KR970024937A - 흑색 세로 줄무늬가 없는 2차원 ccd 화상 센서 - Google Patents

흑색 세로 줄무늬가 없는 2차원 ccd 화상 센서 Download PDF

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Abstract

2차원 CCD 화상 센서에 있어서, 수직 전송 채널(6)은 매트릭스 배열의 포토다이오드(1)로부터 전하 패킷을 수신하도록 배열되며, 행 전극(3)은 수직 전송 채널을 따라 한 행씩 전하 패킷을 이동시키기 위해 수직 전송 채널에 접속된다. 수평전송 채널(14)는 대응 수직 전송 채널(6)으로부터 전하 패킷을 수신하기 위한 단이다. 수평 전송 채널의 각 단은 제1 및 제2 저장 영역(A1;A2) 및 2개의 장벽 영역(B1, C1;B2, C2) 세트로 형성된다. 각각의 단의 경우, 제1, 제2, 제3 및 제4 인접 전극(27,28,29 및 30) 그룹이 제공되는데, 제1 및 제2 전극은 제1 위상 클럭 펄스를 수신하도록 접속되며, 제3 및 제4 전극은 위상이 반대인 제2 클럭 펄스를 수신하도록 접속된다. 제1 및 제3 전극(27-1, 29-1)은 제1 및 제2 저장 영역(A1, A2) 세트 상에 각각 배치되며, 제2 및 제4 전극(28-1, 30-1)은 제1 및 제2 장벽 영역(B1, C1;B2, C2) 세트 상에 배치된다. 흑색 세로 줄무늬를 제거하기 위해, 제1 장벽 영역(B1, C1) 세트는 그로부터 전하 패킷만을 수신하기 위해 대응 수직 전송 채널(6-1)에 접속된다.

Description

흑색 세로 줄무늬가 없는 2차원 CCD 화상 센서
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
도 5는 본 발명이 제1 실시예에 따른 2차원 화상 센서의 일부분의 평면도,
도 6은 도 5의 6-6선을 따라 절취된 횡단면도.

Claims (4)

  1. 2차원 CCD(Charge-Coup1ed Device) 화상 센서에 있어서, 매트릭스 배열의 포토다이오드(1); 상기 포토다이오드(1)로부터 전하 패킷을 수신하도록 배열된 다수의 수직 전송 채널(6); 상기 수직 전송 채널을 따라 한 행씩 상기 전하 패킷을 이동시키기 위해 상기 수직 전송 채널(6)에 접속된 다수의 행 전극(3); 상기 수직 전송 채널(6)에 각각 대응하여 그로부터 전하 패킷을 수신하는 다수의 단을 가진 수평 전송 채널(14)를 포함하되, 상기 각 단은 제1 및 제2 세트의 저장 영역(A1;A2) 및 2개의 장벽 영역(B1, C1;B2, C2)으로 분할되는 인접 영역으로 형성되며, 상기 제1 장벽 영역(B1, C1) 세트는 상기 수직 전송 채널(6-1)들 중 대응 채널에 접속되어 그로부터 전하 패킷만을 수신하며, 상기 수평 전송 채널(14)의 단에 각각 대응하는 다수의 전극 그룹을 포함하되, 상기 각각의 전극 그룹들은 제1, 제2, 제3 및 제4 인접 전극(27,28,29 및 30)을 포함하고, 상기 제1 및 제2 전극(27 및 28)은 접속되어 제1 위상 클럭 펄스를 수신하도록 접속되며, 상기 제3 및 제4 전극(29 및 30)은 접속되어 위상이 반대인 제2 클럭 펄스를 수신하며, 상기 제1 및 제3 전극(27-1 및 29-1)은 상기 제1 및 제2 저장 영역(A1, A2) 세트 상에 각각 배치되며, 상기 제2 및 제4 전극(28-1,30-1)은 상기 제1 및 제2 장벽 영역(B1, C1;B2, C2) 세트 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 2차원 CCD 화상 센서.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 저장 영역(A1, A2) 세트는 높은 불순물 농도로 도핑되며, 상기 제1 장벽 영역(B1, C1) 세트는 중간 및 낮은 불순물 농도로 각각 도핑되며, 상기 제2 장벽 영역(B2, C2) 세트는 각각 중간 및 낮은 불순물 농도로 도핑되는 것을 특징으로 하는 2차원 CCD 화상 센서.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1 장벽 영역(B1, C1) 세트는 대응하는 수직 전송 채널(6-1)로 연장되는 부분을 포함하며, 상기 제2 전극(28-1)은 상기 제1 장벽 영역(B1, C1) 세트의 연장 부분 상에 배치되는 부분을 가지는 것을 특징으로 하는 2차원 CCD 화상 센서.
  4. 제1항에 있어서, 제1 장벽 영역(B1, C1) 세트 중 하나가 대응하는 수직 전송 채널(6-1)로 연장되는 부분을 가지며, 상기 제2 전극(28-1)은 상기 제1 장벽 영역(B1, C1) 중 하나의 연장 부분 상에 배치되는 부분을 가지는 것을 특징으로 하는 2차원 CCD 화상 센서.
KR1019960047877A 1995-10-25 1996-10-24 흑색 세로 줄무늬가 없는 2차원 ccd 화상 센서 KR100227991B1 (ko)

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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4231560B2 (ja) * 1997-05-29 2009-03-04 株式会社堀場製作所 化学量の分布の電気化学的測定方法および装置
JP3102557B2 (ja) * 1997-08-07 2000-10-23 日本電気株式会社 固体撮像素子およびその駆動方法
JP3180748B2 (ja) * 1997-12-11 2001-06-25 日本電気株式会社 固体撮像装置
JP4171137B2 (ja) * 1999-06-08 2008-10-22 富士フイルム株式会社 固体撮像装置及びその制御方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8105397A (nl) * 1981-11-30 1983-06-16 Philips Nv Ladingsgekoppelde inrichting.
JPS6262553A (ja) * 1985-09-12 1987-03-19 Toshiba Corp 固体撮像装置
JPS63211752A (ja) * 1987-02-27 1988-09-02 Sony Corp 固体撮像装置
US4987466A (en) * 1988-06-07 1991-01-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Solid state image sensor
JP3366656B2 (ja) * 1990-11-09 2003-01-14 松下電器産業株式会社 電荷転送装置とその製造方法および駆動方法
JPH05219449A (ja) * 1992-02-03 1993-08-27 Nec Corp 電荷転送装置
JP3052560B2 (ja) * 1992-04-15 2000-06-12 日本電気株式会社 電荷転送撮像装置およびその製造方法
JPH06314706A (ja) * 1993-04-30 1994-11-08 Nec Corp 電荷転送装置、その駆動方法およびその製造方法
JP3560990B2 (ja) * 1993-06-30 2004-09-02 株式会社東芝 固体撮像装置
JP2699841B2 (ja) * 1993-12-10 1998-01-19 日本電気株式会社 固体撮像装置

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US5920346A (en) 1999-07-06
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KR100227991B1 (ko) 1999-11-01
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