KR950002410A - 고체 촬상 장치 - Google Patents

고체 촬상 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR950002410A
KR950002410A KR1019930012224A KR930012224A KR950002410A KR 950002410 A KR950002410 A KR 950002410A KR 1019930012224 A KR1019930012224 A KR 1019930012224A KR 930012224 A KR930012224 A KR 930012224A KR 950002410 A KR950002410 A KR 950002410A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
photoelectric conversion
conversion region
charge transfer
solid state
image pickup
Prior art date
Application number
KR1019930012224A
Other languages
English (en)
Inventor
이운경
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자 주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019930012224A priority Critical patent/KR950002410A/ko
Priority to DE4422825A priority patent/DE4422825A1/de
Priority to JP6147981A priority patent/JPH0774332A/ja
Priority to FR9408094A priority patent/FR2708147A1/fr
Publication of KR950002410A publication Critical patent/KR950002410A/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/148Charge coupled imagers
    • H01L27/14806Structural or functional details thereof
    • H01L27/14812Special geometry or disposition of pixel-elements, address lines or gate-electrodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035272Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/03529Shape of the potential jump barrier or surface barrier
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627Microlenses
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/148Charge coupled imagers
    • H01L27/14831Area CCD imagers
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

광전변환영역 및 그에 대응하는 마이크로 렌즈의 레이아웃이 변경되어 그 감도특성이 개선된 고체촬상장치가 개시된다.
종래의 단순격자상으로 배열되는 광전변환영역에서는 그 위로 형성되는 마이크로 렌즈의 대각선방향으로 집광효율이 불량하여 이를 개선하는 것이다.
본 발명은 반도체기판의 표면영역에서 복수의 광전변환영역이, 매트릭스상으로 배열되어 있고, 상기 매트릭스상의 인접한 수직열사이에 형성되는 전송채널 방향으로 상호 1/2피치 만큼 이동되어 배치되도록 형성된다.
따라서 비수광부에서의 집광효율이 증대하고 광감도가 매우 향상된다.

Description

고체촬상소자
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제7도는 본 발명의 화소 어레이상에 형성되는 마이크로 렌지의 유효집광면의 배열을 나타내는 개략도, 제8도는 본 발명의 일 실시예에 의한 고체촬상장치의 화소 레이아웃도, 제9도는 상기 제8도의 화소 레이아웃도상에 형성된 마이크로 렌즈의 배열도.

Claims (12)

  1. 반도체기판에 형성된 적어도 하나의 전하전송채널; 및 상기 전하전송채널에 인접하여 위치하되 매트릭스적으로 배열되고, 외부로부터 인가되는 빛을 전하량으로 변환하는 기능을 수행하며, 상기 전하전송채널을 개재하여 상호 인접하게 되는 부분들이 서로 엇갈리어 배열되는 복수의 광전변환영역을 구비하는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 광전변환영역의 표면형상은 사각형인 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 광전변환영역 위로 그에 대응하여 사각형의 마이크로 렌즈가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 광전변환영역의 표면현상은 육각형인 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  5. 제4항에 있어서, 광전변환영역 위로 그에 대응하여 육각형의 마이크로 렌즈가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  6. 반도체기판과, 상기 반도체기판의 포면영역에서 주위와는 다른 도전형으로 이루어지고, 그 표면배열이 매트릭스상으로 되어 있고, 상기 매트릭스상의 인접한 수평열과 수직열로 한정되는 각 면의 중앙부에도 형성되어 인접한 수직열 간에 서로 엇갈린 형태가 되도록 배열되는 복수의 광전변환영역과, 상기 광전변환영역의 각 수직열 사이로 형성되는 복수의 전하전송채널과 그에 대응하여 상기 전하전송채널 위로 절연되어 형성된 복수의 전하전송전극을 구비하여 이루어진 전하전송수단과, 상기 광전변환영역만이 노출되도록 상기 전하전송전극 위로 절연되어 형성되는 차광층, 및 상기 차광층 및 광전변환영역 위로 평탄화층을 게재하여 각 광전변환영역 위로 대응되어 형성된 복수의 집광수단을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 광전변환영역은 상기 반도체기판의 표면영역에 다른 도전형의 불순물이 주입되어 형성된 웰의 내부에 형성되고 상기 반도체기판과 동일한 도전형으로 된 것임을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  8. 제6항에 있어서, 상기 전하전송채널은 반도체기판내에 매몰된 매몰형인 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  9. 제6항에 있어서, 상기 광전변환영역 칼러필터층이 형성되어 있으며 그 표면도 평탄화층으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  10. 제6항에 있어서, 상기 집광수단은 마이크로 렌즈인 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  11. 제6항에 있어서, 상기 광전변환영역은 사각형의 형상을 지니며, 상기 광전변환영역 위로 그에 대응하여 표면이 평탄한 사각형의 마이크로 렌즈가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  12. 제6항에 있어서, 상기 광전변환영역은 육각형의 형상을 지니며, 상기 광전변환영역 위로 그에 대응하여 표면이 평탄한 육각형의 마이크로 렌즈가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930012224A 1993-06-30 1993-06-30 고체 촬상 장치 KR950002410A (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019930012224A KR950002410A (ko) 1993-06-30 1993-06-30 고체 촬상 장치
DE4422825A DE4422825A1 (de) 1993-06-30 1994-06-29 Ladungskopplungs-Festkörperbildsensor
JP6147981A JPH0774332A (ja) 1993-06-30 1994-06-29 Ccd型固体撮像装置
FR9408094A FR2708147A1 (fr) 1993-06-30 1994-06-30 Capteur d'images à semi-conducteur du type à CCD.

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019930012224A KR950002410A (ko) 1993-06-30 1993-06-30 고체 촬상 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR950002410A true KR950002410A (ko) 1995-01-04

Family

ID=19358461

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019930012224A KR950002410A (ko) 1993-06-30 1993-06-30 고체 촬상 장치

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JPH0774332A (ko)
KR (1) KR950002410A (ko)
DE (1) DE4422825A1 (ko)
FR (1) FR2708147A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100322701B1 (ko) * 1997-12-25 2002-06-20 미다라이 후지오 광전변환장치및촬상장치와이를사용한오토포커스카메라

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5903039A (en) * 1997-07-15 1999-05-11 Hewlett-Packard Company Enhanced-light-collection-efficiency sensor
US6024855A (en) * 1997-08-15 2000-02-15 Sachem, Inc. Electrosynthesis of hydroxylammonium salts and hydroxylamine using a mediator
JP4497688B2 (ja) * 1999-09-27 2010-07-07 富士フイルム株式会社 固体撮像装置
JP4199387B2 (ja) 1999-10-07 2008-12-17 富士フイルム株式会社 電荷転送路およびそれを用いた固体撮像装置
JP2001244451A (ja) * 2000-02-29 2001-09-07 Fuji Film Microdevices Co Ltd 固体撮像装置
GB0029947D0 (en) 2000-12-08 2001-01-24 Sgs Thomson Microelectronics Solid state image sensors and microlens arrays
TW540157B (en) * 2001-05-31 2003-07-01 Konishiroku Photo Ind CMOS image sensor
KR100444496B1 (ko) * 2001-12-31 2004-08-16 주식회사 하이닉스반도체 씨모스 이미지센서의 단위 화소 레이아웃
KR100674925B1 (ko) * 2004-12-07 2007-01-26 삼성전자주식회사 허니콤 구조의 능동 픽셀 센서
JP5504763B2 (ja) * 2009-09-02 2014-05-28 株式会社ニコン レンズアレイ及び光学系
JP6035744B2 (ja) * 2012-01-10 2016-11-30 凸版印刷株式会社 固体撮像素子
KR102554417B1 (ko) * 2018-06-18 2023-07-11 삼성전자주식회사 이미지 센서

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2208256B (en) * 1983-04-15 1989-07-26 Philips Electronic Associated Infra-red radiation imaging devices and systems
JPS6066587A (ja) * 1983-09-21 1985-04-16 Toshiba Corp Νtsc方式用固体撮像素子装置
JPS63172219A (ja) * 1987-01-12 1988-07-15 Fujitsu Ltd イメ−ジセンサ
JPH0258983A (ja) * 1988-08-24 1990-02-28 Oki Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置
KR960000223B1 (ko) * 1990-11-16 1996-01-03 가부시키가이샤 도시바 고체촬상장치 및 그 제조방법
EP0510267A1 (en) * 1991-04-24 1992-10-28 Gec-Marconi Limited Imaging array devices and staring array imaging systems

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100322701B1 (ko) * 1997-12-25 2002-06-20 미다라이 후지오 광전변환장치및촬상장치와이를사용한오토포커스카메라

Also Published As

Publication number Publication date
FR2708147A1 (fr) 1995-01-27
JPH0774332A (ja) 1995-03-17
DE4422825A1 (de) 1995-01-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102553314B1 (ko) 이미지 센서
KR100775058B1 (ko) 픽셀 및 이를 이용한 이미지 센서, 그리고 상기 이미지센서를 포함하는 이미지 처리 시스템
US6710370B2 (en) Image sensor with performance enhancing structures
US4558365A (en) High-resolution high-sensitivity solid-state imaging sensor
US6448596B1 (en) Solid-state imaging device
US7816755B2 (en) Photoelectric conversion device with isolation arrangement that reduces pixel space without reducing resolution or sensitivity
JP2016127264A (ja) 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器
KR940027509A (ko) 오버-플로우 드레인(ofd)구조를 가지는 전하결합소자형 고체촬상장치
KR940006391A (ko) 고체촬상장치
CN1838419B (zh) 固态成像器件
KR100820520B1 (ko) 고체촬상장치
KR910008848A (ko) 컬러고체촬상소자
KR950002410A (ko) 고체 촬상 장치
WO2016104177A1 (ja) 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器
US11183526B2 (en) Image sensor
US5055900A (en) Trench-defined charge-coupled device
US5488239A (en) Solid state image sensor with shaped photodiodes
US8773559B2 (en) Solid-state imaging device and method of manufacturing the same, and imaging apparatus
CN113691748A (zh) 具有低色串扰的高动态范围分割像素cmos图像传感器
US5349215A (en) Antiblooming structure for solid-state image sensor
US6528831B2 (en) Solid-state image pickup device
JP4236168B2 (ja) 固体撮像装置
KR0147684B1 (ko) 고체촬상소자
KR101154389B1 (ko) 픽셀 및 이를 이용한 이미지 센서, 그리고 상기 이미지센서를 포함하는 이미지 처리 시스템
JP2940499B2 (ja) 固体撮像素子

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
WITB Written withdrawal of application