RU2001107134A

RU2001107134A - Полупроводниковая интегральная схема с защитным покрытием поверхности

Info

Publication number: RU2001107134A
Application number: RU2001107134/28A
Authority: RU
Inventors: Михель СМОЛА; Эрик-Рогер БРЮКЛМАЙЕР
Original assignee: Инфинеон Текнолоджиз Аг
Priority date: 1998-08-18
Filing date: 1999-08-18
Publication date: 2003-05-20

Claims

1. Полупроводниковая интегральная схема, содержащая схемы, реализованные по меньшей мере в одном слое полупроводниковой подложки и упорядоченные по меньшей мере в одной группе, и по меньшей мере один проводящий защитный слой (SL), размещенный по меньшей мере над одной из таких групп схем и электрически соединенный по меньшей мере с одной из схем (1,2), отличающаяся тем, что подложка полупроводниковой интегральной схемы имеет по меньшей мере один датчик защиты (SS), который выполнен с возможностью сохранения некоторого состояния энергонезависимым образом, при этом датчик защиты (SS) своим выводом обнаружения связан с проводящим защитным слоем (SL) или по меньшей мере с одним из проводящих защитных слоев, а выходной вывод датчика защиты (SS) соединен по меньшей мере с одной из схем (2) таким образом, что функционирование схемы в соответствии с ее назначением невозможно, если на выходе датчика защиты приложен определенный энергонезависимый уровень.

2. Полупроводниковая интегральная схема по п.1, отличающаяся тем, что датчик защиты (SS) соединен по меньшей мере с одним транзистором (T1, T2), выполненным с очень тонким слоем подзатворного оксида по сравнению с соответствующими слоями транзисторов схем, причем вывод затвора упомянутого транзистора (Т1,Т2) соединен с проводящим слоем (SL).

3. Полупроводниковая интегральная схема по п.1, отличающаяся тем, что датчик защиты (SS) выполнен в виде энергонезависимой ячейки памяти, которая образована диффузионными областями истока и стока (10, 11), образованными по обе стороны канальной области в полупроводниковой подложке, а также электродом затвора (12), полностью изолированным, размещенным по меньшей мере частично выше канальной области, и двумя управляющими электродами (14, 15) затвора, размещенными над изолированным электродом затвора (12), причем один из управляющих электродов затвора образует вывод обнаружения (15), а другой управляющий электрод (14) затвора и диффузионные области (10, 11) соединены со схемой оценки (AWS).

4. Полупроводниковая интегральная схема по п.3, отличающаяся тем, что изолированный электрод затвора (12) предварительно заряжен положительным или отрицательным зарядом.

5. Полупроводниковая интегральная схема по п.4, отличающаяся тем, что при использовании множества датчиков защиты различные изолированные электроды затвора (12) предварительно заряжены различными зарядами.

6. Полупроводниковая интегральная схема по любому из пп.1-5, отличающаяся тем, что по меньшей мере одна из схем содержит по меньшей мере одну схему обнаружения (КОМ), которая соединена с выходным выводом датчика защиты (SS).