JP2008205256A5 - - Google Patents
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- p型半導体基板に形成された撮像領域の裏面側から入射する被写界光を受光して受光量に応じた信号を蓄積し該p型半導体基板の表面側に設けた信号読出素子により前記信号を読み出す裏面照射型固体撮像素子において、前記撮像領域の周辺部の前記表面側に、正電圧がバイアスされるnウェルが設けられ、前記nウェルの表面部に形成され前記正電圧がバイアスされるn型高濃度拡散層が前記p型半導体基板の周囲端面に沿って設けられることを特徴とする裏面照射型固体撮像素子。
- 暗電流発生源となる外部接続用パッド穴を、前記nウェルが設けられる領域の周囲に設けたことを特徴とする請求項1に記載の裏面照射型固体撮像素子。
- 前記nウェルは前記周辺部の全周に渡って連続して設けられることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の裏面照射型固体撮像素子。
- 前記nウェルの表面部にpチャネルトランジスタ素子が形成されることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の裏面照射型固体撮像素子。
- 前記nウェルの表面部にpウェルが形成され、該pウェルに負電圧がバイアスされることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の裏面照射型固体撮像素子。
- 前記撮像領域に形成される電荷蓄積領域と同一プロセスで前記nウェルの表面部分が埋め込みnウェルとして製造されることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の裏面照射型固体撮像素子。
- 前記p型半導体基板の裏面全面に設けた高濃度p型層と、前記撮像領域を囲む領域の前記表面側に形成されたpウェルと、該pウェルの表面に接続された接地端子であって該接地端子―該pウェル―前記p型半導体基板を通じて前記高濃度p型層を接地する接地端子とを備えることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の裏面照射型固体撮像素子。
- 前記正電圧がバイアスされる前記nウェルの内側の前記撮像領域を囲む領域のほぼ全周に渡って前記pウェルが形成されることを特徴とする請求項7に記載の裏面照射型固体撮像素子。
- 前記p型半導体基板のp型不純物濃度が濃度勾配を有することを特徴とする請求項7または請求項8に記載の裏面照射型固体撮像素子。
- 裏面に高濃度p型層を有するp型半導体基板に形成された撮像領域の裏面側から入射する被写界光を受光して受光量に応じた信号を蓄積し該p型半導体基板の表面側に設けた信号読出素子により前記信号を読み出す裏面照射型固体撮像素子において、前記p型半導体基板の表面側の前記撮像領域を囲む領域に形成されたpウェルと、該pウェル表面に接続された接地端子であって該接地端子―該pウェル―前記p型半導体基板を通して前記高濃度p型層を接地する接地端子とを備えることを特徴とする裏面照射型固体撮像素子。
- 前記pウェルが、前記撮像領域を囲む領域のほぼ全周に渡って連続して設けられることを特徴とする請求項10に記載の裏面照射型固体撮像素子。
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