KR860002151A - 인터라인형 전하 전송 촬상 소자 및 촬상장치 - Google Patents
인터라인형 전하 전송 촬상 소자 및 촬상장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR860002151A KR860002151A KR1019850006102A KR850006102A KR860002151A KR 860002151 A KR860002151 A KR 860002151A KR 1019850006102 A KR1019850006102 A KR 1019850006102A KR 850006102 A KR850006102 A KR 850006102A KR 860002151 A KR860002151 A KR 860002151A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- charge transfer
- horizontal
- vertical
- imaging device
- solid
- Prior art date
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 10
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/713—Transfer or readout registers; Split readout registers or multiple readout registers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/40—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
- H04N25/44—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by partially reading an SSIS array
- H04N25/441—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by partially reading an SSIS array by reading contiguous pixels from selected rows or columns of the array, e.g. interlaced scanning
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/73—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors using interline transfer [IT]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3A도는 본 발명의 일 실시예의 촬상소자의 전체구조를 나타내는 도.
제3B도는 본 실시예에 있어서의 한개의 화소의 부분을 나타낸 평면도.
제3C도는 제3B도의 X-X'선 단면도.
제3D도는 제3B도의 y-y'선 단면도.
제3E도는 본 실시예에 있어서의 전송 게이트의 전위를 나타낸 도.
제3F는 본 실시예에 있어서의 전송게이트 및 수직 CCD를 구동하는 펄스 파형을 나타낸도.
제3G도는 본 실시예에 있어서의 수평 CCD의 구조 및 그 내부의 포텐셜 웰(potentiol well)을 나타낸도. 제3H도는 본 실시예에 있어서의 이 CCD를 구동하는 펄스의 파형도.
제4A도, 제4B도 및 제4C도는 제3A도의 실시예와도, 또 서로 다른 본 발명 실시예의 촬상소자에 있어서의 한개의 화소의 부분을 각각 나타낸 평면도.
제5A도 및 제5B도는 본 발명의 또 다른 실시예에 있어서의 한개의 화소를 나타내며,
제5A도는 그 평면도,
제5B도는 그 y-y'단면도.
제5C도 및 제5D도는 본 발명의 또 다른 실시예에 있어서의 한개의 화소의 부분을 나타내며,
제5C도는 그 평면도,
제5D도는 그 y-y'단면도.
제5E도 및 제5F도는 본 발명의 또 다른 실시예에 있어서의 한개의 화소의 부분을 나타내며,
제5E도는 그 평면도,
제5F도는 그 y-y'단면도.
제5G도 및 제5H도는 본 발명의 또 다른 실시예에 있어서의 한개의 화소의 부분을 나타내며,
제5G도는 그 평면도.
제5H도는 그 y-y'단면도.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1:포토 다이오드, 13:산화막, 20:시프트 레지스터, 14:공핍층, 21:전극, 22:전극, 23:전극, 30:수평 CCD, 31,32:33:전극, 34:불순물층, 70:전송 게이트, 40:출력단자, 131,132:시프트 레지스터, 160:스위치 게이트, 170:펄스 발생기, 230:촬상영역, 240:축적영역.
Claims (17)
- 수평 및 수직 방향으로 규칙적으로 배열된 복수개의 광전변환 소자와, 전하를 수직 방향으로 전송하기 위한 복수개의 수직전하 전송 소자와, 광전 변환 소자의 각각에 있어서, 입사광에 응답하여 발생되는 신호 전하를 수직전하 전송 소자의 소정의 전극 밑의 채널에 전송하는 복수개의 전송 게이트와, 수직 전하 전송 소자의 각각으로부터 출력되는 신호전하를 수평방향으로 전송하는 수평 전하 전송수단등으로 이루어진 고체 촬상소자로서 상기 수직 전하 전송 소자의 각각은 3상구동되는 3개의 전극의 조의 복수조로서 이루어지며, 이 3개의 전극중 2개에 제각기 구동펄스를 공급하는 배선은 수평방향으로 가게 배치되고, 나머지 전극에 구동펄스를 공급하는 배선은 수직방향으로 가도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 고체 촬상소자.
- 제1항에 있어서, 상기 수직전하 전송소자는 이에 입사되는 빛을 차단하는 수단을 갖춘 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자.
- 제2항에 있어서, 상기 빛을 차단하는 수단은 차광 효과가 있는 금속으로 형성된 곳에, 상기 수직방향으로 가도록 배치된 배선 및 이 배선에 접속된 전극 자체인 것을 특징으로 하는 고체 촬상소자.
- 제2항에 있어서, 상기 빛을 차단하는 수단은 상기 수직방향으로 가도록 배치된 배선 및 이 배선에 접속된 전극위에 설치된 차광효과가 있는 실리싸이트 층인 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자.
- 제2항에 있어서, 상기 빛을 차단하는 수단은, 상기 수직 방향으로 가도록 배치된 배선 및 이 배선에 접속된 전극이며 다결정 실리콘으로 형성된 것 외에 설치된 차광 효과가 있는 금속층인 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 전송 게이트를 형성하는 전극이, 상기 3개의 전극중에 1개 또는 2개에 의하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 수직 전하 전송 소자와 상기 수평 전하 전송 수단과의 사이에 신호 전하를 일시적으로 축적하는 수단이, 또 다시 설치된 것을 특징으로 하는 고체 촬상소자.
- 제7항에 있어서, 상기 축적 수단은 수평 방향의 1행 또는 2행에 존재하는 광전 변환 소자의 신호 전하를 축적하는 축적 용량을 갖춘 것을 특징으로 하는 고체 촬상소자.
- 제7항에 있어서, 상기 축적 수단은 모든 행의 광전 변환 소자의 신호 전하를 축적하는 축적 용량을 갖춘 것을 특징으로 하는 고체촬상 소자.
- 제1항에 있어서, 스메어 전하를 전송하는 복수개의 전하 전송 소자가 또다시 갖추어진 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자.
- 수평 및 수직 방향으로 규칙적으로 배열된 복수개의 광전 변환소자와 전하를 수직 방향으로 전송하기 위한 수직 복수개의 전하 전송 소자와 광전 변환 소자의 각각에 있어서 입사광에 응답하여 발생되는 신호 전하를, 수직 전하 전송 소자의 소정의 전극의 밑의 채널에 전송하는 복수개의 전송게이트와 수직전하 전송 소자의 각각으로부터 출력되는 신호 전하를 수평 바향으로 전송하는 수평 전하 전송수단을 갖춘 고체 촬상 소자와, 이들 수직 전하 전송단자, 전송게이트 및 수평 전하 전송수단을 각각 구동시키는 펄스를 발생하는 펄스발생수단으로서 이루어진 촬상 장치로서, 상기 수직 전하 전송소자의 각각은 3상 구동되는 3개의 전극조의 복수조로서 이루어지며, 이 3개의 전극중의 2개에 각각 구동펄스를 공급하는 배선은 수평 방향으로 가도록 배치되고, 나머지의 전극에 구동펄스를 공급하는 배선은 수직 방향으로 가도록 배치되고, 상기 펄스 발생 수단은 홀수 및 짝수필드에 있어서 2행의 조합이 다른 서로 인접한 2행에 존재하는 광전 변환 소자의 신호전하가 수평 귀선기간에서 상기 수직 전하 전송 소자로부터 상기 수평 전송수단에 전송되고 또한 이들 2행의 신호전하는 이 수평귀선기간에 이어지는 화산 신호기간에서 이 수평 전송수단에 의하여 그 출력단에 전송되도록 이들 수직 전하전송 소자 및 수평 전하 전송 수단을 각각 구동하는 펄스를 발생하는 것을 특징으로 하는 촬상장치.
- 제11항에 있어서, 연속된 2개의 필드의 한쪽수직 귀선기간에 있어서, 상기 수평전하전송 수단에 가장 가까운 행에 존재하는 광전 변환소자의 신호 전하가 수직 전하 전송소자로부터 수평 전하 전송수단에 전송되고, 또한 이들 신호전하는 수평 전하 전송수단에 의해 그 출력단으로부터 쓸려나가게 되는 것을 특징으로 하는 촬상장치.
- 제11항에 있어서, 연속되는 2개의 필드의 한쪽 수직 귀선기간에 있어서, 상기 수평 전하 전송수단으로 부터 가장 먼행에 존재하는 광전변환 소자의 신호 전하가 수직전하 전송소자에 의하여 수평 전하전송수단으로 부터 멀어져가는 방향으로 전송되는 또한 광전변환 소자의 배열영역 밖으로 쓸려나가는 것을 특징으로 하는 촬상장치.
- 제11항에 있어서, 상기 수평 전하 전송 수단은 상기 2행의 신호 전하를 별개로 전송하는 1개의 전하 전송 소자를 포함한 것을 특징으로 하는 촬상 장치.
- 제11항에 있어서, 상기 수평 전하 전송수단은 2개의 전하전송 소자를 포함하고 이 2개의 전하 전송소자중의 하나에 의하여 상기 2행중의 1행의 신호 전하가 전송되고 나머지의 하나에 의해 나머지 1행의 신호 전하가 전송되는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 3개의 전극 및 이들에 대한 상기 배선은 서로 절연된 3개의 도체층에 의하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 고체 촬상소자.
- 제11항에 있어서, 상기 3개의 전극 및 이들에 대한 상기 배선은 서로 절연된 3개의 도체층에의 하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 촬영장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59174923A JPS6153766A (ja) | 1984-08-24 | 1984-08-24 | インタ−ライン型電荷転送撮像素子 |
JP84-174923 | 1984-08-24 | ||
JP59-174923 | 1984-08-24 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR860002151A true KR860002151A (ko) | 1986-03-26 |
KR920010830B1 KR920010830B1 (ko) | 1992-12-17 |
Family
ID=15987075
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019850006102A KR920010830B1 (ko) | 1984-08-24 | 1985-08-23 | 인터라인형 전하 전송 촬상 소자 및 촬상장치 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4774586A (ko) |
JP (1) | JPS6153766A (ko) |
KR (1) | KR920010830B1 (ko) |
DE (1) | DE3530222A1 (ko) |
NL (1) | NL8502270A (ko) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100487501B1 (ko) * | 1997-09-25 | 2005-08-04 | 삼성전자주식회사 | 고체촬상장치 |
KR100582150B1 (ko) * | 1998-12-28 | 2006-05-23 | 산요덴키가부시키가이샤 | 촬상 장치 및 디지탈 카메라 |
KR100662502B1 (ko) * | 2000-12-30 | 2007-01-02 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 고체 촬상 소자 |
KR100842165B1 (ko) * | 2006-04-26 | 2008-06-27 | 산요덴키가부시키가이샤 | 고체 촬상 소자의 구동 방법 |
Families Citing this family (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR900007234B1 (ko) * | 1986-07-07 | 1990-10-05 | 가부시기가이샤 히다찌세이사구쇼 | 전하이송형 고체촬상소자 |
JPS63148778A (ja) * | 1986-12-11 | 1988-06-21 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
US4847692A (en) * | 1987-01-26 | 1989-07-11 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Solid-state image pickup device with CCDS in an interline transfer system and improved charge transfer electrode structure |
JPH0773349B2 (ja) * | 1987-03-13 | 1995-08-02 | 日本電気株式会社 | 二次元ccd撮像素子の駆動方法 |
JPH0773348B2 (ja) * | 1987-03-13 | 1995-08-02 | 日本電気株式会社 | 二次元ccd撮像素子の駆動方法 |
US5028970A (en) * | 1987-10-14 | 1991-07-02 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Image sensor |
JPH01106676A (ja) * | 1987-10-20 | 1989-04-24 | Mitsubishi Electric Corp | 固体イメージセンサ |
JPH01106677A (ja) * | 1987-10-20 | 1989-04-24 | Sony Corp | 電荷転送素子の出力回路 |
US5286669A (en) * | 1989-07-06 | 1994-02-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state imaging device and method of manufacturing the same |
US5194751A (en) * | 1989-07-17 | 1993-03-16 | Sony Corporation | Structure of solid-state image sensing devices |
US5528643A (en) * | 1989-11-13 | 1996-06-18 | Texas Instruments Incorporated | Charge coupled device/charge super sweep image system and method for making |
US5182623A (en) * | 1989-11-13 | 1993-01-26 | Texas Instruments Incorporated | Charge coupled device/charge super sweep image system and method for making |
US5210433A (en) * | 1990-02-26 | 1993-05-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state CCD imaging device with transfer gap voltage controller |
US5216489A (en) * | 1990-03-02 | 1993-06-01 | Sony Corporation | Solid state image sensor |
US5040071A (en) * | 1990-03-21 | 1991-08-13 | Eastman Kodak Company | Image sensor having multiple horizontal shift registers |
CA2052148A1 (en) * | 1990-09-27 | 1992-03-28 | Tadashi Sugiki | Method of driving a solid-state imaging device |
JP2703416B2 (ja) * | 1991-03-29 | 1998-01-26 | シャープ株式会社 | インターライン転送型ccd撮像装置の駆動方法 |
JP3120465B2 (ja) * | 1991-04-15 | 2000-12-25 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子 |
US5256891A (en) * | 1991-06-07 | 1993-10-26 | Eastman Kodak Company | CCD electrode structure for image sensors |
JPH0514816A (ja) * | 1991-06-28 | 1993-01-22 | Sharp Corp | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
JP3560990B2 (ja) * | 1993-06-30 | 2004-09-02 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
EP0692146B1 (en) * | 1994-01-31 | 1999-12-15 | Scientific Imaging Technologies, Inc. | Charge-coupled device array for spectroscopic detection |
US5432335A (en) * | 1994-03-14 | 1995-07-11 | Princeton Instruments, Inc. | Charge-coupled device for spectroscopic detection |
US5786852A (en) * | 1994-06-20 | 1998-07-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pick-up apparatus having an image sensing device including a photoelectric conversion part and a vertical transfer part |
US5614950A (en) * | 1995-08-02 | 1997-03-25 | Lg Semicon Co., Ltd. | CCD image sensor and method of preventing a smear phenomenon in the sensor |
JPH09200605A (ja) * | 1996-01-12 | 1997-07-31 | Sanyo Electric Co Ltd | ディジタルビデオカメラ |
KR100259084B1 (ko) * | 1997-07-25 | 2000-06-15 | 김영환 | 고체촬상소자및이의제조방법 |
US7038723B1 (en) * | 1999-04-26 | 2006-05-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid state imaging device, method for driving the same and camera using the same |
US7554590B2 (en) * | 2003-02-26 | 2009-06-30 | Digital Imaging Systems Gmbh | Simultaneous readout of CMOS APS imagers |
TWI319677B (en) * | 2006-10-20 | 2010-01-11 | Quanta Comp Inc | Method for displaying stereoscopic image and display system thereof |
JP5730030B2 (ja) * | 2011-01-17 | 2015-06-03 | 浜松ホトニクス株式会社 | 固体撮像装置 |
US8878256B2 (en) | 2013-01-07 | 2014-11-04 | Semiconductor Components Industries, Llc | Image sensors with multiple output structures |
US8878255B2 (en) | 2013-01-07 | 2014-11-04 | Semiconductor Components Industries, Llc | Image sensors with multiple output structures |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL187288C (nl) * | 1980-02-19 | 1991-08-01 | Philips Nv | Ladingsgekoppelde beeldopneeminrichting en werkwijze ter vervaardiging daarvan. |
NL8000998A (nl) * | 1980-02-19 | 1981-09-16 | Philips Nv | Vaste stof opneemcamera met een halfgeleidende photogevoelige trefplaat. |
JPS5875382A (ja) * | 1981-07-20 | 1983-05-07 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
JPS5831669A (ja) * | 1981-08-20 | 1983-02-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
JPS58138187A (ja) * | 1982-02-12 | 1983-08-16 | Toshiba Corp | 固体イメ−ジセンサ |
JPS5984575A (ja) * | 1982-11-08 | 1984-05-16 | Hitachi Ltd | 固体撮像素子 |
FR2553920B1 (fr) * | 1983-10-21 | 1985-12-13 | Thomson Csf | Procede d'analyse d'un dispositif photosensible a structure interligne et dispositif pour sa mise en oeuvre |
JPS60142683A (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
US4620231A (en) * | 1984-06-18 | 1986-10-28 | Rca Corporation | CCD imager with photodetector bias introduced via the CCD register |
US4689687A (en) * | 1984-11-13 | 1987-08-25 | Hitachi, Ltd. | Charge transfer type solid-state imaging device |
US4656519A (en) * | 1985-10-04 | 1987-04-07 | Rca Corporation | Back-illuminated CCD imagers of interline transfer type |
-
1984
- 1984-08-24 JP JP59174923A patent/JPS6153766A/ja active Granted
-
1985
- 1985-08-16 NL NL8502270A patent/NL8502270A/nl not_active Application Discontinuation
- 1985-08-21 US US06/768,113 patent/US4774586A/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-08-23 KR KR1019850006102A patent/KR920010830B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1985-08-23 DE DE19853530222 patent/DE3530222A1/de active Granted
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100487501B1 (ko) * | 1997-09-25 | 2005-08-04 | 삼성전자주식회사 | 고체촬상장치 |
KR100582150B1 (ko) * | 1998-12-28 | 2006-05-23 | 산요덴키가부시키가이샤 | 촬상 장치 및 디지탈 카메라 |
KR100662502B1 (ko) * | 2000-12-30 | 2007-01-02 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 고체 촬상 소자 |
KR100842165B1 (ko) * | 2006-04-26 | 2008-06-27 | 산요덴키가부시키가이샤 | 고체 촬상 소자의 구동 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL8502270A (nl) | 1986-03-17 |
KR920010830B1 (ko) | 1992-12-17 |
JPS6153766A (ja) | 1986-03-17 |
DE3530222A1 (de) | 1986-03-06 |
JPH0578946B2 (ko) | 1993-10-29 |
DE3530222C2 (ko) | 1988-09-15 |
US4774586A (en) | 1988-09-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR860002151A (ko) | 인터라인형 전하 전송 촬상 소자 및 촬상장치 | |
US4322753A (en) | Smear and/or blooming in a solid state charge transfer image pickup device | |
US5723884A (en) | Charge coupled device image sensor having optical shielding metal | |
KR0149734B1 (ko) | 복수의 배선으로 분리되어 있는 급전 배선을 구비한 고체 촬상 소자 | |
US5111263A (en) | Charge-coupled device (CCD) image sensor operable in either interlace or non-interlace mode | |
US4758895A (en) | Storage registers with charge packet accumulation capability, as for solid-state imagers | |
KR890005237B1 (ko) | 고체촬상소자 및 그 구동방법 | |
US5040071A (en) | Image sensor having multiple horizontal shift registers | |
GB2065974A (en) | Integrated CCD Image Sensor of the Interline Transfer Type | |
EP0455801A1 (en) | Image sensor | |
KR930002818B1 (ko) | Ccd 영상소자 | |
US5216489A (en) | Solid state image sensor | |
KR960043789A (ko) | 고 전하 전달율을 갖는 ccd형 고상 이미지 픽업 소자 | |
JPH061829B2 (ja) | 二次元ccdイメージセンサ | |
EP0088134B1 (en) | Solid state image pickup device | |
US5283450A (en) | FIT-CCD image sensing device | |
JP4514912B2 (ja) | 固体撮像装置およびその駆動方法 | |
US20070291150A1 (en) | Solid-state image pickup device having an accumulation gate for reading out, accumulating, and allocating signal charges | |
KR950013435B1 (ko) | 정상상 및 거울상을 위한 고체촬영소자 | |
US7291861B2 (en) | Solid-state imaging device, method for driving the same, method for manufacturing the same, camera, and method for driving the same | |
JP2877047B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JPH0419752B2 (ko) | ||
JP3397151B2 (ja) | 固体撮像素子の駆動方法 | |
JPH09307816A (ja) | Ccd | |
JPH0666346B2 (ja) | 電荷結合素子およびその駆動方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
G160 | Decision to publish patent application | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20031201 Year of fee payment: 12 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |