JPS5827712B2 - コタイサツゾウソウチ - Google Patents

コタイサツゾウソウチ

Info

Publication number
JPS5827712B2
JPS5827712B2 JP50156935A JP15693575A JPS5827712B2 JP S5827712 B2 JPS5827712 B2 JP S5827712B2 JP 50156935 A JP50156935 A JP 50156935A JP 15693575 A JP15693575 A JP 15693575A JP S5827712 B2 JPS5827712 B2 JP S5827712B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
section
time
imaging
solid
satsuzou
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP50156935A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5279615A (en
Inventor
行平 舟橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority to JP50156935A priority Critical patent/JPS5827712B2/ja
Publication of JPS5279615A publication Critical patent/JPS5279615A/ja
Priority to US05/937,184 priority patent/US4245164A/en
Publication of JPS5827712B2 publication Critical patent/JPS5827712B2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/148—Charge coupled imagers
    • H01L27/14831—Area CCD imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/72—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors using frame transfer [FT]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は固体撮像装置に関する。
従来、標準テレビカメラで撮ｆ象された画像を狭帯域伝
送する場合、低速７Ｌ査（ｓｌ、ｏｗ ５ｃａｎ ）用
撮像管や撮像可能の蓄積管が使用されている。
ところが、これら撮像管や蓄積管は真空管であるため大
形であり、而もヒーター等の電力を要し、且つ不安定な
要素をもつという欠点がある。
この発明ばＬ記事情に鑑みなされたもので、小形にして
真空を必要とせず、低電力で而も極めて安定な固体撮像
装置を提供することを目的とする。
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を詳細に説明
する。
上記欠点を改善するためには、いわゆる電極転送素子を
使用した撮像部、蓄積部及び読取部からなる固体撮像装
置が考えられる。
通常、このような電荷転送素子による固体撮像装置では
、撮像時間は標準テレビ方式に従ってほぼ１フレーム即
ち１／３０秒であり、これを転送した後同じ時間１／３
０秒で読取る。
即ち、撮像と読取りは同一時間で行われる。
ところが狭帯域伝送のためには読取りは低速で行なう必
要があり、この時間は約１秒より数１０秒に及ぶ。
従って撮像をこの時間で行なえ−ば、動いている被写体
像は重畳するため著しく画質を損じ実用に供し青ない。
そこでこの発明では狭帯域伝送を円滑に行なうために次
のように構成している。
即ち、この発明の固体撮像装置（・１第１図に示すよう
に構成され、電荷転送素子を使用した撮１象部１、蓄積
部２伎び読取部３からなり、図中４はリード線であす、
５はゲート、６はチャンネルストップである。
そして、この発明で（・１撮像時間を１．．７３０秒と
し２、これを転送１〜で蓄積し７た後希望の時間例え（
」：１秒〜１０秒で読取る。
、又、高速で移動する或いは動く被写体に交且／Ｃは、
その速さに苅応した撮１象時間例え（１１／１０００秒
等の短時間に設定する。
そし７て転送後に撮像部１に入射する像による信号が発
生しているので、次の撮像時間１での間の蓄積電荷は不
必要となる。
どころで動作方法としては次のような２つの方法が考え
られる。
第１の方法は光学的方法でシャッターを用いて１／３０
秒の露出時間だけ撮像し、読取りの周期に同調してシャ
ッターの開閉を行なう。
第２の方法は電気的な方法で］７３０秒の撮像後、これ
を転送し、次の読取り周期寸での間、生じた電荷像を消
去する。
この消失法として１つの方法は、第２図に示すように読
取部３と反対側に消去用電極７を設け、不要の電荷像を
逆に転送して消去用電極７に流すものである。
この発明の固体撮像装置は上記説明及び図示のように構
成されているので、小形にして真空を必要とせず、低電
力で而も極めて安定である。
そしてこの発明の装置では、１／３０秒内で実質的に静
止している被写体像は低速走査で読取られて電話線等で
伝送することが可能である。
又、必要な画像以外のものは、なんら他に影響なく消去
することができる。
尚、上記実施例では撮像部１吉苓積部２の畢−ゝの部分
よりなる装置で説明したが、撮像素子と電荷転送素子が
並列で動作する型でも同様のことが可能である。
以上説明したようにこの発明によれば、実用的価値大な
る固体撮像装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例に係る固体撮像装置を示す
構成図、第２図は第１図の装置に不要電荷消去手段を設
けた例を示す概略構成図である。 １・・・撮像部、２・・・蓄積部、３・・・読取部。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 撮像部と、この撮像部に隣接しで１没けられこの撮
    「象部に才、・ける信号電荷が所定時間だけ転送される
    蓄積部と、この蓄積部に隣接し７て設けら：ｔ′Ｆこの
    蓄積部に蓄積されている信号電荷を前詔所定の時間より
    も長い時間で低速走査して読取る読取部と、上記撮像部
    に文゛」シ上記蓄、債部及び読取部とは反対側に隣接し
    て設けられＩ＝Ｔｉ開最鐵部にち・ける不要電荷を流出
    させる消去用電極とを具ｆ）ｍ したことを特徴とする
    電荷転送素子を使用ｊ〜た固体撮像装置。
JP50156935A 1975-12-25 1975-12-25 コタイサツゾウソウチ Expired JPS5827712B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP50156935A JPS5827712B2 (ja) 1975-12-25 1975-12-25 コタイサツゾウソウチ
US05/937,184 US4245164A (en) 1975-12-25 1978-08-28 Solid state image pickup device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP50156935A JPS5827712B2 (ja) 1975-12-25 1975-12-25 コタイサツゾウソウチ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5279615A JPS5279615A (en) 1977-07-04
JPS5827712B2 true JPS5827712B2 (ja) 1983-06-10

Family

ID=15638555

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP50156935A Expired JPS5827712B2 (ja) 1975-12-25 1975-12-25 コタイサツゾウソウチ

Country Status (2)

Country Link
US (1) US4245164A (ja)
JP (1) JPS5827712B2 (ja)

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5453830A (en) * 1977-10-06 1979-04-27 Toshiba Corp Solide image pickup device
JPS55163882A (en) * 1979-06-06 1980-12-20 Nec Corp System for driving charge transfer element
DE2926867C2 (de) * 1979-07-03 1986-01-02 GAO Gesellschaft für Automation und Organisation mbH, 8000 München Schaltungseinheit
JPS5640372A (en) * 1979-09-10 1981-04-16 Sony Corp Video signal processing unit
JPS5778167A (en) * 1980-11-04 1982-05-15 Toshiba Corp Charge transfer area image sensor
US4696533A (en) * 1981-01-12 1987-09-29 Massachusetts Institute Of Technology Spatial light modulator
US4865427A (en) * 1981-01-12 1989-09-12 Massachusetts Institute Of Technology Spatial light modulator
JPS5810977A (ja) * 1981-07-13 1983-01-21 Sony Corp 固体撮像装置
JPS5848455A (ja) * 1981-09-17 1983-03-22 Canon Inc 電荷転送素子
JPS5847378A (ja) * 1981-09-17 1983-03-19 Canon Inc 撮像素子
JPS5919480A (ja) * 1982-07-26 1984-01-31 Olympus Optical Co Ltd 固体撮像装置
US4631593A (en) * 1982-12-14 1986-12-23 Canon Kabushiki Kaisha Still picture recording apparatus and a solid-state image pickup device suitable for this apparatus
US4523326A (en) * 1983-01-17 1985-06-11 Hughes Aircraft Company Low noise charge coupled imager circuit
US4622596A (en) * 1983-02-21 1986-11-11 Canon Kabushiki Kaisha Image pickup apparatus
JPS59185475A (ja) * 1983-04-06 1984-10-22 Canon Inc 固体撮像素子の駆動方法
JPS59201586A (ja) * 1983-04-28 1984-11-15 Canon Inc 撮像装置
GB8314300D0 (en) * 1983-05-24 1983-06-29 Gen Electric Co Plc Image sensors
JPS6045057A (ja) * 1983-08-23 1985-03-11 Toshiba Corp 固体撮像装置の製造方法
US4590505A (en) * 1984-01-10 1986-05-20 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Three dimensional optical receiver having programmable gain sensor stages
FR2566219B1 (fr) * 1984-06-15 1989-04-28 Sfim Procede et dispositif pour l'exploration d'une fenetre de la zone image d'un dispositif a transfert de charges du type a transfert de trames
JPS6165577A (ja) * 1984-09-05 1986-04-04 Fuji Photo Film Co Ltd 画像情報読取方法
US4845568A (en) * 1984-12-18 1989-07-04 Canon Kabushiki Kaisha Image pickup apparatus for selectively storing electrical signals
US4743778A (en) * 1985-03-25 1988-05-10 Nippon Kogaku K. K. Solid-state area imaging device having interline transfer CCD
US4782394A (en) * 1985-06-03 1988-11-01 Canon Kabushiki Kaisha Image pickup apparatus having saturation prevention control modes
NL8600185A (nl) * 1986-01-28 1987-08-17 Philips Nv Ladingsgekoppelde inrichting.
FR2594280B1 (fr) * 1986-02-07 1988-05-27 Aerospatiale Senseur opto-electronique a transfert de charges
JPS62258563A (ja) * 1986-05-01 1987-11-11 Omron Tateisi Electronics Co 静止撮像カメラ
DE3628147C1 (de) * 1986-08-19 1988-01-07 Kappa Messtechnik Gmbh Verfahren zum Aufnehmen und Speichern von Bildern in schneller Folge
JPH07118788B2 (ja) * 1986-10-28 1995-12-18 株式会社東芝 電子スチルカメラ
US4856033A (en) * 1987-03-06 1989-08-08 Sony Corporation Solid state imager device with exposure control with noise reduction
US4912560A (en) * 1988-01-29 1990-03-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Solid state image sensing device
FR2631188A1 (fr) * 1988-05-03 1989-11-10 Thomson Csf Photodetecteur matriciel a transfert de charges avec dispositif integre de filtrage de charges
JP2822393B2 (ja) * 1988-07-30 1998-11-11 ソニー株式会社 固体撮像装置及びその駆動方法
JP3117138B2 (ja) * 1989-09-13 2000-12-11 オリンパス光学工業株式会社 電子スチルカメラとその撮像記録素子
US5272535A (en) * 1991-06-13 1993-12-21 Loral Fairchild Corporation Image sensor with exposure control, selectable interlaced, pseudo interlaced or non-interlaced readout and video compression
US5402459A (en) * 1993-05-10 1995-03-28 Texas Instruments Incorporated Frame transfer image sensor with electronic shutter
JP3318814B2 (ja) * 1995-03-15 2002-08-26 ソニー株式会社 固体撮像装置及びその駆動方法
US6812960B1 (en) * 1997-11-07 2004-11-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Photoelectric transducer and solid-state image pickup device
JP2006106162A (ja) * 2004-10-01 2006-04-20 Fuji Photo Film Co Ltd 画像読取装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4847215A (ja) * 1971-10-15 1973-07-05

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3654499A (en) * 1970-06-24 1972-04-04 Bell Telephone Labor Inc Charge coupled memory with storage sites
US3931463A (en) * 1974-07-23 1976-01-06 Rca Corporation Scene brightness compensation system with charge transfer imager
US3995260A (en) * 1975-01-31 1976-11-30 Rockwell International Corporation MNOS charge transfer device memory with offset storage locations and ratchet structure
US4010319A (en) * 1975-11-20 1977-03-01 Rca Corporation Smear reduction in ccd imagers
US4032976A (en) * 1976-04-16 1977-06-28 Rca Corporation Smear reduction in ccd imagers

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4847215A (ja) * 1971-10-15 1973-07-05

Also Published As

Publication number Publication date
US4245164A (en) 1981-01-13
JPS5279615A (en) 1977-07-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS5827712B2 (ja) コタイサツゾウソウチ
US4131919A (en) Electronic still camera
JP2520581B2 (ja) ビデオカメラ
JPH0315391B2 (ja)
US4985775A (en) Electronic still camera system
JPS6013549B2 (ja) 固体撮像装置の雑音除去回路
JP2016096459A (ja) 撮像装置及び撮像方法
JPS59278A (ja) 電子スチルカメラ
JP2000138868A (ja) 撮像装置及びその制御方法
JPH0332266B2 (ja)
JPS60125079A (ja) 固体撮像素子の駆動方法
JP3831418B2 (ja) 撮像装置
JPS5752037A (en) Photographing confirmation device
JP3091728B2 (ja) 画像記録方法及び撮像装置
JPS58127476A (ja) 固体撮像装置
JPS6338918B2 (ja)
JP3103578B2 (ja) 電子スチルカメラ
JP2993292B2 (ja) 撮像装置
JPS62271565A (ja) 固体撮像装置
JPS5863276A (ja) 固体撮像装置の駆動方法
JP2867025B2 (ja) カメラ
JP2000278612A (ja) 撮像装置及び撮像装置のメカシャッタ応答遅れ測定方法
JPS6025390A (ja) 電子カメラ装置における撮像方式
JPH057345A (ja) 撮像装置
JPS5919472A (ja) 固体撮像素子を用いた高速度カメラ