JPH0258983A - 固体撮像装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、固体撮像装置に関するもので、特（こＣＯ
Ｄ型エリアセンサの構造に関するものである。

（従来の技術） 固体撮像装置は、画像を入力するための有力な手段とし
て注目され、例えばビデオカメラから高度な画像処理装
置に至るまで広く利用されている。このような固体撮像
装置は、電荷転送方式により分類出来、ＣＣＤ型とかＭ
ＯＳ型と称されるものが良く知られている。ここではイ
ンターラインＣＣＤ型の従来の固体撮像装置につき簡単
に説明する。

先ず、３層のポリシリコンを用いたものが知られていた
。この種の固体撮像装置は、トランスファーゲート用に
１層、垂直ＣＯＤの電極用に２層、合計３層のポリシリ
コンが使、用されているもので、またフォトダイオード
、トランスファーゲート、垂直ＣＯＤ、水平ＧＣＤ等が
形成された以外の領域にはＬＯＣＯＳ法による厚い酸化
膜（フィールド酸化膜）が形成されているものであった
。そしてフォトダイオードに蓄積された電荷が、トラン
スファーゲートをオンすることにより垂直ＣＣＤに読み
出され、さらに水平ＣＯＤに転送され画像処理部に送ら
れる。しかしこの種の固体撮像装置は、フィールド酸化
膜の占める領域が多いため微細化が困難であり、また工
程も多くさらに表面段差も大きくなるので製雪の信頼性
を悪化させる要因を多く含んでしまう。このため、改良
か望まれていた。

その改良結果の一例として以下に説明するような２層ポ
リシリコンを用いた固体撮像装置があった。第８図（Ａ
）はその代表的な構造を概略的に示した平面図であり、
第８図（Ｂ）は第８図（Ａ）に示した装Ｍを同図のＩ−
Ｉ線に沿って切って示した断面図である。

両図において、１１で示すものはフォトダイオードＣＰ
、Ｄ）　、＋３で示すものは垂直ＣＯＤとなるＮ領域、
１５で示すものは第一のポリシリコン層、１７で示すも
のは第二のポリシリコシ層、１９で示すものはフィール
ド酸化膜である６また第８図（Ｂ）中２１で示すものは
Ｎ型シリコン基板１．２３で示すものはＰウェル層であ
る。この固体撮像装置は、トランスファーゲート（Ｔ、
Ｇ）　を垂直ＣＣＤの転送ゲートと兼ねた構造とするこ
とでポリシリコン層を２層にしたもので、垂直ＣＯＤの
クロックを転送時の２値とフォトダイオードからの電荷
読み出し時の１Ｊａとの合計３＠とする（電位が３＠に
変化するクロック信号を用いる）ことによって２層ポリ
シリコン構造を実現している。ざらに転送時に用いる２
値のクロックの一方または双方を負電位にすることによ
って、垂直方向で＋ａ接するセル間の分Ｎをポリシリコ
ン配線自体で行い、フィールド酸化膜の形成領域を減少
させることが出来た。

（発明が解決しようとする課題） しかしながら、第８図を用いで説明した従来の固体撮像
装置では、トランスファーゲートを垂直ＣＯＤの電極で
兼ねているので、垂直ｃｃｏｔ挟む２個のフォトダイオ
ードのうちの一方の電荷のみを垂直ＣＯＤに読み出すよ
うにするためには、この垂直ＣＯＤと他方のフォトダイ
オードとの間にフィールド酸化ｌ！！を形成しこれらの
間を分離しなければならなかった。従ってセル間のフィ
ールド酸化膜を完全になくすことが出来ないという問題
点があった。

ここでフィールド酸化膜の代りにポリシリコンを用いて
分Ｍ％行ったり、トランスファーゲートを別々にするこ
とも考えられるが、これでは３層ポリシリコン構造とな
ってしまうため、工数が増えたり微細化が困難になった
り表面段差が大きくなる等の新たな問題が生じてしまう
。

この発明はこのような点に鑑みなされたものであり、従
ってこの発明の目的は、セル間にフィールド酸化膜１８
：設けることなくセル分離されている固体撮像装置ｌを
提供することにある。また、セル間にフィールド酸化膜
を設けることなく２層の配線によってセル分離されでい
る固体撮像装置を提供することにある。

（課題を解決するための手段） この目的の達成を図るため、この発明によれば、垂直Ｃ
ＯＤアレイと受光素子アレイとか交互に配置されている
インターラインＣＣＤ型の固体撮像装置において、 垂直ＣＣＯアレイ用の電極は別々のクロック信号が供給
されるｎ　１Ｍの電極で構成しであり、個々の受光素子
は、前記ｎｆ１の電極のそれぞれの一部分によって囲わ
れていること を特徴とする。

この発明の実施に当たり、前述の垂直ＣＣＤアレイ用の
電極は、別々のクロック信号が供給される第一〜第四の
４種類の電極としであり、各垂直ＣＣＤアレイ上に第一
電極から第四電極をこの順にサイクリックに配置してあ
りかつｌｌＩ接する垂直ＣＣＤアレイ間では前記配置は
２段分ずらしであり、各垂直ＣＣＤアレイ間では同種の
電極のうち千鳥足状１こ配置された電極同志が受光素子
形成領域を迂回するよう（こ接続しであり、然も、この
迂回方向が第一及び第三電極で同方向、第二及び第四電
極で同方向で、かつ、第一電極と第二電極とで逆方向と
しであるものとするのが好適である。

ざらに、第一電極及び第三電極を同一平面上に設け、そ
の上に第二電極及び第四電極を設けるのが好適である。

（作用） このような構成によれば、受光素子を囲うｎ種の電極の
うちの、この受光素子の電荷を読み出すための垂直ＣＣ
Ｄ用の電極のみを例えばハイレベルにしそれ以外の電極
をローレベル若しくは中間レベルに出来る。このような
信号供１８を行うと、受光素子の電荷は所定の垂直ＣＯ
Ｄ方向以外の方向には移動出来ず閉じ込めが行われ、フ
ィールド酸化膜なしで素子（セル）分離がなされる。ざ
らに垂直ＣＣＯアレイ用の電極のみでセル分離出来るの
でフィールド酸化膜を有していた場合に比し表面段差は
小さくなる。

また、好適実施例によれば垂直ＣＣＤアレイ用の電極は
、互いに異るクロック信号が供給される第一、第二、第
三及び第四電極としてあり、各垂直ＣＯＤアレイ上では
第一電極から第四電極をこの順にサイクリックに配置し
てありかつｗ４接する垂直ＣＣＤアレイ間では前記配置
は２段分ずらしであり、各垂直ＣＣＤアレイ間では同種
の電極のうち千鳥足状に配置された電極同志が受光素子
形成領ｔｉｔ迂回するように接続してあり、然も、この
迂回方向が第一及び第三電極で同方向、第二及び第四電
極で同方向で、かつ、第一電極と第二電極とで逆方向と
しであるので、隣接する受光素子アレイ間では受光素子
が１／２受光素子ピッチ分ずれた配置となる。

さらに、第一電極及び第三電極を同一平面上に設け、そ
の上に前述の第二電極及び第四電極１ｆｒ設けることに
より、積層数を最も減少させるこ、とび出来、フィール
ド酸化膜を設けることなく２層の配線によるセル分離が
可能になる。

（実施例） 以下、図面ヲ誉照しこの発明の固体撮像装置の実施例の
説明を行う。なお以下の説明に用いる各図はこの発明が
理解できる程度に概略的に示しであるにすぎず、従って
、各構成成分の寸法、形状、配＠関係等は図示例のみに
限定されるものでないことは理解されたい、また、各図
において同様な構成成分については同一の符号を付して
示しである。

第二ｌ起倒 先ず、この発明の固体撮像装置の第一実施例の説明を行
う。

〈構造説明〉 Ｍ１図（Ａ）及び（Ｂ）は、第一実施例の固体撮像装置
の構造の説明に供する図であり、第１図（Ａ）はその一
部を示した平面図、第１図（８）は第１図（Ａ）中のＩ
Ｉ　−ＩＩ線に沿って切って示した断面図である。なお
第１図（８）（こおいては図面が複雑化することを回避
するため、断面を示すハツチングは一部省略しである。

先ず、第１図（８）の断面図を参照して実施例の固体撮
像素子の概略構造について説明する。この固体撮像素子
は、半導体基板３１として例えばＰ型のシリコン基板或
いはＮ型のシリコン基板上に形成したＰウェル層３３に
、垂直ＣＣＤアレイ３５の転送路となるＮ領域３５ａと
、受光素子（）オドダイオード）３７のためのＮ領域３
７ａとを具える。なお受光素子３７のためのＮ領域３７
ａの表面をＰ層としても良い。ざらにこの固体撮像装置
は、Ｐウェル層３３上に、垂ａｃｃｏアレイ用電極とし
て別々のクロック信号が供給される０種の電極で構成さ
れた電極３９ヲ具える。この垂直ＣＣＯアレイ用電極電
極の一部がトランスファーゲートをも兼ねており、図中
４１で示す部分がトランスファーゲートになる。なお、
第１図ＣＢ）では３種の電極しか示していないが、この
実施例では垂直ＣＣＤアレイ用電極３９！４ｆｉの電極
で構成しでいる。以下、第１図（Ａ）の平面図を参照し
て、この垂直ＣＣＤアレイ用電極３９の構成を含めた実
施例の固体撮像製雪の特徴部分についての説明を行う。

第１図（Ａ）において、３５ｘ、３５ｙ、３５ｚはそれ
ぞれ垂直ＣＯＤアレイであり、Ｐ＋＋、Ｐ３＋、Ｐ２＋
、Ｐ４＋はそれぞれ受光素子である。垂ＭＣＣＤアレイ
と受光素子アレイは交互に配置しである。垂直ＣＣＤア
レイ用の電極３９は、この実施例の場合、市、で示すク
ロック信号が供給される第一電極（図中Ｉａ、　Ｉｂで
示す。）と、Ｘｔｌｚで示すクロック信号が供給される
第二電極（図中２ａ、２ｂで示す。）と、ゆ３で示すク
ロック信号が供給される第三電極（図中３ａ、　３ｘで
示す。）と、ゆ、で示すクロック信号が供給される第四
電極（図中４ａ、　４にで示す。）とで構成しである。

さらに垂直ＣＯＤアレイ用の電極３９は、各垂直ＣＣＤ
アレイ３５ｘ、３５ｙ。

３５ｚ上においては第一電極から第四電極をこの順にサ
イクリックに配置しであり、かつ、隣接する垂直ＣＯＤ
アレイ間ではこの配では２段分ずらしである。この配置
について図中の構成成分により具体的（こ説明すれば以
下の通りである０例えば垂直ＣＣＤアレイ３５×と垂直
ＣＣＤアレイ３５ｙとに着目した場合、アレイ３５ｘで
はその長手方向で４×−＋　Ｉａ−＋２ａ−＋３ａ−＋
４ａ＋　Ｉｂの順、アレイ３５ｙでは２ａ−＋３×→４
ａ→１ａ→２ｂ→３ａの順というように、両者とも第一
、第二、第三及び第四電極の順で各電極が繰り返し配置
しである。さらに、垂直ＣＣＤアレイ間を見たとき、垂
直ＣＯＤアレイ３５×で例えば第一電極１ａである所が
垂直ＣＯＤアレイ３５ｙでは第三電極３×となっている
ように、電極耐雪が電極２段分ずらしである。

さらに、この垂直ＣＣＤアレイ用電極３９は、各垂直Ｃ
ＣＤアレイ間の同種の電極のうち千鳥足状に配？！！さ
れた電極同志が受光素子を迂回するように接続しであり
、然も、この迂回方向が第一及び第三電極で同方向、第
二及び第四電極で同方向で、かつ、第一電極（第三電極
）と第二電極（第四電極）とで逆方向として昂る。この
接続関係と迂回方向とにつき、図中の構成成分により具
体的に説明すれば以下の通りである。例えばアレイ３５
ｘの第一電極１ａｆこ着目した場合、この第一電極１ａ
はこれから見て右下に位置するアレイ３５ｙの第一電極
１ａとの間を、第二電極２ａの右横に沿って第三電極３
ａの近くまで延びその後アレイ３５ｙの第一電極１ａに
至るように受光素子Ｐｌ＋を迂回する配線で接続しであ
る。ざらにアレイ３５ｙの第一電極１ａは今度はこれか
ら見て右上にあるアレイ３５ｚの第一電極１ａに至るま
でに、第四電極４ａの右側に沿って受光素子Ｐ２＋を迂
回している。第三電極同志の接続関係と迂回方向につい
ても第一電極と同様になっている。一方、例えばアレイ
３５×の第二電極２ａに着目した場合、この電極２ａは
これから見て右上に位置するアレイ３５ｙの電極２ａに
至るまでに第一電極１ａの右側に沿って受光素子Ｐｌ＋
を迂回しており、ざらにアレイ３５ｙの電極２ａは今度
はこれから見て右下にあるアレイ３５ｚに至るまでに第
三電極３ｘの右側に沿って受光素子を迂回している。第
四電極同志の接続関係と迂回方向についても第二電極と
同様になっている。

第２図（Ａ）及び第２図（Ｂ）は、上述の同種の電極同
志の接続関係及び迂回方向を示した電極配線図であり、
第一電極及び第三電極を同一平面上に形成し、その上に
第二電極及び第四電極を形成して垂直ＣＯＤアレイ用電
極電極成する場合の電極配線図であり、第２図（Ａ）は
、第一電極及び第三電極の配線図、第２図（Ｂ）は第二
電極及び第四電極の配線図である。なおこれら図には、
位ＩＦ関係を明確にするため垂直ＣＣＤアレイを破線で
示しである。

このような構成においてＰウェル層３３上に、第２図（
Ａ）に示した配線を先ず形成し、次いで、この上に第２
図（Ｂ）に示した配！Ｓを所定の関係となるように形成
すれば、第２図（Ｃ）に示すような垂直ＣＯＤアレイ用
電極電極ち第１図（Ａ）に示した垂直ＣＣＤアレイ用電
極３９が得られる。

また、第１図（Ａ）からも理解できるように、上述した
ような垂直ＣＣＤアレイ用電極３９によれば、各受光素
子は、第一〜第四電極のそれぞれの一部分■、■、■及
び■によって囲まれる。

なお、装置Ｉを構成するに当たり第一〜第四電極は種々
の導電体で構成出来るが、それぞれをポリシリコン層で
構成し、さらに第一電極及び第三電極を第一層目のポリ
シリコン、第二電極及び第四電極を第二層目のポリシリ
コンで構成するのが好適である。

く動作説明〉 次に第−実施例の固体撮像装置における電荷の読み出し
方法と転送方法とについて説明する。

垂直ＣＣＤアレイはψ１〜ル、の４相のクロック信号で
駆動し、トランスファーゲートは、第二層目の配線であ
る第二電極及び第四電極が兼ねている。従って、第一電
極には電′ｖＩヲ転送するため、電位がＶＭ及びＶＬに
変化するクロック信号ゆ、を与え、第三電極にも電位が
ＶＭ及びＶ、に変化するクロック信号ψ３を与える。こ
の際、第８図を用いて説明したようにＶ工及びＶＬの一
方または双方は負電位とするのが好適である。また、第
二電極には受光素子に蓄積した電荷を垂直ＣＣＤアレイ
側に読み出すための電位ｖＨと、電荷を転送するための
電位ＶＭ及びｖＬとの合計３つの電位に変化するクロッ
ク信号ψ２を与え、第四電極にも電位がＶＬ、ＶＭ及び
ｖＨに変化するクロック信号ψ−を与える。

第３図（Ａ）〜（Ｄ）及び第４図（Ａ）〜（Ｄ）は、動
作例の説明に供する信号波形図であり、フィールド蓄積
モードで電荷を読み出す場合の垂直ＣＯＤアレイ電極に
供給するクロツウ信号のタイミングチャートである。こ
こで、第３図（Ａ）〜（Ｄ）は第一フィールドのタイミ
ングチャート、第４図（Ａ）〜（Ｄ）は第二フィールド
のタイミングチャートである。これらの信号条件では、
時刻ｔ、とｔ２の間においてψ２がｖＮレベル（例えば
１２ｖ）であり他の信号はＶＬＮレベル例えば−６Ｖ）
であるため、例えば第２図（Ｃ）のＰ３１で示す受光素
子に蓄積された電荷は電極ひのみに読み出される。これ
は、受光素子Ｐ３１１Ｆ！：囲む電極のうちの電極佳以
外の電極１ａ、３ａ。

及び知が共にＶＬＮレベルありこれら電極の方向には電
荷が移動しないためである０時刻ｔ２がら’１４１２　
％　Ｖ　Ｍレベルにした後、時刻ｔ３で今度はル、をＶ
。レベルにすると、例えばｐａｔで示す受光素子に蓄積
された電荷は電極仙のみに読み出されるにれは、受光素
子ＰＳ＋を囲む電極のうちの電極仙以外の電極が共にｖ
Ｍ或いはＶＬＮレベルありこれら電極の方向には電荷が
移動しないためである。

次ｆこ、時刻ｔ４と時刻ｔ、との闇では、第一フィール
ドではψＩをｖＭレベル（例えばＯＶ）にし例えば受光
素子Ｐ３１から読み出された電荷と受光素子Ｐａ、かう
読み出された電荷とを混合し以後順次転送する。一方、
第二フィールドでは時刻ｔ４と時刻ｔ５との間でψ３を
ＶＭレベルｌこし今度は受光素子Ｐ＋＋かう読み出され
た電荷と、受光素子Ｐ３＋から読み出された電荷とを混
合し順次転送する。

ところで、第一実施例の固体撮像装置は、通常の使用に
あたって問題が生じることはないが、例えばｖＨレベル
を非常に高い値に設定した場合に、電荷を移動させるパ
ス（経路）が所望としない領域に生じてしまうことがあ
る。これについて第５図（Ａ）及び（Ｂ）を参照して説
明する。

上述したようなりロック信号によって電荷の読み出しを
行う隙、時刻１＋と時刻ｔ２との間においては庫２が■
、レベルでありそれ以外のクロ・νりは全てＶＬＮレベ
ルあるので、第５図（Ａ）中に斜線矢印で示すように、
電荷は必ず所定の垂直ＣＯＤに転送される。しかし、時
刻ｔ３と時刻ｔ４との間においてψ４をＶＨレベルとし
、ゆ。

の信号で電荷読み出しを行った受光素子以外の受光素子
の電荷を垂直ＣＧＤＩこ読み出す際にこのｖＨのレベル
が非常１こ高いと、第５図（Ｂ）中１こ黒い太線の矢印
で示すような不要なパスが出来てしまう可能性がある。

このような不要なパスが出来ると、再生画像が乱される
ことになるのでその対策を構じたほうが好ましい、従っ
てこの対策を施した固体撮像装置につき以下の第二実施
例の項において説明する。

募；」む起倒 第二実施例の固体撮像装置は、上述のような不要なパス
の発生を極力抑えるような対策をとることにより、Ｖ９
レベルを高いものに出来、従って動作マージンの広い固
体撮像装置を提供することを目的とする。そして、その
具体的な対策は、垂直ＣＯＤアレイ用電極電極ターン形
状を工夫することによって行っている。しかしパターン
の工夫以外については第一実施例のものと同様であるの
で、以下第一実施例との相違点を中心にして説明を行う
。

第６図（Ａ）は、第二実施例での第一電極及び第三電極
の配線図であり、第一実施例の第２図（Ａ）に示した配
線図に対応するものである。また策６図（８）は、第二
実施例での第二電極及び第四電極の配線図であり、第一
実施例の第２図（８）に示した配線図に対応するもので
ある。第二実施例の配線の第一実施例のものとの相違点
は、各垂直ＣＯＤアレイ間の同種の電極のうち千鳥足状
に配置された電極同志を受光素子形成＠域を迂回するよ
うに接続する際の迂回の程度が第一実施例のものより大
きいことである。第６図（Ａ）及び（Ｂ）においで、６
１で示した部分（斜線部分）が迂回距離を長くしている
部分である。

この電極の引き回し部分６１が、異るクロ・ンク信号が
供給されている他の電極の横にまで達していることが分
る。図中の構成成分により具体的に説明すれば、第一電
極１ａからの配線は、右下にある別の第一電極１ａに至
るまでに第二電極２ａの横を通り過ぎざらに第三電極３
ａの横を通り受光素子形成領域を大きく回り込んでいる
。第二電極及び第四電極間においても同様な引き回しを
行っである。

このような構成においてＰウェル層３３上に、第６図（
Ａ）に示した配線を先す形成し、次いで、この上に第６
図（Ｂ）に示した配線を所定の関係となるように形成す
れば、第６図（Ｃ）に示すような垂直ＣＣＤアレイ用電
極を得ることが出来る。この場合においても、受光素子
は５、第一〜第四電極のそれぞれの一部分■、■、■及
び■によって囲まれる。

なお、第二実施例の固体撮像装置の動作方法及び動作原
理は第−実施例と同様であるのでその説明は省略する。

ここで、第二実施例の固体撮像装置にあける電荷の移動
に供するバスについて考えてみると、卸２がＶＨレベル
のときは、第７図（Ａ）に示すように所定の垂直Ｃ−Ｃ
０に電荷は移動する。また、ゆ、がＶＨレベルの場合は
、第７図（Ｂ）にＱて示す矢印のようなパスが生しるが
、その長ざは垂直ＣＣＤ１段分の長さを持ち第一実施例
の場合の約２倍になるし、またこのバス上にクロック信
号ＮＪ）２が供給されている第二電極が横切っているた
めこの第二電極によって電位が固定される。

従って、このバスが有効になることは考えられないため
、電荷が所定の垂直ＣＯＤ以外の領域に移動することが
ないから、■）、レベルを高くすることが出来る。

（発明の効果） 上述した説明からも明らかなように、この発明の固体撮
像装置によれば、フィールド酸化膜或いはアイソレーシ
ョン用ポリシリコンを用いず、垂直ＣＣＤアレイ用の電
極のパターン形状を工夫しこれによって素子（セル）分
離を行っている。

従って、能動領域が増える。また、垂直ＣＯＤアレイ用
電極電極ター二〉グは、フィールド酸化膜を素子分離と
する場合より高精度に行えるので、装置の儂細化が可能
である。また、表面段差は垂直ＣＣＤ用電極によるもの
のみであるので従来より小さくなるため、遮光パターン
やカラーフィルタ等を実装する際に行う段差の平坦化が
容易になる。さらにステップカバレージの問題等も軽減
されるため、製雪の信頼性も高まる。

また、受光素子（画素）ピッチが、受光素子アレイ−列
毎に、１／２画素ピッチ分ずれでいるので画素補間配置
となり、この結果垂直方向の解像度を高めることが出来
る。

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）及び（Ｂ）は、この発明の第一実施例の固
体撮像装置を概略的に示す平面図及び断面図、 第２図（Ａ）は、第一実施例の垂直ｃｃＤアレイ用電極
電極部の第一電極及び第三電極の配線図、 第２図（８）は、第一実施例の垂直ＣＣＤアレイ用電極
の一部の第二電極及び第四電極の配線図、 第２図（Ｃ）は、第−実施例の垂直ＣＣＤアレイ用電極
の説明図、 第３図（Ａ）〜（Ｄ）及び第４図（Ａ）〜（Ｄ）は、実
施例の固体撮像製雪の動作例の説明に供する信号波形図
、 第５図（ハ）及び（Ｂ）は、第一実施例にあけるクロ・
ンク信号の電圧状態に応じた電荷の移動の説明図、 第６図（Ａ）は、第二実施例の垂直ＣＣＤアレイ用電極
の一部の第一電極及び第三電極の配線図、 第６図（８）は、第二実施例の垂直ＣＯＤアレイ用電極
電極部の第二電極及び第四電極の配線図、 第６図（Ｃ）は、第二実施例の垂直ＣＣＤアレイ用電極
の説明図、 第７図（Ａ）及び（８）は、第二実施例におけるクロッ
ク信号の電圧状態１こ応じた電荷の移動の説明図、 第８図（Ａ）及び（Ｂ）は、従来技術の説明に供する図
である。 ３１・・・半導体基板、　　　３３・・・Ｐウェル層３
５、３５ｘ、　３５ｙ、　３５ｚ−垂直ＣＣＤアレイ３
７、Ｐ＋　１．Ｐ３１．Ｐ５１．Ｐ２＋、Ｐｄ２．Ｐ＋
２．Ｐ３２．Ｐ５２・・・受光素子（フォトダイオード
） ３５ａ、３７ａ　−Ｎ領域 ３９・・・垂直ＣＣＤアレイ用電極 ４１・・・トランスファーゲート ｌａ、　Ｉｂ・・・垂直ＣＣＤアレイ用電極の第一電極
２ａ、２ｂ　・・・垂直ＣＣＤアレイ用電極の第二電極
３ａ、　３ｘ・・・垂直ＣＣＤアレイ用電極の第三電極
４ａ、４ｉ”・垂１ｉｉｉＣＣＤアレイ用電極の第四電
極６１・・・電極の迂回路Ｍを長くしている部分。 ３１：半導体基板 ３３：Ｐウェル層 ３５：垂直ＣＣＤアレイ ３７、受光素子（フォトダイオード） ３５ａ、　３７ａ　：　Ｎ領域 第−実施例の固体撮像装置を示す断面同第１ 図 （Ｂ） 第−実施例の垂直ＣＣＤアレイ用電極の説明図筒２ 図 （Ｃ） −ラ ラ ラ ラ Ｈ ｔｌａ Ｈ ｔｌ。 ｔう ｔｌ ｆ＋。 動作例の説明に供する信号波形図 第３ 図 ＶＨ ｔ ｔｏ。 ｖ。 動作例の説明に供する信号波形図 第４ 図 ５Ｘ ５ｙ 第−実施例のΦ４がｖＨの時の電荷の移動の説明図箱５ 図 （Ｂ） ５ｘ ５ｙ 第−実施例の′１１Ｊ２がＶＨの時の電荷の移動の説８
月図第５ 図 （Ａ） 第６ 図 （Ｃ） 第７ 図 （Ａ）

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）垂直ＣＣＤアレイと受光素子アレイとが交互に配
   置されているインターラインＣＣＤ型の固体撮像装置に
   おいて、 垂直ＣＣＤアレイ用の電極は別々のクロック信号か供給
   されるｎ種の電極で構成してあり、個々の受光素子は、
   前記ｎ種の電極のそれぞれの一部分によって囲まれてい
   ること を特徴とする固体撮像装置。
2. （２）前記垂直ＣＣＤアレイ用の電極は、 別々のクロック信号が供給される第一〜第四の４種類の
   電極で構成してあり、及び 各垂直ＣＣＤアレイ上では前記第一電極から第四電極が
   この順にサイクリックに配置してありかつ隣接する垂直
   ＣＣＤアレイ間では該配置が２段分ずらしてあり、 各垂直ＣＣＤアレイ間では同種の電極のうち千鳥足状に
   配置された電極同志が受光素子形成領域を迂回するよう
   に接続しであり、然も、該迂回方向が第一及び第三電極
   で同方向、第二及び第四電極で同方向で、かつ、第一電
   極と第二電極とで逆方向としてあること を特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
3. （３）前記第一電極及び第三電極を同一平面上に設け、
   その上に前記第二電極及び第四電極を設けた請求項２に
   記載の固体撮像装置。