JP2009033167A5 - - Google Patents

Claims (20)

1. エピ層に配置されているフォトダイオードと、
   前記フォトダイオードから分離され、前記フォトダイオードの下部に配置され、前記エピ層の内部に配置されている第１ドープ領域と、
   前記フォトダイオードの内部に配置された第２ドープ領域と
   を備えるイメージセンサであって、前記エピ層が第１導電型を有し、前記第１ドープ領域及び前記第２ドープ領域の両方が第２導電型を有し、前記第１ドープ領域のドーピング濃度が前記第２ドープ領域のドーピング濃度より低い、イメージセンサ。
2. 前記フォトダイオードが前記第２ドープ領域上に配置された第３ドープ領域を備え、前記第３ドープ領域が前記第１導電型を含む請求項１に記載のイメージセンサ。
3. 前記フォトダイオードに接触するように配列されたゲート電極をさらに備える請求項２に記載のイメージセンサ。
4. 前記第１ドープ領域が前記ゲート電極に整列されている請求項３に記載のイメージセンサ。
5. 前記第１ドープ領域が前記エピ層の内部に島状部を備える請求項１に記載のイメージセンサ。
6. 前記第１導電型がｐ型であり、前記第２導電型がｎ型である請求項１に記載のイメージセンサ。
7. エピ層と、
   前記エピ層に配置されているフォトダイオードと、
   前記フォトダイオードから分離され、前記フォトダイオードの下に配列され、前記エピ層の内部に配置された第１ドープ領域と
   を備え、前記第１ドープ領域が前記フォトダイオードの空乏領域を広げるように構成されている、イメージセンサ。
8. 前記フォトダイオード内部に配置された第２ドープ領域をさらに備え、
   前記エピ層が第１導電型を有し、前記第１ドープ領域及び前記第２ドープ領域の両方が、第２導電型を有し、前記第１ドープ領域のドーピング濃度が、前記第２ドープ領域のドーピング濃度より低い請求項７に記載のイメージセンサ。
9. 前記第１導電型がｐ型であり、前記第２導電型がｎ型である請求項８に記載のイメージセンサ。
10. フローティング拡散領域をさらに備え、
    前記フローティング拡散領域が前記第２導電型を含み、前記フローティング拡散領域のドーピング濃度が前記第２ドープ領域のドーピング濃度より高い、請求項８に記載のイメージセンサ。
11. 前記フォトダイオードに整列されているゲート電極をさらに備える請求項７に記載のイメージセンサ。
12. 前記第１ドープ領域が前記フォトダイオードの下だけに配置され、前記ゲート電極の下に配置されていない請求項７に記載のイメージセンサ。
13. 前記第１ドープ領域が前記エピ層の内部に島状部を備える請求項７に記載のイメージセンサ。
14. エピ層内部に配置された第１ドープ領域と、
    フォトダイオード内部に配置され、前記第１ドープ領域から分離された第２ドープ領域と、
    フローティング拡散領域と、
    前記第１ドープ領域から分離され、前記フォトダイオードと前記フローティング拡散領域との間に配列されたゲート電極と
    を備え、前記第１ドープ領域が前記フォトダイオードの空乏領域を広げるように構成されている、イメージセンサ。
15. 前記ゲート電極及び前記第１ドープ領域が、前記ゲート電極の電荷転送特性が実質的に影響されないように構成されている請求項１４に記載のイメージセンサ。
16. 前記エピ層が第１導電型を備え、前記第１ドープ領域及び前記第２ドープ領域の両方が第２導電型を備える請求項１４に記載のイメージセンサ。
17. 前記第１ドープ領域のドーピング濃度が、前記第２ドープ領域のドーピング濃度より低い請求項１６に記載のイメージセンサ。
18. 前記第１導電型がｐ型であり、前記第２導電型がｎ型である請求項１６に記載のイメージセンサ。
19. 前記フローティング拡散領域が前記第２導電型を含み、前記フローティング拡散領域のドーピング濃度が、前記第２ドープ領域のドーピング濃度より高い請求項１４に記載のイメージセンサ。
20. 前記第１ドープ領域が、前記エピ層内部に島状部を有する請求項１４に記載のイメージセンサ。