JP3102557B2 - 固体撮像素子およびその駆動方法 - Google Patents
固体撮像素子およびその駆動方法Info
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 claims description 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 12
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000002000 scavenging effect Effects 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/40—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
- H04N25/46—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by combining or binning pixels
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/72—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors using frame transfer [FT]
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、単位画素の信号電
荷を一斉にかつ独立して垂直転送レジスタに読み出す全
画素一斉読み出し型の固体撮像素子およびその駆動方法
に関し、特に、水平方向に配列された信号電荷を間引き
することができるように構成された固体撮像素子とその
駆動方法に関するものである。
荷を一斉にかつ独立して垂直転送レジスタに読み出す全
画素一斉読み出し型の固体撮像素子およびその駆動方法
に関し、特に、水平方向に配列された信号電荷を間引き
することができるように構成された固体撮像素子とその
駆動方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、パソコンのモニタ上においても動
画を表示できるようにすることが求められるようになっ
てきている。しかし、現在の処理能力ではパソコン上で
テレビ並みの解像度で動画を表示することは困難で、例
えばＣＣＤカメラから取り込まれた画像データを表示す
るには、フレームを間引きしてフレームレートを落とす
かフレームレートを維持して画像データの間引きを行う
かする必要がある。しかし、フレームレートを落とした
場合には、滑らかな動きが表現できないので、画素を間
引きすることが、すなわち解像度を低下させることが一
般的に行なわれている。従来、このような画像切り替え
には、全フォトダイオードの信号電荷を一斉に読み出し
た後固体撮像素子内において間引きする方式と、パソコ
ン上でのソフト処理によって対応する方式とがあった。
従来の画像切り替え方式を説明する前に、まず従来の固
体撮像素子について説明する。
画を表示できるようにすることが求められるようになっ
てきている。しかし、現在の処理能力ではパソコン上で
テレビ並みの解像度で動画を表示することは困難で、例
えばＣＣＤカメラから取り込まれた画像データを表示す
るには、フレームを間引きしてフレームレートを落とす
かフレームレートを維持して画像データの間引きを行う
かする必要がある。しかし、フレームレートを落とした
場合には、滑らかな動きが表現できないので、画素を間
引きすることが、すなわち解像度を低下させることが一
般的に行なわれている。従来、このような画像切り替え
には、全フォトダイオードの信号電荷を一斉に読み出し
た後固体撮像素子内において間引きする方式と、パソコ
ン上でのソフト処理によって対応する方式とがあった。
従来の画像切り替え方式を説明する前に、まず従来の固
体撮像素子について説明する。
【０００３】図１３は、従来の全画素読み出し型固体撮
像素子の全体構成を示す概略平面図である。図１３に示
されるように、従来の固体撮像素子は、マトリックス状
に配置された、光を信号電荷に変換するフォトダイオー
ド１と、画像信号の基準レベルを形成するための光学的
黒レベル領域２と、余剰電荷を掃き捨てるための垂直余
剰電荷掃き出しドレイン３および水平余剰電荷掃き出し
ドレイン４と、フォトダイオード１に蓄積された信号電
荷を読み出し、転送する垂直転送レジスタ５と、垂直転
送レジスタ５を転送されてきた信号電荷を受けて、出力
アンプ７に転送する水平転送レジスタ６とで構成されて
いる。フォトダイオード１上にはＲＧＢフィルタが例え
ばベイヤ方式にて配列されている。
像素子の全体構成を示す概略平面図である。図１３に示
されるように、従来の固体撮像素子は、マトリックス状
に配置された、光を信号電荷に変換するフォトダイオー
ド１と、画像信号の基準レベルを形成するための光学的
黒レベル領域２と、余剰電荷を掃き捨てるための垂直余
剰電荷掃き出しドレイン３および水平余剰電荷掃き出し
ドレイン４と、フォトダイオード１に蓄積された信号電
荷を読み出し、転送する垂直転送レジスタ５と、垂直転
送レジスタ５を転送されてきた信号電荷を受けて、出力
アンプ７に転送する水平転送レジスタ６とで構成されて
いる。フォトダイオード１上にはＲＧＢフィルタが例え
ばベイヤ方式にて配列されている。
【０００４】図１４、図１５は、図１３の垂直転送レジ
スタ５と水平転送レジスタ６の接続部の電極構成を示す
図であって、図１４は平面図、図１５は図１４のＡ−
Ａ′線での断面図である。垂直転送レジスタ５は、４相
のクロックφＶ１、φＶ２、φＶ３、φＶ４により駆動
される。クロックφＶ１の印加される転送電極は１層目
ポリシリコンにより、クロックφＶ２およびφＶ４の印
加される転送電極は２層目ポリシリコンにより、またク
ロックφＶ３の印加される転送電極は３層目ポリシリコ
ンにより形成されている。φＶ１が印加される最終段の
転送電極が水平転送レジスタ６へのゲートになってい
る。水平転送レジスタ６は、２相のクロックφＨ１、φ
Ｈ２によりに駆動される。水平転送レジスタ６のすべて
の転送電極は、それぞれ２層目および３層目のポリシリ
コンにより形成され、２層目ポリシリコンの電極部分が
蓄積部、３層目ポリシリコンの電極部分がバリア部とな
っている。垂直転送レジスタの信号電荷は、水平転送レ
ジスタのクロックφＨ１がハイレベルに維持された状態
で水平転送レジスタへ転送される。すなわち、φＨ１が
ハイレベルに維持された状態でφＶ１がハイに転じる
と、φＨ１の印加された転送電極下への信号電荷の転送
が始まりφＶ１がローとなると転送が完了する。
スタ５と水平転送レジスタ６の接続部の電極構成を示す
図であって、図１４は平面図、図１５は図１４のＡ−
Ａ′線での断面図である。垂直転送レジスタ５は、４相
のクロックφＶ１、φＶ２、φＶ３、φＶ４により駆動
される。クロックφＶ１の印加される転送電極は１層目
ポリシリコンにより、クロックφＶ２およびφＶ４の印
加される転送電極は２層目ポリシリコンにより、またク
ロックφＶ３の印加される転送電極は３層目ポリシリコ
ンにより形成されている。φＶ１が印加される最終段の
転送電極が水平転送レジスタ６へのゲートになってい
る。水平転送レジスタ６は、２相のクロックφＨ１、φ
Ｈ２によりに駆動される。水平転送レジスタ６のすべて
の転送電極は、それぞれ２層目および３層目のポリシリ
コンにより形成され、２層目ポリシリコンの電極部分が
蓄積部、３層目ポリシリコンの電極部分がバリア部とな
っている。垂直転送レジスタの信号電荷は、水平転送レ
ジスタのクロックφＨ１がハイレベルに維持された状態
で水平転送レジスタへ転送される。すなわち、φＨ１が
ハイレベルに維持された状態でφＶ１がハイに転じる
と、φＨ１の印加された転送電極下への信号電荷の転送
が始まりφＶ１がローとなると転送が完了する。
【０００５】次に、従来の固体撮像素子の垂直転送レジ
スタ５と水平転送レジスタ６の接続部での動作を図１６
〜図１８を参照して説明する。図１６は、垂直転送レジ
スタ５の転送電極に印加される４相のクロックφＶ１、
φＶ２、φＶ３、φＶ４と、水平転送レジスタ６の転送
電極に印加される２相のクロックφＨ１、φＨ２のパル
スタイミングを示す。図１７は、垂直転送レジスタ５中
の信号電荷が水平転送レジスタ６に転送される様子を示
しており、また図１８は、水平転送レジスタ６中の信号
電荷の転送される様子を示している。ｔ０においてφＶ
３およびφＶ４が印加された転送電極下に蓄積されてい
た信号電荷は、ｔ１でφＶ１がハイレベルとなるとφＨ
１の印加される転送電極下に転送され始め、φＶ３、φ
Ｖ４、φＶ１がこの順でローレベルに転じていくとφＨ
１の電極下に転送される。φＨ１の電極下に蓄積された
信号電荷は、φＨ１とφＨ２とが交互にハイ／ローを繰
り返すことにより順次水平転送レジスタ内を転送され
る。この時、図１８に示されるように、ＲＧＢベイヤ配
列による信号Ｒ１、Ｇ１、Ｒ２、Ｇ２、Ｒ３、Ｇ３、Ｒ
４、Ｇ４はその順番を壊さずに転送されていく。図１９
に、出力アンプ７での出力波形を示す。
スタ５と水平転送レジスタ６の接続部での動作を図１６
〜図１８を参照して説明する。図１６は、垂直転送レジ
スタ５の転送電極に印加される４相のクロックφＶ１、
φＶ２、φＶ３、φＶ４と、水平転送レジスタ６の転送
電極に印加される２相のクロックφＨ１、φＨ２のパル
スタイミングを示す。図１７は、垂直転送レジスタ５中
の信号電荷が水平転送レジスタ６に転送される様子を示
しており、また図１８は、水平転送レジスタ６中の信号
電荷の転送される様子を示している。ｔ０においてφＶ
３およびφＶ４が印加された転送電極下に蓄積されてい
た信号電荷は、ｔ１でφＶ１がハイレベルとなるとφＨ
１の印加される転送電極下に転送され始め、φＶ３、φ
Ｖ４、φＶ１がこの順でローレベルに転じていくとφＨ
１の電極下に転送される。φＨ１の電極下に蓄積された
信号電荷は、φＨ１とφＨ２とが交互にハイ／ローを繰
り返すことにより順次水平転送レジスタ内を転送され
る。この時、図１８に示されるように、ＲＧＢベイヤ配
列による信号Ｒ１、Ｇ１、Ｒ２、Ｇ２、Ｒ３、Ｇ３、Ｒ
４、Ｇ４はその順番を壊さずに転送されていく。図１９
に、出力アンプ７での出力波形を示す。
【０００６】上述したように、パソコンのモニタ上で滑
らかな動作の動画を実現するためには、画素を間引きし
て画像の解像度を落とす必要があるが、解像度を落とす
方法としては、一旦外部メモリに画像データを記録した
後、同一色のフィルタの画素が隣り合うようにデータの
並び替えを行い、隣り合う同一色のデータを一つの画素
として扱う方法、あるいは隣り合う同一色のデータの一
方を間引きする方法がある。また、デバイス自体で解像
度を落とすという手段を採用する場合には、例えば水平
解像度を１／２にする楊合、図２０に示すように、例え
ば画像の中央を残し左右の１／２を掃き捨てるという方
法が用いられる。この方式では、１水平ライン毎に、始
めの１／４を掃き捨て領域９として通常の２倍のスピー
ドで転送し出力アンプを経由した後そのデータを捨て
る。次の中央の１／２については有効領域８として通常
の速度で転送して画像データを得、終わりの１／４につ
いては始めの１／４と同様に高速転送した後に棄却す
る。
らかな動作の動画を実現するためには、画素を間引きし
て画像の解像度を落とす必要があるが、解像度を落とす
方法としては、一旦外部メモリに画像データを記録した
後、同一色のフィルタの画素が隣り合うようにデータの
並び替えを行い、隣り合う同一色のデータを一つの画素
として扱う方法、あるいは隣り合う同一色のデータの一
方を間引きする方法がある。また、デバイス自体で解像
度を落とすという手段を採用する場合には、例えば水平
解像度を１／２にする楊合、図２０に示すように、例え
ば画像の中央を残し左右の１／２を掃き捨てるという方
法が用いられる。この方式では、１水平ライン毎に、始
めの１／４を掃き捨て領域９として通常の２倍のスピー
ドで転送し出力アンプを経由した後そのデータを捨て
る。次の中央の１／２については有効領域８として通常
の速度で転送して画像データを得、終わりの１／４につ
いては始めの１／４と同様に高速転送した後に棄却す
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述した水平方向の解
像度をソフト的に落とす従来の方法は、一旦外部メモリ
に画像を記録した後にデータを高速に並び替える必要が
あるため、装置の処理速度がこれに対応できない場合に
は、結果的にフレームレートを維持することができない
という欠点があった。また、デバイス自体で解像度を落
とす場合には、掃き捨て用の１／２の画像データを高速
駆動で転送する必要があるので、デバイスに過剰な性能
が要求されることになり歩留まりの低下を招く。加えて
駆動回路の消費電力が大きくなるため、装置としての性
能も悪くなるという欠点があった。よって、本発明の解
決すべき課題は、高速駆動を必要とすることなくデバイ
ス内部で解像度を低下させることが可能な固体撮像素子
を提供できるようにすることである。
像度をソフト的に落とす従来の方法は、一旦外部メモリ
に画像を記録した後にデータを高速に並び替える必要が
あるため、装置の処理速度がこれに対応できない場合に
は、結果的にフレームレートを維持することができない
という欠点があった。また、デバイス自体で解像度を落
とす場合には、掃き捨て用の１／２の画像データを高速
駆動で転送する必要があるので、デバイスに過剰な性能
が要求されることになり歩留まりの低下を招く。加えて
駆動回路の消費電力が大きくなるため、装置としての性
能も悪くなるという欠点があった。よって、本発明の解
決すべき課題は、高速駆動を必要とすることなくデバイ
ス内部で解像度を低下させることが可能な固体撮像素子
を提供できるようにすることである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明によれば、マトリックス状に配置された複数
のフォトダイオードと、前記複数のフォトダイオードに
隣接して交互に設けられた第１種および第２種の垂直転
送レジスタと、前記垂直転送レジスタから転送されてき
た電荷を出力アンプに転送する水平転送レジスタと、を
備える固体撮像素子において、前記垂直転送レジスタの
前記水平転送レジスタとの接続部には、前記水平転送レ
ジスタに向かって、第１の第１層転送電極、第１の第２
層転送電極、第１の第３層転送電極、第２の第２層転送
電極、第２の第３層転送電極および第２の第１層転送電
極が概ねこの順に配置され、かつ、前記第１種の垂直転
送レジスタにおいては、第１の第２層転送電極および第
１の第３層転送電極は自己よりも下層の転送電極上に配
置され、前記第２種の垂直転送レジスタにおいては、第
２の第２層転送電極および第２の第３層転送電極は自己
よりも下層の転送電極上に配置されていることを特徴と
する固体撮像素子、が提供される。
め、本発明によれば、マトリックス状に配置された複数
のフォトダイオードと、前記複数のフォトダイオードに
隣接して交互に設けられた第１種および第２種の垂直転
送レジスタと、前記垂直転送レジスタから転送されてき
た電荷を出力アンプに転送する水平転送レジスタと、を
備える固体撮像素子において、前記垂直転送レジスタの
前記水平転送レジスタとの接続部には、前記水平転送レ
ジスタに向かって、第１の第１層転送電極、第１の第２
層転送電極、第１の第３層転送電極、第２の第２層転送
電極、第２の第３層転送電極および第２の第１層転送電
極が概ねこの順に配置され、かつ、前記第１種の垂直転
送レジスタにおいては、第１の第２層転送電極および第
１の第３層転送電極は自己よりも下層の転送電極上に配
置され、前記第２種の垂直転送レジスタにおいては、第
２の第２層転送電極および第２の第３層転送電極は自己
よりも下層の転送電極上に配置されていることを特徴と
する固体撮像素子、が提供される。
【０００９】また、本発明によれば、マトリックス状に
配置された複数のフォトダイオードと、前記複数のフォ
トダイオードに隣接して設けられた第１種および第２種
の垂直転送レジスタと、前記垂直転送レジスタから転送
されてきた電荷を出力アンプに転送する水平転送レジス
タを備える固体撮像素子の駆動方法であって、前記第１
種の垂直転送レジスタから前記水平転送レジスタへの信
号電荷転送と、前記第２種の垂直転送レジスタから前記
水平転送レジスタへの信号電荷転送を独立に行い、前記
水平転送レジスタで異種の垂直転送レジスタからの信号
電荷を加算できることを特徴とする固体撮像素子の駆動
方法、が提供される。
配置された複数のフォトダイオードと、前記複数のフォ
トダイオードに隣接して設けられた第１種および第２種
の垂直転送レジスタと、前記垂直転送レジスタから転送
されてきた電荷を出力アンプに転送する水平転送レジス
タを備える固体撮像素子の駆動方法であって、前記第１
種の垂直転送レジスタから前記水平転送レジスタへの信
号電荷転送と、前記第２種の垂直転送レジスタから前記
水平転送レジスタへの信号電荷転送を独立に行い、前記
水平転送レジスタで異種の垂直転送レジスタからの信号
電荷を加算できることを特徴とする固体撮像素子の駆動
方法、が提供される。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について図面
を参照して以下に説明する。図１は、本発明の第１の実
施の形態の固体撮像素子の垂直転送レジスタと水平転送
レジスタとの接続部の電極構成を示す平面図であり、図
２（ａ）、（ｂ）は、それぞれ図１のＡ−Ａ′線とＢ−
Ｂ′線での断面図である。図１に示されるように、垂直
転送レジスタ５は水平転送レジスタとの接続部におい
て、クロックφＶ１、φＶ２Ａ、φＶ３Ａ、φＶ２Ｂ、
φＶ３Ｂ、φＶ１Ａの印加される転送電極がこの順に並
べられ、φＶ１Ａの印加される最後の転送電極が水平転
送レジスタ６へのゲートになっている。なお、垂直転送
レジスタ５の図１に図示された部分の上流側には図１４
に示した従来例と同様に、クロックφＶ１、φＶ２、φ
Ｖ３、φＶ４の印加される転送電極がこの順の繰り返し
で配置されている。水平転送レジスタ６では、φＨ１
Ａ、φＨ１Ｂ、φＨ２の３相のクロックにより転送が行
われるが、φＨ１ＡとφＨ１Ｂとは、垂直転送レジスタ
から水平転送レジスタへの電荷転送の行われる前半部分
を除いて同一位相のパルスとなっている。水平転送レジ
スタ６は、φＶ１ＡおよびφＨ１Ａがハイ、φＨ１Ｂお
よびφＨ２がローの時は信号電荷をφＨ１Ａの印加され
る転送電極下に受け、φＶ１ＡおよびφＨ１Ｂがハイレ
ベル、φＨ２がローのとき、φＨ１Ｂの印加される転送
電極下に信号電荷を受ける（このとき、φＨ１Ａはハ
イ、ローのいずれであってもよい）。図２（ａ）、
（ｂ）に示されるように、φＶ１およびφＶ１Ａの印加
される転送電極は１層目ポリシリコン、φＶ２Ａおよび
φＶ２Ｂの印加される転送電極は２層目ポリシリコン、
φＶ３Ａ、φＶ３Ｂの印加される転送電極は３層目ポリ
シリコンによりそれぞれ形成されている。水平転送レジ
スタ６のすべての転送電極は、２層目および３層目のポ
リシリコンにより形成され、２層目ポリシリコンの電極
部分が蓄積部、３層目ポリシリコンの電極部分がバリア
部となっている。水平転送レジスタ６における転送電極
の構成自体は従来例のそれと変わらない。
を参照して以下に説明する。図１は、本発明の第１の実
施の形態の固体撮像素子の垂直転送レジスタと水平転送
レジスタとの接続部の電極構成を示す平面図であり、図
２（ａ）、（ｂ）は、それぞれ図１のＡ−Ａ′線とＢ−
Ｂ′線での断面図である。図１に示されるように、垂直
転送レジスタ５は水平転送レジスタとの接続部におい
て、クロックφＶ１、φＶ２Ａ、φＶ３Ａ、φＶ２Ｂ、
φＶ３Ｂ、φＶ１Ａの印加される転送電極がこの順に並
べられ、φＶ１Ａの印加される最後の転送電極が水平転
送レジスタ６へのゲートになっている。なお、垂直転送
レジスタ５の図１に図示された部分の上流側には図１４
に示した従来例と同様に、クロックφＶ１、φＶ２、φ
Ｖ３、φＶ４の印加される転送電極がこの順の繰り返し
で配置されている。水平転送レジスタ６では、φＨ１
Ａ、φＨ１Ｂ、φＨ２の３相のクロックにより転送が行
われるが、φＨ１ＡとφＨ１Ｂとは、垂直転送レジスタ
から水平転送レジスタへの電荷転送の行われる前半部分
を除いて同一位相のパルスとなっている。水平転送レジ
スタ６は、φＶ１ＡおよびφＨ１Ａがハイ、φＨ１Ｂお
よびφＨ２がローの時は信号電荷をφＨ１Ａの印加され
る転送電極下に受け、φＶ１ＡおよびφＨ１Ｂがハイレ
ベル、φＨ２がローのとき、φＨ１Ｂの印加される転送
電極下に信号電荷を受ける（このとき、φＨ１Ａはハ
イ、ローのいずれであってもよい）。図２（ａ）、
（ｂ）に示されるように、φＶ１およびφＶ１Ａの印加
される転送電極は１層目ポリシリコン、φＶ２Ａおよび
φＶ２Ｂの印加される転送電極は２層目ポリシリコン、
φＶ３Ａ、φＶ３Ｂの印加される転送電極は３層目ポリ
シリコンによりそれぞれ形成されている。水平転送レジ
スタ６のすべての転送電極は、２層目および３層目のポ
リシリコンにより形成され、２層目ポリシリコンの電極
部分が蓄積部、３層目ポリシリコンの電極部分がバリア
部となっている。水平転送レジスタ６における転送電極
の構成自体は従来例のそれと変わらない。
【００１１】次に、本発明の固体撮像素子の垂直転送レ
ジスタ５と水平転送レジスタ６の接続部での動作を図３
ないし図５を用いて説明する（以下、図１のＡ−Ａ′線
に沿った側の２本のチャネルをＡチャネルと呼び、Ｂ−
Ｂ′線に沿った側の２本のチャネルをＢチャネルと呼
ぶ）。図３は、垂直転送レジスタ５の転送電極に印加さ
れるクロックφＶ１、φＶ２Ａ、φＶ３Ａ、φＶ２Ｂ、
φＶ３Ｂ、φＶ１Ａのパルスタイミングと水平転送レジ
スタ６の転送電極に印加されるクロックφＨ１Ａ、φＨ
１Ｂ、φＨ２のパルスタイミングを示している。図４
は、垂直転送レジスタ５中の信号電荷が水平転送レジス
タ６に転送される様子を、また図５は、信号電荷が水平
転送レジスタ６内を転送される様子を示している。垂直
転送レジスタ５を転送されてきた信号電荷は、ｔ０が終
了する直前には、φＶ１、φＶ２Ａ、φＶ３Ａ、φＶ２
ＢおよびφＶ３Ｂの転送電極下に蓄積されている。ｔ１
でφＶ１がローとなると、φＶ１の転送電極下の信号電
荷はφＶ２Ａ、φＶ３Ａ、φＶ２ＢおよびφＶ３Ｂの転
送電極下へ転送される。このとき、信号電荷は、Ａチャ
ネルでは、φＶ２Ｂ、φＶ３Ｂの転送電極下に蓄積さ
れ、Ｂチャネルでは、φＶ２Ａ、φＶ３Ａの転送電極下
に蓄積される。ここで、２つのＡチャネルにおいてφＶ
２ＢおよびφＶ３Ｂの転送電極下に蓄積された信号電荷
をＲ１、Ｇ１とし、２つのＢチャネルにおいてφＶ２Ａ
およびφＶ３Ａの転送電極下に蓄積された信号電荷をＲ
２、Ｇ２とする（図５参照）。ｔ２ではφＶ１Ａがハ
イ、続いてφＶ２Ｂがローに転じ、φＨ１Ａがハイレベ
ル、φＨ１ＢおよびφＨ２がローレベルであるので、Ａ
チャネルでφＶ２ＢおよびφＶ３Ｂの転送電極下に蓄積
されていた信号電荷Ｒ１およびＧ１はφＨ１Ａの転送電
極下に転送され始める。ｔ３でφＶ３Ｂがローとなり、
続いてｔ４でφＶ１Ａがローに転じると、Ａチャネルの
信号電荷Ｒ１およびＧ１は完全にφＨ１Ａの電極下に転
送される。このようにしてφＨ１Ａの転送電極下に蓄積
された信号電荷Ｒ１およびＧ１は、ｔ５、ｔ６およびｔ
７で水平転送レジスタ内を転送され、ｔ８でそれぞれが
φＨ１Ｂの転送電極下にくる（図５参照）。
ジスタ５と水平転送レジスタ６の接続部での動作を図３
ないし図５を用いて説明する（以下、図１のＡ−Ａ′線
に沿った側の２本のチャネルをＡチャネルと呼び、Ｂ−
Ｂ′線に沿った側の２本のチャネルをＢチャネルと呼
ぶ）。図３は、垂直転送レジスタ５の転送電極に印加さ
れるクロックφＶ１、φＶ２Ａ、φＶ３Ａ、φＶ２Ｂ、
φＶ３Ｂ、φＶ１Ａのパルスタイミングと水平転送レジ
スタ６の転送電極に印加されるクロックφＨ１Ａ、φＨ
１Ｂ、φＨ２のパルスタイミングを示している。図４
は、垂直転送レジスタ５中の信号電荷が水平転送レジス
タ６に転送される様子を、また図５は、信号電荷が水平
転送レジスタ６内を転送される様子を示している。垂直
転送レジスタ５を転送されてきた信号電荷は、ｔ０が終
了する直前には、φＶ１、φＶ２Ａ、φＶ３Ａ、φＶ２
ＢおよびφＶ３Ｂの転送電極下に蓄積されている。ｔ１
でφＶ１がローとなると、φＶ１の転送電極下の信号電
荷はφＶ２Ａ、φＶ３Ａ、φＶ２ＢおよびφＶ３Ｂの転
送電極下へ転送される。このとき、信号電荷は、Ａチャ
ネルでは、φＶ２Ｂ、φＶ３Ｂの転送電極下に蓄積さ
れ、Ｂチャネルでは、φＶ２Ａ、φＶ３Ａの転送電極下
に蓄積される。ここで、２つのＡチャネルにおいてφＶ
２ＢおよびφＶ３Ｂの転送電極下に蓄積された信号電荷
をＲ１、Ｇ１とし、２つのＢチャネルにおいてφＶ２Ａ
およびφＶ３Ａの転送電極下に蓄積された信号電荷をＲ
２、Ｇ２とする（図５参照）。ｔ２ではφＶ１Ａがハ
イ、続いてφＶ２Ｂがローに転じ、φＨ１Ａがハイレベ
ル、φＨ１ＢおよびφＨ２がローレベルであるので、Ａ
チャネルでφＶ２ＢおよびφＶ３Ｂの転送電極下に蓄積
されていた信号電荷Ｒ１およびＧ１はφＨ１Ａの転送電
極下に転送され始める。ｔ３でφＶ３Ｂがローとなり、
続いてｔ４でφＶ１Ａがローに転じると、Ａチャネルの
信号電荷Ｒ１およびＧ１は完全にφＨ１Ａの電極下に転
送される。このようにしてφＨ１Ａの転送電極下に蓄積
された信号電荷Ｒ１およびＧ１は、ｔ５、ｔ６およびｔ
７で水平転送レジスタ内を転送され、ｔ８でそれぞれが
φＨ１Ｂの転送電極下にくる（図５参照）。
【００１２】一方、Ｂチャネルでは、ｔ１〜ｔ８の間φ
Ｖ３ＡおよびφＶ２Ａがハイを維持していることによ
り、信号電荷Ｒ２およびＧ２はφＶ３ＡおよびφＶ２Ａ
の転送電極下に保持され続ける。そしてｔ９でφＶ１Ａ
が再びハイとなり、φＶ２Ａがローに転じると、φＨ１
Ｂがハイレベル、φＨ２がローレベルであるので、φＶ
２ＡおよびφＶ３Ａ下に蓄積されていた信号電荷Ｒ２お
よびＧ２はφＨ１Ｂの転送電極下に転送され始める。ｔ
１０でφＶ３Ａが、ｔ１１でφＶ１Ａがローに転じると
信号電荷は完全にφＨ１Ｂの転送電極下に転送される。
この時、φＨ１Ｂの転送電極下には既に蓄積されていた
信号電荷Ｒ１およびＧ１があるので、この動作によりこ
の転送電極下にＲ１＋Ｒ２およびＧ１＋Ｇ２の加算され
た信号が形成される。この場合、出力アンプから出力さ
れる信号波形は図６のようになる。従って、水平方向の
画素数は１／２に変換されるので、水平解像度は１／２
に低下する。なお、上記第１の実施の形態においては、
クロックφＶ１Ａのパルスの振幅は他のクロックの振幅
と同じであったが、φＶ１Ａの振幅を他のクロックの１
／２となるようにし、φＶ３ＢまたはφＶ３Ａがローに
転じたときにのみ、信号電荷がφＶ１Ａの転送電極下を
通過して水平転送レジスタへ転送されるようにしてもよ
い。このようにした場合には、水平転送レジスタのクロ
ックのφＨ１ＡとφＨ１Ｂを同一位相のパルスとするこ
とができ、水平転送レジスタを完全な２相クロック転送
型とすることができる。また、クロックφＶ１Ａを印加
するのに代えこのクロックが印加されていた垂直転送レ
ジスタの最終転送電極に常時中間電位の電圧を印加して
おくようにしてもよい。
Ｖ３ＡおよびφＶ２Ａがハイを維持していることによ
り、信号電荷Ｒ２およびＧ２はφＶ３ＡおよびφＶ２Ａ
の転送電極下に保持され続ける。そしてｔ９でφＶ１Ａ
が再びハイとなり、φＶ２Ａがローに転じると、φＨ１
Ｂがハイレベル、φＨ２がローレベルであるので、φＶ
２ＡおよびφＶ３Ａ下に蓄積されていた信号電荷Ｒ２お
よびＧ２はφＨ１Ｂの転送電極下に転送され始める。ｔ
１０でφＶ３Ａが、ｔ１１でφＶ１Ａがローに転じると
信号電荷は完全にφＨ１Ｂの転送電極下に転送される。
この時、φＨ１Ｂの転送電極下には既に蓄積されていた
信号電荷Ｒ１およびＧ１があるので、この動作によりこ
の転送電極下にＲ１＋Ｒ２およびＧ１＋Ｇ２の加算され
た信号が形成される。この場合、出力アンプから出力さ
れる信号波形は図６のようになる。従って、水平方向の
画素数は１／２に変換されるので、水平解像度は１／２
に低下する。なお、上記第１の実施の形態においては、
クロックφＶ１Ａのパルスの振幅は他のクロックの振幅
と同じであったが、φＶ１Ａの振幅を他のクロックの１
／２となるようにし、φＶ３ＢまたはφＶ３Ａがローに
転じたときにのみ、信号電荷がφＶ１Ａの転送電極下を
通過して水平転送レジスタへ転送されるようにしてもよ
い。このようにした場合には、水平転送レジスタのクロ
ックのφＨ１ＡとφＨ１Ｂを同一位相のパルスとするこ
とができ、水平転送レジスタを完全な２相クロック転送
型とすることができる。また、クロックφＶ１Ａを印加
するのに代えこのクロックが印加されていた垂直転送レ
ジスタの最終転送電極に常時中間電位の電圧を印加して
おくようにしてもよい。
【００１３】図７は、本発明の第２の実施の形態の固体
撮像素子の垂直転送レジスタと水平転送レジスタとの接
続部の電極構成を示す平面図であり、図８（ａ）、
（ｂ）は、それぞれ図７のＡ−Ａ′線とＢ−Ｂ′線との
断面図である。本実施の形態において、接続部の垂直転
送レジスタおよび水平転送レジスタ自体の構成は図１、
図２に示した先の実施の形態と同様である。本実施の形
態の先の例と異なる点は、水平転送レジスタ６の図面上
での下部にオーバー・フロー・ドレイン・ゲート（以下
ＨＯＦＤと略す）を設け、これを操作することにより、
水平転送レジスタ内の信号電荷を水平転送レジスタ６に
隣接して設けられた水平余剰電荷掃き出しドレイン４に
転送できるようにした点である。次に図９ないし図１１
を参照して、第２の実施の形態の固体撮像素子の動作に
ついて説明する。ｔ０〜ｔ４までの動作は第１の実施の
形態の場合と同様である。このようにしてφＨ１Ａ下に
蓄積された信号電荷Ｒ１およびＧ１は、ｔ５およびｔ６
において、ＨＯＦＤゲートがＯＮすることにより、水平
余剰電荷掃きだしドレイン４に掃き捨てられる。そし
て、ｔ８でφＨ１Ｂが、ｔ９でφＶ１Ａがハイとなり、
続いてφＶ２Ａがローとなると、φＨ２がローレベルに
あるので、φＶ２ＡおよびφＶ３Ａの転送電極下に蓄積
されていた信号電荷Ｒ２およびＧ２はφＨ１Ｂの転送電
極下に転送され始める。ｔ１０でφＶ３Ａがローとな
り、続いてｔ１１でφＶ１Ａがローレベルとなると信号
電荷は完全にφＨ１Ｂの転送電極下に転送される。この
ようにして、４連続画素信号Ｒ１、Ｇ１、Ｒ２およびＧ
２中、Ｒ１およびＧ１は掃き捨てられ、φＨ１Ｂの転送
電極下にはＲ２およびＧ２のみが蓄積される。この場
合、出力アンプから出力される信号波形は図１２のよう
になる。すなわち、水平方向の画素数は１／２に変換さ
れるので、水平転送レジスタの高速駆動をすることな
く、水平解像度を１／２に落とすことができる。
撮像素子の垂直転送レジスタと水平転送レジスタとの接
続部の電極構成を示す平面図であり、図８（ａ）、
（ｂ）は、それぞれ図７のＡ−Ａ′線とＢ−Ｂ′線との
断面図である。本実施の形態において、接続部の垂直転
送レジスタおよび水平転送レジスタ自体の構成は図１、
図２に示した先の実施の形態と同様である。本実施の形
態の先の例と異なる点は、水平転送レジスタ６の図面上
での下部にオーバー・フロー・ドレイン・ゲート（以下
ＨＯＦＤと略す）を設け、これを操作することにより、
水平転送レジスタ内の信号電荷を水平転送レジスタ６に
隣接して設けられた水平余剰電荷掃き出しドレイン４に
転送できるようにした点である。次に図９ないし図１１
を参照して、第２の実施の形態の固体撮像素子の動作に
ついて説明する。ｔ０〜ｔ４までの動作は第１の実施の
形態の場合と同様である。このようにしてφＨ１Ａ下に
蓄積された信号電荷Ｒ１およびＧ１は、ｔ５およびｔ６
において、ＨＯＦＤゲートがＯＮすることにより、水平
余剰電荷掃きだしドレイン４に掃き捨てられる。そし
て、ｔ８でφＨ１Ｂが、ｔ９でφＶ１Ａがハイとなり、
続いてφＶ２Ａがローとなると、φＨ２がローレベルに
あるので、φＶ２ＡおよびφＶ３Ａの転送電極下に蓄積
されていた信号電荷Ｒ２およびＧ２はφＨ１Ｂの転送電
極下に転送され始める。ｔ１０でφＶ３Ａがローとな
り、続いてｔ１１でφＶ１Ａがローレベルとなると信号
電荷は完全にφＨ１Ｂの転送電極下に転送される。この
ようにして、４連続画素信号Ｒ１、Ｇ１、Ｒ２およびＧ
２中、Ｒ１およびＧ１は掃き捨てられ、φＨ１Ｂの転送
電極下にはＲ２およびＧ２のみが蓄積される。この場
合、出力アンプから出力される信号波形は図１２のよう
になる。すなわち、水平方向の画素数は１／２に変換さ
れるので、水平転送レジスタの高速駆動をすることな
く、水平解像度を１／２に落とすことができる。
【００１４】以上の実施の形態では、カラーフィルタは
ベイヤ型に配列されているものとして説明したが、本発
明はこの配列に限定されるものではなく、任意の配列の
カラーフィルタを採用することができる。また、以上説
明した実施の形態では、水平方向に連続した４画素のう
ち２画素を先に水平転送レジスタに転送していたが、本
発明においてこれらの画素数は上記の値に限定されるも
のではなく、カラーフィルタの有無、カラーフィルタの
構成や求められる解像度の低下の程度に応じて適宜に決
定されるものである。
ベイヤ型に配列されているものとして説明したが、本発
明はこの配列に限定されるものではなく、任意の配列の
カラーフィルタを採用することができる。また、以上説
明した実施の形態では、水平方向に連続した４画素のう
ち２画素を先に水平転送レジスタに転送していたが、本
発明においてこれらの画素数は上記の値に限定されるも
のではなく、カラーフィルタの有無、カラーフィルタの
構成や求められる解像度の低下の程度に応じて適宜に決
定されるものである。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、垂直転
送レジスタの水平転送レジスタとの接続部において、一
部の信号電荷をピンニングした状態で他の信号電荷を先
に水平転送レジスタに転送し、その後に残りの信号電荷
を水平転送レジスタへ転送するようにしたものであるの
で、水平転送部において一部の信号電荷を他の信号電荷
に加算したり掃き捨てたりすることが可能になる。従っ
て、本発明によれば、水平方向の画素数を減らすことが
可能になり、高速駆動を必要とすることなく固体撮像素
子内において、解像度を低減することが可能になる。
送レジスタの水平転送レジスタとの接続部において、一
部の信号電荷をピンニングした状態で他の信号電荷を先
に水平転送レジスタに転送し、その後に残りの信号電荷
を水平転送レジスタへ転送するようにしたものであるの
で、水平転送部において一部の信号電荷を他の信号電荷
に加算したり掃き捨てたりすることが可能になる。従っ
て、本発明によれば、水平方向の画素数を減らすことが
可能になり、高速駆動を必要とすることなく固体撮像素
子内において、解像度を低減することが可能になる。
【００１６】水平転送レジスタにおいて信号電荷を加算
する実施の形態によれば、解像度切替を行った後は信号
電荷が２倍以上となるので感度および飽和出力を飛躍的
に向上させることができる。しかし、電子シャッタを併
用すれば、感度およびダイナミックレンジを変えずに解
像度切替を行うことが可能である。また、水平オーバー
・フロー・ドレイン・ゲートを用いる実施の形態によれ
ば、感度を変えることなく解像度切替を行うことができ
る。
する実施の形態によれば、解像度切替を行った後は信号
電荷が２倍以上となるので感度および飽和出力を飛躍的
に向上させることができる。しかし、電子シャッタを併
用すれば、感度およびダイナミックレンジを変えずに解
像度切替を行うことが可能である。また、水平オーバー
・フロー・ドレイン・ゲートを用いる実施の形態によれ
ば、感度を変えることなく解像度切替を行うことができ
る。
【図１】本発明の第１の実施の形態の電極構成を示す平
面図。
面図。
【図２】図１のＡ−Ａ′線とＢ−Ｂ′線での断面図。
【図３】本発明の第１の実施の形態での駆動パルスのタ
イミング図。
イミング図。
【図４】本発明の第１の実施の形態での信号電荷の垂直
転送レジスタから水平転送レジスタへの転送状態を示す
説明図。
転送レジスタから水平転送レジスタへの転送状態を示す
説明図。
【図５】本発明の第１の実施の形態での信号電荷の水平
転送レジスタでの転送状態を示す説明図。
転送レジスタでの転送状態を示す説明図。
【図６】本発明の第１の実施の形態での出力信号の波形
図。
図。
【図７】本発明の第２の実施の形態の電極構成を示す平
面図。
面図。
【図８】図７のＡ−Ａ′線とＢ−Ｂ′線での断面図。
【図９】本発明の第２の実施の形態での駆動パルスのタ
イミング図。
イミング図。
【図１０】本発明の第２の実施の形態での信号電荷の垂
直転送レジスタから水平転送レジスタへの転送状態を示
す説明図。
直転送レジスタから水平転送レジスタへの転送状態を示
す説明図。
【図１１】本発明の第２の実施の形態での信号電荷の水
平転送レジスタでの転送状態を示す説明図。
平転送レジスタでの転送状態を示す説明図。
【図１２】本発明の第２の実施の形態での出力信号の波
形図。
形図。
【図１３】従来の固体撮像素子の平面図。
【図１４】従来の固体撮像素子の電極構成を示す平面
図。
図。
【図１５】図１４のＡ−Ａ′線での断面図。
【図１６】従来例での駆動パルスのタイミング図。
【図１７】従来例での信号電荷の垂直転送レジスタから
水平転送レジスタへの転送状態を示す説明図。
水平転送レジスタへの転送状態を示す説明図。
【図１８】従来例での信号電荷の水平転送レジスタでの
転送状態を示す説明図。
転送状態を示す説明図。
【図１９】従来例での出力信号の波形図。
【図２０】従来の固体撮像素子の解像度切替説明図。
１ フォトダイオード ２ 光学的黒レベル領域 ３ 垂直余剰電荷掃き出しドレイン ４ 水平余剰電荷掃き出しドレイン ５ 垂直転送レジスタ ６ 水平転送レジスタ ７ 出力アンプ ８ 有効領域 ９ 掃き捨て領域
Claims (9)
- 【請求項１】 マトリックス状に配置された複数のフォ
トダイオードと、前記複数のフォトダイオードに隣接し
て交互に設けられた第１種および第２種の垂直転送レジ
スタと、前記垂直転送レジスタから転送されてきた信号
電荷を出力アンプに転送する水平転送レジスタと、を備
える固体撮像素子において、前記第１種の垂直転送レジ
スタと前記水平転送レジスタの接続部と、前記第２種の
垂直転送レジスタと前記水平転送レジスタの接続部に、
それぞれ独立した相の転送電極を設けることにより、前
記第１種の垂直転送レジスタから前記水平転送レジスタ
への信号電荷転送と、前記第２種の垂直転送レジスタか
ら前記水平転送レジスタへの信号電荷転送をそれぞれ独
立に行うと共に、前記水平転送レジスタにて異種の垂直
転送レジスタからの信号電荷を加算することを特徴とす
る固体撮像素子。 - 【請求項２】 マトリックス状に配置された複数のフォ
トダイオードと、前記複数のフォトダイオードに隣接し
て交互に設けられた第１種および第２種の垂直転送レジ
スタと、前記垂直転送レジスタから転送されてきた信号
電荷を出力アンプに転送する水平転送レジスタと、を備
える固体撮像素子において、前記垂直転送レジスタの前
記水平転送レジスタとの接続部には、前記水平転送レジ
スタに向かって、第１の第１層転送電極、第１の第２層
転送電極、第１の第３層転送電極、第２の第２層転送電
極、第２の第３層転送電極および第２の第１層転送電極
が概ねこの順に配置され、かつ、前記第１種の垂直転送
レジスタにおいては、第１の第２層転送電極および第１
の第３層転送電極は自己よりも下層の転送電極上に配置
され、前記第２種の垂直転送レジスタにおいては、第２
の第２層転送電極および第２の第３層転送電極は自己よ
りも下層の転送電極上に配置されていることを特徴とす
る固体撮像素子。 - 【請求項３】 連続して配置された２ｎ（ｎは正の整
数）本の垂直転送レジスタのうち前記出力アンプ側の連
続したｎ本の垂直転送レジスタが第２種の垂直転送レジ
スタになされ、残りが第１種の垂直転送レジスタになさ
れることを特徴とする請求項１または２記載の固体撮像
素子。 - 【請求項４】 前記水平転送レジスタは、各転送段が蓄
積部とバリア部とを有し基本的に２相クロック転送型の
レジスタであることを特徴とする請求項１、２または３
記載の固体撮像素子。 - 【請求項５】 前記第１の第１層転送電極、前記第１の
第２層転送電極、前記第１の第３層転送電極、前記第２
の第２層転送電極、前記第２の第３層転送電極および前
記第２の第１層転送電極にはそれぞれ位相の異なるクロ
ックパルスが印加されることを特徴とする請求項１また
は２記載の固体撮像素子。 - 【請求項６】 前記水平転送レジスタの垂直転送レジス
タに接続された側と反対側にオーバー・フロー・ドレイ
ン・ゲートを介して余剰電荷掃き出しドレインが設けら
れていることを特徴とする請求項１または２記載の固体
撮像素子。 - 【請求項７】 マトリックス状に配置された複数のフォ
トダイオードと、前記複数のフォトダイオードに隣接し
て設けられた第１種および第２種の垂直転送レジスタ
と、前記垂直転送レジスタから転送されてきた信号電荷
を出力アンプに転送する水平転送レジスタを備える固体
撮像素子の駆動方法であって、前記第１種の垂直転送レ
ジスタから前記水平転送レジスタへの信号電荷転送と、
前記第２種の垂直転送レジスタから前記水平転送レジス
タへの信号電荷転送を独立に行い、前記水平転送レジス
タで異種の垂直転送レジスタからの信号電荷を加算でき
ることを特徴とする固体撮像素子の駆動方法。 - 【請求項８】 マトリックス状に配置された複数のフォ
トダイオードと、前記複数のフォトダイオードに隣接し
て設けられた第１種および第２種の垂直転送レジスタ
と、前記垂直転送レジスタから転送されてきた信号電荷
を出力アンプに転送する水平転送レジスタを備える固体
撮像素子の駆動方法であって、前記垂直転送レジスタの
信号電荷を前記水平転送レジスタに転送するに際し、ま
ず、第２種の垂直転送レジスタの信号電荷をピンニング
した状態で第１種の垂直転送レジスタの信号電荷を水平
転送レジスタに転送し、その信号電荷を第２種の垂直転
送レジスタの信号電荷を受け取る転送電極下にまで転送
し、しかる後第２種の垂直転送レジスタの信号電荷を水
平転送レジスタに転送して両信号電荷を混合することを
特徴とする固体撮像素子の駆動方法。 - 【請求項９】 マトリックス状に配置された複数のフォ
トダイオードと、前記複数のフォトダイオードに隣接し
て設けられた第１種および第２種の垂直転送レジスタ
と、前記垂直転送レジスタから転送されてきた信号電荷
を出力アンプに転送する水平転送レジスタを備え、前記
垂直転送レジスタの信号電荷を前記水平転送レジスタに
転送するに際し、まず、第２種の垂直転送レジスタの信
号電荷をピンニングした状態で第１種の垂直転送レジス
タの信号電荷を水平転送レジスタに転送し、その後に第
２種の垂直転送レジスタの信号電荷のみを水平転送レジ
スタに転送する固体撮像素子の駆動方法であって、前記
水平転送レジスタは基本的には２相クロックにて駆動さ
れるが、前記第２種の垂直転送レジスタの信号電荷の転
送を受ける前記水平転送レジスタの転送段は、前記第１
種の垂直転送レジスタの信号電荷が前記水平転送レジス
タへ転送されるときにはローレベルに維持されることを
特徴とする固体撮像素子の駆動方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09212783A JP3102557B2 (ja) | 1997-08-07 | 1997-08-07 | 固体撮像素子およびその駆動方法 |
| KR1019980032001A KR100279388B1 (ko) | 1997-08-07 | 1998-08-06 | 고체촬상소자 및 그의 구동방법 |
| EP98114842A EP0896468A3 (en) | 1997-08-07 | 1998-08-06 | Solid state imaging device and method for driving the same |
| US09/129,893 US6185270B1 (en) | 1997-08-07 | 1998-08-06 | Solid state imaging device and method for driving the same |
| CN98116264A CN1133317C (zh) | 1997-08-07 | 1998-08-07 | 固态成象器件及其驱动方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09212783A JP3102557B2 (ja) | 1997-08-07 | 1997-08-07 | 固体撮像素子およびその駆動方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1154741A JPH1154741A (ja) | 1999-02-26 |
| JP3102557B2 true JP3102557B2 (ja) | 2000-10-23 |
Family
ID=16628320
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09212783A Expired - Fee Related JP3102557B2 (ja) | 1997-08-07 | 1997-08-07 | 固体撮像素子およびその駆動方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6185270B1 (ja) |
| EP (1) | EP0896468A3 (ja) |
| JP (1) | JP3102557B2 (ja) |
| KR (1) | KR100279388B1 (ja) |
| CN (1) | CN1133317C (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11234569A (ja) * | 1998-02-13 | 1999-08-27 | Sony Corp | 固体撮像装置の駆動方法及び固体撮像素子、並びにカメラ |
| JP2000106678A (ja) * | 1998-09-28 | 2000-04-11 | Victor Co Of Japan Ltd | 撮像装置 |
| JP4171137B2 (ja) * | 1999-06-08 | 2008-10-22 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置及びその制御方法 |
| US6765699B1 (en) | 2000-10-31 | 2004-07-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Photosensor array with decreased scan time for decreased optical sampling rates |
| JP3963443B2 (ja) * | 2002-07-23 | 2007-08-22 | 松下電器産業株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JP3641260B2 (ja) * | 2002-09-26 | 2005-04-20 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
| JP4212095B2 (ja) | 2003-07-15 | 2009-01-21 | シャープ株式会社 | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
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| JP2008289172A (ja) * | 2008-06-13 | 2008-11-27 | Fujifilm Corp | 固体電子撮像装置およびその制御方法 |
| JP5473951B2 (ja) | 2009-02-13 | 2014-04-16 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置及びカメラ |
| JP2011077939A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Panasonic Corp | 固体撮像装置及びそれを備えるカメラ |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4211936A (en) * | 1978-06-16 | 1980-07-08 | Rca Corporation | CCD Gate electrode structures and systems employing the same |
| JPS5984575A (ja) | 1982-11-08 | 1984-05-16 | Hitachi Ltd | 固体撮像素子 |
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| US4972254A (en) * | 1987-02-24 | 1990-11-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid state image sensors for reproducing high definition images |
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| JP2865019B2 (ja) | 1995-05-31 | 1999-03-08 | 日本電気株式会社 | 電荷転送固体撮像装置の駆動方法 |
| JP2877047B2 (ja) | 1995-10-25 | 1999-03-31 | 日本電気株式会社 | 固体撮像装置 |
-
1997
- 1997-08-07 JP JP09212783A patent/JP3102557B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-08-06 KR KR1019980032001A patent/KR100279388B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-08-06 EP EP98114842A patent/EP0896468A3/en not_active Withdrawn
- 1998-08-06 US US09/129,893 patent/US6185270B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-08-07 CN CN98116264A patent/CN1133317C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0896468A2 (en) | 1999-02-10 |
| US6185270B1 (en) | 2001-02-06 |
| JPH1154741A (ja) | 1999-02-26 |
| EP0896468A3 (en) | 2000-05-17 |
| CN1208256A (zh) | 1999-02-17 |
| CN1133317C (zh) | 2003-12-31 |
| KR100279388B1 (ko) | 2001-02-01 |
| KR19990023416A (ko) | 1999-03-25 |
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