 2019-10-01 | Olive Medical Corp | sensor de imagem com elementos de interconexão de otimização de tolerância |
IN2015MN00019A (ja) | 2012-07-26 | 2015-10-16 | Olive Medical Corp | |
AU2014223163A1 (en) | 2013-02-28 | 2015-08-20 | Olive Medical Corporation | Videostroboscopy of vocal chords with CMOS sensors |
EP2967285B1 (en) | 2013-03-15 | 2023-08-16 | DePuy Synthes Products, Inc. | Image sensor synchronization without input clock and data transmission clock |
WO2014145248A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Olive Medical Corporation | Minimize image sensor i/o and conductor counts in endoscope applications |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11317512A (ja) * | 1998-02-28 | 1999-11-16 | Hyundai Electronics Ind Co Ltd | Cmosイメ―ジセンサ―及びその製造方法 |
JP2002057221A (ja) * | 2001-06-25 | 2002-02-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW471111B (en) * | 2001-01-09 | 2002-01-01 | Macronix Int Co Ltd | Manufacturing method for trench |
KR100365415B1 (en) * | 2001-04-30 | 2002-12-18 | Hynix Semiconductor Inc | Method for manufacturing static ram cell |
KR100790233B1 (ko) * | 2001-12-14 | 2007-12-31 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 이미지센서 제조 방법 |
US6841266B2 (en) * | 2002-03-08 | 2005-01-11 | Industrial Technology Research Institute | Photosensitive insulating film of organic light emitting diode (OLED) |
US6744084B2 (en) * | 2002-08-29 | 2004-06-01 | Micro Technology, Inc. | Two-transistor pixel with buried reset channel and method of formation |
JP3795846B2 (ja) * | 2002-08-29 | 2006-07-12 | 富士通株式会社 | 半導体装置 |
US6909145B2 (en) * | 2002-09-23 | 2005-06-21 | International Business Machines Corporation | Metal spacer gate for CMOS FET |
KR101000600B1 (ko) * | 2003-04-30 | 2010-12-10 | 크로스텍 캐피탈, 엘엘씨 | 이온주입의 시트저항 측정용 테스트패턴 및 그가 내장된씨모스 이미지 센서 및 그의 제조 방법 |
US7214551B2 (en) * | 2003-10-14 | 2007-05-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Multiple gate electrode linewidth measurement and photoexposure compensation method |
US6949482B2 (en) * | 2003-12-08 | 2005-09-27 | Intel Corporation | Method for improving transistor performance through reducing the salicide interface resistance |
KR20050055349A (ko) * | 2003-12-08 | 2005-06-13 | 삼성전자주식회사 | 스페이서용 감광제 및 이를 이용한 액정 표시 장치의 제조방법 |
KR20050093061A (ko) * | 2004-03-18 | 2005-09-23 | 삼성전자주식회사 | Cmos 이미지 센서 및 그 제조방법 |
US20050266633A1 (en) * | 2004-05-28 | 2005-12-01 | Jing-Horng Gau | Method for fabricating capacitor |
KR100660324B1 (ko) * | 2004-07-01 | 2006-12-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 |
JP4340248B2 (ja) * | 2005-03-17 | 2009-10-07 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 半導体撮像装置を製造する方法 |
US7271025B2 (en) * | 2005-07-12 | 2007-09-18 | Micron Technology, Inc. | Image sensor with SOI substrate |
US7737500B2 (en) * | 2006-04-26 | 2010-06-15 | International Business Machines Corporation | CMOS diodes with dual gate conductors, and methods for forming the same |
-
2006
- 2006-05-26 KR KR1020060047703A patent/KR100757654B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2007
- 2007-04-04 US US11/730,853 patent/US8154055B2/en active Active
- 2007-04-10 JP JP2007103024A patent/JP5358064B2/ja active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11317512A (ja) * | 1998-02-28 | 1999-11-16 | Hyundai Electronics Ind Co Ltd | Cmosイメ―ジセンサ―及びその製造方法 |
JP2002057221A (ja) * | 2001-06-25 | 2002-02-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012504332A (ja) * | 2008-09-29 | 2012-02-16 | クロステック・キャピタル,リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | トランジスタ、トランジスタを備えた画像センサ、画像センサの製造方法 |
US8829577B2 (en) | 2008-09-29 | 2014-09-09 | Intellectual Ventures Ii Llc | Transistor, image sensor with the same, and method of manufacturing the same |
KR20100120355A (ko) * | 2009-05-06 | 2010-11-16 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서 |
KR101580323B1 (ko) | 2009-05-06 | 2015-12-28 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070272981A1 (en) | 2007-11-29 |
JP5358064B2 (ja) | 2013-12-04 |
US8154055B2 (en) | 2012-04-10 |
KR100757654B1 (ko) | 2007-09-10 |
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