KR940005105A - 고체 촬상장치 - Google Patents

고체 촬상장치

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KR940005105A
KR940005105A KR1019930016174A KR930016274A KR940005105A KR 940005105 A KR940005105 A KR 940005105A KR 1019930016174 A KR1019930016174 A KR 1019930016174A KR 930016274 A KR930016274 A KR 930016274A KR 940005105 A KR940005105 A KR 940005105A
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KR
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semiconductor substrate
imaging device
state imaging
conductivity type
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KR1019930016174A
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KR970007400B1 (ko
Inventor
겐이치 아라카와
Original Assignee
사토 후미오
가부시키가이샤 도시바
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Abstract

본 발명은 고체촬상장치의 스미어(smear)를 개선함에 그 목적이 있는 것으로, 이를 위해 본 발명에 있어서는, 고체촬상장치의 신호전하를 이동시키는 전송채널아래의 배리어웰에 저농도영역 또는 배리어웰에 틈을 설치한 구조로 한다
이에 따라, 벌크중에서의 채널의 프린지전계를 부분적으로 높일수 있게 된다. 이것을 전송채널을 따라 형성하고, 신호전하가 높은 프리지(fringe)전계에 의해 채널을 고속으로 이동시키는 경로를 확보하며, 고속동작에서의 신호전하의 전송효율저하를 억제함과 더불어 배리어웰에 의해 스미어정하의 침입을 방지한다.
본 발명에 의하면, 고속으로 동작하는 고체촬상장치의 스미어를 개선할 수 있게 된다.

Description

고체촬상장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본원 발명의 실시예를 나타낸 단면도,
제 2 도는 본원 발명의 다른 실시예를 나타낸 단면도,
제 3 도는 본원 발명의 또다른 실시예를 나타낸 단면도,
제 4 도는 실시예의 전송채널의 깊이 방향에서의 전위분포예를 나타낸 그래프,
제 5 도는 종래 고체촬상장치의 전송채널 부근의 구조예를 나타낸 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : n형 반도체기판 2 : p형 웰
3 : 매립 포토다이오드 4 : 수직전송채널
5 : 배리어웰 6 : 소자분리층
7 : n형 불순물층 8 : 전극

Claims (2)

1도전형의 반도체기판과, 이 반도체기판에 형성되어 입사광량에 따른 신호전하를 발생시키는 상기 반도체기판과 역도전형의 감광화소, 신호전하를 전송하는 상기 반도체기판과 역도전형의 전송채널, 이 전송채널에 전계를 인가하는 전극 및, 상기 반도체기판내에서 발생한 전하가 상기 전송채널로 침입하는 것을 방지하기 위해 상기 전송채널을 덮도록 형성되는 상기 반도체기판과 역도전형의 배리어웰을 구비하고 있고,상기 배리어웰이, 상기 전송채널아래에서 상기 전송채널을 따라 형성된 틈영역 혹은 저불순물농도의 영역을 갖춘 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
제 1 항에 있어서, 상기 틈영역을 갖춘 배리어웰은, 상기 틈영역에 의해 분리된 적어도 2개의 배리어웰의 불순물농도가 다른 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930016274A 1992-08-27 1993-08-21 고체촬상장치 KR970007400B1 (ko)

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JP22867692A JP3160382B2 (ja) 1992-08-27 1992-08-27 固体撮像装置
JP92-228676 1992-08-27

Publications (2)

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KR940005105A true KR940005105A (ko) 1994-03-16
KR970007400B1 KR970007400B1 (ko) 1997-05-08

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Publication number Publication date
US5548142A (en) 1996-08-20
KR970007400B1 (ko) 1997-05-08
JPH0677453A (ja) 1994-03-18
JP3160382B2 (ja) 2001-04-25

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