KR840000082A - 반도체 기억장치와 그 제조법 - Google Patents

반도체 기억장치와 그 제조법 Download PDF

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미다 가쓰시게
가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼
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Abstract

내용 없음

Description

반도체 기억장치와 그 제조법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의한 등호출기억장치를 나타내는 회로도. 제2도는 본 발명의 한 실시예에 의한 한개의 메모리 셀 M-CEL의 구성을 나타내는 사시도.

Claims (10)

  1. 제1소정지대의 반도체기판에 형성된 MIS형 FET 및 콘덴서를 포함한 기억장치와 제2소정지대의 상기 반도체기판에 형성된 MIS형 FET 및 콘덴서를 포함한 기준레벨 발생전지에 있어서, 상기 제1 및 제2소정지대에 형성된 각개의 콘덴서는 상기 반도체 기판면의 일부에 형성된 유전막 및 상기 유전막에 형성된 도통층을 포함하고, 상기 제1소정지대에 형성된 상기 콘덴서의 유전막을 상기 제2소정지대에 형성된 상기 콘덴서의 유전막의 물질과 다른 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체기억장치.
  2. 반도체기판에 형성된 복수개의 메모리셀 및 복수의 기준레벨발생전지와 이들 각 셀은 두께운 전계산화층으로 에워싸인 상기 반도체 기판지대의 MIS형 FET 및 콘덴서를 포함하는 것으로 이루어지는 반도체 기억장치에 있어서, 상기 메모리셀의 각 콘덴서 및 상기 기준레벨발생전지는 상기 지대의 일부에 형성된 유전막을 포함하며, 그리고 이막은 상기 전계산화막보다 엷게 이루어지고, 도통층은 상기 유전막에 형성되며, 상기 메모리셀의 각 콘덴서의 유전막은 상기 기준레벨셀의 각 콘덴서의 유전막의 물질과 다른 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체기억장치.
  3. 상기 전계산화층으로 둘러싸인 상기 지대의 상기 메모리셀의 콘덴서에 의하여 점유된 공간은 상기 기준 레벨발생전지의 콘덴서에 의하여 점유된 공간과 실질적으로 동등하게 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체기억장치.
  4. 상기 기억셀의 각 콘덴서의 용량을 결정하는 유전막의 유전정수는 실질적으로 상기 기준레벨발생전지의 반도체의 각 콘덴서의 용량을 결정하는 유전막의 유전정수의 약배인 것을 특징으로 하는 반도체기억장치.
  5. 상기 메모리셀의 각 콘덴서의 용량을 결정하는 유전막은 질화규소 막으로 이루어지며, 상기 기준레벨의 각 콘덴서의 용량을 결정하는 유전막은 규소산화막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 4 기재의 반도체 기억장치.
  6. 상기 메모리셀의 각 콘덴서의 유전막은 산화규소로 이루어진 상하층 및 질화규소로 이루어진 중간층을 포함하며, 상기 기준레벨발생 전지의 각 콘덴서의 유전막은 규소산화막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 2 기재의 반도체 기억장치.
  7. 상기 반도체기판은 규소로 이루어지고, 두꺼운 전계산화층은 규소산화막으로 이루어지며, 상기 반도체층은 폴리크리스탈린 규소로 이루어지는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 2 기재의 반도체 기억장치.
  8. 상기 반도체기판의 제1 및 제2소정지대를 둘러쌀 수 있도록 반도체기판의 표면에 제1절연막을 형성하며, 제1콘덴서의 용량을 결정하는 상기 제1소정지대 위에 규소질화막을 형성하며, 제2콘덴서의 용량을 결정하는 상기 규소질화막의 표면을 산화함과 동시에 상기 제2소정지대에 규소산화막을 형성하고; 상기 제1콘덴서의 전극을 제공하는 상기 규소질화막 위에 제1도통층 및 상기 제2콘덴서의 전극을 제공하는 상기 규소산화막 위에 제2도통층을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조법.
  9. 상기 메모리셀이 설치되는 반도체기판 위에 메모리셀의 용량을 결정하는 규소질화막을 형성하며; 상기 기준레벨 발생전지가 설치되는 상기 규소질화막의 표면을 산화함과 동시에, 상기 반도체기판의 다른지대에 기준레벨 발생전지의 용량을 결정하는 규소산화막을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체기억장치의 제조법.
  10. 제1게이트절연막을 통하여 반도체기판의 전주요면에 규소질화막을 형성하고;기준레벨 발생전지가 설치되는 상기 반도체기판 지대 위의 상기 규소질화막 및 상기 제1게이트절연막을 선택적으로 제거하며; 메모리셀이 설치되는 상기 반도체기판의 다른 지대에 상기 규소질화막의 표면을 산화함과 동시에 상기 기준레벨 발생전지가 설치되는 지대의 제2게이트 절연막으로서 규소산화막을 형성하고; 상기 메모리셀과 상기 기준레벨 발생전지가 설치되는 상기 두지대에 제1도통층으로서 폴리크리스탈린 반도체층을 형성하며; 상기 메모리셀의 콘덴서 부분 및 상기 기준레벨 발생전지의 콘덴서 부분을 남겨 놓아 둔채, 상기 폴리크리스탈린 반도체층을 제거하며;상기 폴리크리스탈린 반도체층의 표면을 산화하며; 상기 메모리셀의 콘덴서부분 및 상기 기준레벨 발생전지의 콘덴서 부분이 아닌 외측으로 상기 반도체 기판의 표면을 노출시키고; 상기 반도체 기판의 노출면에 제3게이트 절연막으로서 규소산화막을 형성하며; 상기 제3게이트 절연막 위에 제2도통층으로서 폴리크리스탈린 반도체층을 형성하고; 상기 제1 및 제2도통층을 마스크로 사용하여 상기 반도체기판의 도통형과 다른 형을 가진 불순물을 상기 기판에 주입함으로써 반도체지대를 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체기억장치의 제조법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019820002028A 1981-05-13 1982-05-10 반도체 기억장치와 그 제조법 KR840000082A (ko)

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