JPS5810977A - 固体撮像装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電荷転送素子を用いて構成された固体撮像装置
に関し、特に、基本的にはインターライン転送型で、信
号電荷の垂直転送部への読出し及び垂直転送部での転送
に先立ち、垂直転送部に於ける不用電荷の掃出し転送が
される固体撮像装置の改良に関するものである。

電荷結合素子（チャージ−カップルド・ディバイス、以
下ＣＯＤと呼ぶ）等の電荷転送素子を用いた固体撮像装
置には、大別して、フレーム転送型とインターライ／転
送型とがある。通常、フレーム転送型は主要構成部とし
て受光・垂直転送部と蓄積部と水平転送部とを有してお
り、インターライン転送型は主要構成部として受光・垂
直転送部と水平転送部とを有すが、フレーム転送型が有
すような蓄積部は有さない。しかしながら、インターラ
イン転送型に於けるスメア現象やプルーミング現象によ
る撮像出力再生画像の劣化を軽減すべく、インターライ
／転送型の受光・垂直転送部と水平転送部との間に、フ
レーム転送型が有す如くの、蓄積部を設けて構成した固
体撮像装置が、インターライ／転送型を発展させたもの
として提案されている。以下、斯かるインターライ／転
送型を発展させた固体撮像装置をハイブリッド転送型固
体撮像装置と呼ぶことにするが、先ずこれについて説明
する。

・・イブリッド転送型固体撮像装置の構成の一例は図面
の第１図に示される如くであり、水平列及び垂直列を形
成して配された複数の受光素子部ｌと受光素子部ｌの垂
直列に沿って配された複数列のＣＣＤ群で形成された垂
直転送部コとを含み、各受光素子部ｌの垂直列とこれに
対応する垂直転送部コとの間の位置に延びる読出ゲート
電極３が配されて成る受光・垂直転送部すと、ＣＣＤ群
で形成された水平転送部夕と、水平転送部Ｓに結合した
出力部６と、受光・垂直転送部グと水平転送部りとの間
に配された他のＣＣＤ群で成る蓄積部７とが設けられて
いる。受光・垂直転送部ｑの蓄積部７側と反対側には、
各垂直転送部コの一端に結合した電荷吸収部ｇが配され
端子ざａから所定のバイアス電圧が印加される。蓄積部
７には各垂直転送部２の他端が結合しており、受光素子
部１１　　の水平列の数に対応する数の蓄積・転送部の
水平列９が形成されている。さらに、出力部６から信号
出力端子６ａが導出されている。垂直転送部コ及び蓄積
部７には、夫々、所定の垂直転送りロック信号が供給さ
れ、また、水平転送部Ｓには所定の水平転送りロック信
号が供給されて電荷転送動作がなされる。そして、例え
ば、ｌフィールド期間内の受光により各受光素子部ｌに
得られた信号電荷が、読出ゲート電極３に印加される読
出クロック信号によって垂直転送部コヘ読み出され、こ
れが垂直転送部コから蓄積部７へ高速垂直転送されて、
受光素子部ｌの各水平列で得られた信号電荷が蓄積部７
の蓄積・転送部の各水平列タヘ移される。この蓄積部７
へ移された信号電荷は、各水平帰線期間に相当する期間
ごとにｌ水平列ワずつ順次水平転送部タヘ転送され、こ
れが各水平映像期間に相当する期間に出力部６へ水平転
送されて、信号出力端子６ａに撮像出力信号が得られる
。

上述の受光・垂直転送部ｑは、より詳細には、第２図Ａ
に示される如く、受光素子部ｔの各垂直列と各垂直転送
部コとの間に読出ゲート部ＩＯが形成され、受光素子部
／の読出ゲート部ＩＯ側とは反対側及び各受光素子部１
間にチャンネル・ストッパー／／が形成されている。第
２図Ｂは第２図ＡのＩ［Ｂ　−ｆｌＢの断面を示し、例
えば、Ｐ形半導体基体ｔ３の一方の表面側に上記各部が
形成されている。そして、絶縁層／＆を介して、読出ゲ
ート部１０上に読出しゲート電極３が、垂直転送部λ上
に垂直転送電極／３が、また、チャンネル・ストツバ−
／／上にチャ／ネル・ストッパー電極／６が、夫々、配
されている。

斯くの如く構成されたハイブリッド転送型固体撮像装置
の例には、例えば、その読出ゲート電極３に第３図Ａに
示される如くの読出クロック信号φ、が供給され、垂直
転送電極には第３図Ｂに示される如くの垂直転送りロッ
ク信号φ７が供給される。先ず、読出クロック信号φ１
が高レベルＶｒｌとなる読出期間Ｔ、に、読出ゲート部
１０の電位が高く（深く）なって受光素子部ｌに蓄積さ
れた信号電荷が読出ゲート部１０を介して垂直転送部コ
ヘ読み出される。次に垂直転送りロック信号φ９が高速
転送りロックψｔの部分となる高速転送期間Ｔｊに、垂
直転送部コヘ読み出された信号電荷が蓄積部７へ高速転
送される。続く電荷蓄積期間Ｔｃには受光素子部ｌは受
光し、入射光量に応じた信号電荷の蓄積をなす。このと
き読出クロック信号φｒは低レベルＶｒ２にあり、読出
ゲート部ｌＯの電位は低く（浅く）なっている。そして
、この期間に、受光素子部ｌと読出ゲート部１０の境界
部に入射した入射光等によシ垂直転送部コに生ずるある
いは漏れ込む電荷や、受光素子部ｌに生ずる信号電荷が
低い電位の読出ゲート部１０が形成する電位障壁を越え
る場合に生ずる、受光素子部ｌから垂直転送部コに流れ
込む過剰電荷は、垂直転送部コを介して電荷吸収部ざへ
伝わり吸収される。次に垂直転送りロック信号φ７が掃
出転送りロックψ８の部分となる掃出転送期間Ｔ８にな
ると、垂直転送部２に存在する不用な電荷が、高速転送
期間Ｔｔに於ける信号電荷の蓄積部７への高速転送の方
向とは逆方向の転送方向をもって、電荷吸収部ｇへと転
送される掃出転送がなされる。そして、再び、読出クロ
ック信号φ１が高レベルＶｒ／となる読出期間Ｔ、とな
シ、受光素子部ｌに蓄積された信号電荷が、掃出転送に
より不用電荷が排出された垂直転送部コヘ、高電位とさ
れた読出ゲート部１０を介して、読み出される４、以下
、上述の動作が繰返される。以上の如くにして、垂直転
送部２に於ける不用電荷の掃出転送、受光素子部ｌに蓄
積される信号電荷の垂直転送部コへの読み出し及び垂直
転送部コへ読み出された信号電荷の蓄積部７への高速転
送が力されるのである。

この場合、受光素子部ｌに信号電荷が蓄積される電荷蓄
積期間Ｔｃに垂直転送部コに生ずるあるいは漏れ込む電
荷や垂直転送部へ流れ込む過剰電荷が電荷吸収部ｇで吸
収され、さらに、信号電荷が受光素子部／から垂直転送
部コヘ読み出されるに先立って垂直転送部２に於ける不
用電荷が掃出されるので、蓄積部７へ転送されるべき信
号電荷に不要な電荷が混入することがなく、しかも、垂
Ｉ　　　直伝送部コに於ける信号電荷の蓄積部７への垂
直転送は高速で短時間になされるので、垂直転送部コが
信号電荷を転送している期間に於ける漏れ電荷や過剰電
荷の流入が極めて少となる。従って、スメア現象やプル
ーミ／グ現象による撮像１？＋力信号による再生画像の
劣化が著るしく軽減されるのである。

しかし々がら、斯かる撮像装置に於いては、上述の如く
、垂直転送部に於ける不用電荷の掃出転送は信号電荷の
蓄積部への垂直転送とは逆方向になされることになるの
で、この互いに逆方向の転送方向をもつ２つの垂直電荷
転送を達成するため、垂直転送電極の構造や垂直転送り
ロック信号の発生及び供給をなす駆動系が複雑になる欠
点がある。

部へ読み出されるに先立って行なわれる垂直転送部に於
ける不用電荷の掃出転送が、信号電荷の垂直転送部から
蓄積部への垂直転送の方向と同一の転送方向をもってな
されるように、された、改良されたノ・イブリッド転送
型固体撮像装置を提供するものである。以下、図面の第
す図以降を参照して本発明の詳細な説明する。

第７図は本発明に係る固体撮像装置の−［ｆｌＪを示し
、この９１１に於いては、水平列及び垂直列を形成して
配された複数の受光素子部２／と受光素子部ｌの各垂直
列に沿って延びる、ＣＣＤ群で形成された垂直転送部２
２とを含み、各受光素子部２１の垂直列とこれに対応す
る垂直転送部−との間の位置に延びる読出ゲート電極２
３が配されて成る受光・垂直転送部２すと、ＣＣＤ群で
形成された水平転送部コＳと、水平転送部ｘｙに結合し
た出力部２６と、受光・垂直転送部２弘と水平転送部２
りとの間に配された他のＣＣＤ群で成る蓄積部２７とが
設けられている。受光・垂直転送部２ケの蓄積部２７側
と反対側には、各垂直転送部２２の一端に結合した電荷
吸収部２ｇが配され端子２ｇａから所定のバイアス電圧
が印加される。蓄積部２７には各垂直転送部２２の他端
が結合しており、受光素子部２１の水平列の数に対応す
る数の蓄積・転送部の水平列２９が形成されている。さ
らに、出力部２６から信号出力端子２Ａａが導出されて
いる１１図示はしないが、受光・垂直転送部２す及び蓄
積部２７には、夫々、所定の垂直転送電極が設けられ、
また、水平転送部２５には所定の水平転送電極が設けら
れており、これら各電極の夫々に所定の転送りロック信
号が供給されて電荷転送がなされる。

斯かる構成のもとに於ける、撮像出力信号を発生するだ
めの信号電荷の取扱いは第１図に示される撮像装置と同
様であり、受光時に入射光量に応じて各受光素子部２／
に得られた信号電荷が、読出ゲート電極２３に印加され
る読出クロック信号によって垂直転送部２２へ読み出さ
れ、これが垂直転送部２２から蓄積部２７へ高速垂直転
送されて、受光素子部コｌの各水平列で得られた信号電
荷が蓄積部２７の蓄積・転送部や各水平列２ｑへ移され
る。この蓄積部２７へ移された信号電荷は、各水平帰線
期間に相当する期間ごとにｌ水平列２ｑずつ順次水平転
送部２Ｓへ転送され、これが各水平映像期間に相当する
期間に出力部２乙へ水平転送されて、信号出力端子、２
Ａａに撮像出力信号が得られる。この場合、受光素子部
コ／での信号電荷の蓄積、蓄積信号電荷の垂直転送部２
２への読出し、読み出された信号電荷の蓄積部２７への
垂直転送等の動作の詳細は、第１図の撮像装置の場合と
同様であり、ここでは説明を省略する。

本例にあっては、上述の受光・垂直転送部２’ｌと蓄積
部２７との境界部に沿って付加ゲート電極３０が設けら
れ、受光・垂直転送部２弘の最終段の垂直転送電極が独
立のものとされて掃出用電極３／とされ、さらに、受光
・垂直転送部２グの外部の掃出用電極３１の両端部に対
応する位置に付加電荷吸収部（例えば、拡散層）３２が
形成されている１、これら各電極及び付加電荷吸収部の
位置関係の詳細が第５図の部分拡大図に示されている。

３３は受光・垂直転送部２ｑに配された垂直転送電極で
、受光素子部２１の各水平列に対応して順次配列されて
いる。この例は受光・垂直転送部２ｔＩに於ける電荷の
垂直転送が２相のクロック信号で行なわれる場合で、各
垂直転送電極３３は電荷蓄積電極部３３ａと電位障壁電
極部３．？ｂとから成り、これら垂直転送電極３３には
２相の垂直転送りロック信号φＶ／及びφｖ２が１つお
きに交互に供給される。そして、これらの垂直転送電極
３３の最終段のものが掃出用電極３１とされており、垂
直転送りロック信号に加えてバイアス電圧ｖｓが供給さ
れる。この掃出用電極３１の位置に対応した位置に付加
電荷吸収部３２が形成されており、端子３２ａから所定
のバイアス電圧が印加される。

掃出用電極３１に隣接して設けられた付加ゲート電極３
θにはバイアス電圧ＶＧが供給される。

３’ｌは蓄積部２７に配された蓄積部転送電極で、蓄積
・転送部の水平列２９の各々に対応して配列されている
。この例は蓄積部２７に於ける電荷転送が３相のクロッ
ク信号で行なわれる場合で、各蓄積部転送電極３１７に
３相の転送りロック信号φ１１　φ２、φ３が順次供給
される。

上述の垂直転送りロック信号φｖ／は第６図Ａに示され
る如く、第３図Ｂに示される垂直転送りロック信号φ７
と同様に、高速転送期間Ｔｔにて高速転送りロックψ１
／を有し、掃出転送期間Ｔ、にて掃出転送りロックψ８
１を有している。但し、この場合、高速転送りロックψ
１／と掃出転送りロックψ３１とは、同方向の垂直電荷
転送を生ぜしめるものとされている。まだ、垂直転送り
ロック信号φ四は、図示しないが、第６図Ａに示された
垂直転送りロック信号φｖ／とは逆相の信号で、高速転
送りロックψｔ２及び掃出転送りロックψＳ２を有して
いる。掃出用電極３１に供給されるノ（イアスミ圧ＶＳ
は、第６図Ｂに示される如く、電荷蓄積期間Ｔ。及び掃
出転送期間ＴＳで高レベルＳ／をとり、その他の期間で
低レベルＳ２をとる。さらに、付加ゲート電極３０に供
給される）（イアスミ圧ＶＣは、第６図Ｃに示される如
く、掃出転送期間Ｔ８に於いて高レベルｇ／をとり、他
の期間では低レベルｇ２をとる。

ここで、信号電荷が受光素子部２１から垂直転送部ユコ
ヘ読尿出されるに先立って行なわれる不用電荷の掃出転
送動作について述べると、読出期ｌｆｆ１　Ｔ　ｒに先
立つ掃出転送期間ＴＳには、各垂直転送電極３３に供給
される掃出転送りロックψ８１及びψｓ２により、垂直
転送部２２中の不用電荷が、信号電荷の蓄積部２７への
高速垂直転送と同一の転送方向をもって掃出転送される
。このとき、掃出用電極３１のバイアス電圧Ｖｓは高レ
ベルＳ／にあるので、との掃出用電極３／の下の垂直転
送部２２の電位は高く（深）〈）、そこに掃出転送され
た不用電荷が集められ、さらに、掃出用電極３１の下に
存在する各垂直転送部２２間の水平方向のチャンネル・
ストッパーの電位も充分高く（深くル女っているので、
この高電位とされたチャンネル・ストッパーを介して付
加電荷吸収部３２に流入して吸収される。このとき、付
加ゲート電極３θのバイアス電圧ＶＧは低レベルｇ２に
あるので、付加ゲート電極３θの下に形成されるゲート
はオフとなっており、不用電荷の蓄積部への漏入が防止
されている。斯くの如くにして、垂直転送部２２に於け
る不用電荷の掃出転送が、信号電荷の蓄積部コクへの垂
直転送の方向と同一の転送方向をもってなされるのであ
る１、また、掃出用電極３１のバイアス電圧Ｖｓは電荷
蓄積期間Ｔｃにあっても高レベルＳ／にあるので、電荷
蓄積期間Ｔｏに垂直転送部２２に流入した過剰電荷は、
掃出用電極３１の下を通じて付加電荷吸収部３２へ伝わ
り吸収され得る。従って、この例の場合、各垂直転送部
２２の一端に結合した電荷吸収部コｇを省略することも
可能である。なお、高速転送期間Ｔｔには掃出用電極３
１は、そのバイアス電圧Ｖ　ｓ　ｌｄ　低レベルｓ２と
なっているので、垂直転送［極３３の最終段として働き
、また、付加ゲート電極３０のバイアス電圧ＶＧが高レ
ベルｇ／をとるので、付加ゲート電極３０の下に形成さ
れるゲートがオンとなっていて、信号電荷の蓄積部２７
への高速垂直転送がなされる。

第７図及び第８図は本発明に係る固体撮像装置の他の例
を示す。第７図及び第８図に於いて、第９図及び第Ｓ図
に示された部分と対応する部分には第９図及び第Ｓ図と
共通する符号を付して詳細説明を省略するも、との例に
於いては、第グ図及Ｉ　　び第Ｓ図の例の付加電荷吸収
部３２に代わって、受光・垂直転送部２ｑの受光素子部
２１の水平列のうちの最終列（蓄積部２７に最も近い水
平列）を形成する受光素子部２１の各々の部分に付加電
荷吸収部３２′が形成されている。この場合にも、垂直
転送部２２の不用な電荷の掃出転送及び掃き出された不
用電荷の吸収、さらに、電荷蓄積時の過剰電荷の吸収が
、第９図及び第Ｓ図のツリと同様にして行われるが、付
加電荷吸収部３２′が掃出用電極３１の下の各垂直転送
部２２に近接して配されているので、不用あるいは過剰
電荷の吸収効果はより大である。また、この例に於いて
も電荷吸収部２ｇを省略することができる。

第を図は、第９図及び第５図に示された本発明に係る固
体撮像装置の例の付加ゲート電極３０、掃出用電極３１
及び付加電荷吸収部３２の設置位置を変えた変形列を示
し、第７０図は、同様に、第７図及び第８図に示された
本発明に係る固体撮像装置の例の付加ゲート電極３ｏ、
掃出用電極、７　／及び付加電荷吸収部３２′の設置位
置を変えた変形列を示す。これら、第９図及び第１θ図
の例に於いては、付加ゲート電極３０が蓄積部２７と水
平転送部２５との境界部に沿って設けられ、また、蓄積
部コアの最終段の転送電極が独立のものとされて掃出用
電極３１とされている。そして、第９図の例では、付加
電荷吸収部３２が蓄積部２７の外部で掃出用電極３１の
両端部に対応する位置に形成され、第１Ｑ図の例では、
付加電荷吸収部３２′が蓄積部２７内の掃出用電極３／
の下方位置に、所定の間隔をもって形成されている。こ
の場合、掃出用電極３１に供給されるバイアス電圧Ｖｓ
は、例えば、第１／図Ａに示される如く、高速転送期間
Ｔｊに於いて高レベル８／を走シ、その他の期間で低レ
ベルｓ２をとるものとされ、また、付加ゲート電極３ｏ
に供給されるバイアス電圧ＶＧは、例えば、第１／図Ｂ
に示される如く、電荷蓄積期間Ｔｃに於いて高レベルｇ
／をとり、その雇の期間で低レベルｇ２をとるものとさ
れる。

斯かる第９図及び第１Ｑ図の例に於いては、掃出転送期
間＋ｐ８には、垂直転送部２２の不用電荷が蓄積部２７
へ転送される。このため、蓄積部２７は掃出転送期間Ｔ
８にも電荷転送動作を行うようＫされる１、そして、高
速転送期間′ｒｔになって信号電荷が垂直転送部２２か
ら蓄積部２７へ転送されるとき、既に、蓄積部に移され
ていた不用電荷はバイアス電圧ＶＳが高レベル８／にな
っている掃出用電極３／の下に集められ、さらにそこを
通じて付加電荷吸収部３２、または、３２′へ流入して
吸収される。このとき付加ゲート電極３θのバイアス電
圧ＶＧは低レベルにあって付加ゲート電極３０の下方に
形成されるゲートはオフとされており、不用電荷が水平
転送部２ｓへ流入するのが防止されている。電荷蓄積期
間Ｔ　ｅ　ＫＦｉ、掃出用電極３１は、そのバイアス電
圧Ｖｓは低レベルｓ２になっているので、蓄積部２７の
転送電極の最終段として働き、また、付加ゲート電極３
θのパイ司ス電圧ＶＣは高レベルｇ／となっているので
、付加ゲート電極３ｏの下方に形成されるゲートはオン
となり、信号電荷の蓄積部コ？から水平転送部２夕への
転送がなされる。

第７２図は本発明に係る固体撮像装置のさらに他の例を
示し、この例では掃出転送された不用電荷を吸収するた
めの付加電荷吸収部が水平転送部２５の端部、例えば、
出力部２乙に隣接して、３Ｓで示される如く、設けられ
ている。３６は出力部２６と付加電荷吸収部３夕との間
に配された付加ゲート電極である。この列では、第９図
及び第７０図の例と同様に、掃出転送期間Ｔｓには、垂
直転送部２２の不用電荷が蓄積部２７へ転送される。そ
して、高速転送期間Ｔｔになって信号電荷が垂直転送部
２２から蓄積部２７へ転送されるときには、水平転送部
２５及び付加ゲート電極３６には高レベルのバイアス電
圧が供給され、既に蓄積部２７に移されていた不用電荷
が水平転送部２り及び付加ゲート電極３６の下に形成さ
れるゲートを介して付加電荷吸収部３５へ流入し吸収さ
れる。電荷蓄積期間Ｔ。には、水平転送部コＳは信号電
荷の水平転送をなし、付加ゲート電極３６のバイアス電
圧は低レベルとされて、付加ゲート電極３６の下に形成
されるゲートはオフとされる。。

以上各種実施例をあげて説明した如く、本発明に係る固
体撮像装置は、改良された・・イブリッド転送型であっ
て、信号電荷の受光素子部から垂直転送部への読出しに
先立つ垂直転送部に於ける不用電荷の掃出転送と信号電
荷の垂直転送部から蓄積部への垂直転送とが、同一の転
送方向をもってなされるようにされているので、転送電
極構造及び転送りロック信号の発生及び供給をなす駆動
系を著しく簡易化することができる。また、付加電荷吸
収部の設置により、受光素子部に信号電荷が蓄積される
電荷蓄積期間に於ける過剰電荷の排除もよシ効果的に行
なわれる。

なお、上述の実施例では受光・垂直転送部の電荷転送が
コ相クロック信号で、また、蓄積部の電荷転送が３相り
ロック信号で行われているが、両部の電荷転送とも、コ
相、３相、ｑ相等のいずれのクロック信号で行われても
よい。

【図面の簡単な説明】

第１図はハイブリッド転送型固体撮像装置の例を示す構
成図、第２図及び第３図は第１図に示される撮像装置の
構造及び動作の詳細説明のために用いる図、第９図は本
発明に係る固体撮像装置の一例を示す構成図、第５図は
第９図に示される例の一部拡大図、第６図は第９図に示
される例の動作説明に用いられる波形図、第７図は本発
明に係る固体撮像装置の他の列を示す構成図、第ざ図は
第７図に示される例の一部拡大図、第９図及び第１０図
は、夫々、本発明に係る固体撮像装置のさらに他の［Ｆ
ＩＪを示す構成図、第１／図は第９図及び第１０図に示
される例の動作説明に用いられる波形図、第１２図は本
発明に係る固体撮像装置のさらに別の例を示す構成図で
ある。 図中、２１は受光素子部、２２は垂直転送部、２’ｌは
受光・垂直転送部、２５は水平転送部、２乙は出力部、
２７は蓄積部、２ｇは電荷吸収部、３０及び３Ａは付加
ゲート電極、３１は掃出用電極、３２．３２′及び３５
は付加電荷吸収部、３３は垂直転送電極、３９は蓄積部
転送電極である。 第２図 第３図 第４１１ 第５図 第６−因 ＠７ＷＡ ・　第ａｌｌ 第９図 第１１図 第１２図 ３６　２６ａ 手続補正書 昭和５６年９月ｇ日 １、事件の表示 昭和５６年特許出願第１０９０Ａ！号 ２、発明の名称　固体撮像装置 ３、補正をする者 事件との関係　　　　特許出願人 住　　所　　　東京部品用区北品用６丁目７番３５号名
　称　　（２ＬＯソニー株式会社 代表者岩間和夫 ４、代　理　人〒１５０ （１）、明細書中、第１３頁１２〜１３行［掃出転送期
間Ｔ　ｓ　、１とあるを［高速転送期間ＴｔＪに訂正す
る。 （２）１図面中、第３図を別紙の通シ補正する。 以上 第３図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 水平列及び垂直列を形成して配された複数の受光素子部
   に得られる信号電荷が、上記受光素子部の垂直列に沿っ
   て延びる垂直転送部へ読み出され、該信号電荷が上記垂
   直転送部から蓄積部へ高速転送され、該蓄積部に転送さ
   れた信号電荷が水平転送部により出力部へ転送されるよ
   うにされて成り、上記信号電荷が上記垂直転送部へ読み
   出されるに先立ち、上記垂直転送部に存在する不用電荷
   が、上記信号電荷の上記蓄積部への転送の方向と同一の
   転送方向をもって掃出し転送されて電荷吸収部へ送られ
   るようにされた固体撮像装置。