JP6833430B2 - 固体撮像素子の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 27
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 57
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 25
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 9
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Element Separation (AREA)
Description
12 画素ペア
12L 第1の画素
12R 第2の画素
15 カラーフィルタ
16 周縁部遮光膜
20 レジストパターン
21 L字領域
30 レジストパターン
31 三角形領域
40 レジストパターン
41 交差点図形領域
Claims (4)
- 平面内に複数の画素がマトリックス状に配置された固体撮像素子の製造方法において、
前記複数の画素間を分離する素子分離領域部が平面において交差する平面形状が十字状の交差エリアに対し、前記交差エリアに臨む前記画素における4つの角部の近傍から前記交差エリアの方向へ広がる4つの狭小領域を設けることにより、前記十字状の交差エリアを狭くし、
前記十字状の交差エリアが狭くなったエリアにイオン注入エリアを設定してイオン注入を行うことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。 - 複数の交差エリアに対し、それぞれ個別にイオン注入エリアの広さを設定してイオン注入を行うことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記交差エリアより狭い、前記交差エリアに対応するイオン注入のための開口部を有するレジストパターンを用いてイオン注入を行うことを特徴とする請求項1または2に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 固体撮像素子は、1つのマイクロレンズと、前記1つのマイクロレンズの背後に配置された第1の画素と第2の画素を1組含んで構成される画素ペアである像面位相差画素が、平面において縦方向と横方向に複数隣接して配置された固体撮像素子であることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016188537A JP6833430B2 (ja) | 2016-09-27 | 2016-09-27 | 固体撮像素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016188537A JP6833430B2 (ja) | 2016-09-27 | 2016-09-27 | 固体撮像素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018056241A JP2018056241A (ja) | 2018-04-05 |
JP6833430B2 true JP6833430B2 (ja) | 2021-02-24 |
Family
ID=61837066
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016188537A Active JP6833430B2 (ja) | 2016-09-27 | 2016-09-27 | 固体撮像素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6833430B2 (ja) |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6089940A (ja) * | 1983-10-24 | 1985-05-20 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
KR100215864B1 (ko) * | 1996-06-10 | 1999-08-16 | 구본준 | 씨씨디 영상소자 |
JP2001250931A (ja) * | 2000-03-07 | 2001-09-14 | Canon Inc | 固体撮像装置およびこれを用いた撮像システム |
JP2003255508A (ja) * | 2002-02-28 | 2003-09-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | マスクパターンの補正方法、フォトマスク、露光方法、半導体装置 |
JP2011176715A (ja) * | 2010-02-25 | 2011-09-08 | Nikon Corp | 裏面照射型撮像素子および撮像装置 |
JP5743837B2 (ja) * | 2011-10-07 | 2015-07-01 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、撮像装置および撮像システム |
JP5750394B2 (ja) * | 2012-03-30 | 2015-07-22 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像素子及び撮像装置 |
JP5413481B2 (ja) * | 2012-04-09 | 2014-02-12 | 株式会社ニコン | 光電変換部の連結/分離構造、固体撮像素子及び撮像装置 |
JP2014038937A (ja) * | 2012-08-16 | 2014-02-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP6119184B2 (ja) * | 2012-10-19 | 2017-04-26 | 株式会社ニコン | 固体撮像素子、撮像装置および固体撮像素子の製造方法 |
JP6231741B2 (ja) * | 2012-12-10 | 2017-11-15 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP6355362B2 (ja) * | 2014-02-28 | 2018-07-11 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置および撮像システム |
-
2016
- 2016-09-27 JP JP2016188537A patent/JP6833430B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018056241A (ja) | 2018-04-05 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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