KR0174257B1 - Ccd 영상소자 - Google Patents
Ccd 영상소자 Download PDFInfo
- Publication number
- KR0174257B1 KR0174257B1 KR1019890010698A KR890010698A KR0174257B1 KR 0174257 B1 KR0174257 B1 KR 0174257B1 KR 1019890010698 A KR1019890010698 A KR 1019890010698A KR 890010698 A KR890010698 A KR 890010698A KR 0174257 B1 KR0174257 B1 KR 0174257B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- semiconductor region
- type
- region
- light receiving
- conductivity type
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 98
- 238000009416 shuttering Methods 0.000 claims description 18
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 16
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 2
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 25
- 210000003127 knee Anatomy 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000000153 supplemental effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/14—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the light source or sources being controlled by the semiconductor device sensitive to radiation, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14831—Area CCD imagers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
CCD 영상 소자는 다수의 수광부를 포함하는데, 상기 수광부의 각각은 수직방향으로 차례로, 제 2 전도형 반도체 표면영역과, 제 1 전도형 제 1 반도체 영역과, 제 2 전도형 반도체 영역 및 제 1 전도형 제 2 반도체 영역을 포함한다. 상기 제 2 반도체 영역은 저농도 반도체 영역과 고농도 반도체 영역으로 된 2중 구조로 형성된다. 접합에서의 공핍층의 확장이 고농도 반도체 영역에 의해 억제되는 동안 상기 수광부의 깊이에 따라 전위 장벽이 더 이상 저장된 전하에 의해 영향을 받지 않으므로, 상기 2중 구조는 더 낮은 전압에서의 셔터(shutter)를 제공한다.
Description
제1도는 본 발명에 따른 CCD 영상 소자의 수광부(light receiving section)의 깊이에 따르는 전위 분포를 도시하는 다이어그램.
제2도는 본 발명에 따른 CCD 영상 소자의 실시예의 필수부분을 도시하는 개략적인 횡단면도.
제3도는 종래 CCD 영상 소자의 것과 비교하여 본 발명에 따른 CCD 영상 소자의 실시예에 대한 셔터링 전압(shuttering voltage)의 변화를 도시하는 다이어그램.
제4도는 종래 CCD 영상 소자의 것과 비교하여 본 발명에 따른 CCD 영상 소자 실시예의 무릎 모양 특성을 도시하는 다이어그램.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : n++ 형 고농도 반도체 기판 2 : n 형 저농도 반도체 영역
3 : p 형 웰 영역 4 : n+ 형 반도체 영역
6 : 수광부 15 : 폴리실리콘층
[발명의 배경]
[발명이 속하는 기술분야]
본 발명은 CCD 영상 소자에 관한 것으로, 복수의 수광부(light receiving section)가 반도체 기판상에 광전 변환(photoelectrical conversion)을 위해 형성되고, 영상 신호는 상기 수광부로부터 전달된 신호로부터 출력된다. 특히, 본 발명은 전하가 반도체 기판내로 일소된 수직 오버플로우 드레인 구조(vertical overflow drain structure) CCD 영상 소자에 관한 것이다.
[종래기술]
일반적으로 CCD 영상 소자는 2차원 매트릭스로 어레이된 다수의 수광부를 포함하며, 영상 정보를 발생하는 신호 전하가 수광부에서 발생된다. 상기 CCD 영상 소자의 공지된 수광부 구조에 따르면, p 형 웰 영역이 n 형 반도체 기판에 형성되고, 수광부 표면에 발생하였을 전류를 억제시키는 p 형 반도체 표면 영역과 p 형 반도체 표면 영역의 바닥면상에 광 다이오드를 형성하는 n+ 형 반도체 영역이 공지되어 있다. 상기구조의 CCD 영상 소자는 예로 니케이 맥그로우 힐에 의해 1987년 10월 발행된 니케이 마이크로-디바이스 60 내지 67 페이지에 도시되어 있다.
수광부로부터 과잉 전하를 일소시키는 기술로는, 횡방향 오버플로우 드레인(lateral overflow drain)을 제공하는 기술이 공지되어 있다. 특별히 수광부의 깊이에 따라 전위를 지정함으로써 과잉 전하를 일소하는 기술은 일본국 특허 공개 공보 18172/1986 에 적절한 기술로 공지되어 있다.
수광부가 그의 표면에서 바라보아 pnpn 구조를 갖고 있다면, n 형 반도체 기판의 불순물 농도는 블루밍 마진(blooming margin)을 제공하여 세 개의 전압 레벨로 제어하도록 1 x 1014cm-3정도가 될 필요가 있다.
그러나, n 형 반도체 기판과 p 형 웰 영역 사이의 역 바이어스 접합으로 인해, 공핍층(depletion layer)의 범위는 반도체 기판의 전술된 불순물 농도에 대해 약 30μm로 퍼져서 셔터링 전압(shutter voltage)은 DC 값으로 50V 정도로 높게 증가된다. 그 결과 셔터링 동작의 신뢰성이 저하되며 셔터링 동작의 실행불가능으로 인해 모니터 디스플레이 표면상에 계단형 영역이 발생한다.
반면에, 저장된 전하량은 포화(saturation)에 대응하는 휘도(luminance)로 증가되지 않는 것이 바람직하다. 그러나, 이것은 상술된 수광부에서는 만족스럽게 이루어지지 않았다. 따라서, 무릎 모양 특성(knee characteristics)을 개선할 필요가 제기되었다.
[발명의 요약]
본 발명의 주요 목적은 셔터링 동안 공핍층의 퍼짐이 억제되어서 낮은 셔터링 전압을 실현시키는 CCD 영상 소자를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 저장된 전하의 양 증가가 억제되어 무릎 모양 특성을 개선시키는 CCD 영상 소자를 제공하는 것이다.
본 발명의 CCD 영상 소자에서, 수광부는 서로 다른 전도형의 반도체 영역이 상기 수광부의 표면측으로부터의 깊이에 따라 교대로 형성된 구조로 된다. 예를 들어, 반도체 기판과 같은 최하위 반도체 영역이 n 형일 때, 수광부는 표면측으로부터 볼 때 pnpn 구조를 하고 있다. 상기 최하위 반도체 영역은 저 불순물 농도 반도체 영역과 상기 저 불순물 농도 반도체 영역의 바닥측상에 제공된 고 불순물 농도의 반도체 영역에 의해 형성된다. 전압이 전자 셔터링을 위해 고 불순물 농도 반도체 영역에 인가된다. 고 불순물 농도 반도체 영역의 깊이는 셔터링 전압의 인가시에 발생하는 공핍층의 영역내에 위치하도록 설정될 것이다. 저 농도 반도체 영역과 고농도 반도체 영역으로 구성되는 이중 구조 기판의 최하위 고 농도 반도체 영역에 의해, 셔터링 전압을 낮추고 무릎 모양 특성을 개선하는 것이 가능하게 된다.
먼저 제1도를 참조하여, 본 발명의 CCD 영상 소자에 대한 주요 동작 원리가 설명된다.
본 발명의 CCD 영상 소자에 있어서, 제 2 전도형의 반도체 영역과 제 1 전도형의 반도체 영역 사이의 역 바이어스 접합에서의 공핍층의 퍼짐은 제 1 전도형의 고 농도 반도체 영역에 의해 억제되어서 더 작은 전위차에서 상기 전하들이 수직 방향으로 버려질 수 있게 한다. 전위의 1차원 모델이 제1도에 도시된다.
제1도에 도시된 1차원 모델에 있어서, 표면으로부터 깊이 Xj1까지의 영역은 p+ 형 반도체 표면 영역(NA +)이며, 깊이 Xj1으로부터 깊이 Xj2까지의 영역은 n+ 형 제 1 반도체 영역(ND +)이고, 깊이 Xj2로부터 깊이 Xj3까지의 영역은 p 형 반도체 영역(NA)이다. 깊이 Xj3으로부터 깊이 W 까지의 영역은 n 형 저농도 반도체 영역(ND)이며, 깊이 W 보다 더 깊은 영역은 n++ 형 고농도 반도체 영역(ND ++)이다. 농도의 관계는 NA +ND +및 ND ++ND로 주어진다. n+ 형 제 1 반도체 영역 내 전위 곡선의 바닥에서의 전위값과 그의 깊이가 각각 Vm및 X2로 주어지며, p 형 반도체 영역에서의 피크 전위값과 그의 깊이는 각각 VB및 X3로 주어진다고 가정한다.
또한 기판 전압 Vsub은 n++ 형 고농도 반도체 영역에 인가되며, p+ 형 반도체 표면 영역은 접지 레벨에 고정된다고 가정한다.
각 경계 조건으로부터 다음 식,
이 유도된다.
또한, 식(5)으로부터, 다음 식(6)
이 유도된다.
식(4)을 변형하면, 다음 식(7)
이 얻어진다.
이제, VM이 계산된다. 간단하게 하기 위해 λ, α는
로 놓는다.
식(6)을 식(1)에 대입하면, 다음 식(8)
이 얻어진다.
식(9)에서, VM이 존재하도록 하기 위해, 이중 부호 중 마이너스(-) 부호를 채택한다. 식(9)의 양변을 자신으로 곱하면, 다음 식(10)
이 유도된다.
셔터링 전압의 인가동안 VM= VB로 가정하여, 식(8)을 변형하면,
식(11)을 식(7)에 대입하면,
이 된다.
상기 식(12)으로부터 알 수 있는 것은 셔터링 전압 Vsub(shutter)이 고농도 반도체 영역의 깊이 W를 줄임으로써 감소될 수 있다는 점이다.
식(7)으로부터 알 수 있는 바와 같이, p 형 반도체 영역에서 피크 전위 VB의 값은 저장된 전하의 양에 상관없이 일정하게 된다. 그러므로, 무릎 모양 특성은 래터럴 오버플로우 드레인 구조 CCD 영상 소자의 경우에서와 같이 개선될 수 있다. 예시적인 셔터 전압 Vsub(shutter)을 계산하기 위해, ND= 5 x 1015(cm-3), NA= 1 x 1017(cm-3), Xj3= 3.5μm, Xj2= 2.5μm, W = 6μm 및 Xj1= 0.3μm를 식(12)에 대입하면, Vsub(셔터) ≒ 18(V)을 얻는다.
상기 설명에서, 공핍층은 깊이 W에서 강제로 종결된다고 가정한다. 그러나, 적어도 셔터 전압 Vsub(셔터)이 감소될 경향성은 셔터링 전압 인가시 퍼지는 공핍층의 영역내에 제 1 전도형의 고농도 반도체 영역을 제공함으로써 실질적으로 실현될 수 있고, 그에 의해 보다 낮은 셔터 전압으로 전기적인 셔터링이 수행될 수 있게 된다.
[실시예]
예시적인 실시예의 CCD 영상 소자는 인터라인 전달형 CCD 영상 소자(interline transfer type CCD imager)의 예이며, 여기서 기판은 저 불순물 농도의 n 형 반도체 영역과 고 불순물 농도의 n++ 형 영역으로 형성되어 전기적 셔터링 전압을 낮추는 것을 실현한다.
CCD 영상 소자의 구조는 제2도에 도시되며, 여기서 제 1 전도형의 제 2 반도체 영역인 n 형 반도체 기판은 저 불순물 농도의 n 형 반도체 영역(2)과 고 불순물 농도의 n++ 형 반도체 기판(1)으로 구성된다. 저 불순물 농도의 상기 n 형 반도체 영역(2)의 상부에는 제 2 전도형의 반도체 영역인 p 형 웰 영역(p type well region)(3)이 형성된다.
수광부(6)는 상기 p 형 웰 영역(3)으로 둘러싸이며 제 2 전도형의 반도체 표면 영역인 p+ 형 정극성 정공 저장층(p+ type positive hole storage layer)(5)과, 정극성 정공 저장층(5) 바닥측상의 n+ 형 반도체 영역(4)을 포함한다. 따라서, 수광부(6)는 그의 표면으로부터 보아 p+ 형 정극성 정공 저장층(5)과, n+ 형 반도체 영역(4)과, p 형 웰 영역(3)과, n 형 저농도 반도체 영역(2) 및 n++ 형 고농도 반도체 기판(1)을 포함한다. 예를 들어, 상기 n 형 저농도 반도체 영역(2)은 1014cm-3정도의 불순물을 농도를 갖고, 반면에 n++ 형 고농도 반도체 기판(1)은 1016cm-3정도의 불순물 농도를 갖는데, 그것은 상기 반도체 영역(2)의 농도보다 대략 100배 정도이다. n++ 형 고농도 반도체 기판(1)과 n+ 형 저농도 반도체(2) 사이의 인터페이스의 깊이 W 는 약 7μm정도임에 반해, p 형 웰 영역(3)과, n 형 저농도 반도체 영역(2)사이의 상기 접합의 깊이 Xj3는 3μm 정도이다. 상기 저농도 반도체 영역과 고농도 반도체 영역으로 구성되는 기판 구조는 n 형 고농도 불순물이나 p 형 보충 불순물의 이온 주입에 의해, 또는 n++ 형 고농도 반도체 기판(1)상에 n+ 형 에피택셜층(n+ type eptaxial layer)을 적층시킴으로써 형성된다.
p 형 웰 영역(3)에는, 영역(3)의 표면을 따라 n+ 형 반도체 영역(4)과 떨어져서 n+ 형 전하 전달부(11) 및 상기 전달부(11)의 바닥측상의 제 2의 p 형 웰(12)이 형성되어 있다.
판독부(read-out setcion)(13)는 n+ 형 전하 전달부(11)와 n+ 형 반도체 영역(4)사이의 영역내에 정의되며, 채널(channel)이 절연층(14)을 매개로 하여 웰 영역(3)의 꼭대기에 적층된 폴리실리콘층(15)내 전기적 전압에 의해 상기 판독부(13)내에 형성된다. 이미지화 될 물체로부터의 광(light)은 광 차폐(light shield)의 작용을 하는 알루미늄층(16) 또는 전달 전극으로 작용하는 폴리실리콘층(15)이 없는 수광부(6)로 향할 것이다. 채널 스톱 영역(channel stop region)(17,17)은 수광부(6)와 n+ 형 전하 전달부(11)의 측면의 표면측상에 형성된다. 인터라인 CCD 영상 소자에서, 전하 전달부(11)는 수직 레지스터에 대해 직각으로 제공된 수평 레지스터에 인접하는 수직 레지스터로 기능한다.
신호 전하 형태로 전달된 영상 신호는 출력 버퍼를 통해 수평 레지스터로부터 라인별로 취해진다.
수광부의 구조를 더욱 상세히 기술한다. 접지 전압 Vss은 p 형 웰 영역(3) 표명상의 p+ 형 정극성 정공 저장층(5)에 인가되며, 가변 기판 전압 Vsub 은 최하위 n++ 형 고농도 반도체 기판(1)에 인가된다. p+ 형 정극성 정공 저장 영역(5)과 n++ 형 고농도 반도체 기판(1) 사이의 전위는 제1도에 도시된 바와 같은 곡선을 나타내며, 전위 장벽 VB이 p 형 웰 영역(3)에 형성되어, 신호 전하는 전위 장벽 VB보다 얕은 깊이를 갖는 영역의 전위 바닥 VM에 계속 저장된다. 전자 셔터링 동안, 보다 높은 전압이 n++ 형 고농도 반도체 기판(1)에 인가되어 상기 신호전하를 상기 기판내로 일소한다. 도시된 실시예의 CCD 영상 소자에서, p 형 웰 영역(3)과 n 형 저농도 반도체 영역(2)사이 접합의 공핍층 확산이 n++ 형 고농도 반도체 기판(1)에 의해 억제되어 보다 낮은 전기적 전압으로 셔터링을 수행할 수 있게 된다.
셔터링 전압 특성은 제3도에 도시되며, 여기서 가로 좌표는 기판 전압 Vsub를 가리키고 세로 좌표는 셔터링 수행에 필요한 전압 ΔVsub을 가리킨다. 종래의 pnpn 형 CCD 영상 소자에서, 상기 전압 ΔVsub는, 점선 B로 도시된 바와 같이, 기판 전압 Vsub가 증가함에 따라 증가하며 고전압이 이용되지 않는한 충분한 셔터링이 달성될 수 없다. 도시한 실시예의 pnpn n++ 형 CCD 영상 소자에서, 실선 A로 나타낸 바와 같이, 비록 상기 기판 전압 Vsub가 증가해도 높은 전압의 ΔVsub가 요구되지 않고, 낮은 전압에서 셔터링이 행해질 수 있다.
무릎 모양 특성에 관하여, 종래 CCD 영상 소자에서, 저장된 전하의 양은, 제4도의 점선 D로 나타낸 바와 같이, 광 양(light volume)이 포화값을 초과한 후 증가된다. 예시한 CCD 영상 소자의 CCD 영상 소자에서, 저장된 전하의 증가가 억제되어서, 제4도의 실선 C로 나타낸 바와 같이, 블루밍이 효율적으로 제어될 수 있다.
Claims (6)
- 영상 정보 출력용 CCD 영상 소자에 있어서, 다수의 수광부로서, 상기 각각의 수광부는 표면으로부터의 깊이에 따라 제 2 전도형의 반도체 표면 영역과, 제 1 전도형의 제 1 반도체 영역과, 상기 제 2 전도형의 반도체 영역 및 상기 제 1전도형의 제 2 반도체 영역을 상기 순서로 포함하는, 다수의 수광부를 포함하며, 상기 제 2 반도체 영역은 상기 제 2 전도형의 반도체 영역 바닥측상에 있는 상기 제 1 전도형의 저농도 반도체 영역과 상기 저농도 반도체 영역 바닥측상에 있는 상기 제 1 전도형의 고농도 반도체 영역으로 구성되는 CCD 영상 소자.
- 제 1항에 있어서, 상기 제 2 전도형의 상기 반도체 표면 영역은 접지 전위로 고정되며, 가변 전압이 상기 제 1 전도형의 상기 제 2 반도체 영역으로 인가되고 전기적 전하는 상기 제 2 반도체 영역내로 일소되는 CCD 영상소자.
- 제 2항에 있어서, 상기 제 1 전도형의 고농도 반도체 영역은 셔터링 전압 인가시 상기 제 2 전도형 반도체 영역과 상기 제 1 전도형의 반도체 영역 사이 접합의 공핍층 영역내에 제공되는 것을 특징으로 하는 CCD 영상 소자.
- 제 1항에 있어서, 상기 고농도 반도체 영역의 불순물 농도는 상기 저농도 반도체 영역의 불순물 농도의 100배 이상인 CCD 영상 소자.
- 제 1항에 있어서, 상기 수광부는 2차원 매트릭스로 배열되고 전하 전달부는 상기 수광부의 수직행들을 따라 형성된 CCD 영상 소자.
- 영상 정보 출력용 CCD 영상 소자에 있어서, 다수의 수광부로서, 상기 각각의 수광부가 p 형 반도체 표면 영역과, n 형 제 1 반도체 영역과, p 형 반도체 및 n 형 제 2 반도체 영역을 포함하는, 다수의 수광부를 포함하며, 상기 제 2 반도체 영역은 상기 p 형 반도체 영역 바닥측상에 있는 n 형 저농도 반도체 영역과 상기 저농도 반도체 영역 바닥측상에 있는 n 형 고농도 반도체 영역으로 구성되는 CCD 영상 소자.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP191470 | 1988-07-30 | ||
JP63191470A JP2822393B2 (ja) | 1988-07-30 | 1988-07-30 | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
JP63-191470 | 1988-07-30 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR900002478A KR900002478A (ko) | 1990-02-28 |
KR0174257B1 true KR0174257B1 (ko) | 1999-02-01 |
Family
ID=16275190
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019890010698A KR0174257B1 (ko) | 1988-07-30 | 1989-07-28 | Ccd 영상소자 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5014132A (ko) |
EP (1) | EP0353665B1 (ko) |
JP (1) | JP2822393B2 (ko) |
KR (1) | KR0174257B1 (ko) |
DE (1) | DE68918023T2 (ko) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5055667A (en) * | 1990-06-21 | 1991-10-08 | Loral Fairchild Corporation | Non-linear photosite response in CCD imagers |
US5262661A (en) * | 1990-06-25 | 1993-11-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid-state image pickup device, having increased charge storage and improved electronic shutter operation |
DE69318202T2 (de) * | 1992-02-20 | 1998-11-12 | Matsushita Electronics Corp | Festkörperbildaufnahme-Vorrichtung und Herstellungsverfahren |
KR960002645B1 (ko) * | 1992-04-03 | 1996-02-24 | 엘지반도체주식회사 | 전하 전송장치 및 고체 촬상장치 |
KR0130959B1 (ko) * | 1992-06-03 | 1998-04-14 | 쓰지 하루오 | 고체촬상장치 및 그 제조방법 |
DE69320709T2 (de) * | 1992-06-25 | 1999-03-25 | Canon Kk | Photoelektrischer Wandler und Steuerverfahren dafür |
JP3456000B2 (ja) * | 1993-05-17 | 2003-10-14 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
KR970007711B1 (ko) * | 1993-05-18 | 1997-05-15 | 삼성전자 주식회사 | 오버-플로우 드레인(ofd)구조를 가지는 전하결합소자형 고체촬상장치 |
JP3062010B2 (ja) * | 1994-07-28 | 2000-07-10 | 日本電気株式会社 | 固体撮像装置 |
KR0162691B1 (ko) * | 1995-06-03 | 1998-12-01 | 문정환 | 고체 촬상소자의 수광부 구조 및 그 제조방법 |
US5940049A (en) * | 1995-10-23 | 1999-08-17 | Polycom, Inc. | Remote interactive projector with image enhancement |
US6351001B1 (en) | 1996-04-17 | 2002-02-26 | Eastman Kodak Company | CCD image sensor |
JP2006108379A (ja) | 2004-10-05 | 2006-04-20 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその駆動方法 |
JP5717329B2 (ja) * | 2009-10-09 | 2015-05-13 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5827712B2 (ja) * | 1975-12-25 | 1983-06-10 | 株式会社東芝 | コタイサツゾウソウチ |
US4247862B1 (en) * | 1977-08-26 | 1995-12-26 | Intel Corp | Ionzation resistant mos structure |
US4229754A (en) * | 1978-12-26 | 1980-10-21 | Rockwell International Corporation | CCD Imager with multi-spectral capability |
US4348690A (en) * | 1981-04-30 | 1982-09-07 | Rca Corporation | Semiconductor imagers |
JPS58125975A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-27 | Nec Corp | 固体撮像素子 |
JPS58125976A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-27 | Nec Corp | 固体撮像素子 |
JPS59153381A (ja) * | 1983-02-22 | 1984-09-01 | Junichi Nishizawa | 2次元固体撮像装置 |
JP2610010B2 (ja) * | 1984-02-29 | 1997-05-14 | ソニー株式会社 | 縦形オーバーフローイメージセンサー |
JPS6118172A (ja) * | 1984-07-04 | 1986-01-27 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
JPS6177360A (ja) * | 1984-09-21 | 1986-04-19 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
JPS62155559A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-10 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
WO1988000759A1 (en) * | 1986-07-24 | 1988-01-28 | Eastman Kodak Company | Electronic shutter for image sensor using photodiodes |
US4875100A (en) * | 1986-10-23 | 1989-10-17 | Sony Corporation | Electronic shutter for a CCD image sensor |
JP2517882B2 (ja) * | 1986-12-23 | 1996-07-24 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
US4912560A (en) * | 1988-01-29 | 1990-03-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid state image sensing device |
-
1988
- 1988-07-30 JP JP63191470A patent/JP2822393B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-07-21 US US07/383,179 patent/US5014132A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-07-28 DE DE68918023T patent/DE68918023T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-07-28 EP EP89114023A patent/EP0353665B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-07-28 KR KR1019890010698A patent/KR0174257B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0353665B1 (en) | 1994-09-07 |
JPH0240956A (ja) | 1990-02-09 |
KR900002478A (ko) | 1990-02-28 |
DE68918023T2 (de) | 1994-12-22 |
US5014132A (en) | 1991-05-07 |
EP0353665A2 (en) | 1990-02-07 |
JP2822393B2 (ja) | 1998-11-11 |
DE68918023D1 (de) | 1994-10-13 |
EP0353665A3 (en) | 1991-04-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100262774B1 (ko) | 상부 버스 가상 위상 프레임 행간 전송 ccd 영상 감지기 | |
US4484210A (en) | Solid-state imaging device having a reduced image lag | |
CA1298389C (en) | High dynamic range charge-coupled device | |
US3896485A (en) | Charge-coupled device with overflow protection | |
KR0174257B1 (ko) | Ccd 영상소자 | |
EP0224993A1 (en) | A method of operating a solid-state image sensor | |
EP0048480A2 (en) | Semiconductor photoelectric converter | |
EP0173542A2 (en) | A solid-state image sensor | |
KR980012585A (ko) | 수직형 전달게이트를 가지는 전하결합형 고체촬상소자 및 그 제조방법 | |
JPS62265759A (ja) | 固体撮像素子 | |
EP0069535A2 (en) | Solid state imaging apparatus | |
EP0059547B1 (en) | Clock controlled anti-blooming for virtual phase ccd's | |
US5774182A (en) | Solid-state image sensor device with pixel array structure of interline transfer CCD image sensor | |
EP0572137A1 (en) | Charge skimming and variable integration time in focal plane arrays | |
JPS63500690A (ja) | Ccdイメ−ジセンサにおけるブル−ミング制御 | |
KR900001227B1 (ko) | 고체 촬상 소자 | |
JPS6318387B2 (ko) | ||
JP3247163B2 (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
JP2897689B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JPH0789581B2 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
JPH0575089A (ja) | 固体撮像装置 | |
EP0037200A1 (en) | Charge coupled device with buried channel stop | |
JPS60244068A (ja) | 埋込みチヤネル電荷結合素子 | |
JPH02119266A (ja) | 縦形オーバフロードレイン構造の固体撮像装置 | |
JPH0465133A (ja) | 電荷結合装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121029 Year of fee payment: 15 |
|
EXPY | Expiration of term |