KR0174257B1 - Ccd 영상소자 - Google Patents

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KR0174257B1
KR0174257B1 KR1019890010698A KR890010698A KR0174257B1 KR 0174257 B1 KR0174257 B1 KR 0174257B1 KR 1019890010698 A KR1019890010698 A KR 1019890010698A KR 890010698 A KR890010698 A KR 890010698A KR 0174257 B1 KR0174257 B1 KR 0174257B1
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Abstract

CCD 영상 소자는 다수의 수광부를 포함하는데, 상기 수광부의 각각은 수직방향으로 차례로, 제 2 전도형 반도체 표면영역과, 제 1 전도형 제 1 반도체 영역과, 제 2 전도형 반도체 영역 및 제 1 전도형 제 2 반도체 영역을 포함한다. 상기 제 2 반도체 영역은 저농도 반도체 영역과 고농도 반도체 영역으로 된 2중 구조로 형성된다. 접합에서의 공핍층의 확장이 고농도 반도체 영역에 의해 억제되는 동안 상기 수광부의 깊이에 따라 전위 장벽이 더 이상 저장된 전하에 의해 영향을 받지 않으므로, 상기 2중 구조는 더 낮은 전압에서의 셔터(shutter)를 제공한다.

Description

CCD 영상 소자
제1도는 본 발명에 따른 CCD 영상 소자의 수광부(light receiving section)의 깊이에 따르는 전위 분포를 도시하는 다이어그램.
제2도는 본 발명에 따른 CCD 영상 소자의 실시예의 필수부분을 도시하는 개략적인 횡단면도.
제3도는 종래 CCD 영상 소자의 것과 비교하여 본 발명에 따른 CCD 영상 소자의 실시예에 대한 셔터링 전압(shuttering voltage)의 변화를 도시하는 다이어그램.
제4도는 종래 CCD 영상 소자의 것과 비교하여 본 발명에 따른 CCD 영상 소자 실시예의 무릎 모양 특성을 도시하는 다이어그램.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : n++ 형 고농도 반도체 기판 2 : n 형 저농도 반도체 영역
3 : p 형 웰 영역 4 : n+ 형 반도체 영역
6 : 수광부 15 : 폴리실리콘층
[발명의 배경]
[발명이 속하는 기술분야]
본 발명은 CCD 영상 소자에 관한 것으로, 복수의 수광부(light receiving section)가 반도체 기판상에 광전 변환(photoelectrical conversion)을 위해 형성되고, 영상 신호는 상기 수광부로부터 전달된 신호로부터 출력된다. 특히, 본 발명은 전하가 반도체 기판내로 일소된 수직 오버플로우 드레인 구조(vertical overflow drain structure) CCD 영상 소자에 관한 것이다.
[종래기술]
일반적으로 CCD 영상 소자는 2차원 매트릭스로 어레이된 다수의 수광부를 포함하며, 영상 정보를 발생하는 신호 전하가 수광부에서 발생된다. 상기 CCD 영상 소자의 공지된 수광부 구조에 따르면, p 형 웰 영역이 n 형 반도체 기판에 형성되고, 수광부 표면에 발생하였을 전류를 억제시키는 p 형 반도체 표면 영역과 p 형 반도체 표면 영역의 바닥면상에 광 다이오드를 형성하는 n+ 형 반도체 영역이 공지되어 있다. 상기구조의 CCD 영상 소자는 예로 니케이 맥그로우 힐에 의해 1987년 10월 발행된 니케이 마이크로-디바이스 60 내지 67 페이지에 도시되어 있다.
수광부로부터 과잉 전하를 일소시키는 기술로는, 횡방향 오버플로우 드레인(lateral overflow drain)을 제공하는 기술이 공지되어 있다. 특별히 수광부의 깊이에 따라 전위를 지정함으로써 과잉 전하를 일소하는 기술은 일본국 특허 공개 공보 18172/1986 에 적절한 기술로 공지되어 있다.
수광부가 그의 표면에서 바라보아 pnpn 구조를 갖고 있다면, n 형 반도체 기판의 불순물 농도는 블루밍 마진(blooming margin)을 제공하여 세 개의 전압 레벨로 제어하도록 1 x 1014cm-3정도가 될 필요가 있다.
그러나, n 형 반도체 기판과 p 형 웰 영역 사이의 역 바이어스 접합으로 인해, 공핍층(depletion layer)의 범위는 반도체 기판의 전술된 불순물 농도에 대해 약 30μm로 퍼져서 셔터링 전압(shutter voltage)은 DC 값으로 50V 정도로 높게 증가된다. 그 결과 셔터링 동작의 신뢰성이 저하되며 셔터링 동작의 실행불가능으로 인해 모니터 디스플레이 표면상에 계단형 영역이 발생한다.
반면에, 저장된 전하량은 포화(saturation)에 대응하는 휘도(luminance)로 증가되지 않는 것이 바람직하다. 그러나, 이것은 상술된 수광부에서는 만족스럽게 이루어지지 않았다. 따라서, 무릎 모양 특성(knee characteristics)을 개선할 필요가 제기되었다.
[발명의 요약]
본 발명의 주요 목적은 셔터링 동안 공핍층의 퍼짐이 억제되어서 낮은 셔터링 전압을 실현시키는 CCD 영상 소자를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 저장된 전하의 양 증가가 억제되어 무릎 모양 특성을 개선시키는 CCD 영상 소자를 제공하는 것이다.
본 발명의 CCD 영상 소자에서, 수광부는 서로 다른 전도형의 반도체 영역이 상기 수광부의 표면측으로부터의 깊이에 따라 교대로 형성된 구조로 된다. 예를 들어, 반도체 기판과 같은 최하위 반도체 영역이 n 형일 때, 수광부는 표면측으로부터 볼 때 pnpn 구조를 하고 있다. 상기 최하위 반도체 영역은 저 불순물 농도 반도체 영역과 상기 저 불순물 농도 반도체 영역의 바닥측상에 제공된 고 불순물 농도의 반도체 영역에 의해 형성된다. 전압이 전자 셔터링을 위해 고 불순물 농도 반도체 영역에 인가된다. 고 불순물 농도 반도체 영역의 깊이는 셔터링 전압의 인가시에 발생하는 공핍층의 영역내에 위치하도록 설정될 것이다. 저 농도 반도체 영역과 고농도 반도체 영역으로 구성되는 이중 구조 기판의 최하위 고 농도 반도체 영역에 의해, 셔터링 전압을 낮추고 무릎 모양 특성을 개선하는 것이 가능하게 된다.
먼저 제1도를 참조하여, 본 발명의 CCD 영상 소자에 대한 주요 동작 원리가 설명된다.
본 발명의 CCD 영상 소자에 있어서, 제 2 전도형의 반도체 영역과 제 1 전도형의 반도체 영역 사이의 역 바이어스 접합에서의 공핍층의 퍼짐은 제 1 전도형의 고 농도 반도체 영역에 의해 억제되어서 더 작은 전위차에서 상기 전하들이 수직 방향으로 버려질 수 있게 한다. 전위의 1차원 모델이 제1도에 도시된다.
제1도에 도시된 1차원 모델에 있어서, 표면으로부터 깊이 Xj1까지의 영역은 p+ 형 반도체 표면 영역(NA +)이며, 깊이 Xj1으로부터 깊이 Xj2까지의 영역은 n+ 형 제 1 반도체 영역(ND +)이고, 깊이 Xj2로부터 깊이 Xj3까지의 영역은 p 형 반도체 영역(NA)이다. 깊이 Xj3으로부터 깊이 W 까지의 영역은 n 형 저농도 반도체 영역(ND)이며, 깊이 W 보다 더 깊은 영역은 n++ 형 고농도 반도체 영역(ND ++)이다. 농도의 관계는 NA +ND +및 ND ++ND로 주어진다. n+ 형 제 1 반도체 영역 내 전위 곡선의 바닥에서의 전위값과 그의 깊이가 각각 Vm및 X2로 주어지며, p 형 반도체 영역에서의 피크 전위값과 그의 깊이는 각각 VB및 X3로 주어진다고 가정한다.
또한 기판 전압 Vsub은 n++ 형 고농도 반도체 영역에 인가되며, p+ 형 반도체 표면 영역은 접지 레벨에 고정된다고 가정한다.
각 경계 조건으로부터 다음 식,
Figure kpo00002
Figure kpo00003
Figure kpo00004
Figure kpo00005
Figure kpo00006
이 유도된다.
또한, 식(5)으로부터, 다음 식(6)
Figure kpo00007
이 유도된다.
식(4)을 변형하면, 다음 식(7)
Figure kpo00008
이 얻어진다.
이제, VM이 계산된다. 간단하게 하기 위해 λ, α는
Figure kpo00009
로 놓는다.
식(6)을 식(1)에 대입하면, 다음 식(8)
Figure kpo00010
이 얻어진다. 식(8)을
Figure kpo00011
에 대한 2차식으로 풀면, 다음 식(9)
Figure kpo00012
이 얻어진다.
식(9)에서, VM이 존재하도록 하기 위해, 이중 부호 중 마이너스(-) 부호를 채택한다. 식(9)의 양변을 자신으로 곱하면, 다음 식(10)
Figure kpo00013
이 유도된다.
셔터링 전압의 인가동안 VM= VB로 가정하여, 식(8)을 변형하면,
Figure kpo00014
식(11)을 식(7)에 대입하면,
Figure kpo00015
이 된다.
상기 식(12)으로부터 알 수 있는 것은 셔터링 전압 Vsub(shutter)이 고농도 반도체 영역의 깊이 W를 줄임으로써 감소될 수 있다는 점이다.
식(7)으로부터 알 수 있는 바와 같이, p 형 반도체 영역에서 피크 전위 VB의 값은 저장된 전하의 양에 상관없이 일정하게 된다. 그러므로, 무릎 모양 특성은 래터럴 오버플로우 드레인 구조 CCD 영상 소자의 경우에서와 같이 개선될 수 있다. 예시적인 셔터 전압 Vsub(shutter)을 계산하기 위해, ND= 5 x 1015(cm-3), NA= 1 x 1017(cm-3), Xj3= 3.5μm, Xj2= 2.5μm, W = 6μm 및 Xj1= 0.3μm를 식(12)에 대입하면, Vsub(셔터) ≒ 18(V)을 얻는다.
상기 설명에서, 공핍층은 깊이 W에서 강제로 종결된다고 가정한다. 그러나, 적어도 셔터 전압 Vsub(셔터)이 감소될 경향성은 셔터링 전압 인가시 퍼지는 공핍층의 영역내에 제 1 전도형의 고농도 반도체 영역을 제공함으로써 실질적으로 실현될 수 있고, 그에 의해 보다 낮은 셔터 전압으로 전기적인 셔터링이 수행될 수 있게 된다.
[실시예]
예시적인 실시예의 CCD 영상 소자는 인터라인 전달형 CCD 영상 소자(interline transfer type CCD imager)의 예이며, 여기서 기판은 저 불순물 농도의 n 형 반도체 영역과 고 불순물 농도의 n++ 형 영역으로 형성되어 전기적 셔터링 전압을 낮추는 것을 실현한다.
CCD 영상 소자의 구조는 제2도에 도시되며, 여기서 제 1 전도형의 제 2 반도체 영역인 n 형 반도체 기판은 저 불순물 농도의 n 형 반도체 영역(2)과 고 불순물 농도의 n++ 형 반도체 기판(1)으로 구성된다. 저 불순물 농도의 상기 n 형 반도체 영역(2)의 상부에는 제 2 전도형의 반도체 영역인 p 형 웰 영역(p type well region)(3)이 형성된다.
수광부(6)는 상기 p 형 웰 영역(3)으로 둘러싸이며 제 2 전도형의 반도체 표면 영역인 p+ 형 정극성 정공 저장층(p+ type positive hole storage layer)(5)과, 정극성 정공 저장층(5) 바닥측상의 n+ 형 반도체 영역(4)을 포함한다. 따라서, 수광부(6)는 그의 표면으로부터 보아 p+ 형 정극성 정공 저장층(5)과, n+ 형 반도체 영역(4)과, p 형 웰 영역(3)과, n 형 저농도 반도체 영역(2) 및 n++ 형 고농도 반도체 기판(1)을 포함한다. 예를 들어, 상기 n 형 저농도 반도체 영역(2)은 1014cm-3정도의 불순물을 농도를 갖고, 반면에 n++ 형 고농도 반도체 기판(1)은 1016cm-3정도의 불순물 농도를 갖는데, 그것은 상기 반도체 영역(2)의 농도보다 대략 100배 정도이다. n++ 형 고농도 반도체 기판(1)과 n+ 형 저농도 반도체(2) 사이의 인터페이스의 깊이 W 는 약 7μm정도임에 반해, p 형 웰 영역(3)과, n 형 저농도 반도체 영역(2)사이의 상기 접합의 깊이 Xj3는 3μm 정도이다. 상기 저농도 반도체 영역과 고농도 반도체 영역으로 구성되는 기판 구조는 n 형 고농도 불순물이나 p 형 보충 불순물의 이온 주입에 의해, 또는 n++ 형 고농도 반도체 기판(1)상에 n+ 형 에피택셜층(n+ type eptaxial layer)을 적층시킴으로써 형성된다.
p 형 웰 영역(3)에는, 영역(3)의 표면을 따라 n+ 형 반도체 영역(4)과 떨어져서 n+ 형 전하 전달부(11) 및 상기 전달부(11)의 바닥측상의 제 2의 p 형 웰(12)이 형성되어 있다.
판독부(read-out setcion)(13)는 n+ 형 전하 전달부(11)와 n+ 형 반도체 영역(4)사이의 영역내에 정의되며, 채널(channel)이 절연층(14)을 매개로 하여 웰 영역(3)의 꼭대기에 적층된 폴리실리콘층(15)내 전기적 전압에 의해 상기 판독부(13)내에 형성된다. 이미지화 될 물체로부터의 광(light)은 광 차폐(light shield)의 작용을 하는 알루미늄층(16) 또는 전달 전극으로 작용하는 폴리실리콘층(15)이 없는 수광부(6)로 향할 것이다. 채널 스톱 영역(channel stop region)(17,17)은 수광부(6)와 n+ 형 전하 전달부(11)의 측면의 표면측상에 형성된다. 인터라인 CCD 영상 소자에서, 전하 전달부(11)는 수직 레지스터에 대해 직각으로 제공된 수평 레지스터에 인접하는 수직 레지스터로 기능한다.
신호 전하 형태로 전달된 영상 신호는 출력 버퍼를 통해 수평 레지스터로부터 라인별로 취해진다.
수광부의 구조를 더욱 상세히 기술한다. 접지 전압 Vss은 p 형 웰 영역(3) 표명상의 p+ 형 정극성 정공 저장층(5)에 인가되며, 가변 기판 전압 Vsub 은 최하위 n++ 형 고농도 반도체 기판(1)에 인가된다. p+ 형 정극성 정공 저장 영역(5)과 n++ 형 고농도 반도체 기판(1) 사이의 전위는 제1도에 도시된 바와 같은 곡선을 나타내며, 전위 장벽 VB이 p 형 웰 영역(3)에 형성되어, 신호 전하는 전위 장벽 VB보다 얕은 깊이를 갖는 영역의 전위 바닥 VM에 계속 저장된다. 전자 셔터링 동안, 보다 높은 전압이 n++ 형 고농도 반도체 기판(1)에 인가되어 상기 신호전하를 상기 기판내로 일소한다. 도시된 실시예의 CCD 영상 소자에서, p 형 웰 영역(3)과 n 형 저농도 반도체 영역(2)사이 접합의 공핍층 확산이 n++ 형 고농도 반도체 기판(1)에 의해 억제되어 보다 낮은 전기적 전압으로 셔터링을 수행할 수 있게 된다.
셔터링 전압 특성은 제3도에 도시되며, 여기서 가로 좌표는 기판 전압 Vsub를 가리키고 세로 좌표는 셔터링 수행에 필요한 전압 ΔVsub을 가리킨다. 종래의 pnpn 형 CCD 영상 소자에서, 상기 전압 ΔVsub는, 점선 B로 도시된 바와 같이, 기판 전압 Vsub가 증가함에 따라 증가하며 고전압이 이용되지 않는한 충분한 셔터링이 달성될 수 없다. 도시한 실시예의 pnpn n++ 형 CCD 영상 소자에서, 실선 A로 나타낸 바와 같이, 비록 상기 기판 전압 Vsub가 증가해도 높은 전압의 ΔVsub가 요구되지 않고, 낮은 전압에서 셔터링이 행해질 수 있다.
무릎 모양 특성에 관하여, 종래 CCD 영상 소자에서, 저장된 전하의 양은, 제4도의 점선 D로 나타낸 바와 같이, 광 양(light volume)이 포화값을 초과한 후 증가된다. 예시한 CCD 영상 소자의 CCD 영상 소자에서, 저장된 전하의 증가가 억제되어서, 제4도의 실선 C로 나타낸 바와 같이, 블루밍이 효율적으로 제어될 수 있다.

Claims (6)

  1. 영상 정보 출력용 CCD 영상 소자에 있어서, 다수의 수광부로서, 상기 각각의 수광부는 표면으로부터의 깊이에 따라 제 2 전도형의 반도체 표면 영역과, 제 1 전도형의 제 1 반도체 영역과, 상기 제 2 전도형의 반도체 영역 및 상기 제 1전도형의 제 2 반도체 영역을 상기 순서로 포함하는, 다수의 수광부를 포함하며, 상기 제 2 반도체 영역은 상기 제 2 전도형의 반도체 영역 바닥측상에 있는 상기 제 1 전도형의 저농도 반도체 영역과 상기 저농도 반도체 영역 바닥측상에 있는 상기 제 1 전도형의 고농도 반도체 영역으로 구성되는 CCD 영상 소자.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 제 2 전도형의 상기 반도체 표면 영역은 접지 전위로 고정되며, 가변 전압이 상기 제 1 전도형의 상기 제 2 반도체 영역으로 인가되고 전기적 전하는 상기 제 2 반도체 영역내로 일소되는 CCD 영상소자.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 제 1 전도형의 고농도 반도체 영역은 셔터링 전압 인가시 상기 제 2 전도형 반도체 영역과 상기 제 1 전도형의 반도체 영역 사이 접합의 공핍층 영역내에 제공되는 것을 특징으로 하는 CCD 영상 소자.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 고농도 반도체 영역의 불순물 농도는 상기 저농도 반도체 영역의 불순물 농도의 100배 이상인 CCD 영상 소자.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 수광부는 2차원 매트릭스로 배열되고 전하 전달부는 상기 수광부의 수직행들을 따라 형성된 CCD 영상 소자.
  6. 영상 정보 출력용 CCD 영상 소자에 있어서, 다수의 수광부로서, 상기 각각의 수광부가 p 형 반도체 표면 영역과, n 형 제 1 반도체 영역과, p 형 반도체 및 n 형 제 2 반도체 영역을 포함하는, 다수의 수광부를 포함하며, 상기 제 2 반도체 영역은 상기 p 형 반도체 영역 바닥측상에 있는 n 형 저농도 반도체 영역과 상기 저농도 반도체 영역 바닥측상에 있는 n 형 고농도 반도체 영역으로 구성되는 CCD 영상 소자.
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KR900002478A KR900002478A (ko) 1990-02-28
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5055667A (en) * 1990-06-21 1991-10-08 Loral Fairchild Corporation Non-linear photosite response in CCD imagers
US5262661A (en) * 1990-06-25 1993-11-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Solid-state image pickup device, having increased charge storage and improved electronic shutter operation
DE69318202T2 (de) * 1992-02-20 1998-11-12 Matsushita Electronics Corp Festkörperbildaufnahme-Vorrichtung und Herstellungsverfahren
KR960002645B1 (ko) * 1992-04-03 1996-02-24 엘지반도체주식회사 전하 전송장치 및 고체 촬상장치
KR0130959B1 (ko) * 1992-06-03 1998-04-14 쓰지 하루오 고체촬상장치 및 그 제조방법
US5386108A (en) * 1992-06-25 1995-01-31 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion device for amplifying and outputting photoelectrically converted signal, and a method thereof
JP3456000B2 (ja) * 1993-05-17 2003-10-14 ソニー株式会社 固体撮像素子及びその製造方法
KR970007711B1 (ko) * 1993-05-18 1997-05-15 삼성전자 주식회사 오버-플로우 드레인(ofd)구조를 가지는 전하결합소자형 고체촬상장치
JP3062010B2 (ja) * 1994-07-28 2000-07-10 日本電気株式会社 固体撮像装置
KR0162691B1 (ko) * 1995-06-03 1998-12-01 문정환 고체 촬상소자의 수광부 구조 및 그 제조방법
US5940049A (en) * 1995-10-23 1999-08-17 Polycom, Inc. Remote interactive projector with image enhancement
US6351001B1 (en) 1996-04-17 2002-02-26 Eastman Kodak Company CCD image sensor
JP2006108379A (ja) 2004-10-05 2006-04-20 Sony Corp 固体撮像素子及びその駆動方法
JP5717329B2 (ja) * 2009-10-09 2015-05-13 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びその製造方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5827712B2 (ja) * 1975-12-25 1983-06-10 株式会社東芝 コタイサツゾウソウチ
US4247862B1 (en) * 1977-08-26 1995-12-26 Intel Corp Ionzation resistant mos structure
US4229754A (en) * 1978-12-26 1980-10-21 Rockwell International Corporation CCD Imager with multi-spectral capability
US4348690A (en) * 1981-04-30 1982-09-07 Rca Corporation Semiconductor imagers
JPS58125975A (ja) * 1982-01-22 1983-07-27 Nec Corp 固体撮像素子
JPS58125976A (ja) * 1982-01-22 1983-07-27 Nec Corp 固体撮像素子
JPS59153381A (ja) * 1983-02-22 1984-09-01 Junichi Nishizawa ２次元固体撮像装置
JP2610010B2 (ja) * 1984-02-29 1997-05-14 ソニー株式会社 縦形オーバーフローイメージセンサー
JPS6118172A (ja) * 1984-07-04 1986-01-27 Sony Corp 固体撮像装置
JPS6177360A (ja) * 1984-09-21 1986-04-19 Fujitsu Ltd 半導体装置
JPS62155559A (ja) * 1985-12-27 1987-07-10 Toshiba Corp 固体撮像装置
JPH01500471A (ja) * 1986-07-24 1989-02-16 イーストマン・コダック・カンパニー ホトダイオードを用いたイメージセンサのための電子シャッタ
US4875100A (en) * 1986-10-23 1989-10-17 Sony Corporation Electronic shutter for a CCD image sensor
JP2517882B2 (ja) * 1986-12-23 1996-07-24 ソニー株式会社 固体撮像装置
US4912560A (en) * 1988-01-29 1990-03-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Solid state image sensing device

Also Published As

Publication number Publication date
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EP0353665A2 (en) 1990-02-07

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