KR20080097711A - 이미지 센서 및 그의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

실시예에 의한 이미지 센서는 반도체 기판 상에 형성된 트랜스퍼 게이트; 상기 트랜스퍼 게이트 일측 및 하부 영역을 포함하는 반도체 기판 상에 형성된 포토다이오드; 상기 트랜스터 게이트의 타측에 형성된 플로팅 확산부; 상기 트랜스퍼 게이트 하부에 형성되고 상기 포토다이오드와 플로팅 확산부를 연결하는 채널부; 및 상기 플로팅 확산부의 측면 및 하부면을 감싸도록 형성된 제1 도전형 절연층을 포함한다.
이미지 센서, 씨모스 이미지 센서, 포토다이오드

Description

이미지 센서 및 그의 제조방법{Image Sensor and Method for Manufacturing of the Same}
도 1은 종래의 이미지 센서를 도시한 단면도이다.
도 2 내지 도 8은 실시예의 이미지 센서의 제조공정을 나타내는 순서도이다.
실시예에서는 이미지 센서 및 그 제조방법을 개시한다.
이미지 센서는 광학적 영상(Optical Image)을 전기 신호로 변환시키는 반도체 소자로서, 크게 전하결합소자(charge coupled device:CCD) 이미지 센서와 씨모스(Complementary Metal Oxide Silicon:CMOS) 이미지 센서(CIS)로 구분된다.
CCD 이미지 센서는 구동방식이 복잡하고, 전력소비가 클 뿐만 아니라, 다단계의 포토공정이 요구되므로 제조공정이 복잡한 단점을 갖고 있으므로, 최근에는 상기 전하결합소자의 단점을 극복하기 위한 차세대 이미지 센서로서 씨모스 이미지 센서가 주목을 받고 있다.
시모스 이미지 센서는 제어회로(control circuit) 및 신호 처리 회로(signal processing circuit)를 주변 회로로 사용하는 CMOS 기술을 이용하여 화소(pixel)수 만큼 MOS 트랜지스터를 만들고 이것을 이용하여 순차적으로 출력을 검출하는 스위칭 방식을 채용하는 소자이다.
이러한, 시모스 이미지 센서의 화소는 빛을 받아 광 전하를 생성하는 1개의 포토다이오드와 4개의 MOS 트랜지스터를 포함한다.
4개의 MOS 트랜지스터는 포토다이오드와 연결되어 모아진 광전하를 플로팅 확산부로 운송하는 트랜스퍼 트랜지스터와, 원하는 값으로 플로팅 확산부의 전위를 세팅하고 전하를 배출시켜 플로팅 확산부를 리셋시키는 리셋 트랜지스터와, 플로팅 확산부의 전압이 게이트로 인가되어 소스 팔로워 버퍼 증폭기(Source Follower Buffer Amplifier) 역할을 하는 억세스 트랜지스터 및 스위칭(Switching) 역할로 어드레싱(Addressing) 역할을 수행하는 셀렉트 트랜지스터로 구성된다.
이들 중 트랜스퍼 트랜지스터는 게이트, 전하를 이동시키는 채널 및 플로팅 확산부로 사용되는 드레인(이하 플로팅 확산부라 한다.)을 포함한다.
도 1은 종래의 이미지 센서 중 포토 다이오드와 트랜스퍼 트랜지스터를 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 반도체 기판(1)의 에피층(2) 상에 활성영역과 필드영역을 정의하는 소자분리막(3)이 형성되고, 소자분리막(3)에 의해 정의된 활성영역의 중앙부분에는 문턱 전압을 조절하고 포토 다이오드에서 생성한 전하를 플로팅 확산부로 전달하는 채널부(4)가 형성된다. 채널부(4)는 반도체 기판(1) 상에 이온을 주입하여 형성된다.
그리고, 채널부(4)의 상부에 게이트 절연막 및 폴리 실리콘으로 이루어진 트 랜스퍼 트랜지스터의 게이트(5; 이하, 트랜스퍼 게이트라 한다.)가 형성되며, 트랜스퍼 게이트(5)의 측면에는 게이트 스페이서가 형성되는데, 게이트 스페이서는 반도체 기판(1)의 상부면에서부터 게이트(5)의 상부면까지 형성되어 게이트(5)의 측면을 감싼다.
한편, 트렌스퍼 게이트(5)를 형성한 후 상기 게이트 양쪽에는 포토 다이오드(6)와 플로팅 확산부(7)가 각각 형성된다.
포토 다이오드(6)는 채널부(2)의 하부로 저농도의 이온(n-)을 깊게 주입하여 형성된 n형 확산영역(n-)과 그 상부의 p형 확산영역(po)으로 이루어지며, 상기 포토 다이오드(6)는 채널부(4)와 소자분리막(3) 사이에 플로팅 확산부(7)보다 더 깊게 형성된다.
플로팅 확산부(7)도 반도체 기판(1) 상에 고농도 이온을 주입하여 형성하는데, 채널부(4), 즉 게이트 스페이서와 대응되는 부분에서부터 소자분리막(3)까지 형성된다.
이와 같이 형성된 트랜스퍼 트랜지스터의 동작을 개략적으로 설명하면, 먼저, 포토 다이오드에 광이 전달된 후 광 전하 발생되면, 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트가 턴온된다. 그러면, 채널에 의해 조절되는 문턱전압이 낮아져 포토 다이오드에서 생성된 전하는 채널을 통해 플로팅 확산부로 이동된다.
이미지 센서에 있어서 포토다이오드와 트랜스퍼 트랜지스터의 계면이 픽셀의 저조도 특성을 좌우할 수 있는 중요한 부분이다.
즉, 채널 영역의 도핑 농도가 증가할수록 포토다이오드의 계면에서의 댕글링 본드 및 각종 식각공정 중 발생하는 손상이 방지되어 포토다이오드의 다크 커런트(dark current)가 감소하게 된다.
이미지 센서의 다크 커런트 특성을 향상시키기 위해서 포토 다이오드와 플로팅 확산부 사이에 고농도의 채널부를 형성할 경우 트랜스퍼 게이트를 턴온시켰을 때 포토 다이오드와 채널부 사이의 전위 차가 작게 발생되어 포토 다이오드에서 생성된 전하가 플로팅 확산부로 잘 전달되지 않아 포토 다이오드에 광 전하가 잔류해있게 된다. 이로 인해 세추레이션 레벨(saturation level)이 저하되어 이미지의 질을 떨어뜨리고 리셋 불량을 야기시키는 문제점이 있다.
이를 해결하기 위해서, 채널부에 저농도 이온 주입할 경우 다크 신호가 커지게 되어 다크 커런트가 높아지는 문제점이 있다.
실시예는 다크(dark current) 특성 및 세추레이션(saturation) 특성을 향상시킬 수 있는 이미지 센서 및 이미지 센서의 제조 방법을 제공한다.
실시예에 의한 이미지 센서는 반도체 기판 상에 형성된 트랜스퍼 게이트; 상기 트랜스퍼 게이트 일측 및 하부 영역을 포함하는 반도체 기판 상에 형성된 포토다이오드; 상기 트랜스터 게이트의 타측에 형성된 플로팅 확산부; 상기 트랜스퍼 게이트 하부에 형성되고 상기 포토다이오드와 플로팅 확산부를 연결하는 채널부; 및 상기 플로팅 확산부의 측면 및 하부면을 감싸도록 형성된 제1 도전형 절연층을 포함한다.
실시예에 의한 이미지 센서의 제조방법은, 반도체 기판 상에 채널부를 형성하는 단계; 상기 채널부 상으로 트랜스퍼 게이트를 형성하는 단계; 상기 트랜스퍼 게이트의 하부 및 일측 영역을 포함하도록 상기 반도체 기판 상에 포토다이오드를 형성하는 단계; 상기 트랜스퍼 게이트의 타측에 상기 포토다이오드의 일부와 접하도록 제1 도전형 절연층을 형성하는 단계; 및 상기 제1 도전형 절연층 상에 플로팅 확산부를 형성하는 단계를 포함한다.
이하, 실시예에 따른 이미지 센서 및 그의 제조방법을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
실시예의 설명에 있어서, 각 층의 "상/위(on/over)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상/위(on/over)는 직접(directly)와 또는 다른 층을 개재하여(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
도 8은 실시예에 따른 이미지 센서의 단면도이다.
본 실시예의 이미지 센서는, 반도체 기판(10)의 제1 도전형 에피층(20) 상에 형성된 트랜스퍼 게이트(60); 상기 트랜스퍼 게이트(60) 타측의 상기 제1 도전형 에피층(20) 상에 형성되는 플로팅 확산부(100); 상기 트랜스퍼 게이트(60)의 하부 및 일측영역을 포함하고, 상기 플로팅 확산부(100) 하부영역의 적어도 일부분을 포함하도록 상기 제1 도전형 에피층(20) 상에 형성된 포토다이오드; 상기 트랜스퍼 게이트(60) 하부에 형성되고 상기 포토다이오드와 플로팅 확산부(100)를 연결하는 채널부(50); 및 상기 플로팅 확산부(100)의 측면 및 하부면을 감싸도록 형성된 제1 도전형 절연층(90)을 포함한다.
상기 포토다이오드는, 상기 트랜스퍼 게이트(60)의 하부 및 타측영역을 포함하고 상기 플로팅 확산부(100)의 적어도 일부분을 포함하는 제2 도전형 확산영역(40); 및 상기 트랜스퍼 게이트(60) 타측 영역의 제2 도전형 확산영역(40) 상에 형성되는 제1 도전형 확산영역(70)으로 이루어진다.
상기 플로팅 확산부(100)는 고농도의 제2 도전형 불순물로 형성된다.
상기 제1 도전형 절연층(90)은 제1 도전형 불순물로 형성된다.
상기 플로팅 확산부(100) 및 제1 도전형 절연층(90)의 하부에는 제1 도전형 매몰층(80)이 형성된다.
따라서, 상기 포토다이오드의 제2 도전형 확산영역(40)이 상기 트랜스퍼 게이트(60)의 하부 및 일측영역과 상기 플로팅 확산부(100)의 하부 영역까지 형성되므로서, 단위픽셀의 포토다이오드의 면적을 확장시킬 수 있다.
또한, 상기 플로팅 확산부(100)는 상기 제1 도전형 절연층(90) 및 제1 도전형 매몰층(80)에 의해 상기 포토다이오드의 제2 도전형 확산영역(40)과 절연된 상태이므로 상기 포토다이오드의 제1 도전형 확산영역(70)의 도핑농도를 증가시켜 이미지 센서의 다크 커런트를 감소시키는 동시에 세츄레이션 특성을 향상시킬 수 있다.
도 2 내지 도 8을 참조하여 실시예의 이미지 센서의 제조방법을 설명한다.
도 1을 참조하여, 고농도의 p형 반도체 기판(10)(p++) 상에 에피택셜(epitaxial) 공정을 실시하여 저농도의 p형 에피층(20)(p-Epi)이 형성된다.
상기 고농도의 p형 반도체 기판(10) 상에 저농도의 p형 에피층(20)을 사용하는 이유는 첫째, 저농도의 p형 에피층이 존재하므로 포토다이오드의 공핍영역(Depletion region)을 크고 깊게 증가시킬 수 있어 광전하를 모으기 위한 포토다이오드의 능력을 증가시킬 수 있다. 둘째, p형 에피층 하부에 고농도의 p+ 기판을 갖게 되면 이웃하는 단위화소로 전하가 확산되기 전에 이 전하가 빨리 재결합되기 때문에 광전하의 불규칙 확산(random diffusion)을 감소히켜 광전하의 전달 기능 변화를 감소시킬 수 있다.
실시예에서는 상기 반도체 기판(10)과 에피층을 p형으로 사용하지만 이에 한정하는 것은 아니다.
상기 p형 에피층(20)의 일정영역에 액티브 영역과 필드 영역을 정의하는 복수개의 소자분리막(30,31)을 형성한다.
이어서, 상기 p형 에피층(20) 표면에 문턱 전압을 조절하고 전하를 이동시키기 위하여 p0 이온을 주입하여 채널부(50)를 형성한다.
그리고, 상기 채널부(50) 하부의 p형 에피층(20) 상에 포토다이오드용 제2 도전형 확산영역(40)을 형성한다. 상기 제2 도전형 확산영역(40)은 저농도의 n형 불순물을 이온주입방법에 의해 형성하여 p형 에피층(20) 내부의 깊은 영역까지 n-영역을 형성할 수 있다.
상기 제2 도전형 확산영역(40)은 이후 형성되는 트랜스퍼 트랜지스터의 게이 트(이하 트랜스퍼 게이트라 한다.) 하부 영역과 상기 트랜스퍼 게이트(60) 일측에 형성된 소자분리막(31)에 접촉하고 상기 트랜스퍼 게이트(60)의 타측에 형성된 소자분리막(30)에 근접하도록 형성될 수 있다.
도 3을 참조하여, 상기 채널부(50) 상부로 트랜스퍼 게이트(60)가 형성된다.
도시하지는 않았지만, 상기 트랜스퍼 게이트(60)는 게이트 절연막 및 폴리실리콘을 증착하고 패터닝하여 게이트 전극을 형성한 후 게이트 전극의 측벽에 스페이서를 형성함으로써 형성될 수 있다.
따라서, 상기 트랜스퍼 게이트(60)는 상기 포토다이오드용 제2 도전형 확산영역(40) 상부에 형성된 상태가 된다.
도 4를 참조하여, 상기 트랜스퍼 게이트(60) 일측의 상기 제2 도전형 확산영역(40) 상으로 포토다이오드용 제1 도전형 확산영역(70)을 형성한다. 상기 제1 도전형 확산영역(70)은 p0 불순물을 이온주입하여 형성할 수 있다.
상기 제1 도전형 확산영역(70)은 상기 트랜스퍼 게이트(60) 일측에 위치한 제2 도전형 확산영역(40) 상의 채널부(50)를 포함하면서 형성되어, 상기 반도체 기판(10) 상에는 p/n/p 접합에 의해 공핍영역이 형성되면서 포토다이오드가 형성된다.
특히, 상기 제1 도전형 확산영역(70)의 형성 시 p0의 도핑 농도를 증가시켜 포토다이오드 계면의 다크 커런트 특성을 향상시킬 수 있다.
5를 참조하여, 상기 반도체 기판(10) 중 트랜스퍼 게이트(60)의 드레인, 즉, 플로팅 확산부(100)가 형성될 부분을 제외한 나머지 부분에 마스크 패턴(200)을 형 성하여, 상기 트랜스퍼 게이트(60)의 타측 영역을 노출시킨다.
상기 마스크 패턴(200)은 포토레지스트를 상기 반도체 기판(10) 상으로 도포하고 포토리소그래피 공정을 진행하여 형성할 수 있다.
상기 마스크 패턴(200)에 의해 상기 트랜스퍼 게이트(60)의 일부와 상기 트랜스퍼 게이트(60)의 타측 영역에 위치한 상기 p형 에피층(20) 및 채널부(50)가 노출된 상태가 된다.
그리고, 상기 마스크 패턴(200)을 이온주입 마스크로 사용하여 상기 트랜스퍼 게이트(60)의 타측에 이온을 주입하여 제1 도전형 매몰층(80)을 형성한다.
상기 제1 도전형 매몰층(80)은 이온주입방법에 의해 p+ 불순물을 상기 채널부(50) 및 제2 도전형 확산영역(40)을 포함하는 p형 에피층(20) 내부로 이온주입하여 형성된다. 특히, 이온주입 에너지를 조절함으로써 상기 채널부(50) 하부의 포토다이오드용 제2 도전형 확산영역(40)과 p형 에피층(20) 사이에 형성되도록 할 수 있다.
상기 제1 도전형 매몰층(80)에 의하여 이후 형성되는 플로팅 확산부(100)과 포토다이오드 간의 펀치 쓰루(punch-through) 현상을 방지할 수 있게 된다.
도 6을 참조하여, 상기 마스크 패턴(200)을 이온주입 마스크로 그대로 사용하여 상기 트랜스퍼 게이트(60)의 타측에 이온을 주입하여 제1 도전형 절연층(90)을 형성한다.
상기 제1 도전형 절연층(90)은 이온주입방법에 의해 p0 불순물을 상기 채널부(50) 및 제2 도전형 확산영역(40)을 포함하는 p형 에피층(20) 상에 이온 주입하 여 형성된다. 특히 이온주입 시 큰 각도를 갖도록 틸트 이온주입방법을 사용함으로써 상기 트랜스퍼 게이트(60)의 스페이서 하부까지 p0 불순물이 이온주입되도록 형성할 수 있다.
따라서, 상기 제1 도전형 절연층(90)은 상기 제1 도전형 매몰층(80)과 접하도록 형성되고, 상기 트랜스퍼 게이트(60)의 스페이서 하부에서 소자분리막(30,31)까지 형성될 수 있다.
도 7을 참조하여, 상기 마스크 패턴(200)을 이온주입 마스크로 그대로 사용하여 상기 트랜스퍼 게이트(60)의 타측에 이온을 주입하여 플로팅 확산부(100)를 형성한다.
상기 플로팅 확산부(100)는 이온주입방법에 의해 고농도의 n+ 불순물을 상기 제1 도전형 절연층(90) 상에 이온주입하여 형성된다.
도 8을 참조하여 상기 마스크 패턴을 스트립한다.
따라서 상기 플로팅 확산부(100)는 상기 제1 도전형 절연층(90)과 상기 제1 도전형 매몰층(80)에 의해 둘러싸이도록 형성되므로 상기 포토다이오드용 제2 도전형 확산영역(40)과 절연된 상태가 되어 펀치 쓰루(punch-through) 현상을 방지할 수 있고, 또한 채널부에서의 전하 이동이 개선될 수 있게 된다.
이와 같이 형성된 이미지 센서는 상기 트랜스퍼 게이트(60)의 턴-온시에는 상기 트랜스퍼 게이트(60)의 바이어스 전압에 의해 상기 포토다이오드와 플로팅 확산부(100) 사이에 채널부(50)에 의해 광전하 전송통로가 형성되어 전하 이동이 효율적으로 이루어지며, 턴-오프 시에는 상기 플로팅 확산부(100)를 감싸는 제1 도전 형 절연층(90)에 의해 절연된 상태가 될 수 있다.
따라서, 상기 포토다이오드의 제1 도전형 확산영역(70)의 도핑농도를 높게 형성시켜도 상기 제1 도전형 절연층(90)에 의하여 상기 트랜스퍼 트랜지스터(60)의 효율 저하를 최소화 할 수 있게 된다.
또한, 상기 제1 도전형 확산영역(70)의 도핑 농도를 높게 증가시켜도 단위픽셀의 세츄레이션(saturation) 신호 값의 감소 및 이미지 지연 현상 없이 다크 커런트를 감소시킬 수 있다.
또한, 광전하 전송통로가 전체 트랜스퍼 트랜지스터(60)의 채널 영역에서 플로팅 확산부(100)에 인접한 지역으로 감소하게 되므로 기판 표면상에 존재하는 결함(defect)에 의한 다크 커런트 역시 감소시킬 수 있다.
그리고, 트랜스퍼 트랜지스터(60)의 하부 영역까지 포토다이오드용 제1 도전형 확산영역(40)을 확장시키는 것이 가능해져 픽셀 사이즈의 축소에 따른 포토다이오드의 면적 감소율을 줄어들게 된다.
이상에서 설명한 실시예는 전술한 실시에 및 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 실시예의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경할 수 있다는 것은 본 실시예가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진자에게 있어 명백할 것이다.
본 실시예에 의한 이미지 센서 및 그 제조방법은, 포토다이오드의 도핑농도를 증가시켜 포토다이오드의 다크 커런트 발생을 방지하여 이미지 센서의 품질을 향상시킬수 있는 효과가 있다.
또한, 플로팅 확산부의 주변에 제1 도전형 절연층 및 제1 도전형 매몰층이 형성되어 상기 포토다이오드의 도핑농도를 증가시켜도 픽셀 세츄레이션 신호 및 이미지 지연을 방지할 수 있는 효과가 있다.
또한, 광전하 전송통로가 전체 트랜스퍼 트랜지스터의 채널 영역에서 플로팅 확산부에 인접한 지역으로 감소하게 되므로 기판 표면상에 존재하는 결함(defect)에 의한 다크 커런트 역시 감소시킬 수 있다.
또한, 단위 픽셀의 포토다이오드의 면적을 증가시켜, 이미지 센서의 감도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

Claims (10)

  1. 반도체 기판 상에 형성된 트랜스퍼 게이트;
    상기 트랜스퍼 게이트 일측 및 하부 영역을 포함하는 반도체 기판 상에 형성된 포토다이오드;
    상기 트랜스터 게이트의 타측에 형성된 플로팅 확산부;
    상기 트랜스퍼 게이트 하부에 형성되고 상기 포토다이오드와 플로팅 확산부를 연결하는 채널부; 및
    상기 플로팅 확산부의 측면 및 하부면을 감싸도록 형성된 제1 도전형 절연층을 포함하는 이미지 센서.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 포토다이오드는,
    상기 트랜스퍼 게이트의 하부 및 일측을 포함하고 상기 플로팅 확산부 하부의 적어도 일부분을 포함하도록 반도체 기판 상에 형성된 제2 도전형 확산영역; 및
    상기 트랜스퍼 게이트 일측 영역의 제2 도전형 확산영역 상에 형성되는 제1 도전형 확산영역를 포함하는 이미지 센서.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 플로팅 확산부는 고농도의 제2 도전형 불순물로 형성되고,
    상기 제1 도전형 절연층은 제1 도전형 불순물로 형성된 것을 포함하는 이미지 센서.
  4. 제1항 내지 제3항에 있어서,
    상기 플로팅 확산부 또는 제1 도전형 절연층의 하부에는 제1 도전형 매몰층이 형성된 것을 포함하는 이미지 센서.
  5. 반도체 기판 상에 채널부를 형성하는 단계;
    상기 채널부 상으로 트랜스퍼 게이트를 형성하는 단계;
    상기 트랜스퍼 게이트의 하부 및 일측 영역을 포함하도록 상기 반도체 기판 상에 포토다이오드를 형성하는 단계;
    상기 트랜스퍼 게이트의 타측에 상기 포토다이오드의 일부와 접하도록 제1 도전형 절연층을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 도전형 절연층 상에 플로팅 확산부를 형성하는 단계를 포함하는 이미지 센서의 제조방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 도전형 절연층 또는 플로팅 확산부 하부에 제1 도전형 매몰층을 형성하는 단계를 포함하는 이미지 센서의 제조방법.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 포토다이오드를 형성하는 단계는,
    상기 채널부가 형성된 반도체 기판 상으로 제2 도전형 불순물을 주입하여 제2 도전형 확산영역을 형성하는 단계;
    상기 트랜스퍼 게이트의 일측의 제2 도전형 확산영역 상으로 제1 도전형 불순물을 주입하여 제1 도전형 확산영역을 형성하는 단계를 포함하는 이미지 센서의 제조방법.
  8. 제5항 또는 제6항에 있어서,
    상기 제1 도전형 매몰층을 형성하는 단계는,
    상기 포토다이오드를 형성한 다음, 상기 반도체 기판 상에 마스크 패턴을 형성하여 상기 트랜스퍼 게이트의 일측 영역을 노출시키는 단계;
    상기 포토다이오드의 제2 도전형 확산영역과 접하도록 상기 트랜스퍼 게이트의 일측 영역 상으로 제1 도전형 불순물을 이온 주입하는 단계를 포함하는 이미지 센서의 제조방법.
  9. 제5항 또는 제8항에 있어서,
    상기 제1 도전형 절연층을 형성하는 단계는,
    상기 제1 도전형 매몰층을 형성한 다음, 상기 마스크 패턴을 이용하여 상기 트랜스퍼 게이트의 일측 영역 상으로 제1 도전형 불순물을 이온주입하는 단계를 포 함하는 이미지 센서의 제조방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1 도전형 절연층은 틸트 이온주입 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조방법.
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