KR900002478A - Ccd 영상기 - Google Patents

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KR900002478A
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데쯔로 구메사와
야스오 가노우
오사무 니시마
마사아끼 이소베
히로미찌 마쯔이
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오오가 노리오
소니 가부시끼 가이샤
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    • H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H01L31/14—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the light source or sources being controlled by the semiconductor device sensitive to radiation, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices
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    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/148—Charge coupled imagers
    • H01L27/14831—Area CCD imagers

Abstract

내용 없음

Description

CCD 영상기
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1도는 본 발명에 대한 CCD영상의 광 수신부의 심도에 따른 전압 분배를 도시하는 다이어그램.
제 2도는 본 발명에 대한 CCD영상기의 실시예 본질 부분을 도시하는 개략적인 횡단면도.

Claims (6)

  1. 영상 정보 출력용 CCD영상기에 있어서, 각각 그의 심도에 따라 표면으로부터 볼때 제2전도형의 반도체 표면 영역, 제1전도형의 제1반도체 영역, 제2전도형 반도체 영역과 상기 제1전도형의 제2반도체 영역 순서로 포함하는 복수의 광 수신부를 구비하며, 상기 제2반도체 영역은 낮은 농축 반도체 영역 바닥측상의 상기 제1전도형의 높은 농축 반도체 영역과 상기 제2전도형의 상기 반도체 영역 바닥측상의 상기 제1전도형의 낮은 반도체 영역으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 CCD영상기.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2전도형의 상기 반도체 표면은 그라운드 전위로 고정되고, 가변 전압은 상기 제1전도형의 상기 제2반도체 영역으로 인가되고 전기 전하는 상기 제2반도체 영역내로 일소된 것을 특징으로 하는 CCD영상기.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1전도형의 상기 높은 농축 반도체 영역은 셔터링 전압 인가시 상기 제1전도형의 낮은 농축 반도체 영역과 상기 제2전도형의 상기 반도체 영역 사이 접합의 소모층 영역내에 제공되는 것을 특징으로 하는 CCD영상기.
  4. 제1항에 있어서, 상기 높은 농축 반도체 영역의 불순물 농축은 상기 낮은 농축 반도체 영역의 불순물 농축보다 100배 이하인 것을 특징으로 하는 CCD영상기.
  5. 제1항에 있어서, 상기 광 수신부는 2차원 매트릭스 배열되고 전하 전달부는 상기 광 수신부의 수직행을 따라 형성된 것을 특징으로 하는 CCD영상기.
  6. 영상 정보 출력용 CCD영상기에 있어서, 각각 p형 반도체 표면 영역, n형 제1반도체 영역, p형 반도체 및 n형 제2반도체 영역을 포함하는 복수의 광 수신부를 구비하며, 상기 제2반도체 영역은 상기 p형 반도체 영역 바닥측상의 n형 낮은 농축 반도체 영역과 상기 낮은 농축 반도체 영역 바닥층상의 n형 높은 농축 반도체 영역으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 CCD영상기.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890010698A 1988-07-30 1989-07-28 Ccd 영상소자 KR0174257B1 (ko)

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