KR100227991B1 - 흑색 세로 줄무늬가 없는 2차원 ccd 화상 센서 - Google Patents

흑색 세로 줄무늬가 없는 2차원 ccd 화상 센서 Download PDF

Info

Publication number
KR100227991B1
KR100227991B1 KR1019960047877A KR19960047877A KR100227991B1 KR 100227991 B1 KR100227991 B1 KR 100227991B1 KR 1019960047877 A KR1019960047877 A KR 1019960047877A KR 19960047877 A KR19960047877 A KR 19960047877A KR 100227991 B1 KR100227991 B1 KR 100227991B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrodes
transfer channel
barrier
vertical
vertical transfer
Prior art date
Application number
KR1019960047877A
Other languages
English (en)
Other versions
KR970024937A (ko
Inventor
야스따가 나까시바
Original Assignee
가네꼬 히사시
닛본덴기 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가네꼬 히사시, 닛본덴기 가부시키가이샤 filed Critical 가네꼬 히사시
Publication of KR970024937A publication Critical patent/KR970024937A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100227991B1 publication Critical patent/KR100227991B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/148—Charge coupled imagers
    • H01L27/14831—Area CCD imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/73—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors using interline transfer [IT]
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/62—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels

Abstract

2차원 CCD 화상 센서에 있어서, 수직 전송 채널(6)은 매트릭스 배열의 포토 다이오드(1)로부터 전하 패킷을 수신하도록 배열되고, 행 전극(3)은 상기 수직 전송 채널에 접속되어, 상기 수직 전송 채널을 따라 한 행씩 상기 저하 패킷을 이동시킨다. 수평 전송 채널(14)은 상기 대응하는 수직 전송 채널(6)로부터 전하 패킷을 수신하기 위한 스테이지를 갖는다. 상기 수평 전송 채널의 각 스테이지는 각각 제1 및 제2 저장 영역(A1;A2) 및 2개의 장벽 영역(B1, C1;B2, C2) 세트로 형성된다. 상기 각각의 스테이지인 경우, 제1, 제2, 제3 및 제4 인접 전극(27, 28, 29 및 30) 그룹이 제공되는데, 상기 제1 및 제2 전극은 제1 위상 클럭 펄스를 수신하도록 접속되고, 상기 제3 및 제4 전극은 위상이 반대인 제2 클럭 펄스를 수신하도록 접속된다. 상기 제1 및 제3 전극(27-1, 29-1)은 각각 상기 제1 및 제2 저장 영역(A1, A2) 세트상에 배치되며, 상기 제2 및 제4 전극(28-1, 30-1)은 상기 제1 및 제2 장벽 영역(B1, C1;B2, C2) 세트 상에 배치된다. 흑색 세로 줄무늬를 제거하기 위해, 상기 제1 장벽 영역(B1, C1) 세트는 상기 대응하는 수직 전송 채널(6-1)에 접속되어, 그로부터 전하 패킷만을 수신한다.

Description

흑색 세로 줄무늬가 없는 2차원 CCD 화상 센서
본 발명은 2차원 CCD(Charge-Coupled Device)화상 센서에 관한 것이다.
종래의 2차원 CCD 화상 센서는 매트릭스 배열의 포토 다이오드로부터 전하 패킷을 수신하도록 배열된 복수의 수직 전송 채널, 수직 전송 채널에 접속되어 수직 전송 채널을 따라 한 행씩 전하 패킷으로 이동시키는 복수의 행 전극, 및 수직 전송 채널로부터 전하 패킷을 수신하도록 배열된 수평 전송 채널을 포함한다. 수평 전송 채널은 복수의 도핑된 패턴의 인접 영역들로 형성된다. 각 패턴은 제1 및 제2 저장영역 및 2개의 장벽 영역 세트를 갖는다. 전극 그룹은 수평 전송 채널 상에 연속적으로 배열된다. 각 그룹은 제1, 제2, 제3 및 제4 전극을 가지며, 각 전극들은 그들 사이에 삽입된 절연층과 인접 전극을 부분적으로 중첩시킨다. 수평 전송 채널을 따라 전하 패킷을 이동시키는 경우, 제1 및 제2 전극이 서로 접속되며, 제3 및 제4 전극이 서로 접속되는데, 각각의 전극 쌍들은 위상이 반대일 클럭 전압 펄스에 의해 구동된다. 각 그룹 중 제1 및 제3 전극은 제 1 및 제2 저장 영역 세트 상에 각각 배치되고, 그룹 중 제2 전극은 제1 장벽 영역 세트 상에 배치되며 그들 사이에 삽입된 절연층과 최종 행 전극을 부분적으로 중첩시키며, 그룹 중 제4 전극은 제2 장벽 영역 세트 상에 배치된다. 종래 기술의 수평 전송 채널에 있어서, 제1 저장 영역 및 하나의 제1 장벽 영역이 대응하는 수직 전송 채널에 접속되어 그로부터 전하 패킷을 수신한다.
그러나, CCD화상 센서들이 각각의 비디오 모니터에 접속될 때, 모니터 화면상에 흑색 세로 줄무늬가 거의 나타나지 않는다. 화상 센서들이 결함의 원인이라고 여겨진다. 화상 센서의 결함율이 상당하므로, 흑색 세로 줄무늬를 제거할 필요가 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 흑색 세로 줄무늬가 없는 2차원 CCD화상 센서를 제공하는 것이다.
본 발명은 종래 기술 분야에서 등전위로 바이어스된 2개의 전극으로 인해 각 접합 영역 내의 바이어스된 전극 수직 전송 채널과 수평 전송 채널 사이의 소정의 접합 영역 내에 깊은 전위 웰이 존재하며, 소정의 수평 전송 채널들로부터의 전하 패킷이 전위 웰에 의해 트랩된다는 발견에 근거하였다.
본 발명의 목적은 각 패턴의 제2 및 제3 영역이 대응하는 수직 전송 채널에 접속되어, 수직 전송 채널로부터의 전하 패킷만이 제1 영역으로 이동되도록 제2 및 제3 영역에 의해 수신되는 수평 전송 채널을 제공함으로써 달성된다. 이러한 배열의 경우, 한 전극만이 각각의 수직 전송 채널과 수평 전송 채널의 각 유입(entry)지점에서 연관된다.
특히, 본 발명은 매트릭스 배열의 포토 다이오드, 포토 다이오드로부터 전하 패킷을 수신하도록 배열된 복수의 수직 전송 채널, 수직 전송 채널에 접속되어 수직 전송 채널을 따라 한 행씩 전하 패킷을 이동시키는 복수의 행 전극, 및 수평 전송채널을 포함하는 2차원 CCD 화상 센서를 제공하는 것이다. 수평 전송 채널은 대응하는 수직 전송 채널로부터 전하 패킷을 수신하는 복수의 스테이지를 가진다. 각 스테이지는 제1 및 제2 저장 영역 및 2개의 장벽 영역 세트로 분할된 인접 영역으로 형성된다. 복수의 전극 그룹은 수평 전송 채널 스테이지에 각각 대응하여 제공된다. 각 전극 그룹은 제1, 제2, 제3 및 제4 인접 전극을 가진다. 수평 전송 채널을 따라 전하 패킷을 이동시키는 경우, 제1 및 제2전극이 함께 접속되어 제1 위상 클럭 펄스를 수신하며, 제3 및 제4 전극이 함께 접속되어 위상이 반대인 제2 클럭 펄스를 수신한다. 제1 및 제3 전극은 제1 및 제2 저장 영역 세트 상에 각각 배치되며, 제2 및 제4 전극은 각각 제1 및 제2 장벽 영역 세트상에 배치된다. 본 발명에 따르면, 제1 장벽 영역 세트는 대응하는 수직 전송 채널에 접속되어 그로부터 전화 패킷만을 수신한다.
이제, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.
제1도는 2차원 CCD(Charge-Coupled Device)의 블럭도.
제2도는 종래의 2차원 CCD화상 센서의 일부분의 평면도.
제3도는 제2도의 3-3선을 따라 절취된 단면도.
제4도는 종래의 화상 센서의 수직 전송 채널과 수평 전송 채널 사이의 접합 영역의 스텝 전위 프로파일을 도시한 도면.
제5도는 본 발명의 제1 실시예에 따른 2차원 화상 센서의 일부분의 평면도.
제6도는 제5도의 6-6선을 따라 절취된 단면도.
제7도는 본 발명의 제 1실시예의 수직 전송 채널과 수평 전송 채널 사이의 접합 영역의 스텝 전위 프로파일을 도시한 도면.
제8도 및 제9도는 본 발명의 변형 실시예의 평면도.
제10도는 본 발명의 변형 실시예의 수직 전송 채널과 수평 전송 채널 사이의 접합 영역의 스텝 전위 프로파일을 도시한 도면.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
4 : 수평 CCD 6-1, 6-2 : 수직 전송 채널
11, 12, 13 : 행 전극 14 : 수평 전송 채널
본 발명을 상세히 설명하기 전에, 제1도 내지 제4도를 참조하여 종래 기술을 설명하는 것이 유용할 것이다. 제1도에서, 종래 기술의 2차원 CCD화상 센서는 매트릭스 배열의 포토 다이오드(1) 및 복수의 수직 시프트 레지스터, 또는 수직 CCD(2-1, 2-2, …, 2-n)를 가진다. 각각의 수직 CCD는 일련의 전하 전송 셀로 형성된다. 대응하는 행위 전송 셀은 클럭 전압 펄스가 공급되는 클럭 펄스 단자에 행전극(3)을 통해 접속된다. 수직 공백 주기 동안, 소정의 행위 전송 셀에 여기 펄스가 인가되어, 포토 다이오드(1)로부터 전하 또는 전하 패킷을 수신한다. 다음의 수평 공백 주기 동안 다음의 4 위상 클럭 전압 펄스V1 내지V4를 인가하면 하부행의 전하 패킷이 수평 시프트 레지스터 또는 수평 CCD(4)에 전송되도록 모든 수직 CCD(2)의 전하 패킷을 해당 전송 채널로 이동시킨다. 다음의 수평 스캔 주기 동안, 수평 CCD(4) 내의 전하 패킷은 위상이 반대인 클럭 펄스H1 및H2에 응답하여 해당 전송 채널을 통해 증폭기(5)로 순차적으로 전송되며, 외부 회로(도시되지 않음)에 인가된다.
수직 CCD(2-1 및 2-2) 및 수평 CCD(4)의 일부가 점선 사각형 4A로 둘러싸여 있으며, 그 부분의 상세도는 제2도 및 제3도에 도시되어 있다. 수직 CCD(2-1 및 2-2)의 전송 채널은 참조번호(6-1 및 6-2)로 각각 표시된 N형 도전성이다. 이들 수직 전송 채널(6)은 아래쪽으로 연장되며 수평 CCD(4)의 전송 채널(14)에 접속되어 행 전극(11, 12 및 13)을 가로지른다. 행 전극(13)은 클럭 펄스VL가 인가되는 최종 전극임을 알아야 한다. 수평 전송 채널(14)은 N형 도전성의 저장 영역 A,N-형 도전성의 장벽 영역 B 및 N--형 도전성의 장벽 영역 C를 포함하는 3개의 상이한 불순물이 도핑된 영역의 복수의 반복 패턴을 가진다. 각각의 수직 전송 채널(6)인 경우, 6개의 인접 도핑된 영역들의 그룹이 제공된 "전하 전송 스테이지(charge transfer stage)"가 존재한다. 각각의 스테이지는 제1 저장 영역 A1과 2개의 장벽 영역 B1, C1 세트, 및 제2 저장 영역 A2와 장벽 영역 B2, C2 세트로 분할되며, 각각의 세트는 2개의 반대 위상의 클럭 전압 펄스들 중 한 펄스에 대응한다. 각각의 세트에서 장벽 영역 C가 제공되어 전하의 백스필링(backspilling)이 방지되며, 장벽 영역 B가 제공되어 저장 영역 A로의 전하의 고속 전송이 달성된다. CCD화상 센서의 모든 소자는 P형 기판(15)상에 형성된다.
수직 전송 채널(6)과 수평 전송 채널(14) 사이의 각 접합 영역에서, 저장 영역 A1 및 장벽 영역 B1은 수직 전송 채널(6-1) 위쪽으로 연장되며, 장벽 영역 B1은 수직 전송 채널(6-1)의 하단만을 접촉하도록 저장 영역 A1쪽으로 더 연장된다.
불순물이 도핑된 모든 영역은 폴리실리콘 전극(11 내지 13)이 형성된 실리콘 이산화물 절연층(17)으로 도포된다. 폴리실리콘의 수평 전송 전극(7 내지 10)은, 각각 저장 영역 A1, A2상에 수평 전송 전극(7-1 및 9-1)이 배치되고, 장벽 영역 B1, C1상에 전극(8-1)이 배치되고 장벽 영역 B2, C2상에는 전극(10-1)이 배치되는 위치로 절연층(17)상에 형성된다. 전극(8-1)은 전극(7-1)의 상부단을 부분적으로 중첩시키는 수평으로 연장되는 상부 부분을 가진다. 게다가, 전극(8-1)의 상부단은 수직CCD의 최종 행 전극(13)을 부분적으로 중첩시킨다. 층간 절연층(19)은 이들 중첩 부분을 격리하는데 사용된다. 인접 전송 전극(7 및 8)은 서로 접속되어 클럭 펄스H1을 수신하며, 인접 전송 전극(9 및 10)은 서로 접속되어 클럭 펄스H2을 수신한다. 수평 CCD의 하부측은 채널 정지부(16 ,18) 및 층간 절연층(19)으로 한정되며, 차광층(20)은 수직 CCD(2)의 행 전극(11 내지 13) 상에 뿐만 아니라, 수평 CCD(4)의 전극(7 내지 10) 상에 형성된다. 각각의 행 전극 및 각각의 수평 전송 전극의 에지는 인접 전극을 부분적으로 중첩시키며 중첩 부분들 사이의 공간은 절연층(19)으로 채원진다.
그러므로, 종래 기술에서 등전위로 바이어스된 전극(즉, 7-1 및 8-1)이 수직 전송 채널(6-1)관 수평 전송 채널(14)사이의 접합 영역 내에 제공된다. 그 결과 한 측의 최종 행 전극(13)과 다른 측의 등전위로 바이어스된 전극(7-1 및 8-1) 사이에 전위차가 생겨, 제4도에 도시된 필드 전위 프로파일이 생성된다. 수직 전송 채널 (6)의 폭이 두께에 비해 좁기 때문에, 프로파일은 좁은(narrow) 채녈 효과라 하는 것에 의해 변형되어 경사도가 점점 변하며, 이렇게 변형된 프로파일은 일반적으로 "프린지 필드(fringe field)"라 불린다. 수직 전송 채널(6-1)과 장벽 영역 B1 사이의 갭, 및 장벽 영역 B1과 저장 영역 A1 사이의 갭에 의해 전위차가 생김으로써, 이들 갭을 가로질러 전하 패킷을 이동시킬 때 전이가 한 단계씩 강화되어 제4도에 나탄난 바와 같이 스텝 전위 프로파일 내의 계단부를 생성한다. 최종 행 전극(13)이 온 상태일 때, 최종 행 전극(13) 바로 아래의 수직 전송 채널(6-1)의 부분은 프로파일의 계단부보다 낮으며, 전하 패킷은 제4도에서 점선으로 나타낸 바와 같이, 전위 웰 내에 정장된다.
그러나, 종래 기술의 CCD화산 센서에서, 제3도에 명확히 도시된 바와 같이 전송 전극(7-1)의 수평으로 연장된 부분과 전송 전극(8-1)의 상부 사이에 갭 "X"가 형성된다. 갭 "x"는 실리콘 이산화물로 채워지고 전극(7-1 및 8-1)이 동일한 전위이기 때문에, 깊은 전위 웰(22)이 프로파일의 계단부 내에 형성된다(제4도 참조). 전극(13)이 오프 상태로 전환될 때, 점선 영역(21)의 전위가 증가되고, 전하 패킷은 계단부를 통해 보다 낮은 전위 영역으로 흘러내려간다. 깊은 전위 웰(22)로 인해 전하가 부분적으로 트랩되거나 낮은 전위 영역으로 완만하게 강하되는 것이 방지되어, 낮은 전하 전송 효율(여기서, 낮은 전송 속도)이 된다. 게다가, 각각의 수직 CCD(2)로부터 수평 CCD(4)로 매우 소량의 전하가 전송될 수 있고 제조상의 변동 때문에, 전위 웰(22)의 깊이는 하나의 수직-수평 접합 영역에서 CCD 화상 센서내의 다른 영역으로 변하고, 하나의 CCD 화상 센서로부터 다른 영역으로 변한다. 그러므로, 모니터 스크린 상의 흑색 세로 줄무늬가 발생되도록 소정의 CCD 화상 센서 내의 깊은 전위 웰(22)에 의한 최종 전하의 손실이 판정된다. 게다가, 각각의 수직-수평 접합 영역 내의 2개의 전극으로 인해, 최종 행 전극(13)관 수평 전송 채널(14)의 상부 에지 사이의 공간 L1은 상당해진다(제2도 참조).
종래 기술 분야의 단점을 해결하기 위해, 본 발명은 각각의 수직 CCD로부터 수평 CCD로의 전하 전송 경로 내에 깊은 전위 웰이 생성되지 않은 2차원 CCD 화상 센서를 제공한다. 본 발명의 화상 센서의 대응 부분 4A의 상세도가 제5도 및 제6도에 도시되어 있다.
제5도 및 제6도에는, 수직 CCD(2-1 및 2-2)의 전송 채널은 N형 도전성이며 종래 기술에서와 동일한 방식으로 각각 참조 번호(6-1 및 6-2)로 표시되어 있다. 종래 기술 분야와 유사하게, 본 발명의 수평 전송 채널(14)은 N형 도전성(고농도 도핑)의 복수의 반복 패턴의 저장 영역 A, N-형 도전성(중간 도핑)의 장벽 영역 B, 및 N--형 도전성(저농도 도핑)의 장벽 영역 C를 가지며, 이들 모두는 P형 기판(15)상에 형성되고, 각각의 수직 전송 채널(6)인 경우, 6개의 인접 영역 A1, B1, C1, A2, B2 및 C2 그룹이 존재한다.
6개의 인접 영역의 각 그룹에서, 장벽 영역 C1은, 영역 C1 부분이 그들 사이의 인터페이스에서 수직 전송 채널(6-1)의 폭과 동일한 폭을 가지도록 장벽 영역 B1(제5도 참조)의 상부로 연장한 부분에 인접한 상부 및 수평으로 연장하는 부분을 가진다. 다른 영역 A2, B2 및 C2는 실질적으로 서로 규모 및 형태가 동일하다.
모든 불순물 농도 영역은 폴리실리콘 전극(11 내지 13)이 형성된 실리콘 이산화물 절연층(17)으로 도포된다. 직사각형의 수평 전송 전극(폴리실리콘)(27 내지 30)은 저장 영역 A1, A2상에 수평 전송 전극(27-1 및 29-1)이 배치되고, 장벽 영역 B1, C1상에 전극(28-1)이 배치되고 장벽 영역 B2, C2상에 전극(30-1)이 배치되는 위치로 절연층(17)상에 형성된다. 이들 각각의 전송 전극의 수직 연장한 에지는 인접영역과 부분적으로 중첩된다. 전극(28-1)의 상부는 수직 CCD의 최종 행 전극(13)과 부분적으로 중첩된다. 인접 전송 전극(27 및 28)은 서로 접속되어 클럭 펄스H1를 수신하며, 인접 전송 전극(29 및 30)은 서로 접속되어 클럭 펄스H2를 수신한다.
수평 채널(14)로의 유입 지점에서의 전하 패킷의 경로 내의 등전위 전극들 사이에는 갭이 형성되지 않는다는 것을 알 수 있다. 따라서, 제7도에 도시된 바와 같은 스텝 전위 프로파일의 계단부 내에 전위 웰이 형성되지 않는다. 전극(13)이 오프 상태로 전환될 때, 전하 패킷의 저장 영역(21)에서의 전위가 높아지며, 전하는 계단부를 통해 낮은 전위 영역으로 흘러내려간다. 깊은 전위 웰이 없기 때문에, 전하의 손실 없이 계단부를 통해 완만하게 흐른다. 그리하여, 전송 효율이 높은 전하 전송이 달성된다.
게다가, 각 수직-수평 접합 영역에 하나의 전극(즉, 28-1)만이 제공되어 있기 때문에, 최종 전극(13)과 수평 전송 채널(14)의 상부 에지 사이의 공간 "L2"는 종래 기술 분야의 공간 L1보다 작아질 수 있다. 수직-수평 접합 영역 내에서 발생되는 좁은 채널 효과로 인하여, 이 영역 내에 프린지 필드가 생성된다. 감소된 공간 L2로 인해, 이러한 프린지 필드는 실제로 종래 기술 분야의 경우보다 가파른 전위 경사도를 가지므로, 보다 고속으로 수평 전송 채널로 유입되도록 수직 전송 채널(6) 내의 전하 패킷을 가속시킨다.
비교 검사를 위해, 종래 기술 및 본 발명의 CCD 화상 센서들은 1×1017 -3의 불순물 농도를 갖는 P형 기판(15), 불순물 농도가 5×1017 -3인 수직 전송 채널(6-1), 4.6×1017 -3의 불순물 농도를 갖는 장벽 영역 B1, 4.2×1017 -3의 불순물 농도를 갖는 장벽 영역 C1, 및 0.25㎛의 두께를 갖는 전극간 절연층을 사용하여 형성되었다. 종래 기술 분야의 화상 센서의 대략 70%가 흑색 세로 줄무늬를 나타내며, 본 발명의 화상 센서에서는 흑색 세로 줄무늬가 발견되지 않았다는 것이 실험에서 입증되었다.
제8도 및 제9도는 본 발명의 변형된 형태를 보여준다. 제8도에서, 장벽 영역 B1의 상부단은 수평 전송 채널(14)의 상부 에지와 일치하여 존재한다. 최종 전위 프로파일은 제10도에 도시된 바와 같이, 제7도의 2개의 스텝 대신에 한 스텝을 가진다. 대체적으로, 장벽 영역 B1은 제9도에 도시된 바와 같은 수직 전송 채널(6-1) 쪽으로 연장하여 접촉되며, 장벽 영역 C1의 상부단은 수평 전송 채널(14)의 상부 에지와 일치하여 존재한다. 제9도의 전위 프로파일은 제10도의 전위 프로파일과 동일하다. 이러한 변형의 경우, 최종 전극(13)과 수평 전송 채널(14)의 상부 에지 사이의 공간은 공간 L2보다 작게 형성될 수 있다.

Claims (4)

  1. 2차원 CCD(Charge-Coupled Device) 화상 센서에 있어서, 매트릭스 배열의 포토 다이오드(1), 상기 포토 다이오드(1)로부터 전하 패킷을 수신하도록 배열된 복수의 수직 전송 채널(6), 상기 수직 전송 채널(6)에 접속되어, 상기 수직 전송 채널을 따라 한 행씩 상기 전하 패킷을 이동시키는 복수의 행 전극(3), 상기 수직 전송 채널(6)에 각각 대응하는 복수의 스테이지를 갖고, 상기 수직 전송 채널로부터 전하 패킷을 수신하는 수평 전송 채널(14)-상기 각각의 스테이지는 각각 제1 및 제2 저장 영역(A1;A2), 및 2개의 각 장벽 영역(B1, C1;B2, C2) 세트로 분할되는 인접 영역으로 형성되며, 상기 제1 장벽 영역(B1, C1) 세트는 상기 수직 전송 채널(6-1) 중 대응하는 하나의 채널에만 접속되어 그로부터 전하 패킷을 수신함-, 및 상기 수평 전송 채널(14)의 상기 스테이지에 각각 대응하는 복수의 전극 그룹을 포함하되, 상기 각각의 전극 그룹들은 제1, 제2, 제3 및 제4 인접 전극(27, 28, 29 및 30)을 포함하고, 상기 제1 및 제2 전극(27 및 28)은 제1 위상 클럭 펄스를 수신하도록 접속되고, 상기 제3 및 제4 전극(29 및 30)은 위상이 반대인 제2 클럭 펄스를 수신하도록 접속되고, 상기 제1 및 제3 전극(27-1 및 29-1)은 상기 제1 및 제2 저장 영역(A1, A2) 세트 상에 각각 배치되고, 상기 제2 및 제4 전극(28-1, 30-1)은 상기 제1 및 제2 장벽 영역(B1, C1; B2, C2) 세트 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 2차원 CCD 화상 센서.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 저장 영역(A1, A2) 세트는 높은 불순물 농도로 도핑되고, 상기 제1 장벽 영역(B1, C1) 세트는 각각 중간 및 낮은 불순물 농도로 도핑되고, 상기 제2 장벽 영역(B2, C2) 세트는 각각 중간 및 낮은 불순물 농도로 도핑되는 것을 특징으로 하는 2차원 CCD 화상 센서.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1 장벽 영역(B1, C1) 세트는 상기 대응하는 수직 전송 채널(6-1)로 연장되는 부분을 포함하고, 상기 제2 전극(28-1)은 상기 제1 장벽 영역(B1, C1) 세트의 연장 부분 상에 배치되는 부분을 갖는 것을 특징으로 하는 2차원 CCD 화상 센서.
  4. 제1항에 있어서, 제1 장벽 영역(B1, C1) 세트 중 하나가 상기 대응하는 수직 전송 채널(6-1)로 연장되는 부분을 가지며, 상기 제2 전극(28-1)은 상기 제1장벽 영역(B1, C1) 중 하나의 연장 부분 상에 배치되는 부분을 갖는 것을 특징으로 하는 2차원 CCD 화상 센서.
KR1019960047877A 1995-10-25 1996-10-24 흑색 세로 줄무늬가 없는 2차원 ccd 화상 센서 KR100227991B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP95-302123 1995-10-25
JP7302123A JP2877047B2 (ja) 1995-10-25 1995-10-25 固体撮像装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970024937A KR970024937A (ko) 1997-05-30
KR100227991B1 true KR100227991B1 (ko) 1999-11-01

Family

ID=17905210

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960047877A KR100227991B1 (ko) 1995-10-25 1996-10-24 흑색 세로 줄무늬가 없는 2차원 ccd 화상 센서

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5920346A (ko)
EP (1) EP0771104A3 (ko)
JP (1) JP2877047B2 (ko)
KR (1) KR100227991B1 (ko)
TW (1) TW310416B (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4231560B2 (ja) * 1997-05-29 2009-03-04 株式会社堀場製作所 化学量の分布の電気化学的測定方法および装置
JP3102557B2 (ja) 1997-08-07 2000-10-23 日本電気株式会社 固体撮像素子およびその駆動方法
JP3180748B2 (ja) * 1997-12-11 2001-06-25 日本電気株式会社 固体撮像装置
JP4171137B2 (ja) * 1999-06-08 2008-10-22 富士フイルム株式会社 固体撮像装置及びその制御方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05219449A (ja) * 1992-02-03 1993-08-27 Nec Corp 電荷転送装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8105397A (nl) * 1981-11-30 1983-06-16 Philips Nv Ladingsgekoppelde inrichting.
JPS6262553A (ja) * 1985-09-12 1987-03-19 Toshiba Corp 固体撮像装置
JPS63211752A (ja) * 1987-02-27 1988-09-02 Sony Corp 固体撮像装置
US4987466A (en) * 1988-06-07 1991-01-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Solid state image sensor
JP3366656B2 (ja) * 1990-11-09 2003-01-14 松下電器産業株式会社 電荷転送装置とその製造方法および駆動方法
JP3052560B2 (ja) * 1992-04-15 2000-06-12 日本電気株式会社 電荷転送撮像装置およびその製造方法
JPH06314706A (ja) * 1993-04-30 1994-11-08 Nec Corp 電荷転送装置、その駆動方法およびその製造方法
JP3560990B2 (ja) * 1993-06-30 2004-09-02 株式会社東芝 固体撮像装置
JP2699841B2 (ja) * 1993-12-10 1998-01-19 日本電気株式会社 固体撮像装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05219449A (ja) * 1992-02-03 1993-08-27 Nec Corp 電荷転送装置

Also Published As

Publication number Publication date
US5920346A (en) 1999-07-06
JP2877047B2 (ja) 1999-03-31
TW310416B (ko) 1997-07-11
JPH09121045A (ja) 1997-05-06
EP0771104A3 (en) 1998-12-16
KR970024937A (ko) 1997-05-30
EP0771104A2 (en) 1997-05-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR920010830B1 (ko) 인터라인형 전하 전송 촬상 소자 및 촬상장치
EP0455801A1 (en) Image sensor
EP1091412B1 (en) Charge transfer path having lengthwisely varying channel width and image pickup device using it
US20060072026A1 (en) Solid-state image pickup device and method for driving the same
US5040038A (en) Solid-state image sensor
JPH04337670A (ja) Ｃｃｄシフトレジスタ
KR100227991B1 (ko) 흑색 세로 줄무늬가 없는 2차원 ccd 화상 센서
JPH06181226A (ja) 信号電荷転送装置およびその製造方法
US4291239A (en) Architecture line-transfer CCD imagers
KR900001227B1 (ko) 고체 촬상 소자
EP0420764B1 (en) Charge transfer device with meander channel
KR100279143B1 (ko) 고체이미지센서 및 그 제조방법_
KR100436802B1 (ko) 고체촬상소자
KR100215864B1 (ko) 씨씨디 영상소자
EP0519442A1 (en) CCD image sensor
KR100259064B1 (ko) Ccd 영상소자 제조방법
JPH0258271A (ja) 固体撮像装置
JP4227261B2 (ja) 固体撮像素子
KR100540099B1 (ko) 고체 촬상 소자 및 그 제조 방법
JPH0786571A (ja) 電荷転送装置及びその駆動方法
JPH0436469B2 (ko)
JPH04207077A (ja) 固体撮像素子の製造方法
JPH1022492A (ja) 固体撮像素子の製造方法
JPH08316459A (ja) 電荷転送装置および固体撮像装置
JPH01308072A (ja) 固体撮像装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20030723

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee