JPS5984575A - 固体撮像素子 - Google Patents
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- JPS5984575A JPS5984575A JP57195815A JP19581582A JPS5984575A JP S5984575 A JPS5984575 A JP S5984575A JP 57195815 A JP57195815 A JP 57195815A JP 19581582 A JP19581582 A JP 19581582A JP S5984575 A JPS5984575 A JP S5984575A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14868—CCD or CID colour imagers
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
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- H01L27/14831—Area CCD imagers
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/40—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
- H04N25/44—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by partially reading an SSIS array
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- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
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- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/73—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors using interline transfer [IT]
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、固体撮像索子に関し、特に２列同時インタレ
ース走査方式のＣＣＤ型固体撮像素子に関するものであ
る。
ース走査方式のＣＣＤ型固体撮像素子に関するものであ
る。
固体撮像素子は、テレビジョン放送で使用されている撮
像用電子管と同等程度の解像力を備えた撮像板を必要と
する。このためには、垂直方向に５００個、水平方向に
８００〜１０００個を配列した絵素（光電変換素子）マ
トリックスと、それに相当する走査素子が必要である。
像用電子管と同等程度の解像力を備えた撮像板を必要と
する。このためには、垂直方向に５００個、水平方向に
８００〜１０００個を配列した絵素（光電変換素子）マ
トリックスと、それに相当する走査素子が必要である。
したがって、固体撮像素子は、高集積化が可能なＭＯ８
大規模回路技術を用いて作られ、半導体基板上に光電変
換素子および容素子の光学情報を取出す電荷転送素子（
ＣＩ＋ａｔ−ｇｅ Ｃｏｕｐｅｅｄ Ｄｅｖｉｃｅｓ、
以下ＣＣＤと略称する）あるいはＭＯＳ）ランジスタを
集積化して作られる。
大規模回路技術を用いて作られ、半導体基板上に光電変
換素子および容素子の光学情報を取出す電荷転送素子（
ＣＩ＋ａｔ−ｇｅ Ｃｏｕｐｅｅｄ Ｄｅｖｉｃｅｓ、
以下ＣＣＤと略称する）あるいはＭＯＳ）ランジスタを
集積化して作られる。
第１図は、従来の低雑音を特徴とず”６ｃｃＤ型固体撮
像糸子の基本４１４成図である。
像糸子の基本４１４成図である。
１は光ダイオード等からなる光電変換素子、２および３
は光電変換素子群に蓄積された光信号電荷を出力回路４
に取り出すための垂直ＣＣＤシフトレジスタおよび水平
、ＣＣＤシフトレジスタ、５゜６は各々垂直および水平
のＣＣＤシフトレジスタを駆動するクロックパルスを発
生するクロックパルス発生器である。ここでは、２相の
クロックパルス発生器を７Ｊ（シているが、δ相あるい
は４相のクロックを採用することもできる。７は、光ダ
イオードに蓄積された電荷を垂直ＣＣＤシフトレジスタ
２に送り込む転送ゲートである。この固体撮像素子は、
このままの形態では白黒撮像素子となり、上部にカラー
フィルタを積層すると各光ダイオードは色情報を備え
ることになり、カラー撮像素子となる。
は光電変換素子群に蓄積された光信号電荷を出力回路４
に取り出すための垂直ＣＣＤシフトレジスタおよび水平
、ＣＣＤシフトレジスタ、５゜６は各々垂直および水平
のＣＣＤシフトレジスタを駆動するクロックパルスを発
生するクロックパルス発生器である。ここでは、２相の
クロックパルス発生器を７Ｊ（シているが、δ相あるい
は４相のクロックを採用することもできる。７は、光ダ
イオードに蓄積された電荷を垂直ＣＣＤシフトレジスタ
２に送り込む転送ゲートである。この固体撮像素子は、
このままの形態では白黒撮像素子となり、上部にカラー
フィルタを積層すると各光ダイオードは色情報を備え
ることになり、カラー撮像素子となる。
固体撮像素子は、小型、軽量、メインテナンス・フリー
、低消費電力等の利点を有し、次期撮像デバイスとして
期待されているが、絵素数が少なく、解像度が低いとい
う問題を抱えている。すなわち、固体撮像素子を、ＭＯ
８集積回路技術を用いて作っても、絵素数は５００（垂
直方向）Ｘ４００（水平方向）程度にすぎない。また、
インタレースは、垂直シフトレジスタの構成上の制約に
より、第１フイールドでは第１図の７−１で示す奇数行
を読出し、第２フイールドでは第１図の７−２で示す偶
数行を読出す方法を用いなければならないため、前フィ
ールドに蓄積された′亀びが５０％残る、いわゆる残像
があり、またカラー解像度が低い等、インタレース方式
に起因する問題点がある。・上記の問題点を改善するた
め、本発明者等は、先に、第２図に示すように２行を同
時に読出すことが可能なＣＣＤＷＣＤ系子を提案した（
実願昭５６−１４９４９２号明細書参照）。
、低消費電力等の利点を有し、次期撮像デバイスとして
期待されているが、絵素数が少なく、解像度が低いとい
う問題を抱えている。すなわち、固体撮像素子を、ＭＯ
８集積回路技術を用いて作っても、絵素数は５００（垂
直方向）Ｘ４００（水平方向）程度にすぎない。また、
インタレースは、垂直シフトレジスタの構成上の制約に
より、第１フイールドでは第１図の７−１で示す奇数行
を読出し、第２フイールドでは第１図の７−２で示す偶
数行を読出す方法を用いなければならないため、前フィ
ールドに蓄積された′亀びが５０％残る、いわゆる残像
があり、またカラー解像度が低い等、インタレース方式
に起因する問題点がある。・上記の問題点を改善するた
め、本発明者等は、先に、第２図に示すように２行を同
時に読出すことが可能なＣＣＤＷＣＤ系子を提案した（
実願昭５６−１４９４９２号明細書参照）。
第２図において、２−１．２−２は絶縁分離帯８を挾ん
で対向する２列の垂直ＣＣ’ＤＣＣＤシフトレジスタ１
．３−２は各垂直レジスタ２−１゜２−２により送られ
てきた光信号電荷を転送するために設けられた２行の水
平ＣＣＤシフトレジスタである。ここで、奇数行の光ダ
イオード１−１の信号電荷はゲート７−３を介して垂直
レジスタ２−１内に、また光ダイオード１−２の信号電
荷はゲ−）７〜４を介して垂直シフトレジスタ２−２に
、一方、偶数行の光ダイオード１−３．１−４の信号電
荷は各々ゲー）７−４．７−３を介して垂直シフトレジ
スタ２−２．２−”１内にそれぞれ送り込まれる。さら
に、垂直シフトレジスフ２−１により送られてきた電荷
は、水平シフトレジスタ３−１に（矢印９−１参照）、
また垂直シフトレジスタ２−２により送られてきた電荷
は、水平シフトレジスタ３−２に（矢印９−２参照）、
それぞれ送り込まれる。この結果、出力回路生−１には
、垂直シフトレジスタ２−１（光ダイオード１−１と１
−４）の信号を、また出力回路牛−２には、垂直シフト
レジスタ２−２（光ダイオード１−２と１−３）の信号
を、それぞれ得ることができ、フィールド残像と低解像
度についての問題点を改善することが可能となる。
で対向する２列の垂直ＣＣ’ＤＣＣＤシフトレジスタ１
．３−２は各垂直レジスタ２−１゜２−２により送られ
てきた光信号電荷を転送するために設けられた２行の水
平ＣＣＤシフトレジスタである。ここで、奇数行の光ダ
イオード１−１の信号電荷はゲート７−３を介して垂直
レジスタ２−１内に、また光ダイオード１−２の信号電
荷はゲ−）７〜４を介して垂直シフトレジスタ２−２に
、一方、偶数行の光ダイオード１−３．１−４の信号電
荷は各々ゲー）７−４．７−３を介して垂直シフトレジ
スタ２−２．２−”１内にそれぞれ送り込まれる。さら
に、垂直シフトレジスフ２−１により送られてきた電荷
は、水平シフトレジスタ３−１に（矢印９−１参照）、
また垂直シフトレジスタ２−２により送られてきた電荷
は、水平シフトレジスタ３−２に（矢印９−２参照）、
それぞれ送り込まれる。この結果、出力回路生−１には
、垂直シフトレジスタ２−１（光ダイオード１−１と１
−４）の信号を、また出力回路牛−２には、垂直シフト
レジスタ２−２（光ダイオード１−２と１−３）の信号
を、それぞれ得ることができ、フィールド残像と低解像
度についての問題点を改善することが可能となる。
しかし乍ら、論理的には、第２図に示すように２行の水
平ＣＣＤシフトレジスタ３−１．３−２を設けることが
できるが、実際には、垂直ＣＣＤシフトレジスタ２−２
の系列に属する信号を水平ＣＣＤシフトレジスタ３−２
（矢印９−２参照）に送り込む場合の転送効率が著しく
低下する。さらに、水平ＣＣＤ自体の転送効率も低下す
る等の欠点がある。
平ＣＣＤシフトレジスタ３−１．３−２を設けることが
できるが、実際には、垂直ＣＣＤシフトレジスタ２−２
の系列に属する信号を水平ＣＣＤシフトレジスタ３−２
（矢印９−２参照）に送り込む場合の転送効率が著しく
低下する。さらに、水平ＣＣＤ自体の転送効率も低下す
る等の欠点がある。
本発明の目的は、このような欠点を解消するため、２行
同時インタレース走査方式を実現することにより、フィ
ールド残像を完全になくし１、解像度を向上し、て優れ
た画質を得ることができる固体撮像素子を提供すること
にある。
同時インタレース走査方式を実現することにより、フィ
ールド残像を完全になくし１、解像度を向上し、て優れ
た画質を得ることができる固体撮像素子を提供すること
にある。
本発明の固体撮像素子は、垂直ＣＯＤ、シフトレジスタ
と水平ＣＣＤシフトレジスタの間に結合回路を設置し、
隣接する２列の垂直ＣＯＤシフトレジスタにより送られ
てきた２系列の光信号電荷ｓＩ＋８２を、結合回路を通
すことにより１系列の時間用「１次の信号に変換し、そ
の後、単一の水平ＣＣＤシフトレジスタの隣接する最初
の蓄積電極下に信号Ｓ１を、後方の蓄積電極下に信号ｓ
２を、それぞれ送り込み、続いて水平ＣＣＤシフトレジ
スタ内で上記２系列の信号を時間順次に出方部に向けて
送出することに特徴を有する。
と水平ＣＣＤシフトレジスタの間に結合回路を設置し、
隣接する２列の垂直ＣＯＤシフトレジスタにより送られ
てきた２系列の光信号電荷ｓＩ＋８２を、結合回路を通
すことにより１系列の時間用「１次の信号に変換し、そ
の後、単一の水平ＣＣＤシフトレジスタの隣接する最初
の蓄積電極下に信号Ｓ１を、後方の蓄積電極下に信号ｓ
２を、それぞれ送り込み、続いて水平ＣＣＤシフトレジ
スタ内で上記２系列の信号を時間順次に出方部に向けて
送出することに特徴を有する。
以下、本発明の実施例を、図面を用いて詳細に説明する
。
。
第３図は、本発明の実施例を示すＣＣＤ型固体撮像累子
０基本構成図である。
０基本構成図である。
１０＆！ｍｉｉ’ｆｃｃＤシフ ） レジｘ夕２−１
、２−２と水平ＣＣＤシフトレジスタ１１の間忙設けら
れた結合回路であり、Ｎ個（Ｎは１以上の整数）のクロ
ックパルス（ｃ＋ −Ｃ２・・・ＣＮ）により駆動され
る。水平ＣＯＤシフトレジスタ１１は、例えば３相のク
ロックパルス（６−１，６−２，６−３）により駆動さ
れ、その単位段は５組のＣＯＤ電極（１１−１、ｌ １
−１’）、（１１−，２，１１−２人（１１−３、１１
−３’）から構成されている。垂直シフトレジスタ２−
１により送られてきた光ダイオード１−１．１−４の光
信号電荷（以下、系列Ａの信号と称する）と、垂直シフ
トレジスタ２−２により送られてきた光ダイオードｌ−
２，１−３の光信号電荷（以下、系列Ｂの信号と称する
）は、結合回路１ｏを通ることにより、系列Ａ絖いて系
列Ｂの順に、つまり時間順次なｌ系列の信号列に変換さ
れ、水平ＣＣＤシフトレジスタ１１に送り込まれる。具
体的には、それまで垂直ＣＣＤシフトレジスタ２−１．
２−２内を同時に送られ°〔きたＡ、８２系列の信号は
、結合回路１ｏにより、先ずＡが水平ＣＣＤシフトレジ
スタ１１の電ｉｉ １１−２に送り込まれ、続いてこの
Ａは水平ＣＣＤシフトレジスタｌｌ内を、出方回路４に
向って電極１組分だけシフトされ、電極１１−１に送り
込まれる（矢印１２−１参照）。上記の動°作が完了す
ると、結合回路ｌｏ内に一時的に蓄積され、足止めされ
ていたＢば、空席となった水平ＣＣＤシフトレジスタｌ
ｌ内の電極１１−２に送り込まれる（矢印１２−２参照
）。したがって、水平ＣＣＤシフトレジスタ１１を構成
する３組の電極のうち、隣接する２組の成極下（ここで
は、１１−１と１１−２の２組であり、１１−３は空席
）に信号Ａ、Ｂが入り、これらの２系列の信号は水平Ｃ
ＣＤシフトレジスタ１１のシフト動作により、出力に向
ってＡ、Ｂ、空席、Ａ、 Ｂ 、空席、・・・・・・の
順で転送される。このような転送を、以下２重転送動作
と称することにする。
、２−２と水平ＣＣＤシフトレジスタ１１の間忙設けら
れた結合回路であり、Ｎ個（Ｎは１以上の整数）のクロ
ックパルス（ｃ＋ −Ｃ２・・・ＣＮ）により駆動され
る。水平ＣＯＤシフトレジスタ１１は、例えば３相のク
ロックパルス（６−１，６−２，６−３）により駆動さ
れ、その単位段は５組のＣＯＤ電極（１１−１、ｌ １
−１’）、（１１−，２，１１−２人（１１−３、１１
−３’）から構成されている。垂直シフトレジスタ２−
１により送られてきた光ダイオード１−１．１−４の光
信号電荷（以下、系列Ａの信号と称する）と、垂直シフ
トレジスタ２−２により送られてきた光ダイオードｌ−
２，１−３の光信号電荷（以下、系列Ｂの信号と称する
）は、結合回路１ｏを通ることにより、系列Ａ絖いて系
列Ｂの順に、つまり時間順次なｌ系列の信号列に変換さ
れ、水平ＣＣＤシフトレジスタ１１に送り込まれる。具
体的には、それまで垂直ＣＣＤシフトレジスタ２−１．
２−２内を同時に送られ°〔きたＡ、８２系列の信号は
、結合回路１ｏにより、先ずＡが水平ＣＣＤシフトレジ
スタ１１の電ｉｉ １１−２に送り込まれ、続いてこの
Ａは水平ＣＣＤシフトレジスタｌｌ内を、出方回路４に
向って電極１組分だけシフトされ、電極１１−１に送り
込まれる（矢印１２−１参照）。上記の動°作が完了す
ると、結合回路ｌｏ内に一時的に蓄積され、足止めされ
ていたＢば、空席となった水平ＣＣＤシフトレジスタｌ
ｌ内の電極１１−２に送り込まれる（矢印１２−２参照
）。したがって、水平ＣＣＤシフトレジスタ１１を構成
する３組の電極のうち、隣接する２組の成極下（ここで
は、１１−１と１１−２の２組であり、１１−３は空席
）に信号Ａ、Ｂが入り、これらの２系列の信号は水平Ｃ
ＣＤシフトレジスタ１１のシフト動作により、出力に向
ってＡ、Ｂ、空席、Ａ、 Ｂ 、空席、・・・・・・の
順で転送される。このような転送を、以下２重転送動作
と称することにする。
第４図は、本発明の実施例を示す結合回路の具体的構造
図であって、第４図（ａ）は平面状のレイアウト構成を
ボす図であり、第４図（ｂ）は第４図（ａ）の矢印１２
−１あるいは１２−２に沿って切断した断面構造図であ
る。
図であって、第４図（ａ）は平面状のレイアウト構成を
ボす図であり、第４図（ｂ）は第４図（ａ）の矢印１２
−１あるいは１２−２に沿って切断した断面構造図であ
る。
１３．１４は、垂直ＣＯＤシフトレジスタ２−１．２−
２の最終段電極を示しており、１３には垂直クロックパ
ルスφ■３．１４には垂直クロックパルスφｖ４がそれ
ぞれ印加される。１５．ｌ ６は結合回路を構成する電
極、１１は水平ＣＣＤシフトレジスタを構成する電極を
示している。これらは、実線または鎖線で示されている
が、１点鎖線で示した１７の内側は、電荷が転送される
領域、つまりチャンネルであって、８０部分は電荷の転
送ができない絶縁分離帯である。この絶縁分離帯８は、
通常、チャンネル領域１７を形成するゲート酸化膜１８
、より数十倍厚い酸化膜１９で形成される。また、２０
は、チャンネルを埋込み型にするための基板（例えばｐ
型）２１と反対の導電型の不純物原子からなる層（例え
ばｎ型）である。
２の最終段電極を示しており、１３には垂直クロックパ
ルスφ■３．１４には垂直クロックパルスφｖ４がそれ
ぞれ印加される。１５．ｌ ６は結合回路を構成する電
極、１１は水平ＣＣＤシフトレジスタを構成する電極を
示している。これらは、実線または鎖線で示されている
が、１点鎖線で示した１７の内側は、電荷が転送される
領域、つまりチャンネルであって、８０部分は電荷の転
送ができない絶縁分離帯である。この絶縁分離帯８は、
通常、チャンネル領域１７を形成するゲート酸化膜１８
、より数十倍厚い酸化膜１９で形成される。また、２０
は、チャンネルを埋込み型にするための基板（例えばｐ
型）２１と反対の導電型の不純物原子からなる層（例え
ばｎ型）である。
但し、チャンネルを表面型にする場合眞は、不純物層２
０は不要である。ここで、ＣＣＤ電付・１３゜１５−１
．１５−２．１１−１．１１−２．１１−３は、例えば
第１層目の多結晶シリコンにより、またＣＣＤ電極１４
．１６−１．１６−２．１１−１ 、１１−２ 、１１
−３’は、例えば第２層目の多結晶シリコンにより、そ
れぞれ製作される。
０は不要である。ここで、ＣＣＤ電付・１３゜１５−１
．１５−２．１１−１．１１−２．１１−３は、例えば
第１層目の多結晶シリコンにより、またＣＣＤ電極１４
．１６−１．１６−２．１１−１ 、１１−２ 、１１
−３’は、例えば第２層目の多結晶シリコンにより、そ
れぞれ製作される。
第５図（ａ） （ｂ）は、本発明のＣＣＤ型撮像素子を
駆動するパルスのタイムチャートおよび動作説明図であ
る。
駆動するパルスのタイムチャートおよび動作説明図であ
る。
第４図のＣ（、’ｌ）撮像素子における垂直ＣＣＤシフ
トレジスタから水”−１’−ＣＣＤシフトレジスタへの
電荷の転送動作を、第５図（ａ） （ｂ）により説明す
る。
トレジスタから水”−１’−ＣＣＤシフトレジスタへの
電荷の転送動作を、第５図（ａ） （ｂ）により説明す
る。
φＶ３＋φｖ４ば、φＶＩ＋φＶ２＋φＶ３＋φｖ４か
らなる４相のクロックのうち、垂直ＣＣＤシフトレジス
タの最終段に印加されるクロック・パルスである。時刻
ｔ。からｔ、までは水平帰線期間（ＴＢＬ）に相当し、
結合回路を介した電荷の水平ＣＣＤシフトレジスタへの
転送はこの水平帰線期間内で行われる。
らなる４相のクロックのうち、垂直ＣＣＤシフトレジス
タの最終段に印加されるクロック・パルスである。時刻
ｔ。からｔ、までは水平帰線期間（ＴＢＬ）に相当し、
結合回路を介した電荷の水平ＣＣＤシフトレジスタへの
転送はこの水平帰線期間内で行われる。
時刻ｔ、でφＶ３＋φｖ４はともにレベル゛１″（バイ
ンベルの電圧）にあり、第４図（３）の絶縁分離帯８よ
り左側の最終段電極１３．１４の下には垂直ＣＣＤシフ
トレジスタ２−１により送られてきた系列へ〇′屯荷Ｑ
Ａが、また右側の最終段１！極１３゜１４の下に垂直Ｃ
Ｃ１）シフトレジスタ２−２により送られてぎた系列Ｂ
の電荷Ｑａが蓄積されている（第５図（ｂ）の１１参照
）。時刻ｔ２になると、系列Ａの電極１５−１．１６−
１、さらに水平ＣＣＤシフトレジスタの電極１１−２に
は、各々レベル”１”のパルスＦｌ 、 Ｓｌ 、φ旧
が加わり、φＶ。
ンベルの電圧）にあり、第４図（３）の絶縁分離帯８よ
り左側の最終段電極１３．１４の下には垂直ＣＣＤシフ
トレジスタ２−１により送られてきた系列へ〇′屯荷Ｑ
Ａが、また右側の最終段１！極１３゜１４の下に垂直Ｃ
Ｃ１）シフトレジスタ２−２により送られてぎた系列Ｂ
の電荷Ｑａが蓄積されている（第５図（ｂ）の１１参照
）。時刻ｔ２になると、系列Ａの電極１５−１．１６−
１、さらに水平ＣＣＤシフトレジスタの電極１１−２に
は、各々レベル”１”のパルスＦｌ 、 Ｓｌ 、φ旧
が加わり、φＶ。
がレベル″０“（例えばＱＶ）に戻るため、電荷ＱＡは
電極１４．１５−１．１６−１および１１−２の下に蓄
積される（第５図（ｂ）ｔｚ参照）。一方、時刻ｔ、に
おける系列Ｂでは、レベル”１″のφＶ４が加えられた
電極１４と、レベル″１″のＦ２が加えられた電＋４１
５−２の下に電荷ＱＢが蓄積される（第５図（ｂ）のｔ
、参照）。次に＼時刻ｔ３で、φＶ４はレベル″０″に
戻るので、電荷ＱＡは電極１５−１．１６−１および１
１−２の下に蓄積され、電荷ＱＢは電極１５−２の下に
のみ蓄積される（第５図（ｂ）のｔ３参照）。時刻ｔ、
では、Ｆｌがレベル″０”に戻るため、電荷ＱＡはｄ極
１６−２と１１−２の下洗蓄積される（第５図（ｂ）の
１４参照）。時刻ｔ、では、Ｓｌがレベル”Ω″に戻る
ので、電荷ＱＡは’Ｋｍｌｌ−２の下、つまり水平ＣＣ
Ｉ）シフトレジスタ内に送り込まれること妊なる（第５
図（ｂ）のｔ、参照）。時刻ｔ６では、φ旧がレベル″
０”に戻り、φＨｔ カレペル゛１”に上るため、電極
１１−２の下の電荷ＱＡは電極１１ ”−１’を介して
電極１１−１の下にシフトする。その結果、電極１１−
２の下の電荷ば０となり、電荷ＱＡの水平ＣＣＤシフト
レジスタへの転送が完了する。一方、時刻ｔ６の系列Ｂ
では、’に４！＜ １６−２にレベル”１”の８２が加
わるため、電荷ＱＢは電極１５−２と１６−２の下に蓄
積される（第５図（ｂ）の１６参照）。時刻ｔ７で、ド
２はレヘ／Ｌ’ ” Ｏ”に戻り、再びレベル″１″の
φＨ＋がＥｉｎ−２に加わるので、電荷Ｑｎは電極１６
−２と１１−２の下に蓄積される（第５図（ｂ）の１７
参照）。時刻ｔ８では、Ｓ２がレベル？Ｉ Ｏｎに戻る
ため、電荷Ｑｎは電極１１−２の下に蓄積される。すな
わち、電荷ＱＢの水平ＣＣＤシフトレジスタへの転送が
完了する（第５図（１））の１８参照）。
電極１４．１５−１．１６−１および１１−２の下に蓄
積される（第５図（ｂ）ｔｚ参照）。一方、時刻ｔ、に
おける系列Ｂでは、レベル”１″のφＶ４が加えられた
電極１４と、レベル″１″のＦ２が加えられた電＋４１
５−２の下に電荷ＱＢが蓄積される（第５図（ｂ）のｔ
、参照）。次に＼時刻ｔ３で、φＶ４はレベル″０″に
戻るので、電荷ＱＡは電極１５−１．１６−１および１
１−２の下に蓄積され、電荷ＱＢは電極１５−２の下に
のみ蓄積される（第５図（ｂ）のｔ３参照）。時刻ｔ、
では、Ｆｌがレベル″０”に戻るため、電荷ＱＡはｄ極
１６−２と１１−２の下洗蓄積される（第５図（ｂ）の
１４参照）。時刻ｔ、では、Ｓｌがレベル”Ω″に戻る
ので、電荷ＱＡは’Ｋｍｌｌ−２の下、つまり水平ＣＣ
Ｉ）シフトレジスタ内に送り込まれること妊なる（第５
図（ｂ）のｔ、参照）。時刻ｔ６では、φ旧がレベル″
０”に戻り、φＨｔ カレペル゛１”に上るため、電極
１１−２の下の電荷ＱＡは電極１１ ”−１’を介して
電極１１−１の下にシフトする。その結果、電極１１−
２の下の電荷ば０となり、電荷ＱＡの水平ＣＣＤシフト
レジスタへの転送が完了する。一方、時刻ｔ６の系列Ｂ
では、’に４！＜ １６−２にレベル”１”の８２が加
わるため、電荷ＱＢは電極１５−２と１６−２の下に蓄
積される（第５図（ｂ）の１６参照）。時刻ｔ７で、ド
２はレヘ／Ｌ’ ” Ｏ”に戻り、再びレベル″１″の
φＨ＋がＥｉｎ−２に加わるので、電荷Ｑｎは電極１６
−２と１１−２の下に蓄積される（第５図（ｂ）の１７
参照）。時刻ｔ８では、Ｓ２がレベル？Ｉ Ｏｎに戻る
ため、電荷Ｑｎは電極１１−２の下に蓄積される。すな
わち、電荷ＱＢの水平ＣＣＤシフトレジスタへの転送が
完了する（第５図（１））の１８参照）。
以上の動作により、系列Ａ、Ｈの電荷ＱＡ、ＱＢは、と
もに水平ＣＣＤシフトレジスタに送り込まれたことにな
る。この結果、水平ＣＣＤシフトレジスタにおいては、
隣接する２つの電極１ｉ−１゜１１−２に各々電荷ＱＡ
、ＱＢが送り込まれたわけであり、水平帰線期間後に、
水平クロックパルスφ旧、φ１（２，φＨ３の１”、“
ＯＩ＋レベルの繰り返しが加わると、電荷ＱＡ、Ｑｌｌ
は水平ＣＣＤシフトレジスタ内を出力側に向かってシフ
トし、出力回路４に２系列の信号を順次取り出すことが
できる。
もに水平ＣＣＤシフトレジスタに送り込まれたことにな
る。この結果、水平ＣＣＤシフトレジスタにおいては、
隣接する２つの電極１ｉ−１゜１１−２に各々電荷ＱＡ
、ＱＢが送り込まれたわけであり、水平帰線期間後に、
水平クロックパルスφ旧、φ１（２，φＨ３の１”、“
ＯＩ＋レベルの繰り返しが加わると、電荷ＱＡ、Ｑｌｌ
は水平ＣＣＤシフトレジスタ内を出力側に向かってシフ
トし、出力回路４に２系列の信号を順次取り出すことが
できる。
なお、ここでは、電極１１−３は空席となっている。
なお、第３図、第４図では、垂直クロックパルスに４相
を用いたが、２相ないし３相を用いてもよく、その場合
にも動作は上述と全く同じである。
を用いたが、２相ないし３相を用いてもよく、その場合
にも動作は上述と全く同じである。
また、水平クロックパルスには３相を用いたが、勿論４
相を用いてもよく、その場合にも上記と同じ２重転送動
作を行わせることができるので、２系列の信号を順次取
り出すことができる。
相を用いてもよく、その場合にも上記と同じ２重転送動
作を行わせることができるので、２系列の信号を順次取
り出すことができる。
第６図は、本発明の他の実施例を示す固体撮像素子の構
成図であって、垂直ＣＣ’Ｄシフトレジスタが完全に分
離した場合を示している。
成図であって、垂直ＣＣ’Ｄシフトレジスタが完全に分
離した場合を示している。
垂直ＣＣＤシフトレジスタ２′−１と２′−？は、第３
図のよ５１７Ｃ絶縁分離帯を挾んで対向するのでなく、
完全に分離されており、シフトレジスタ２′＝１と２−
２は水平方向に同一間隔ｄ／２で周期的に配置されてい
る。ｌ−ａと１−ａｌまたは１−すと１−ｂ′は、同一
の光ダイオードであり、１−ａとｌ−ａ′の光信号電荷
は同じ垂直レジスタ２′−１に、また１−ｂと１−ｂ′
の光信号電荷は同じ垂直レジスタ２／−２に、それぞれ
送り込まれて、転送される。
図のよ５１７Ｃ絶縁分離帯を挾んで対向するのでなく、
完全に分離されており、シフトレジスタ２′＝１と２−
２は水平方向に同一間隔ｄ／２で周期的に配置されてい
る。ｌ−ａと１−ａｌまたは１−すと１−ｂ′は、同一
の光ダイオードであり、１−ａとｌ−ａ′の光信号電荷
は同じ垂直レジスタ２′−１に、また１−ｂと１−ｂ′
の光信号電荷は同じ垂直レジスタ２／−２に、それぞれ
送り込まれて、転送される。
第６図においては、２系列の光ダイオード１−ａ、ｌ−
ｂが垂直走査方向の列ごとにｄ／２だけシフトして配置
されているため、第３図の場合に比べてより高い解像度
が得られる。１０は、垂直ＣＣＤシフトレジスタ２’−
１、２′−２が同時刻に３送ってきた２系列の光信号を
時間順次な１系列の信号に変換する結合回路である。結
合回路１０およびその結合回路１０から水平ＣＣＤシフ
トレジスタ１１への電荷転送動作は、第６図の場合と同
じであり、出力回路生には２系列の信号を時間的に交互
に、つまりｌ−ａ 、 ｌ−ｂ 、 ｌ−ａ 、 ｌ−
ｂ・・・・・・の順次に得ることができる。
ｂが垂直走査方向の列ごとにｄ／２だけシフトして配置
されているため、第３図の場合に比べてより高い解像度
が得られる。１０は、垂直ＣＣＤシフトレジスタ２’−
１、２′−２が同時刻に３送ってきた２系列の光信号を
時間順次な１系列の信号に変換する結合回路である。結
合回路１０およびその結合回路１０から水平ＣＣＤシフ
トレジスタ１１への電荷転送動作は、第６図の場合と同
じであり、出力回路生には２系列の信号を時間的に交互
に、つまりｌ−ａ 、 ｌ−ｂ 、 ｌ−ａ 、 ｌ−
ｂ・・・・・・の順次に得ることができる。
なお、実施例においては、最も一般的なインク−ライン
型ＣＣＤ型撮像素子を用いて説明したが、勿論、フレー
ムトランスファ型ＣＣＤ撮像累子にも適用できる。
型ＣＣＤ型撮像素子を用いて説明したが、勿論、フレー
ムトランスファ型ＣＣＤ撮像累子にも適用できる。
また、実施例の説明では、−膜性を損なわないように、
白黒撮像素子を対象にしているが、カラー素子の場合で
も、構成、動作は前述の撮像素子の場合と全（同じであ
る。
白黒撮像素子を対象にしているが、カラー素子の場合で
も、構成、動作は前述の撮像素子の場合と全（同じであ
る。
第７図は、本発明のＣＣＤ型撮像素子をカラー化する際
に用いる色フィルタの配列の一例を示す図である。第７
図（ａ）は、原色フィルタを用いた場合、第７図（ｂ）
は補色フィルタを用いた場合、をそれぞれ示している。
に用いる色フィルタの配列の一例を示す図である。第７
図（ａ）は、原色フィルタを用いた場合、第７図（ｂ）
は補色フィルタを用いた場合、をそれぞれ示している。
原色フィルタの場合は、光ダイオード１−１と１−４が
Ｇ（緑）に、光ダイオードｌ−２が１（（赤）に、光ダ
イオード１−３がＢ（青）に、それぞれ対応するので、
出力回路手にはＢ、Ｇ、Ｒ，Ｇ、Ｂ。
Ｇ（緑）に、光ダイオードｌ−２が１（（赤）に、光ダ
イオード１−３がＢ（青）に、それぞれ対応するので、
出力回路手にはＢ、Ｇ、Ｒ，Ｇ、Ｂ。
Ｇ、Ｒ，・・・・・・の順にカラー信号が取り出される
。
。
一方、補色フィルタ（Ｃｙ（シアン）、Ｙｅ（、イエロ
ー）、Ｇ（緑）、Ｗ（白））の場合には、Ｙｅ。
ー）、Ｇ（緑）、Ｗ（白））の場合には、Ｙｅ。
Ｃｙ 、 Ｗ、 Ｇ、 Ｙｅ 、 Ｃｙ 、曲・・の順
にカラー信号が取り出されることになる。
にカラー信号が取り出されることになる。
以上説明したように、本発明のＣＣＤ型撮像素子によれ
ば、垂直ＣＣＤシフトレジスタと水平ＣＣＵシフトレジ
スタとの間に、２列同時２系列信号を時間順次なｌ系列
の４８号に変換する結合回路を設けたので、２列同時イ
ンクレース走査方式のＣＣＤ型撮像素子を実現すること
ができ、その結果、フィールド残像が完全になくなり、
Ｍ像度が格段に向上する。また、高解像度化の可で１目
な種々の色フィルタ配列を用いることができるので、従
来より優れた画質を備えた固体撮像素子を実現すること
かで゛きる。
ば、垂直ＣＣＤシフトレジスタと水平ＣＣＵシフトレジ
スタとの間に、２列同時２系列信号を時間順次なｌ系列
の４８号に変換する結合回路を設けたので、２列同時イ
ンクレース走査方式のＣＣＤ型撮像素子を実現すること
ができ、その結果、フィールド残像が完全になくなり、
Ｍ像度が格段に向上する。また、高解像度化の可で１目
な種々の色フィルタ配列を用いることができるので、従
来より優れた画質を備えた固体撮像素子を実現すること
かで゛きる。
第１図は従来のＣＣＤ型固体撮像素子の基本構成図、第
２図は従来の改良型ＣＯＤ固体撮像素子の＋＆構成図第
３図は本発明の実施例を示すＣＣＤ型固体撮像素子の構
成図、第４図は本発明の実施例を示すＣＣＤ型素子の具
体的な要部平面図および断面図、第５図（ａ） （ｂ）
は本発明のＣＣＤ型素子を駆動するパルスのタイムチャ
ートおよび動作説明図、第６図は本発明の他の実施例を
示すＣＣＤ型固体撮像素子の構成図、第７図は本発明の
ＣＣＤ型素子をカラー化する際に用いる色フィルタの配
列の一例を示す図である。 １．１−１〜１−４．ｌ−ａ 、ｌ−ａ 、ｌ−ｂ、１
−ｂ：光電変換素子、２−１ 、２−２ 、２−１ 、
２−２：垂直ＣＣＤシフトレジスタ、３ 、３−１ 、
３−２゜１１：水平ＣＣＤシフトレジスタ、４＝出力回
路、５−１ 、５−２ ：垂直クロックパルス発生器、
６−１〜６−３ ： 水平クロックパルス発生器、７−
１〜７−４：転送ゲート、１０．１０’：結合回路。 特許出願人 株式会社日立製作所、葭、代理人弁理士磯
村雅俊（・ｊ”Ｈ′、：１．：。 第 １ 図 第２図 第 ３ 図 第 ４ 図 第 ５ 図 （ａ） ＴＨＢＬ 第 ５ 図 （ｂ） １２−１経路 １２−２経路第
６ 図 −３ 第 ７ 図 （ａ） ６〜１ ゛６−２
２図は従来の改良型ＣＯＤ固体撮像素子の＋＆構成図第
３図は本発明の実施例を示すＣＣＤ型固体撮像素子の構
成図、第４図は本発明の実施例を示すＣＣＤ型素子の具
体的な要部平面図および断面図、第５図（ａ） （ｂ）
は本発明のＣＣＤ型素子を駆動するパルスのタイムチャ
ートおよび動作説明図、第６図は本発明の他の実施例を
示すＣＣＤ型固体撮像素子の構成図、第７図は本発明の
ＣＣＤ型素子をカラー化する際に用いる色フィルタの配
列の一例を示す図である。 １．１−１〜１−４．ｌ−ａ 、ｌ−ａ 、ｌ−ｂ、１
−ｂ：光電変換素子、２−１ 、２−２ 、２−１ 、
２−２：垂直ＣＣＤシフトレジスタ、３ 、３−１ 、
３−２゜１１：水平ＣＣＤシフトレジスタ、４＝出力回
路、５−１ 、５−２ ：垂直クロックパルス発生器、
６−１〜６−３ ： 水平クロックパルス発生器、７−
１〜７−４：転送ゲート、１０．１０’：結合回路。 特許出願人 株式会社日立製作所、葭、代理人弁理士磯
村雅俊（・ｊ”Ｈ′、：１．：。 第 １ 図 第２図 第 ３ 図 第 ４ 図 第 ５ 図 （ａ） ＴＨＢＬ 第 ５ 図 （ｂ） １２−１経路 １２−２経路第
６ 図 −３ 第 ７ 図 （ａ） ６〜１ ゛６−２
Claims (2)
- （１）同一半導体基板上に、第１系列の光ダイオード群
の光信号電荷を転送する垂直ＣＣＤシフトレジスタと、
第２系列の光ダイオード群の光信号電荷を転送する垂直
ＣＣＤシフトレジスタと、該両垂直ＣＣＤシフトレジス
タが転送した電荷を出力回路に転送する水子〇ＣＤシフ
トレジスタとを集積化した固体撮像素子において、上記
両垂直ＣＣＤシフトレジスタと単一の水平ＣＯＤシフト
レジスタの間に結合回路を設置し、該結合回路により、
隣接する２列の垂直ＣＣＤシフトレジスタから転送され
てきた２系列の光信号電荷を１系列の時間順次の信号に
変換した後、上記単一水平ＣＯＤシフトレジスタの最初
の蓄積電極下に第１系列の信号を送り込み、続いて後方
の蓄積電極下に第２系列の信号を送り込み、上記２系列
の（８号を時間順次に出力回路に送出することを特徴と
する固体撮像素子。 - （２）前記単−水千〇ＣＤシフトレジスタは、３相のパ
ルスにより駆動される３組のＣＣＤ電極を備え、第１お
よび第２のＣＣＤ電極あるいは第２および第３のＣＣＤ
電極によりそれぞれ第１系列および第２系列の信号を搬
送することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の固
体撮像素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57195815A JPS5984575A (ja) | 1982-11-08 | 1982-11-08 | 固体撮像素子 |
| US06/548,576 US4559550A (en) | 1982-11-08 | 1983-11-04 | CCD Type solid-state imaging device |
| GB08329661A GB2132051B (en) | 1982-11-08 | 1983-11-07 | Solid-state imaging device |
| DE3340338A DE3340338C2 (de) | 1982-11-08 | 1983-11-08 | Festkörper-Bilderzeuger |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57195815A JPS5984575A (ja) | 1982-11-08 | 1982-11-08 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5984575A true JPS5984575A (ja) | 1984-05-16 |
Family
ID=16347446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57195815A Pending JPS5984575A (ja) | 1982-11-08 | 1982-11-08 | 固体撮像素子 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4559550A (ja) |
| JP (1) | JPS5984575A (ja) |
| DE (1) | DE3340338C2 (ja) |
| GB (1) | GB2132051B (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61127279A (ja) * | 1984-11-26 | 1986-06-14 | Toshiba Corp | 固体イメ−ジセンサ |
| JPS6449382A (en) * | 1987-08-19 | 1989-02-23 | Nec Corp | Solid-state image pickup element |
| US6185270B1 (en) | 1997-08-07 | 2001-02-06 | Nec Corporation | Solid state imaging device and method for driving the same |
| JP2002043559A (ja) * | 2000-07-21 | 2002-02-08 | Fuji Film Microdevices Co Ltd | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58202685A (ja) * | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Sony Corp | 信号合成用電荷転送装置 |
| JPS60183881A (ja) * | 1984-03-01 | 1985-09-19 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像素子 |
| NL8401311A (nl) * | 1984-04-24 | 1985-11-18 | Philips Nv | Ladingsgekoppelde halfgeleiderinrichting met dynamische besturing. |
| JPS6115475A (ja) * | 1984-07-01 | 1986-01-23 | Canon Inc | 撮像素子及び撮像装置 |
| JPS6153766A (ja) * | 1984-08-24 | 1986-03-17 | Hitachi Ltd | インタ−ライン型電荷転送撮像素子 |
| US4612580A (en) * | 1984-09-14 | 1986-09-16 | Rca Corporation | TDM-input electrometer, as in a line transfer CCD imager, using a charge funnel |
| GB2170374B (en) * | 1984-12-28 | 1989-04-05 | Canon Kk | Image sensing apparatus |
| JPH0644823B2 (ja) * | 1986-08-22 | 1994-06-08 | 日本ビクター株式会社 | 固体撮像装置 |
| US4752829A (en) * | 1986-12-29 | 1988-06-21 | Fairchild Weston Systems, Inc. | Multipacket charge transfer image sensor and method |
| US5040071A (en) * | 1990-03-21 | 1991-08-13 | Eastman Kodak Company | Image sensor having multiple horizontal shift registers |
| KR930009132A (ko) * | 1991-10-04 | 1993-05-22 | 김광호 | 고체 촬영 소자 |
| US5210049A (en) * | 1992-04-28 | 1993-05-11 | Eastman Kodak Company | Method of making a solid state image sensor |
| WO1995020825A1 (en) * | 1994-01-31 | 1995-08-03 | Scientific Imaging Technologies, Inc. | Charge-coupled device array for spectroscopic detection |
| US5432335A (en) * | 1994-03-14 | 1995-07-11 | Princeton Instruments, Inc. | Charge-coupled device for spectroscopic detection |
| US5844598A (en) * | 1996-01-17 | 1998-12-01 | Pixel Vision, Inc. | CCD based optical detector for a confocal microscope |
| DE19807809A1 (de) * | 1998-02-26 | 1999-09-02 | Thomson Brandt Gmbh | Gerät zum Lesen und/oder Beschreiben optischer Aufzeichnungsträger |
| JP2002044525A (ja) * | 2000-07-27 | 2002-02-08 | Sony Corp | 固体撮像装置、その駆動方法およびカメラシステム |
| JP2002185871A (ja) * | 2000-12-12 | 2002-06-28 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその駆動方法 |
| JP4236864B2 (ja) * | 2002-05-08 | 2009-03-11 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | カラーイメージセンサ |
| JP2007027456A (ja) * | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Nec Electronics Corp | 撮像装置 |
| US7636119B2 (en) * | 2005-12-21 | 2009-12-22 | Eastman Kodak Company | Image sensor for still or video photography |
| US20070258002A1 (en) * | 2006-05-04 | 2007-11-08 | Kevin Nay | Imaging subsystem employing a bidirectional shift register |
| US20070258003A1 (en) * | 2006-05-04 | 2007-11-08 | Kevin Nay | Imaging subsystem employing dual shift registers |
| US7965331B2 (en) * | 2007-07-23 | 2011-06-21 | Fujifilm Corporation | Solid state imaging element, image pickup device and method of driving solid state imaging element |
| JP5243983B2 (ja) * | 2009-01-30 | 2013-07-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電子増倍機能内蔵型の固体撮像素子 |
| US8878256B2 (en) | 2013-01-07 | 2014-11-04 | Semiconductor Components Industries, Llc | Image sensors with multiple output structures |
| US8878255B2 (en) | 2013-01-07 | 2014-11-04 | Semiconductor Components Industries, Llc | Image sensors with multiple output structures |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5838026B2 (ja) | 1974-11-12 | 1983-08-19 | 松下電器産業株式会社 | 色彩信号発生装置 |
| JPS5157123A (ja) | 1974-11-14 | 1976-05-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | |
| US4211936A (en) * | 1978-06-16 | 1980-07-08 | Rca Corporation | CCD Gate electrode structures and systems employing the same |
| US4199691A (en) * | 1978-06-16 | 1980-04-22 | Rca Corporation | CCD Multiple channel network |
| US4237383A (en) * | 1978-09-20 | 1980-12-02 | Rca Corporation | High speed loading of output register of CCD array system |
| DE2842285C2 (de) * | 1978-09-28 | 1980-09-18 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Ladungsverschiebespeicher in Seriell-Parallel-Seriell-Organisation |
| JPS55163951A (en) * | 1979-06-08 | 1980-12-20 | Toshiba Corp | Solid-state pickup unit |
| JPS56160081A (en) * | 1980-05-14 | 1981-12-09 | Matsushita Electronics Corp | Solid state image pickup apparatus |
| JPS5848455A (ja) * | 1981-09-17 | 1983-03-22 | Canon Inc | 電荷転送素子 |
| JPS5856458U (ja) * | 1981-10-09 | 1983-04-16 | 株式会社日立製作所 | カラ−固体撮像装置 |
-
1982
- 1982-11-08 JP JP57195815A patent/JPS5984575A/ja active Pending
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1983
- 1983-11-04 US US06/548,576 patent/US4559550A/en not_active Expired - Fee Related
- 1983-11-07 GB GB08329661A patent/GB2132051B/en not_active Expired
- 1983-11-08 DE DE3340338A patent/DE3340338C2/de not_active Expired
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61127279A (ja) * | 1984-11-26 | 1986-06-14 | Toshiba Corp | 固体イメ−ジセンサ |
| JPS6449382A (en) * | 1987-08-19 | 1989-02-23 | Nec Corp | Solid-state image pickup element |
| US6185270B1 (en) | 1997-08-07 | 2001-02-06 | Nec Corporation | Solid state imaging device and method for driving the same |
| JP2002043559A (ja) * | 2000-07-21 | 2002-02-08 | Fuji Film Microdevices Co Ltd | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| GB2132051B (en) | 1986-10-15 |
| GB2132051A (en) | 1984-06-27 |
| US4559550A (en) | 1985-12-17 |
| GB8329661D0 (en) | 1983-12-07 |
| DE3340338C2 (de) | 1986-10-23 |
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