KR960036027A - 불휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법 - Google Patents

불휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

불휘발성 메모리소자 및 그 제조방법에 대해 기재되어 있다.
이는 주변회로 영역에 배치되고, 제1도전층으로 형성된 주변회로 영역의 게이트 전극, 메모리 셀 영역에 배치되고, 제1도전층으로 된 플로우팅 게이트 전극, 플로우팅 게이트 전극 상에 형성된 절연막 및 절연막 상에 형성된 제2도전층으로 된 컨트롤 게이트 전극을 구비하는 불휘발성 메모리 셀의 게이트 전극, 및 경계영역 또는 주변회로 영역에 배치되고, 제1도전층으로 된 저항, 저항의 일 표면 상에 형성된 절연막 및 절연막 상에 형성된 제2도전층으로 된 캐핑층을 구비하는 저항소자를 포함하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 스트링거를 발생을 방지할 수 있으므로, 패턴의 불균일성 및 소자의 오동작을 방지할 수 있다.

Description

불휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 방법에 의해 제조된 불휘발성 메모리 소자를 도시한 단면도이다. 제4A도 내지 제4F도는 본 발명의 일 실시예에 의한 불휘발성 메모리 소자의 제조방법을 설명하기 위해 도시된 단면도들이다. 제5A도 내지 제5C도는 본 발명의 다른 실시예에 의한 불휘발성 메모리 소자의 제조방법을 설명하기 위해 도시된 단면도들이다.

Claims (5)

  1. 주변회로 영역에 배치되고, 제2도전층으로 형성된 주변회로 영역의 게이트 전극; 메모리 셀 영역에 배치되고, 제1도전층으로 된 플로우팅 게이트 전극, 상기 플로우팅 게이트 전극 상에 형성된 절연막 및 상기 절연막상에 형성된 제2도전층으로 된 컨트롤 게이트 전극을 구비하는 불휘발성 메모리 셀의 게이트 전극; 및 경계영역 또는 주변회로 영역에 배치되고,제1도전층으로 된 저항, 상기 저항의 일 표면 상에 형성된 절연막 및 상기 절연막 상에 형성된 제2도전층으로 된 캐핑층을 구비하는 저항 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2도전층은 다결정실리콘인 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 소자.
  3. 반도체기판 상에 제1도전층을 형성하는 공정; 상기 제1도전층을 패터닝하여 플로우팅 게이트 및 저항을 형성하는 공정; 결과물 상에 절연막을 형성하는 공정; 주변회로 영역 상의 상기 절연막을 제거하는 공정; 주변회로 영역에 게이트 절연막을 형성하는 공정; 결과물 전면에 제2도전층을 형성하는 공정; 주변회로 영역을 제외한 영역에 형성되어 있는 상기 제2도전층, 절연막 및 제1도전층을 식각하여, 메모리 셀 영역에는 불휘발성 메모리 소자의 게이트 전극을, 그외의 영역에는 저항을 형성하는 공정; 및 메모리 셀 영역을 제외한 영역에 형성되어 있는 상기 제2도전층을 패터닝하여, 상기 저항의 표면을 노출시키는 형태의 캐핑층 및 주변회로영역의 게이트 전극을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 소자의 제조방법.
  4. 반도체기판 상에 제1도전층을 형성하는 공정; 상기 제1도전층을 패터닝하여, 메모리 셀 영역에는 플로우팅 게이트 패턴을, 그 외의 영역에는 저항 패턴을 형성하는 공정; 결과물 상에 절연막을 형성하는 공정; 상기 절연막 상에 제2도전층을 형성하는 공정; 상기 제2도전층, 절연막 및 제1도전층을 동시에 식각하여, 메모리 셀 영역에는 불휘발성 메모리 소자의 게이트 전극을, 그 외의 영역에는 제2도전층 및 절연막이 덮혀있는 저항을 형성하는 공정; 및 상기 저항 상에 형성되어 있는 제2도전층을 패터닝하여 저항의 표면을 노출시키는 형태의 캐핑층을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 소자의 제조방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1 및 제2도전층은 다결정실리콘으로 형성하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 소자의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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