KR930014995A - 비휘발성 메모리의 제조방법 - Google Patents
비휘발성 메모리의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 비휘발성 메모리셀의 크기를 줄이기 위한 방법에 관한 것으로, 제어게이트가 될 도전막상에 절연막을 피착하고 절연막과 제어게이트가 될 도전막 그리고 플로팅게이트가 될 도전막상에 에칭을 한 후 게이트전극을 패턴화하고 게이트전극의 측벽에는 절연막을 형성한 후 단일배열 방식으로 와이어층을 형성한다. 선택된 도면에서 참조번호 3,5,6,9,10 및 11은 플로팅게이트, 제어게이트, 절연막, 소오스 및 드레인단, 측벽절연막 및 와이어층을 각각 나타내고 소오스 및 드레인단이 단일 배열방식으로 와이어층과 접촉하기 때문에 게이트전극과 접촉홀 사이에 간격을 둘 필요가 없으므로 비휘발성 메모리의 크기가 상당히 작아지게 된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의한 반도체장치의 제조방법중 제1단계의 진행으로 형성된 반도체장치의 단면도,
제2도는 본 발명에 의한 반도체장치의 제조방법중 제2단계의 진행으로 형성된 반도체장치의 단면도,
제3도는 본 발명에 의한 반도체장치의 단면도중 제3단계의 진행으로 형성된 반도체장치의 단면도,
제4도는 본 발명에 의한 반도체장치의 제조방법중 제4단계의 진행으로 형성된 반도체장치의 단면도.
Claims (2)
- 비휘발성 메모리의 제조방법에 있어서, 반도체 기판상에 제1절연막을 형성하는 단계와, 상기 제1절연막상에 제1도전막을 형성하는 단계와, 상기 제1도전막상에 제2절연막을 형성하는 단계와, 상기 제2절연막상에 제2도전막을 형성하는 단계와, 상기 제2도전막상에 제3절연막을 형성하는 단계와, 상기 제3절연막상에 마스크로서 제1패턴포토레지스트막을 형성하는 단계와, 상기 제1패턴포토레지스트막을 이용하여 상기 제1절연막과, 제1도전막, 제2절연막, 제2도전막, 제3절연막을 에칭하는 단계와, 상기 제1패턴포토레지스트막을 제거하는 단계와, 마스크로서 제3패턴절연막을 이용하여 반도체기판상에 불순물확산층을 형성하는 단계와, 반도체기판의 제1표면상에 제4절연막을 형성하는 단계와, 상기 제1절연막과, 제1도전막, 제2절연막, 제2도전막 및 제3절연막의 측벽에 상기 제4절연막을 잔류시키는 단계와, 상기 불순물확산층의 표면을 외부에 노출시키는 단계와, 반도체기판의 제2표면상에 제3도전막을 형성하는 단계 및, 소정형태로 제3도전막을 패턴하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리의 제조방법.
- 비휘발성 메모리의 제조방법에 있어서, 반도체 기판상에 제1절연막을 형성하는 단계와, 상기 제1절연막상에 제1도전막을 형성하는 단계와, 상기 제1도전막상에 제2절연막을 형성하는 단계와, 상기 제2절연막상에 제2도전막을 형성하는 단계와, 상기 제2도전막상에 제3절연막을 형성하는 단계와, 상기 제3절연막상에 마스크로서 제1패턴포토레지스트막을 형성하는 단계와, 상기 제1패턴포토레지스트막을 이용하여 상기 제1절연막과, 제1도전막, 제2절연막, 제2도전막, 제3절연막을 에칭하는 단계와, 상기 제1패턴포토레지스트막을 제거하는 단계와, 마스크로서 제3패턴절연막을 이용하여 반도체기판상에 불순물확산층을 형성하는 단계와, 반도체기판의 제1표면상에 제4절연막을 형성하는 단계와, 상기 제1절연막과, 제1도전막, 제2절연막, 제2도전막 및 제3절연막의 측벽상에 제4절연막을 잔류시키는 단계와, 상기 불순물확산층의 표면을 노출시키는 단계와, 반도체기판의 제2표면상에 제3도전막을 형성하는 단계와, 제3도전막을 소정형태로 패턴화하는 단계와, 상기 반도체기판의 제2표면을 평평하도록 하기 위해 제5절연막을 형성하는 단계와, 상기 제5절연막내에 접촉홀을 형성하는 단계, 및 상기 접촉홀에서 상기 제3도전막과 제4도전막을 접촉시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3347276A JPH05183169A (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | 半導体装置の製造方法 |
| JP91-347276 | 1991-12-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR930014995A true KR930014995A (ko) | 1993-07-23 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1019920025638A KR930014995A (ko) | 1991-12-27 | 1992-12-26 | 비휘발성 메모리의 제조방법 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05183169A (ko) |
| KR (1) | KR930014995A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100890400B1 (ko) * | 2007-05-03 | 2009-03-26 | 삼성전자주식회사 | 도전성 구조물 및 그 형성 방법, 이를 포함하는 비휘발성메모리 소자 및 그 제조 방법. |
Families Citing this family (2)
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| KR100289814B1 (ko) * | 1997-12-26 | 2001-10-24 | 윤종용 | 비휘발성메모리장치및그제조방법 |
| KR100562674B1 (ko) * | 2003-11-03 | 2006-03-20 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래쉬 메모리 소자의 제조 방법 |
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1991
- 1991-12-27 JP JP3347276A patent/JPH05183169A/ja active Pending
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1992
- 1992-12-26 KR KR1019920025638A patent/KR930014995A/ko not_active Application Discontinuation
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|---|---|---|---|---|
| KR100890400B1 (ko) * | 2007-05-03 | 2009-03-26 | 삼성전자주식회사 | 도전성 구조물 및 그 형성 방법, 이를 포함하는 비휘발성메모리 소자 및 그 제조 방법. |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05183169A (ja) | 1993-07-23 |
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