JP2008205256A5 - - Google Patents

Claims (11)

1. ｐ型半導体基板に形成された撮像領域の裏面側から入射する被写界光を受光して受光量に応じた信号を蓄積し該ｐ型半導体基板の表面側に設けた信号読出素子により前記信号を読み出す裏面照射型固体撮像素子において、前記撮像領域の周辺部の前記表面側に、正電圧がバイアスされるｎウェルが設けられ、前記ｎウェルの表面部に形成され前記正電圧がバイアスされるｎ型高濃度拡散層が前記ｐ型半導体基板の周囲端面に沿って設けられることを特徴とする裏面照射型固体撮像素子。
2. 暗電流発生源となる外部接続用パッド穴を、前記ｎウェルが設けられる領域の周囲に設けたことを特徴とする請求項１に記載の裏面照射型固体撮像素子。
3. 前記ｎウェルは前記周辺部の全周に渡って連続して設けられることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の裏面照射型固体撮像素子。
4. 前記ｎウェルの表面部にｐチャネルトランジスタ素子が形成されることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の裏面照射型固体撮像素子。
5. 前記ｎウェルの表面部にｐウェルが形成され、該ｐウェルに負電圧がバイアスされることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の裏面照射型固体撮像素子。
6. 前記撮像領域に形成される電荷蓄積領域と同一プロセスで前記ｎウェルの表面部分が埋め込みｎウェルとして製造されることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の裏面照射型固体撮像素子。
7. 前記ｐ型半導体基板の裏面全面に設けた高濃度ｐ型層と、前記撮像領域を囲む領域の前記表面側に形成されたｐウェルと、該ｐウェルの表面に接続された接地端子であって該接地端子―該ｐウェル―前記ｐ型半導体基板を通じて前記高濃度ｐ型層を接地する接地端子とを備えることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の裏面照射型固体撮像素子。
8. 前記正電圧がバイアスされる前記ｎウェルの内側の前記撮像領域を囲む領域のほぼ全周に渡って前記ｐウェルが形成されることを特徴とする請求項７に記載の裏面照射型固体撮像素子。
9. 前記ｐ型半導体基板のｐ型不純物濃度が濃度勾配を有することを特徴とする請求項７または請求項８に記載の裏面照射型固体撮像素子。
10. 裏面に高濃度ｐ型層を有するｐ型半導体基板に形成された撮像領域の裏面側から入射する被写界光を受光して受光量に応じた信号を蓄積し該ｐ型半導体基板の表面側に設けた信号読出素子により前記信号を読み出す裏面照射型固体撮像素子において、前記ｐ型半導体基板の表面側の前記撮像領域を囲む領域に形成されたｐウェルと、該ｐウェル表面に接続された接地端子であって該接地端子―該ｐウェル―前記ｐ型半導体基板を通して前記高濃度ｐ型層を接地する接地端子とを備えることを特徴とする裏面照射型固体撮像素子。
11. 前記ｐウェルが、前記撮像領域を囲む領域のほぼ全周に渡って連続して設けられることを特徴とする請求項１０に記載の裏面照射型固体撮像素子。