CN102804377A - 具有偏压正侧和背侧的影像传感器 - Google Patents

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CN102804377A CN2010800253344A CN201080025334A CN102804377A CN 102804377 A CN102804377 A CN 102804377A CN 2010800253344 A CN2010800253344 A CN 2010800253344A CN 201080025334 A CN201080025334 A CN 201080025334A CN 102804377 A CN102804377 A CN 102804377A
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Abstract

一种背照式影像传感器包括具有第一导电类型的传感器层，所述传感器层具有前侧和与所述前侧相对的背侧。具有第二导电类型的一个或一个以上区形成于所述传感器层的至少一部分中邻近于所述前侧。所述一个或一个以上区连接到电压端子，所述电压端子用于将这些区加偏压到预定电压。具有所述第二导电类型的背侧阱形成于所述传感器层中邻近于所述背侧。所述背侧阱电连接到另一电压端子，所述另一电压端子用于以不同于所述第一预定电压的第二预定电压对所述背侧阱加偏压。

Description

具有偏压正侧和背侧的影像传感器
技术领域
本发明大体上涉及用于数字式照相机和其它类型影像撷取器件中的影像传感器，且更具体说来，涉及背照式影像传感器。
背景技术
电子影像传感器通过使用将入射光转换成电信号的光敏性光检测器来撷取影像。影像传感器一般被分类为前照式影像传感器或背照式影像传感器。随着影像传感器工业转向愈来愈小的像素设计以增加分辨率且降低成本，背光照明的益处变得愈加清晰。在前照式影像传感器中，电控制线或电导体定位于影像传感器的光检测器与光接收侧之间。此定位带来的结果为：电导体阻挡了本应由光检测器接收的光的部分，从而导致不良的量子效率(QE)性能(尤其对于小像素)。对于背照式影像传感器，电控制线或电导体与传感器的光接收侧相对定位，且不会降低QE性能。因此，背照式影像传感器解决了小像素设计引起的QE性能的问题。
图1是根据先有技术的具有前侧偏压和背侧偏压的NMOS背照式影像传感器的一部分的横截面图。具体说来，图1描绘如美国专利申请公开案US2008/0217723中所揭示的背照式影像传感器。传感器层104的前侧102通常已知为传感器层104紧邻电路层106的一侧，而传感器层104的背侧108与前侧102相对。背侧108通常涂布有绝缘层110。此背侧配置允许光112照在背侧108上并通过光检测器114检测。在背照式影像传感器的情况下，由光检测器114进行的光检测不受电路层106的金属化层级116、栅极118和其它特征影响。前侧接点120通常保持接地，并电连接到浅p型阱122。背侧接点124电连接达到p型区126。
像素大小逐渐减小，以努力增加影像传感器中所包括的像素128的数目。较小像素的一个优点为：对于固定光格式来说，影像的分辨率增加。具体说来，较小像素具有较好的调制转移函数(MTF)，且因此可辨别影像中的精细细节，例如薄条纹衬衫上的线条。然而，在背照式影像传感器的情况下，减小像素128的大小未必会改良MTF性能，因为传感器层104内靠近背侧108的电场较低。在低电场区内产生的光生载流子可横向地扩散。具体说来，在室温下，光生载流子可抵抗量值小于1000V/cm的电场而扩散的机率是很显著的。横向扩散的载流子被邻近像素中的光检测器114收集的机率相当大。靠近背侧108的低电场区导致不良的MTF性能，且因此导致不良的色彩串扰性能。
当将负偏压施加到背侧接点124，并将接地电压施加到前侧接点120时，图1的背照式n通道金属氧化物半导体(NMOS)影像传感器中的MTF性能可得以改良。接点124上的负背侧偏压产生由背侧108到前侧104的电场，这一电场迫使光生电子130进入最近的光检测器114中。以与前侧p型阱122的电压不同的电压对背侧p型区126加偏压需要由n型区将两个p型区122、126分离。两个接点120、124欧姆短路在一起而无介入的n型区。
如图1中所说明，此情形导致具有额外n型植入物132的像素设计，从而有效地产生三阱设计。在此三阱设计中，n+电荷-电压转换机构134驻留于p型阱122中。接点120经由其它p型植入物(包括p型植入物136、138)对浅p型阱122加偏压。
相比所解决的问题，三阱设计产生更多的性能相关问题。第一，添加三阱增加了像素晶体管的占据面积(footprint)并缩小了光检测器114的大小，由此减小了光检测器容量。第二，利用n型光检测器114和n型植入物132包围浅p型阱122和p型植入物136、138将不利地影响转移栅极118的可制造性。必须将p+植入物136从转移栅极118拉回，以便使p+植入物136与传感器层104的p外延层隔离。作为光检测器114的一部分安置于p+植入物136与转移栅极118之间的小n型区产生凹穴(pocket)，这些凹穴使延滞性能降级。第三，在制造期间，在转移栅极118下方并邻近于转移栅极118的n植入物132、p型阱122和n型电荷-电压转换机构134的组合也导致延滞性能问题。这是因为需要严格控制的对准。第四，在转移栅极118正下方存在突变n-p-n接面的三阱区将产生高电场区，这一高电场区会增进亮点的产生。
发明内容
一种背照式影像传感器包括具有第一导电类型的传感器层，所述传感器层具有前侧和与前侧相对的背侧。背侧上方安置有绝缘层。具有第一导电类型的多个光检测器将入射于背侧上的光转换成光生电荷。这些光检测器安置于传感器层中邻近于前侧。具有第二导电类型的一个或一个以上区形成于传感器层的至少一部分中邻近于前侧。所述一个或一个以上区连接到电压端子，这一电压端子用于将这些区加偏压到预定电压。具有第二导电类型的背侧阱形成于传感器层中邻近于背侧。背侧阱电连接到另一电压端子，所述另一电压端子用于以不同于第一预定电压的第二预定电压对背侧阱加偏压。电压差在传感器层的前侧与背侧之间产生电场。
优点
本发明具有如下优点：提供一种具有改良的色彩串扰性能的背照式影像传感器。
附图说明
参照以下图式将更好地了解本发明的实施例。图式各元件未必相对于彼此按比例绘制。
图1是根据先有技术的具有前侧偏压和背侧偏压的NMOS背照式影像传感器的一部分的横截面图；
图2是在根据本发明一个实施例中的影像撷取器件的简化方块图；
图3是在根据本发明一个实施例中的图2中所示影像传感器206的简化方块图；
图4是说明图3中所示像素300的一歌例示性实施方案的示意图；
图5是在根据本发明一个实施例中的第一背照式影像传感器的一部分的横截面图；
图6是在根据本发明一个实施例中的第二背照式影像传感器和电偏压式光屏蔽的一部分的俯视图；
图7是通过图6中所示线A-A′得到的横截面图；及
图8是在根据本发明一个实施例中的第三背照式影像传感器的一部分的横截面图。
具体实施方式
除非上下文清楚地另外指示，否则本说明书和权利要求书通篇使用的以下术语采用本文中明确地关联的含义。“一”和“所述”的含义包括复数形式的引用，“在……中”的含义包括“在……中”和“在……上”。术语“连接”是指所连接项目之间的直接电连接，或通过一个或一个以上被动或主动中间器件进行的间接连接。术语“电路”是指单一组件，或连接在一起以提供所要功能的多个组件(主动或被动式)。术语“信号”是指至少一种电流、电压或数据信号。
另外，例如“在……上”、“在……上方”、“在……顶部”、“在……底部”等方向术语是参照所描述的图式的方位来使用。因为本发明实施例的组件可定位在许多不同方位上，所以使用的方向性术语只是出于说明的目的，而决不为限制性的。当结合影像传感器晶片或相应影像传感器的层使用时，方向性术语意欲从广义上解释，且因此不应被解译成排除一个或一个以上介入层或其它介入影像传感器特征或元件的存在。因此，在本文中描述为形成于另一层上或形成于另一层上方的某一给定层可通过一个或一个以上额外层而与所述另一层分离。
参看诸图式，各图式中的相同数字将指示相同部分。
图2是在根据本发明一个实施例中的影像撷取器件的简化方块图。影像撷取器件200是作为图2中的数字式照相机实施。所属领域技术人员将认识到，数字式照相机只是可利用并有本发明的影像传感器的影像撷取器件的一个实例。其它类型的影像撷取器件(例如，手机相机、扫描仪和数字式视频摄像机)也可供本发明使用。
在数字式照相机200中，来自主场景的光202输入到成像台204。成像台204可包括常规元件，例如透镜、中性密度滤光片、光圈和快门。光202由成像台204聚焦以在影像传感器206上形成影像。影像传感器206通过将入射光转换成电信号来撷取一个或一个以上影像。数字式照相机200进一步包括处理器208、存储器210、显示器212和一个或一个以上额外输入/输出(I/O)元件214。虽然在图2的实施例中显示为单独元件，但成像台204可与影像传感器206整合，且有可能与数字式照相机200的一个或一个以上额外元件整合，以形成紧密相机模组。
处理器208可作为例如微处理器、中央处理单元(CPU)、特殊应用集成电路(ASIC)、数字式信号处理器(DSP)或其它处理器件，或多个所述器件的组合实施。成像台204和影像传感器206的各种元件可由处理器208所供应的时序信号或其它信号控制。
存储器210可经配置为任何类型的存储器，例如随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、快闪存储器、磁盘式存储器(disk-based memory)、可移动式存储器，或其它类型的储存元件，这些存储器可呈任何组合形式。影像传感器206所撷取的给定影像可由处理器208储存于存储器210中，并呈现于显示器212上。显示器212通常为主动式矩阵彩色液晶显示器(LCD)，但可使用其它类型的显示器。额外I/O元件214可包括例如各种屏幕上控制、按钮或其它用户界面、网络界面或存储卡界面。
应了解，图2中所示数字式照相机可包含所属领域技术人员所知类型的额外或替代性元件。本文中未具体显示或描述的元件可选自此项技术中已知的元件。如先前所陈述，本发明可在众多影像撷取器件中实施。
现参看图3，图中显示在根据本发明一个实施例中的图2中所示影像传感器206的简化方块图。影像传感器206通常包括形成成像区域302的像素300的阵列。在图3中所示的实施例中，每一像素300包括四个像素边缘303。组合的像素边缘303形成围绕像素中所包括的组件的周边或边界。如图3中所示，四个像素边缘303是以矩形形状布置。在根据本发明的其它实施例中，可以不同形状和定向来实施像素边缘303。
影像传感器206进一步包括列解码器304、行解码器306、数字逻辑308和模拟或数字输出电路310。在根据本发明一个实施例中，影像传感器206是作为背照式互补金属氧化物半导体(CMOS)影像传感器实施。因此，列解码器304、行解码器306、数字逻辑308和模拟或数字输出电路310是作为电连接到成像区域302的标准CMOS电子电路实施。
可至少部分以软件形式实施与对成像区域302的取样和读出以及对相应影像数据的处理相关联的功能性，所述软件被储存于存储器210中，并由处理器208执行(参见图2)。取样和读出电路的部分可布置于影像传感器206外部，或例如与成像区域302整体形成于具有光检测器和成像区域其它元件的共用集成电路上。所属领域技术人员将认识到，可在根据本发明的其它实施例中实施其它周边电路配置或架构。
图4是说明图3中所示像素300的一个例示性实施方案的示意图。像素300是非共用像素，其包括在像素边缘303内的光检测器402、转移栅极404、电荷-电压转换机构406、复位晶体管408和放大器晶体管410，放大器晶体管410的源极连接到输出线412。复位晶体管408和放大器晶体管410的漏极维持在电位V漏极414下。复位晶体管408的源极和放大器晶体管410的栅极连接到电荷-电压转换机构406。
在根据本发明的一个实施例中，光检测器402经配置为钉扎式光电二极管(pinnedphotodiode)，电荷-电压转换机构406经配置为浮动扩散(floating diffusion)，且放大器晶体管410经配置为源极跟随器晶体管(source follower transistor)。在根据本发明的其它实施例中，实施的像素300可具有额外或不同的组件。仅举例来说，在根据本发明的另一实施例中，光检测器402经配置为非钉扎式光检测器。
转移栅极404可用以将所收集的光生电荷从光检测器402转移到电荷-电压转换机构406。电荷-电压转换机构406用以将光生电荷转换成电压信号。放大器晶体管410缓冲储存于电荷-电压转换机构406中的电压信号，且放大所述电压信号并将其传输到输出线412。复位晶体管408用以将电荷-电压转换机构406复位成已知电位，之后读出。输出线412连接到读出与影像处理电路(图中未显示)。如所示，当使用涉及在读出期间控制电位V漏极414的脉冲式供电模式来读出影像时，图4中的实施例不包括行选择晶体管。
根据本发明的实施例不限于图4中所示的像素结构。可在根据本发明的其它实施例中使用其它像素配置。仅举例来说，在根据本发明的实施例中，可实施四晶体管(4T)和共用像素结构。
现参看图5，图中显示根据本发明一个实施例中的第一背照式影像传感器的一部分的横截面图。所述横截面图描绘影像传感器502的三个例示性像素500。影像传感器502包括主动式硅传感器层504，其具有前侧506和与前侧506相对的背侧508。绝缘层510安置于背侧508上方且电路层512邻近于前侧506，使得传感器层504位于电路层512与绝缘层510之间。在所说明的实施例中，绝缘层510是由二氧化硅或另一合适的电介质材料制造而成。电路层512包括形成影像传感器502的控制电路的导电互连件514、516、518，例如栅极和连接器。
每一像素500包括用于将入射于背侧508上的光522转换成光生电荷524、526的光检测器520。光检测器520安置成邻近前侧506。在所说明的实施例中，传感器层504被实施为具有p导电类型的外延层，且通过将具有p导电类型的一种或一种以上掺杂物植入到外延层中来形成光检测器520。
转移栅极528用以将所收集的光生电荷从相应光检测器520转移到p导电类型的电荷-电压转换机构530，在所说明的实施例中，电荷-电压转换机构530被配置为浮动扩散。电荷-电压转换机构530驻留于具有n导电类型的浅阱532中。
具有n型导电性的一个或一个以上区形成于传感器层504的至少一部分中邻近于前侧506，并电连接到电压端子534，电压端子534用于将n型区加偏压到预定电压。在所说明的实施例中，邻近于前侧506的n型区包括包围电荷-电压转换机构530的浅n型阱532、包围复位和源极/跟随器晶体管(图中未显示)的p+节点的浅n型阱、安置于每一光检测器520上方的n型钉扎层536，以及对浅渠沟隔离(STI)540进行加衬的n型钉扎层538。邻近于前侧506的n型区经由电压端子534加偏压到已知电压水平V偏压A。虽然图5中未显示，但包围每一电荷-电压转换机构530的每一浅n型阱532都通过其它n型植入区(例如，n型钉扎层536、538)连续地电连接在一起。
具有n导电类型的背侧阱542(其在一些实施例中为深n型阱)形成于传感器层504中邻近于背侧508，并通过n型连接区546电连接到电压端子544。在大多数实施例中，电压端子544定位于成像阵列的边缘处。背侧阱542经由电压端子544加偏压到已知电压水平V偏压B。在根据本发明的一个或一个以上实施例中，在V偏压A 534与V偏压B 544之间包括接地偏压以消除供电期间的偏压问题。
对于PMOS影像传感器，V偏压B高于V偏压A。此情形使得在背侧阱542与前侧区532、536、538之间产生电场。此电场驱动光致电洞526朝向前侧506的表面，由此减少电串扰。以高于前侧区532、536、538的电压电位的电压电位对背侧阱542加偏压的一个理想结果为：每一光检测器520的空乏区548的大小增加。
现将描述美国专利申请案2008/0217723 A1中的现有技术NMOS配置与图5中所说明的实施例之间的几个差别。第一，对于NMOS配置，背侧电极形成连接到p外延传感器层的欧姆连接，而在图5的实施例中，背侧阱542在电压端子544与传感器层504的p外延层之间形成反向偏压n-p接面。第二，对于现有技术NMOS配置，邻近于前侧的晶体管节点必须驻留于三阱(p层、n层、p层)中，从而增加像素晶体管的占据面积并减小了光检测器的大小。在图5的实施例中，由于使用了p型外延材料来形成传感器层504，不需要三阱。第三，对于现有技术NMOS配置，STI也驻留于三阱中，从而进一步减小了光检测器的大小，而在图5的实施例中，STI不需要任何阱植入物。第四，对于现有技术NMOS配置，必须将p+钉扎植入物从转移栅极拉回以便使p+植入物与p-外延层隔离，由此使延滞性能降级。然而，在图5的实施例中，n+区536与转移栅极528自对准。第五，在现有技术NMOS配置中，在转移栅极正下方的三阱区可产生极高的电场区，这一电场区因污染和植入损害而增进亮点的产生。图5的实施例不产生此高电场区，因为其使用与标准前侧PMOS影像传感器相同的转移栅极植入方案，从而消除了对突变接面的需要。最后，由于图5实施例中的晶体管不需要三阱，故晶体管占用较小区域，由此允许光检测器较大，从而产生较好的像素性能。
图6是根据本发明一个实施例中的第二背照式影像传感器和电偏压式光屏蔽(electrically bias light shield)的一部分的俯视图。在根据本发明的一个实施例中，导电材料(例如，不透明的光屏蔽600)上覆且遮盖相邻像素601之间的像素边缘303(以虚线描绘)(在图5、图7、图8中也显示了一些像素边缘)。此遮盖通过减少在像素边缘303附近产生的光生载流子的数目来改良串扰性能。在此实施例中，不透明的光屏蔽600电连接到电压电位V偏压B。
虽然图6中所示的实施例将导电材料描绘为光屏蔽，但根据本发明的其它实施例可以不同方式实施导电材料。仅举例来说，可将导电材料制造为透明导电材料。另外，导电材料不限于图6中所示的形状(包括矩形阵列的矩形形状)。在根据本发明的其它实施例中，导电材料或导电材料的至少一部分的形状可以不同方式成形或定向。举例来说，在根据本发明的一个或一个以上实施例中，导电材料可具有对应于一个或一个以上像素边缘303的形状，例如单个或多个垂直线或水平线、一个或一个以上“L”形状，或包围在成像区域边缘上的像素的较大矩形。
现参看图7，图中显示通过图6中所示的线A-A′得到的横截面图。除了不透明的光屏蔽600、一个或一个以上接点植入区700以及将接点植入区700电连接到光屏蔽600的一个或一个以上接点702以外，图7中所示的实施例类似于图6中所示的实施例。在图7中所示的实施例中，接点植入区700经植入而具有呈n导电类型的一种或一种以上掺杂物。通常，接点植入区700中掺杂物的浓度大于n型背侧阱542中的掺杂物浓度，由此提供与背侧阱542的较好电接触。
在根据本发明的一个实施例中，不透明的光屏蔽600和接点702是由相同材料(例如，单一金属)形成。根据本发明的其它实施例可由不同材料(例如，铝和钨)来制造光屏蔽600和接点702。
第二电压端子544和连接区542不包括在图7的实施例中。实情为，背侧阱542通过电偏压式光屏蔽600、导电接点702和接点植入区700加偏压到已知电压水平V偏压B。在根据本发明的另一实施例中，电压端子544安置于前侧506上，并使用连接区546、阱542、接点植入区700和接点702电连接到光屏蔽600。
如先前所论述，在PMOS影像传感器中，V偏压B大于V偏压A。此电位差使n型背侧阱542和n型接点植入区700与前侧n型区532、536、538之间产生电场。此电场驱动大多数光致电洞524、526朝向前侧508的表面，从而减少电串扰以及增加空乏区548的大小。另外，接点植入区700导引背侧阱542中的光致电洞526朝向每一像素的中心。来自光屏蔽600的边缘电场也有助于导引光致电洞526朝向每一像素的中心。此导引改良了器件MTF且减少了色彩串扰(尤其对于蓝光来说)。
图8是在根据本发明一个实施例中的第三背照式影像传感器的一部分的横截面图。图8中所示的实施例类似于图7中所示的实施例，但添加有链接的接点植入区700、800。所述两个或两个以上接点植入区700、800可较好地导引像素边缘303内的光致电洞。图8也添加了彩色滤光片阵列(CFA)的彩色滤光片元件802、804、806；分隔层808；和微透镜810。微透镜810将光522朝向像素812的中心聚焦。此情形得到具有良好MTF和极低色彩串扰的影像传感器。
元件清单
102 传感器层的前侧
104 传感器层
106 电路层
108 传感器层的背侧
110 绝缘层
112 光
114 光检测器
116 金属化层级
118 转移栅极
120 前侧接点
122 阱
124 背侧接点
126 区
128 像素
130 电子
132 植入物
134 电荷-电压转换机构
136 植入物
138 植入物
200 影像撷取器件
202 光
204 成像台
206 影像传感器
208 处理器
210 存储器
212 显示器
214 其它输入/输出
300 像素
302 成像区域
303 像素边缘
304 列解码器
306 行解码器
308 数字逻辑
310 模拟或数字输出电路
402 光检测器
404 转移栅极
406 电荷-电压转换机构
408 复位晶体管
410 放大器晶体管
412 输出线
414 电位
500 像素
502 影像传感器
504 传感器层
506 传感器层的前侧
508 传感器层的背侧
510 绝缘层
512 电路层
514 互连件
516 互连件
518 互连件
520 光检测器
522 光
524 电荷
526 电荷
528 转移栅极
530 电荷-电压转换机构
532 区
534 电压端子
536 区
538 区
540 浅渠沟隔离
542 背侧阱
544 电压端子
546 连接区
548 空乏区
600 配置为光屏蔽的导电材料
601 像素
700 接点植入区
702 接点
800 接点植入区
802 彩色滤光片元件
804 彩色滤光片元件
806 彩色滤光片元件
808 分隔层
810 微透镜
812 像素

Claims (9)

1.一种背照式影像传感器，其包含：
传感器层，其具有第一导电类型，所述传感器层具有前侧和与所述前侧相对的背侧，其中所述传感器层安置于邻近于所述前侧的电路层与安置于所述背侧上方的绝缘层之间；
一个或一个以上区，其具有第二导电类型，所述一个或一个以上区形成于所述传感器层的至少一部分中邻近于所述前侧，并电连接到第一电压端子，所述第一电压端子用于以第一预定电压对所述一个或一个以上区加偏压；及
背侧阱，其具有所述第二导电类型，所述背侧阱形成于所述传感器层中邻近于所述背侧，并电连接到第二电压端子，所述第二电压端子用于以不同于所述第一预定电压的第二预定电压对所述背侧阱加偏压。
2.根据权利要求1所述的背照式影像传感器，其中所述第一导电类型包含p导电类型，且所述第二导电类型包含n导电类型。
3.根据权利要求1所述的背照式影像传感器，其进一步包含：
多个光检测器，其具有所述第一导电类型，所述多个光检测器用于将入射于所述背侧上的光转换成光生电荷，每一光检测器都具有空乏区，其中所述多个光检测器安置于所述传感器层中邻近于所述前侧；
多个电荷-电压转换机构，其具有所述第一导电类型，所述多个电荷-电压转换机构安置于所述传感器层中邻近于所述前侧；及
转移栅极，其用于将每一电荷-电压转换机构电连接到相应光检测器。
4.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的背照式影像传感器，其中具有所述第二导电类型的所述阱通过具有所述第二导电类型的一个或一个以上连接区电连接到所述第二电压端子。
5.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的背照式影像传感器，其中具有所述第二导电类型的所述背侧阱直接连接到所述第二电压端子。
6.一种背照式影像传感器，其包含：
传感器层，其具有第一导电类型，所述传感器层具有前侧和与所述前侧相对的背侧，其中所述传感器层安置于邻近于所述前侧的电路层与安置于所述背侧上方的绝缘层之间；
一个或一个以上区，其具有第二导电类型，所述一个或一个以上区形成于所述传感器层的至少一部分中邻近于所述前侧，并电连接到第一电压端子，所述第一电压端子用于以第一预定电压对所述一个或一个以上区加偏压；
背侧阱，其具有所述第二导电类型，所述背侧阱形成于所述传感器层中邻近于所述背侧；
第二电压端子，其安置于所述传感器层的所述前侧上；及
一个或一个以上连接区，其具有所述第二导电类型，所述一个或一个以上连接区安置于所述背侧阱与所述第二电压端子之间，并电连接到所述背侧阱和所述第二电压端子，所述第二电压端子用于以不同于所述第一预定电压的第二预定电压对所述背侧阱加偏压。
7.根据权利要求6所述的背照式影像传感器，其进一步包含：
多个光检测器，其具有所述第一导电类型，所述多个光检测器用于将入射于所述背侧上的光转换成光生电荷，每一光检测器都具有空乏区，其中所述多个光检测器安置于所述传感器层中邻近于所述前侧；
多个电荷-电压转换机构，其具有所述第一导电类型，所述多个电荷-电压转换机构安置于所述传感器层中邻近于所述前侧；及
转移栅极，其用于将每一电荷-电压转换机构电连接到相应光检测器。
8.根据权利要求6或权利要求7所述的背照式影像传感器，其中所述第一导电类型包含p导电类型，且所述第二导电类型包含n导电类型。
9.一种影像撷取器件，其包含：
背照式影像传感器，其包含：
传感器层，其具有第一导电类型，所述传感器层具有前侧和与所述前侧相对的背侧，其中所述传感器层安置于邻近于所述前侧的电路层与安置于所述背侧上方的绝缘层之间；
一个或一个以上区，其具有第二导电类型，所述一个或一个以上区形成于所述传感器层的至少一部分中邻近于所述前侧且电连接到第一电压端子，所述第一电压端子用于以第一预定电压对所述一个或一个以上区加偏压；
背侧阱，其具有所述第二导电类型，所述背侧阱形成于所述传感器层中邻近于所述背侧；
第二电压端子，其安置于所述传感器层的所述前侧上；及
一个或一个以上连接区，其具有所述第二导电类型，所述一个或一个以上连接区安置于所述背侧阱与所述第二电压端子之间且电连接到所述背侧阱和所述第二电压端子，所述第二电压端子用于以不同于所述第一预定电压的第二预定电压对所述背侧阱加偏压。
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