JPS61218167A - ラインセンサ - Google Patents
ラインセンサInfo
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- JPS61218167A JPS61218167A JP60058521A JP5852185A JPS61218167A JP S61218167 A JPS61218167 A JP S61218167A JP 60058521 A JP60058521 A JP 60058521A JP 5852185 A JP5852185 A JP 5852185A JP S61218167 A JPS61218167 A JP S61218167A
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- Japan
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- insulating layer
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- wiring
- wirings
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はラインセンサに係り、特に複数個のセンサエレ
メントを１列又は複数列に同一基板上に形成し、各セン
サエレメントからの取り出し配線を積層させて配線した
ラインセンサに関する。
メントを１列又は複数列に同一基板上に形成し、各セン
サエレメントからの取り出し配線を積層させて配線した
ラインセンサに関する。
近年画像処理技術の進歩に伴りて、ファクシミリが急速
に一般に普及しつつあシ、又デジタル複写機やノ譬−ソ
ナルコンビエータの入力用イメージリーダが開発されて
いる。この様な画像をデジタル量として入力する事ので
きる装置においては、画像検出部を画像の一方向に電気
的に走査し、それと垂直な方向に機械的に走査する、い
わゆるラインセンサが必要となる。ラインセンナとして
最も普及しているのはＣＣＤ形ラインセンサであるが、
最近装置全体を小型化するために、光路長の短い自己集
束型７アイパーアレイ（商品名セルフォック）を用いた
原稿幅と同じ長さを持つ密着センサの開発が進んでいる
。密着センナは通常各センナエレメントからの画像情報
を外部に取出すための自己走査機能を持たず、外部に走
査回路を設ける必要がある。各センサエレメントと外部
の走査回路との間には各センサエレメントごとに取り出
し用の配線が必要であるが、高精細度の読み取りを必要
とする場合、又はカラー読み取りを行う場合の様にセン
ナエレメント数が増大すると、個々の配線は極めて細く
なり、断線や隣接した配線間の短絡等の事故が防ぎ得な
い等の問題があった。この問題を解決するものとして第
５図に示した積層構造のラインセンナがある。以下、第
５図を用いて従来の積層構造のラインセンサの構造につ
いて説明する。第５図（、）は平面図を示し、（ｂ）は
平面図（、）のＡＡ’断面の断面図を示す。
に一般に普及しつつあシ、又デジタル複写機やノ譬−ソ
ナルコンビエータの入力用イメージリーダが開発されて
いる。この様な画像をデジタル量として入力する事ので
きる装置においては、画像検出部を画像の一方向に電気
的に走査し、それと垂直な方向に機械的に走査する、い
わゆるラインセンサが必要となる。ラインセンナとして
最も普及しているのはＣＣＤ形ラインセンサであるが、
最近装置全体を小型化するために、光路長の短い自己集
束型７アイパーアレイ（商品名セルフォック）を用いた
原稿幅と同じ長さを持つ密着センサの開発が進んでいる
。密着センナは通常各センナエレメントからの画像情報
を外部に取出すための自己走査機能を持たず、外部に走
査回路を設ける必要がある。各センサエレメントと外部
の走査回路との間には各センサエレメントごとに取り出
し用の配線が必要であるが、高精細度の読み取りを必要
とする場合、又はカラー読み取りを行う場合の様にセン
ナエレメント数が増大すると、個々の配線は極めて細く
なり、断線や隣接した配線間の短絡等の事故が防ぎ得な
い等の問題があった。この問題を解決するものとして第
５図に示した積層構造のラインセンナがある。以下、第
５図を用いて従来の積層構造のラインセンサの構造につ
いて説明する。第５図（、）は平面図を示し、（ｂ）は
平面図（、）のＡＡ’断面の断面図を示す。
１はガラス基板で、その上に光導電体２（例えば非晶質
シリコン）が堆積される。光導電体２には共通電極３及
び個別電極４，５が付けられて、２個のコプラナ型セン
サエレメントが形成される。
シリコン）が堆積される。光導電体２には共通電極３及
び個別電極４，５が付けられて、２個のコプラナ型セン
サエレメントが形成される。
各々のセンサエレメントとガラス基板１との間には異な
る色のフィルタ６．７が介在し、各々のセンナエレメン
トは異なった色に対して感度を持つように形成される。
る色のフィルタ６．７が介在し、各々のセンナエレメン
トは異なった色に対して感度を持つように形成される。
取り出し配線８と９との間には絶縁層３８が設けられて
いる。取り出し配線８及び９には駆動用のＩＣｌ３及び
１４が接続されている。この様な構成においては取り出
し配線が過度に細くなるのを防止する事ができ、ＩＣと
のゲンディングが容易になるメリットを持つ。しかしな
がら、取り出し配線８と９の間に電位差があると、２つ
のセンナエレメントの出力が互いに影響し合う問題点が
ありた。
いる。取り出し配線８及び９には駆動用のＩＣｌ３及び
１４が接続されている。この様な構成においては取り出
し配線が過度に細くなるのを防止する事ができ、ＩＣと
のゲンディングが容易になるメリットを持つ。しかしな
がら、取り出し配線８と９の間に電位差があると、２つ
のセンナエレメントの出力が互いに影響し合う問題点が
ありた。
センナエレメントの駆動方法として、光電流を一定期間
蓄積する方法を取った場合、特に光導電型の大きな光電
流を流せるセンナの場合には、各センナエレメント毎に
充電流蓄積用のコンデンサを設ける必要があるが、この
場合には第６図に示すようにガラス基板１の両端に取り
出し配線９゜１０を引き出し、該取り出し配線９，１０
の下に絶縁層３９．４０をかいして接地電極４１．４２
を設けて、取υ出し配線９と絶縁層３９と接地電極４１
とで一方のコンデンサを形成し、又取り出し配線１０と
絶縁層４０と接地電極４２とで他方のコンデンサを形成
していた。このようなラインセンナはガラス基板の両側
から取り出し配線を砲シ出すために小型化が抑えられ又
取り出し配線をコンデンサの一方の電極として利用する
ために、ラインセンナ全体としては小型化のために出来
るだけ堆シ出し配線を短くする必要があるが、取り出し
配線の長さを短くすると、コンデンサの電極面積が小さ
くなり、前記コンデンサの容量が小さくなってしまう問
題点があった。
蓄積する方法を取った場合、特に光導電型の大きな光電
流を流せるセンナの場合には、各センナエレメント毎に
充電流蓄積用のコンデンサを設ける必要があるが、この
場合には第６図に示すようにガラス基板１の両端に取り
出し配線９゜１０を引き出し、該取り出し配線９，１０
の下に絶縁層３９．４０をかいして接地電極４１．４２
を設けて、取υ出し配線９と絶縁層３９と接地電極４１
とで一方のコンデンサを形成し、又取り出し配線１０と
絶縁層４０と接地電極４２とで他方のコンデンサを形成
していた。このようなラインセンナはガラス基板の両側
から取り出し配線を砲シ出すために小型化が抑えられ又
取り出し配線をコンデンサの一方の電極として利用する
ために、ラインセンナ全体としては小型化のために出来
るだけ堆シ出し配線を短くする必要があるが、取り出し
配線の長さを短くすると、コンデンサの電極面積が小さ
くなり、前記コンデンサの容量が小さくなってしまう問
題点があった。
本発明の目的は上記従来技術の問題点に鑑み、小型で、
取り出し配線間の相互の影響の少ない、高密度化が可能
なラインセンナを提供する事にある。
取り出し配線間の相互の影響の少ない、高密度化が可能
なラインセンナを提供する事にある。
上記の目的は複数個のセンサエレメントを１列又は複数
列に同一基板上に形成し、各センサエレメントからの取
り出し配線を積層させて配線し九ラインセンサにおいて
、前記取り出し配線を第１の絶縁層と、該絶縁層上に形
成される中間電極層と、該中間電極層上に形成される第
２の絶縁層とからなる層をはさんで積層させた事を特徴
とする本発明のラインセンサによって達成される。
列に同一基板上に形成し、各センサエレメントからの取
り出し配線を積層させて配線し九ラインセンサにおいて
、前記取り出し配線を第１の絶縁層と、該絶縁層上に形
成される中間電極層と、該中間電極層上に形成される第
２の絶縁層とからなる層をはさんで積層させた事を特徴
とする本発明のラインセンサによって達成される。
以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。
第１図は本発明によるラインセンナの断面図である。
第１図において、１はガラス基板でその上に光導電体２
（例えば、非晶質シリコン）が堆積される。光導電体２
には共通電極３及び個別電極４．。
（例えば、非晶質シリコン）が堆積される。光導電体２
には共通電極３及び個別電極４．。
５が付けられ、２つのコデラナをセンナエレメントが形
成される。各々のセンナエレメントとガラス基板１との
間には異る色のフィルタ６．７が介在し、各々のセンナ
エレメントは異った色に対して感度を持つ様に形成され
る。個別電極４は取り出し配線８によってＩＣｌ３と接
続される。取り出し配線８及び前記光導電体２の上には
絶縁層１１が形成され、該絶縁層１１上には堰）出し配
線８に対向して接地電極１０が作成され、コンデンサ（
２）を形成する。前記接地電極１０上に絶縁層１２を形
成し、この絶縁層１２上に接地電極１０に対向して堆り
出し配線９が作成され、コンデンサ（Ｃ鵞）を形成する
。個別電極５は取り出し配線９によってＩＣ１４と接続
される。形成されたコンデンサＣＩ＋Ｃ！によって光電
流の蓄積が可能となシ、かつ取り出し配線８と取り出し
配線９との間には接地電極１０が形成されているために
取り出し配線８と９とによる２つのセンナエレメントの
相互間の影響はない。また接地電極１０はコンデンサＣ
，の接地側電極とコンデンサＣ２の接地側電極とを共有
し九電極となっておシ、そしてコンデンサＣ１とＣ８と
が積層構造をなしているために配線面積を大幅に減らす
事ができる。
成される。各々のセンナエレメントとガラス基板１との
間には異る色のフィルタ６．７が介在し、各々のセンナ
エレメントは異った色に対して感度を持つ様に形成され
る。個別電極４は取り出し配線８によってＩＣｌ３と接
続される。取り出し配線８及び前記光導電体２の上には
絶縁層１１が形成され、該絶縁層１１上には堰）出し配
線８に対向して接地電極１０が作成され、コンデンサ（
２）を形成する。前記接地電極１０上に絶縁層１２を形
成し、この絶縁層１２上に接地電極１０に対向して堆り
出し配線９が作成され、コンデンサ（Ｃ鵞）を形成する
。個別電極５は取り出し配線９によってＩＣ１４と接続
される。形成されたコンデンサＣＩ＋Ｃ！によって光電
流の蓄積が可能となシ、かつ取り出し配線８と取り出し
配線９との間には接地電極１０が形成されているために
取り出し配線８と９とによる２つのセンナエレメントの
相互間の影響はない。また接地電極１０はコンデンサＣ
，の接地側電極とコンデンサＣ２の接地側電極とを共有
し九電極となっておシ、そしてコンデンサＣ１とＣ８と
が積層構造をなしているために配線面積を大幅に減らす
事ができる。
第２図は第１図の本発明のラインセンサのセンサエレメ
ント部分がサンドイッチ型となりた場合の実施例である
。なお第２図の各部位の説明は第１図と同一であるので
ここでは省略する。
ント部分がサンドイッチ型となりた場合の実施例である
。なお第２図の各部位の説明は第１図と同一であるので
ここでは省略する。
第３図は本発明の別の実施例である。この実施例では３
つのセンサエレメントから出力が取り出される。この内
２つのセンナエレメントからの出力の取り出しを行う部
分につい℃は第１図に示した実施例と同じ構成である。
つのセンサエレメントから出力が取り出される。この内
２つのセンナエレメントからの出力の取り出しを行う部
分につい℃は第１図に示した実施例と同じ構成である。
本実施例においては、ガラス基板１上に光導電体１５、
光導電体１５上に個別電極１６．１７が形成され、個別
電極１６は共通電極３と接続され、個別電極１７は取り
出し配線１９によってＩＣ２２と接続される。取り出し
配１ｓ１９上には絶縁層２１をかいして接地電極２０が
作成されている。ガラス基板１と、光導電体１５との間
にはフィルター１８が形成される。
光導電体１５上に個別電極１６．１７が形成され、個別
電極１６は共通電極３と接続され、個別電極１７は取り
出し配線１９によってＩＣ２２と接続される。取り出し
配１ｓ１９上には絶縁層２１をかいして接地電極２０が
作成されている。ガラス基板１と、光導電体１５との間
にはフィルター１８が形成される。
上記構成のラインセンチは３色の読み取りが可能でアシ
、通常の方法では並列にする事が困難でありた３列のプ
レイを並べる事が可能である。
、通常の方法では並列にする事が困難でありた３列のプ
レイを並べる事が可能である。
第４図に本発明のラインセンナの実施例とマトリクス配
線との組合せの例を示す。
線との組合せの例を示す。
第４図（ａ）は平面図、（ｂ）は第４図（ａ）のＢＢ’
断面の断面図を示す。
断面の断面図を示す。
第４図（ａ） 、 （ｂ）において、一方のセンサエレ
メントに接続された取り出し配線８には薄膜トランジス
タ（ＴＰＴ ）が接続され、蓄積された光電流が取ル出
される様になりている。該ＴＰＴは薄膜中導体層３２、
薄膜手導体層３２に付けられたソース電極３１及びドレ
イン電極３０．絶縁層１１、絶縁層１１上に形成される
ダート電極３３から構成される。また他方のセンナエレ
メントに接続された取り出し配線も同様にＴＰＴに接続
され、このＴＰＴは薄膜手導体層２５、ソース電極２４
、ドレイン電極２３、絶縁層３７、ダート電極２６から
構成される。ダート電極２６．３３はマド９クス配線の
ｌｆａツク毎に共通配線され、ｆロック毎にＴＰＴが駆
動される。本実施例では簡単のために第４図（＆）に示
すように１ブロツクのセンナエレメント数は３個となっ
ている。一方のマトリクス回路は絶縁層１１、この絶縁
層１１上に形成される上層配線３４、ガラス基板１上に
形成される下層配線３５、上層配線３４と下層配線との
間のコンタクトホール３６から構成されて、各ｆｏクッ
ク同じ順位にあるセンナエレメントからの出力が共通に
接続される。またもう一方のマトリクス回路は絶縁層３
７、この絶縁層３７上に形成される上層配線２７、絶縁
層１２上に形成される下層配線２８、上層配線２７と下
層配線２８との間のコンタクトホール２９から構成され
、各ブロックの同じ順位にあるセンサエレメントからの
出力が共通に接続される。これらのマトリクス回路の上
層配線は第４図に図示しない信号処理回路に接続されて
いる。
メントに接続された取り出し配線８には薄膜トランジス
タ（ＴＰＴ ）が接続され、蓄積された光電流が取ル出
される様になりている。該ＴＰＴは薄膜中導体層３２、
薄膜手導体層３２に付けられたソース電極３１及びドレ
イン電極３０．絶縁層１１、絶縁層１１上に形成される
ダート電極３３から構成される。また他方のセンナエレ
メントに接続された取り出し配線も同様にＴＰＴに接続
され、このＴＰＴは薄膜手導体層２５、ソース電極２４
、ドレイン電極２３、絶縁層３７、ダート電極２６から
構成される。ダート電極２６．３３はマド９クス配線の
ｌｆａツク毎に共通配線され、ｆロック毎にＴＰＴが駆
動される。本実施例では簡単のために第４図（＆）に示
すように１ブロツクのセンナエレメント数は３個となっ
ている。一方のマトリクス回路は絶縁層１１、この絶縁
層１１上に形成される上層配線３４、ガラス基板１上に
形成される下層配線３５、上層配線３４と下層配線との
間のコンタクトホール３６から構成されて、各ｆｏクッ
ク同じ順位にあるセンナエレメントからの出力が共通に
接続される。またもう一方のマトリクス回路は絶縁層３
７、この絶縁層３７上に形成される上層配線２７、絶縁
層１２上に形成される下層配線２８、上層配線２７と下
層配線２８との間のコンタクトホール２９から構成され
、各ブロックの同じ順位にあるセンサエレメントからの
出力が共通に接続される。これらのマトリクス回路の上
層配線は第４図に図示しない信号処理回路に接続されて
いる。
本実施例においても第３図の実施例と同様に３個のセン
サエレメントから配線を取り出す事も可能である。
サエレメントから配線を取り出す事も可能である。
以上詳細に説明したように、本発明のラインセンナによ
れば、充電流蓄積用コンデンサのためのスペースを広く
取る必要がなく、各取り出し配線間の相互の影響を抑え
て、各センサエレメントからの信号を取り出す事ができ
るため、コン／４′クトな形で、高品位な画像読み取り
を可能とする事ができる。
れば、充電流蓄積用コンデンサのためのスペースを広く
取る必要がなく、各取り出し配線間の相互の影響を抑え
て、各センサエレメントからの信号を取り出す事ができ
るため、コン／４′クトな形で、高品位な画像読み取り
を可能とする事ができる。
第１図は本発明のラインセンナの第１実施例でアシ、セ
ンサエレメントがコデラナ型の場合である。 第２図は本発明のラインセンサの第２実施例でアシ、セ
ンサエレメントがサント０イツチ型の場合である。 第３図は本発明のラインセンサの第３実施例でアリ、セ
ンサエレメントの列が３列の場合である。 第４図は第１図の第１実施例とマトリクス回路を結合さ
せた使用例である。（、）は平面図、（ｂ）は平面図（
、）のＢＢ’断面の断面図である。 第５図は従来の積層構造のラインセンナであシ、（１）
は平面図、（ｂ）は平面図（ａ）のＡＡ’断面の断面図
である。 第６図は従来の充電流蓄積用コンデンサを有するライン
センナである。 １・・・ガラス基板、２・・・光導電体、３・・・共通
電極、４．５・・・個別電極、６，７・・・フィルタ、
８，９・・・取り出し配線、１０・・・接地電極、１１
．１２・・・絶縁層、１３，１４・・・ＩＣ。
ンサエレメントがコデラナ型の場合である。 第２図は本発明のラインセンサの第２実施例でアシ、セ
ンサエレメントがサント０イツチ型の場合である。 第３図は本発明のラインセンサの第３実施例でアリ、セ
ンサエレメントの列が３列の場合である。 第４図は第１図の第１実施例とマトリクス回路を結合さ
せた使用例である。（、）は平面図、（ｂ）は平面図（
、）のＢＢ’断面の断面図である。 第５図は従来の積層構造のラインセンナであシ、（１）
は平面図、（ｂ）は平面図（ａ）のＡＡ’断面の断面図
である。 第６図は従来の充電流蓄積用コンデンサを有するライン
センナである。 １・・・ガラス基板、２・・・光導電体、３・・・共通
電極、４．５・・・個別電極、６，７・・・フィルタ、
８，９・・・取り出し配線、１０・・・接地電極、１１
．１２・・・絶縁層、１３，１４・・・ＩＣ。
Claims (1)
- 複数個のセンサエレメントを１列又は複数列に同一基板
上に形成し、各センサエレメントからの取り出し配線を
積層させて配線したラインセンサにおいて、前記取り出
し配線を第１の絶縁層と、該絶縁層上に形成される中間
電極層と、該中間電極層上に形成される第２の絶縁層と
からなる層をはさんで積層させた事を特徴とするライン
センサ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60058521A JPS61218167A (ja) | 1985-03-25 | 1985-03-25 | ラインセンサ |
| US06/842,270 US4742239A (en) | 1985-03-25 | 1986-03-21 | Line photosensor with crosstalk suppression |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60058521A JPS61218167A (ja) | 1985-03-25 | 1985-03-25 | ラインセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61218167A true JPS61218167A (ja) | 1986-09-27 |
Family
ID=13086728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60058521A Pending JPS61218167A (ja) | 1985-03-25 | 1985-03-25 | ラインセンサ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4742239A (ja) |
| JP (1) | JPS61218167A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01129472A (ja) * | 1987-11-14 | 1989-05-22 | Canon Inc | 光電変換装置 |
| JPH02231762A (ja) * | 1989-03-06 | 1990-09-13 | Konica Corp | イメージセンサ |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6069393A (en) * | 1987-06-26 | 2000-05-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric converter |
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