JP2841061B2 - Ｃｃｄ映像素子 - Google Patents
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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Description
り、特にＣＳＴ層によって発生する電荷転送領域のポテ
ンシャル変化を最小化して電荷転送効率を向上させたＣ
ＣＤ映像素子に関する。
的な信号に変換する複数個の光電変換領域と、その光電
変換領域で生成された映像電荷を垂直方向に転送する複
数の垂直電荷転送領域と、垂直電荷転送領域で垂直転送
された映像電荷を水平方向に転送する水平電荷転送領域
と、水平電荷転送領域を通って水平転送された映像電荷
を検出して外部の周辺回路へ転送するセンスアンプとを
有している。
領域の間には、隣り合う画素及びチャネルに映像電荷が
あふれるのを防止するために、基板と反対導電型の高濃
度の不純物をイオン注入したチャネルストップ層、すな
わちＣＳＴ層を形成する。
像素子について説明する。図１は従来のＣＣＤ映像素子
のレイアウト図であり、図２は図１によるＣＣＤ映像素
子の垂直ポテンシャルプロファイルである。そして、図
３は図１によるＣＣＤ映像素子の水平ポテンシャルプロ
ファイルである。従来の技術によるＣＣＤ映像素子は、
図１に示すように、マトリックス状に複数個配列され、
光による映像信号を電気信号に変換するフォトダイオー
ド領域１と、フォトダイオード領域１の間に垂直な方向
に構成され、フォトダイオード領域１で生成された映像
電荷を垂直方向に転送する複数個の垂直電荷転送領域２
と、それぞれのフォトダイオード領域１の間及びフォト
ダイオード領域１と垂直電荷転送領域２との間に構成さ
れ、生成された信号電荷が隣接する画素にあふれ出て混
ぜられるのを防ぐためのチャネルストップ層３とを有す
る。
イオード領域１は、受光される光の波長及び強さに応じ
て信号電荷を発生する。発生した信号電荷は垂直電荷転
送領域２へ転送され、一方向に（図１ではｙ方向に）垂
直転送される。
像素子のポテンシャルプロファイルについて説明する。
チャネルストップ層３は均一にａの幅でフォトダイオー
ド領域１を取り囲んでいる。これはこのチャネルストッ
プ層３によるポテンシャルプロファイルの変化及び影響
を最小にして電荷の転送が円滑に行われるようにするた
めである。素子の特性を考慮してチャネルストップ層３
の幅を変えることも可能である。もちろん、その幅は全
て同一でなければならない。
と、図１のα部分ではチャネルストップ層３がＴ字形状
に形成されるので、他のチャネルストップ層３よりイオ
ン注入濃度が高くなり、ＣＳＴとして果たす部分が広が
り、実質的にα部分の幅はａより広くなる。即ち、チャ
ネルストップ層３の間隔を均一にして形成するにも拘わ
らず、チャネルストップ層３が交差する部分ではポテン
シャルプロファイルに差ができる（ｄ１＞ｄ２）。つま
り、α部分ではチャネルストップ層３のイオン注入濃度
が増加する効果を現すので、フォトダイオード領域１の
隅の部分及び垂直電荷転送領域ＶＣＣＤ２の領域が図２
（Ｂ）に示すように実際には狭くなる。図１によるＣＣ
Ｄ映像素子の水平ポテンシャルプロファイルを示した図
３にそれが現れている。前記のようなチャネルストップ
層によるポテンシャルの差は一般的なカメラシステムで
は大きな問題にはならない。
ジョン方式として脚光を浴びているＨＤＴＶのようなシ
ステムでは、２００万画素以上の撮像素子を必要とし、
それによる電荷転送効率を要求している。従って、前記
のような構造を有する従来のＣＣＤ映像素子は、次のよ
うな問題点のためにその構造の改善が要求されてきた。
の影響によってＶＣＣＤの電位分布がα部分で狭くな
り、α部分を除いた部分では広くなる。従って、ＶＣＣ
Ｄの電位分布が均一でなくて信号電荷の転送時に転送効
率が低下し、かつ、チャネルストップ層のｐ領域がフォ
トダイオード領域のｎ領域と垂直電荷転送領域のｎ領域
を浸食して全体の受光領域と転送チャネル領域との面積
を減らす。このため、チップの小型化及び高集積化には
非常に不利である。なぜなら、素子が小型化、高集積化
すると、転送チャネルにおける電位分布の不均一性は素
子の特性を低下する主な要因になるためである。
像素子の問題点を解決するためのもので、その目的はＣ
ＳＴ層によって発生する周辺領域のポテンシャル変化を
最小にして電荷転送効率を向上させたＣＣＤ映像素子を
提供することにある。
めに、本発明のＣＣＤ映像素子は、第１導電型基板の表
面内に行と列方向に規則的に配列されて形成された複数
の光検出器と、前記複数の光検出器の列方向の間に形成
された第２導電型の複数の電荷転送領域と、前記光検出
器の間及び光検出器と電荷転送領域との間を互いに電気
的に絶縁させるために基板の表面に形成されたチャネル
ストップ層とを含み、このチャネルストップ層は光検出
器の角に相当する部分の一部にチャネルストップ層のド
ーピング濃度を減少させたＣＳＴドーピング濃度減少領
域を少なくとも一つ以上有することを特徴とする。
のＣＣＤ映像素子について詳細に説明する。図４は本発
明のＣＣＤ映像素子のレイアウト図である。本発明のＣ
ＣＤ映像素子は、間隔を設けてマトリックス状に複数配
列され、光に対する映像信号を電気信号に変換するフォ
トダイオード領域４１と、前記フォトダイオード領域４
１の間に垂直な方向に構成され、前記フォトダイオード
領域４１で生成された映像電荷を垂直方向に転送する複
数の垂直電荷転送領域４２と、それぞれのフォトダイオ
ード領域４１の間及びフォトダイオード領域と垂直電荷
転送領域４２との間に構成され、生成された信号電荷が
隣り合った画素にあふれ出て混ぜられるのを防ぐための
チャネルストップ層４３と備えている。
一部にチャネルストップ層４３を形成するためのイオン
を注入せず或いは反対導電型のイオンを注入して、その
部分のドーピング濃度を落したＣＳＴドーピング濃度減
少領域４４を形成する。図４の例の場合、図示のよう
に、このＣＳＴドーピング濃度減少領域４４は、チャネ
ルストップ層４３の交差する部分、すなわち隣り合う２
個のフォトダイオード領域と垂直電荷転送領域の三つの
領域が隣接した部分（α部分）の垂直電荷転送領域とチ
ャネルストップ層４３と境界から幅ｂだけへこました部
分である。この領域４４の垂直電荷転送領域に沿った長
さはチャネルストップ層４３の幅ａよりいく分短い。チ
ャネルストップ層４３の他の部分は同一の幅（図４にお
けるａ）としている。チャネルストップ層４３にこのＣ
ＳＴドーピング濃度減少領域４４を設けることにより電
位分布が均一となる。
部分的に縮小して形成する方法について説明する。その
一つの方法としては、チャネルストップ層４３を形成す
るためのイオン注入時に領域４４にはイオン注入を行わ
ない方法がある。他の方法としては、チャネルストップ
層４３を形成するためのイオン注入領域とフォトダイオ
ード領域４１を形成するためのイオン注入領域を部分的
に（領域４４の部分でのみ）重ねてカウンタドーピング
現象が生じるようにすることにより、その領域４４のド
ーピング濃度を落とす方法がある。また他の方法として
は、チャネルストップ層４３の領域４４に垂直電荷転送
領域４２を形成するためのイオンを注入する方法があ
る。
来同様フォトダイオード領域４１で受光される光の波長
及び強さに応じて信号電荷を発生する。前記信号電荷は
垂直電荷転送領域４２にトランスファされて一方向に垂
直転送される。本発明のこの電荷転送動作で垂直電荷転
送領域４２におけるポテンシャル状態を分かりやすくす
るために、本発明のＣＣＤ映像素子のポテンシャルプロ
ファイルについて以下に説明する。
像素子の垂直ポテンシャルプロファイルであり、図６は
図４によるＣＣＤ映像素子の水平ポテンシャルプロファ
イルである。本発明のＣＣＤ映像素子は図５に示すよう
に、チャネルストップ層４３が交差する部分とその他の
部分のポテンシャルプロファイルが等しい（丸Ａ＝丸
Ｂ）。これは部分的にチャネルストップ層４３の不純物
ドーピング濃度が高くなり、ポテンシャルプロファイル
が均一でない部分（α部分）において、ドーピング濃度
を落とすＣＳＴドーピング濃度減少領域４４を少なくと
も一つ以上形成したためである。
領域におけるポテンシャルプロファイルが均一に分布す
る。前記のように、チャネルストップ層の交差する部分
の幅を変化させて電位分布を均一にするのではなく、交
差する部分のイオン注入領域をブランキング(blanking)
させるのも可能である。このようにα部分にブランキン
グ領域を形成してチャネルストップ層４３のドーピング
濃度を落とした本発明の他の実施例によるＣＣＤ映像素
子について説明する。
ＣＣＤ映像素子のレイアウト図である。まず、図７は、
フォトダイオード領域４１を形成するためのｎ型不純物
イオン注入領域を拡張し、チャネルストップ層４３を形
成するためのイオン注入時にα部分のある特定領域４４
をブランキングさせてチャネルストップ層４３の不純物
ドーピング濃度を落としたものを示す。そして、図８は
フォトダイオード領域４１を形成するための不純物注入
領域はそのままとし、α部分の所定領域４４にチャネル
ストップ層４３を形成するためのイオン注入が行われな
いようにして、チャネルストップ４３の不純物ドーピン
グ濃度を落としたものである。このように、いずれにし
ても本発明は、縦横のチャネルストップ層４３が交差す
るα部分の一部にＣＳＴドーピング濃度減少領域４４を
形成させるようにしたものである。図７、８で説明した
ＣＳＴドーピング濃度減少領域４４と図４で説明したＣ
ＳＴドーピング濃度減少領域４４とを組み合わせてもよ
い。
子は、チャネルストップ層のドーピング濃度の密集する
α部分にＣＳＴドーピング濃度減少領域を形成して、電
荷転送領域及び受光部に加えられるチャネルストップ層
によるポテンシャルの変化を最小にしたので、電荷転送
効率を高めて素子の感度を向上させる効果がある。
る。
ルプロファイルである。
ルプロファイルである。
る。
ルプロファイルである。
ルプロファイルである。
のレイアウト図である。
のレイアウト図である。
Claims (7)
- 【請求項１】 第１導電型基板の表面内に行と列方向に
規則的に配列されて形成された複数の光検出器と、 前記複数個の光検出器の列方向の間に形成された第２導
電型の複数の電荷転送領域と、 前記光検出器どうしの間及び光検出器と電荷転送領域の
間にそれぞれを互いに電気的に絶縁させるために、基板
の表面部に形成されたチャネルストップ層とを備え、 光検出器どうしが隣接する間のチャネルストップ層及び
光検出器と前記電荷転送領域との間のチャネルストップ
層が交差する部分の一部にチャネルストップ層のドーピ
ング濃度を減少させたＣＳＴドーピング濃度減少領域を
少なくとも一つ以上有することを特徴とするＣＣＤ映像
素子。 - 【請求項２】 ＣＳＴドーピング濃度減少領域が電荷転
送領域とチャネルストップ層との境界に形成された請求
項１記載のＣＣＤ映像素子。 - 【請求項３】 ＣＳＴドーピング濃度減少領域にチャネ
ルストップ層を形成するための第１導電型の不純物と電
荷転送領域を形成するための第２導電型の不純物が重複
注入され、その他のチャネルストップ層よりポテンシャ
ルレベルが低く形成されることを特徴とする請求項２記
載のＣＣＤ映像素子。 - 【請求項４】 ＣＳＴドーピング濃度減少領域には電荷
転送領域を形成するための第２導電型の不純物のみが注
入され、その部分が電荷転送領域として用いられること
を特徴とする請求項２記載のＣＣＤ映像素子。 - 【請求項５】 ＣＳＴドーピング濃度減少領域がチャネ
ルストップ層の前記交差する部分の内部の一部に形成さ
れることを特徴とする請求項１記載のＣＣＤ映像素子。 - 【請求項６】 ＣＳＴドーピング濃度減少領域には光検
出器を形成するための第２導電型の不純物が注入され、
隣接するチャネルストップ層よりポテンシャルレベルが
低く形成されることを特徴とする請求項５記載のＣＣＤ
映像素子。 - 【請求項７】 ＣＳＴドーピング濃度減少領域には光検
出器またはチャネルストップ層を形成するためのいずれ
の導電型の不純物も注入されず、その他のチャネルスト
ップ層よりポテンシャルレベルが低く形成されることを
特徴とする請求項５記載のＣＣＤ映像素子。
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