KR930003411A - 전하 결합 영상 소자 및 그 영상 소자를 가지는 카메라 - Google Patents

전하 결합 영상 소자 및 그 영상 소자를 가지는 카메라 Download PDF

Info

Publication number
KR930003411A
KR930003411A KR1019920012514A KR920012514A KR930003411A KR 930003411 A KR930003411 A KR 930003411A KR 1019920012514 A KR1019920012514 A KR 1019920012514A KR 920012514 A KR920012514 A KR 920012514A KR 930003411 A KR930003411 A KR 930003411A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
charge
pixel
raster
package
imaging device
Prior art date
Application number
KR1019920012514A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100278947B1 (ko
Inventor
알빈 빌리암 스테케렌버그 미카엘
레오나두스 페크 헤르마누스
존 스웨니 콤
빌헬무스 마리누스 코르타우트 앨로위시우스
Original Assignee
프레데릭 얀 스미트
엔. 브이. 필립스 글로아이람펜파브리켄
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 프레데릭 얀 스미트, 엔. 브이. 필립스 글로아이람펜파브리켄 filed Critical 프레데릭 얀 스미트
Publication of KR930003411A publication Critical patent/KR930003411A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100278947B1 publication Critical patent/KR100278947B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/148—Charge coupled imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/68—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to defects
    • H04N25/683—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to defects by defect estimation performed on the scene signal, e.g. real time or on the fly detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/148—Charge coupled imagers
    • H01L27/14831—Area CCD imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/40—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
    • H04N25/46—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by combining or binning pixels
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/50—Control of the SSIS exposure
    • H04N25/53—Control of the integration time
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/62—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
    • H04N25/621—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels for the control of blooming
    • H04N25/622—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels for the control of blooming by controlling anti-blooming drains
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/72—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors using frame transfer [FT]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

전하 결합 영상 소자 및 그 영상 소자를 가지는 카메라
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는본발명에 따른 전하 결합 소자의 다이어그램,
제2도는 전하 결합 소자의 단면도,
제3도는 인가된 클럭전압을 시간의 함수로서 도시하는 다이어그램.

Claims (6)

  1. 반도체 몸체내에 형성된 전하 전송 채널위에 위치한 클럭 전극들의 행을 구비하며, 클럭 전압 수단이 클럭 전압을 상기 클럭 전극으로 인가하기 위해 존재하는 3-상 전하 결합 소자를 가지는 전하 결합 영상 소자에 있어서, 상기 클럭 전압은 두개의 통합 주기 동안의 적어도 대부분의 기간중에 상기 클럭 전극으로 인가되며, 정보를 내포하는 전하 패키지들의 제1래스터는 상기 통합 주기중의 한 주기동안 화소 i(i= 1, 2, 3, 등등)에서 발생된 전하의 적어도 대략 3/4 부분과 화소(i-1)에서 발생된 전하의 1/4 부분을 합산함으로써 형성되며, 제2레스터는 상기 통합 주기중의 다른 통합 주기동안 화소(i)에서 발생된 전하의 3/4부분과 화소(i+1)에서 발생된 전하의 1/4부분을 합산함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 전하 결합 영상 소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 합산을 위하여, 통합 주기의 기간중의 적어도 대략3/4부분동안 어떤 화소에서 발생된 전하의 합산에 의해 형성된 전하 패키지들은 상기 통합 주기의 나머지 1/4부분동안 선행 화소로 이동되어 제1래스터를 형성하거나, 또는 후행 화소로 이동되어 제2래스터를 형성하는 것을 특징으로 하는 전하 결합 영상소자.
  3. 제2항에 있어서, 상기 전하 결합 소자는 영상 감지부를 형성하는 행과 열로 배열된 화소의 패턴을 가지며, 제1통합 주기동안 형성된 전하 패키지의 래스터가 축적될 수 있는 메모리부를 형성하는 메모리 소자에 대응하는 패턴을 가지는 프레임 전송형의 2차원 영상센서(FT센서)부분을 형성하며, 동시에 제2통합 주기에 속하는 전하 패키지의 제2레스터는 상기 영상 감지부에서 형성되는 것을 특징으로 하는 전하 결합 영상 소자.
  4. 제3항에 있어서, 상기 메모리부에 인접한 판독 레지스터는 상기 메모리부에 축적된 전하 패키지의 래스터가 라인 귀선 시간동안 한 라인씩 판독되도록 배치되며, 동시에 후행 래스터의 전하 패키지는 상기 래스터에 좌우하여, 세번의 라인 귀선 시간동안 각각의 패키지에 대응하는 화소내에 상기 전하 패키지를 축적하고 한번의 라인 귀선 시간동안 동일하나 열에 있는 선행 또는 후행 화소내에 상기 전하 패키지를 축적하는 것을 교대로 함으로써 상기 영상 감지부내에 형성되는 것을 특징으로 하는 전하 결합 영상 소자.
  5. 제4항에 있어서, 상기 전하 패키지는 상기 각각의 패키지에 대응하는 화소와 상기 선행 또는 후행 화소 사이에서 두번의 라인 귀선 시간 사이에 항시 전송되는 것을 특징으로 하는 전하 결합 영상 소자.
  6. 상기 청구항들중의 어느 한 항에서 청구된 바와같은 전하 결합 영상 소자가 제공된 카메라.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920012514A 1991-07-15 1992-07-14 전하 결합 영상 소자 및 이 전하 결합 영상 소자를 구비하는 카메라 KR100278947B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP91201849.6 1991-07-15
EP91201849 1991-07-15

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR930003411A true KR930003411A (ko) 1993-02-24
KR100278947B1 KR100278947B1 (ko) 2001-02-01

Family

ID=8207783

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019920012514A KR100278947B1 (ko) 1991-07-15 1992-07-14 전하 결합 영상 소자 및 이 전하 결합 영상 소자를 구비하는 카메라

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5517244A (ko)
EP (1) EP0523781B1 (ko)
JP (1) JPH05199465A (ko)
KR (1) KR100278947B1 (ko)
DE (1) DE69225846T2 (ko)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5585847A (en) * 1992-12-23 1996-12-17 Loral Fairchild Corporation Electronic color imaging technique and structure using a very high resolution monochrome full-frame CCD imager
JPH0759099A (ja) * 1992-12-23 1995-03-03 Loral Fairchild Corp 高解像度モノクローム全フレームｃｃｄ撮像装置を用いた電子カラー写真撮影方法及び装置
BE1008077A3 (nl) * 1994-02-17 1996-01-09 Philips Electronics Nv Ladingsgekoppelde beeldopneeminrichting en camera voorzien van een dergelijke ladingsgekoppelde beeldopneeminrichting.
KR100264414B1 (ko) * 1996-03-29 2000-08-16 가네꼬 히사시 전하결합소자의고속동작방법
US6847401B1 (en) * 1997-08-25 2005-01-25 Sanyo Electric Co., Ltd. Solid-state image pickup device for producing thinned image
JP2001507548A (ja) 1997-09-11 2001-06-05 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 電子ハーフピクセルオフセット
WO2001048826A1 (fr) * 1999-12-24 2001-07-05 Hamamatsu Photonics K.K. Capteur d'energie de semiconducteur
US6870207B2 (en) 2000-04-24 2005-03-22 The University Of Connecticut III-V charge coupled device suitable for visible, near and far infra-red detection
US7247892B2 (en) * 2000-04-24 2007-07-24 Taylor Geoff W Imaging array utilizing thyristor-based pixel elements
GB0011822D0 (en) * 2000-05-17 2000-07-05 Photonic Research Systems Limi Apparatus and methods for phase-sensitive imaging
GB2468668B (en) * 2009-03-17 2014-07-16 E2V Tech Uk Ltd CCD imaging array with extended dynamic range

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3911467A (en) * 1974-07-25 1975-10-07 Rca Corp Interlaced readout of charge stored in charge-coupled image sensing array
JPS57104377A (en) * 1980-12-19 1982-06-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd Solid-state image pickup device
US4481538A (en) * 1982-09-30 1984-11-06 Rca Corporation Overcoming flicker in field-interlaced CCD imagers with three-phase clocking of the image register
JPS5969965A (ja) * 1982-10-15 1984-04-20 Canon Inc フレ−ム・トランスフア−型撮像素子
US4758895A (en) * 1985-11-12 1988-07-19 Rca Corporation Storage registers with charge packet accumulation capability, as for solid-state imagers
NL8901283A (nl) * 1989-05-23 1990-12-17 Philips Nv Ladingsgekoppelde inrichting en beeldopneeminrichting omvattende een dergelijke ladingsgekoppelde inrichting, en camera voorzien van een dergelijke beeldopneeminrichting.

Also Published As

Publication number Publication date
DE69225846T2 (de) 1998-12-24
EP0523781B1 (en) 1998-06-10
US5517244A (en) 1996-05-14
KR100278947B1 (ko) 2001-02-01
DE69225846D1 (de) 1998-07-16
EP0523781A2 (en) 1993-01-20
JPH05199465A (ja) 1993-08-06
EP0523781A3 (ko) 1994-01-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4518978A (en) Solid state image sensor
US5430481A (en) Multimode frame transfer image sensor
CA2216136A1 (en) Read-out circuit for active matrix imaging arrays
KR970705894A (ko) CCD 이미저를 동작시키는 방법과 이러한 방법을 수행시키기에 적합한 CCD 이미저(Method Of operating a CCD imager, and CCD imager suitable for the imple-mentation of such a method)
KR930003411A (ko) 전하 결합 영상 소자 및 그 영상 소자를 가지는 카메라
GB2007937A (en) Gamma correction of solid state image sensors
KR930022570A (ko) 고체촬상소자 및 고체촬상소자의 전하독출방법
KR960020386A (ko) Ccd 고체 촬상 소자 및 그 구동 방법
US4264930A (en) Charge coupled device incorporating Laplacian thresholding with TDI array
US5365093A (en) Solid-state imaging device with tapered channel regions
KR920022542A (ko) 고체촬상장치
KR900019481A (ko) 고체 촬상 소자의 스미어 제거회로
KR930018735A (ko) 고체촬상소자
US5892251A (en) Apparatus for transferring electric charges
US4603343A (en) Solid state image sensor applied with differing read-out gate voltages
JPS6038869A (ja) 二次元ｃｃｄイメ−ジセンサ
US6392260B1 (en) Architecture for a tapped CCD array
NL8202749A (nl) Beeldwaarneemorgaan.
KR930003407A (ko) Ccd 촬상소자
JP3397151B2 (ja) 固体撮像素子の駆動方法
JPH03116841A (ja) 電荷結合素子
KR900019247A (ko) 전하결합 장치와 영상센서 장치를 포함하고 있는 카메라
US4612579A (en) Time-division-multiplex clocking of multiple-charge-tunnel CCD structures, such as line-transfer CCD imagers
US5379066A (en) Horizontal register for CCD imager
JPH0767153B2 (ja) 固体撮像素子の駆動方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee