KR950016250A - 고체촬상장치 - Google Patents

고체촬상장치 Download PDF

Info

Publication number
KR950016250A
KR950016250A KR1019940030144A KR19940030144A KR950016250A KR 950016250 A KR950016250 A KR 950016250A KR 1019940030144 A KR1019940030144 A KR 1019940030144A KR 19940030144 A KR19940030144 A KR 19940030144A KR 950016250 A KR950016250 A KR 950016250A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
signal
pixel
transistor
electrode region
photoelectric conversion
Prior art date
Application number
KR1019940030144A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0155017B1 (ko
Inventor
마히토 시노하라
Original Assignee
미타라이 하지메
캐논 가부시기가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP5287855A external-priority patent/JPH07143401A/ja
Priority claimed from JP5287854A external-priority patent/JP3006745B2/ja
Application filed by 미타라이 하지메, 캐논 가부시기가이샤 filed Critical 미타라이 하지메
Publication of KR950016250A publication Critical patent/KR950016250A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0155017B1 publication Critical patent/KR0155017B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/62—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
    • H04N25/621—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels for the control of blooming
    • H04N25/622—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels for the control of blooming by controlling anti-blooming drains
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14641—Electronic components shared by two or more pixel-elements, e.g. one amplifier shared by two pixel elements
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

본 발명의 고체촬상장치는, 증폭형 센서의 게이트에 도달하는 광에너지에 응해서 생성된 전하를 축적하고, 소스영역으로부터 축적된 캐리어에 의거해서 신호를 출력하는 수광셀과, 상기 증폭형센서와 동일한 형식을 지닌 증폭형 메모리셀을 포함하여 해당 증폭형 메모리셀의 베이스영역에 상기 수광셀로부터 전송되는 신호를 축적하는 메모리셀과, 상기 수광셀의 소스영역과 상기 메모리셀의 소스영역을 전기적으로 접속하는 신호선을 구비하고 있다. 이러한 구성에 의해, 상기 수광셀의 각 행에 대한 축적 개시타이밍의 변동을 작은 값으로 억제하고, 메모리 셀로부터 동일한 신호를 여러회 판독하는 것이 가능하다.

Description

고체촬상장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명의 제3실시예에 의한 고체활상장치의 작용을 설명하는 도면,
제6도는 본 발명의 제3실시예에 의한 고체활상장치의 작용을 설명하는 도면,
제7도는 본 발명의 제3실시예에 의한 고체활상장치의 작용을 설명하는 도면,

Claims (9)

  1. 수광된 광에너지에 의해 생성된 전하를 축적하고 이 전하를 증폭해서 출력하는 복수개의 광전변환화소를 매트릭스형상으로 배열한 고체촬상장치에 있어서, 상기 각 광전변환화소의 출력측과 제어전극이 용량결합되는 트랜지스터와, 상기 제어전극을 소정의 전위 또는 전기적 부유상태로 절환하는 스위치를 구비함으로써, 상기 트랜지스터의 주전극으로부터 화소신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 트랜지스터로부터의 출력신호를 축적하는 신호축적화소를 또 구비한 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 광전변환화소와 상기 신호축적화소는 동일한 형식으로 구성된 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 광전변환화소의 출력선과 상기 신호축적화소의 출력선을 접속하는 스위치를 또 구비한 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  5. 제2항에 있어서, 상기 신호축적화소는 상기 트랜지스터로부터의 출력신호가 베이스전위로서 기입되는 바이폴라트랜지스터를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  6. 수광된 광에너지에 의해 생성된 전하를 축적하고, 해당 전하를 증폭해서 출력하는 복수개의 광전변환화소를 매트릭스형상으로 배열한 고체촬상장치에 있어서, 상기 각 광전변환화소의 출력측과 제어전극이 결합되는 트랜지스터와, 상기 트랜지스터의 주전극으로부터 출력되는 잡음성분으로 이루어진 화소신호와 대당 잠음성분을 포함하는 화소신호가 기입되는, 상기 광전변환화소의 수의 2배수인 신호축적화소와, 상기 각 신호축적화소로부터 출력되는 잡음성분으로 이루어진 화소신호를, 잡음성분을 포함하는 화소신호로부터 감산하는 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 신호축적화소는 상기 트랜지스터로부터의 출력신호가 베이스전위로서 기입되는 바이폴라트랜지스터를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  8. 제1도 전형의 본도체기판에 형성된, 해당 제1도 전형과는 반대의 제2도전형으로 이루어진 제어전극영역과 상기 제1도 저형 반도체로 이루어진 주전극 영역을 가지고, 해당 제어전극영역과 주전극영역과의 사이에 형성되는 공핍층의 크기를 제어전극영역의 전위에 따라서 변화시킴으로써 해당 주전극영역을 흐르는 전류를 제어하는 트랜지스터를 구비하여, 해당 제어전극영역에 도달하는 광에너지에 응해서 생성된 전하를 축적하고, 해당 주전극영역으로부터 축적된 캐리어에 의거해서 신호를 출력하는 수광셀과, 상기 트랜지스터에 대응하는 트랜지스터와 메모리셀을 구비하여 해당 메모리 트랜지스터의 제어전그영역에 상기 수광셀로부터 전송된 신호를 축적하는 메모리셀과 상기 수광셀용의 주전극영역과 상기 메모리셀용의 주전극영역을 전기적으로 접속하는 신호선으로 구성된 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 수광셀 및 상기 신호화소의 트랜지스터는 각각 정전유도트랜지스터로 구성된 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
    ※ 참고사항: 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940030144A 1993-11-17 1994-11-17 고체촬상장치 KR0155017B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP93-287854 1993-11-17
JP93-287855 1993-11-17
JP5287855A JPH07143401A (ja) 1993-11-17 1993-11-17 固体撮像装置
JP5287854A JP3006745B2 (ja) 1993-11-17 1993-11-17 固体撮像装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950016250A true KR950016250A (ko) 1995-06-17
KR0155017B1 KR0155017B1 (ko) 1998-11-16

Family

ID=26556910

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940030144A KR0155017B1 (ko) 1993-11-17 1994-11-17 고체촬상장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5587738A (ko)
EP (1) EP0653881B1 (ko)
KR (1) KR0155017B1 (ko)
DE (1) DE69427952T2 (ko)

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2833729B2 (ja) * 1992-06-30 1998-12-09 キヤノン株式会社 固体撮像装置
GB2289983B (en) * 1994-06-01 1996-10-16 Simage Oy Imaging devices,systems and methods
US6035013A (en) * 1994-06-01 2000-03-07 Simage O.Y. Radiographic imaging devices, systems and methods
US5933188A (en) * 1994-10-19 1999-08-03 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion apparatus and method with reset
DE69631356T2 (de) * 1995-08-02 2004-07-15 Canon K.K. Halbleiter-Bildaufnehmer mit gemeinsamer Ausgangsleistung
JP3408045B2 (ja) * 1996-01-19 2003-05-19 キヤノン株式会社 光電変換装置
JP4035194B2 (ja) * 1996-03-13 2008-01-16 キヤノン株式会社 Ｘ線検出装置及びｘ線検出システム
US5744807A (en) * 1996-06-20 1998-04-28 Xerox Corporation Sensor array data line readout with reduced crosstalk
USRE38499E1 (en) * 1997-07-21 2004-04-20 Foveon, Inc. Two-stage amplifier for active pixel sensor cell array for reducing fixed pattern noise in the array output
US5917547A (en) * 1997-07-21 1999-06-29 Foveonics, Inc. Two-stage amplifier for active pixel sensor cell array for reducing fixed pattern noise in the array output
JP3524372B2 (ja) 1998-03-12 2004-05-10 キヤノン株式会社 固体撮像装置及び駆動パルス発生チップ
JP3468405B2 (ja) 1998-03-12 2003-11-17 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP3792894B2 (ja) * 1998-05-27 2006-07-05 キヤノン株式会社 固体撮像素子及び固体撮像装置
US6512858B2 (en) * 1998-07-21 2003-01-28 Foveon, Inc. Image scanning circuitry with row and column addressing for use in electronic cameras
US6300615B1 (en) 1998-08-31 2001-10-09 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion apparatus
US9029793B2 (en) 1998-11-05 2015-05-12 Siemens Aktiengesellschaft Imaging device
US6977685B1 (en) * 1999-02-26 2005-12-20 Massachusetts Institute Of Technology Single-chip imager system with programmable dynamic range
US6654057B1 (en) 1999-06-17 2003-11-25 Micron Technology, Inc. Active pixel sensor with a diagonal active area
JP3796412B2 (ja) * 2000-02-28 2006-07-12 キヤノン株式会社 撮像装置
JP3585219B2 (ja) * 2000-08-25 2004-11-04 キヤノン株式会社 固体撮像装置および撮像システム
WO2002027763A2 (en) 2000-09-25 2002-04-04 Foveon, Inc. Active pixel sensor with noise cancellation
JP2002158345A (ja) * 2000-11-22 2002-05-31 Shimadzu Corp 固体撮像素子
US8054357B2 (en) 2001-11-06 2011-11-08 Candela Microsystems, Inc. Image sensor with time overlapping image output
US7233350B2 (en) * 2002-01-05 2007-06-19 Candela Microsystems, Inc. Image sensor with interleaved image output
US6795117B2 (en) 2001-11-06 2004-09-21 Candela Microsystems, Inc. CMOS image sensor with noise cancellation
US20030193594A1 (en) * 2002-04-16 2003-10-16 Tay Hiok Nam Image sensor with processor controlled integration time
JP3658401B2 (ja) * 2002-09-20 2005-06-08 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びそれを用いたカメラ
JP2004134867A (ja) * 2002-10-08 2004-04-30 Canon Inc 固体撮像装置、その駆動方法、及び撮像システム
GB0224689D0 (en) * 2002-10-23 2002-12-04 Simage Oy Formation of contacts on semiconductor substrates
GB0224770D0 (en) * 2002-10-24 2002-12-04 Council Cent Lab Res Councils Imaging device
US7872237B2 (en) * 2002-10-25 2011-01-18 Ipl Intellectual Property Licensing Limited Circuit substrate and method
US7015960B2 (en) * 2003-03-18 2006-03-21 Candela Microsystems, Inc. Image sensor that uses a temperature sensor to compensate for dark current
US20060229679A1 (en) * 2005-03-31 2006-10-12 Joo Tae H External defibrillator and a method of determining when to use the external defibrillator
JP5813047B2 (ja) * 2013-04-26 2015-11-17 キヤノン株式会社 撮像装置、および、撮像システム。

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58125982A (ja) * 1982-01-22 1983-07-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置
USRE34309E (en) * 1984-12-26 1993-07-13 Canon Kabushiki Kaisha Image sensor device having plural photoelectric converting elements
US4731656A (en) * 1986-06-30 1988-03-15 Rca Corporation Solid state imager with transfer smear suppression for moving and stationary images
US5043821A (en) * 1988-08-31 1991-08-27 Canon Kabushiki Kaisha Image pickup device having a frame-size memory
EP0400985B1 (en) * 1989-05-31 2000-08-23 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric converting apparatus
US5146339A (en) * 1989-11-21 1992-09-08 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric converting apparatus employing Darlington transistor readout
EP0473294B1 (en) * 1990-08-07 2004-09-22 Canon Kabushiki Kaisha Photoconversion device
US5288988A (en) * 1990-08-07 1994-02-22 Canon Kabushiki Kaisha Photoconversion device having reset control circuitry
JP3050583B2 (ja) * 1990-10-17 2000-06-12 ソニー株式会社 固体撮像装置
JP2931088B2 (ja) * 1990-11-30 1999-08-09 キヤノン株式会社 マルチチップ型光電変換装置
JP2833729B2 (ja) * 1992-06-30 1998-12-09 キヤノン株式会社 固体撮像装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR0155017B1 (ko) 1998-11-16
EP0653881A2 (en) 1995-05-17
US5587738A (en) 1996-12-24
DE69427952D1 (de) 2001-09-20
EP0653881A3 (en) 1995-07-19
EP0653881B1 (en) 2001-08-16
DE69427952T2 (de) 2002-04-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950016250A (ko) 고체촬상장치
EP0942593B1 (en) Solid state image pickup apparatus
KR890011120A (ko) 고체촬상소자
KR100262286B1 (ko) 증폭형고체촬상소자
JP3018546B2 (ja) 固体撮像装置
JP3667214B2 (ja) 固体撮像装置およびその駆動方法
KR970068511A (ko) 증폭형 고체촬상장치
KR830006824A (ko) 고체촬상소자
KR950034814A (ko) 고체촬상장치
WO2011058683A1 (ja) 固体撮像装置
US5317406A (en) Image reading device and image information processing apparatus utilizing the same
US5274459A (en) Solid state image sensing device with a feedback gate transistor at each photo-sensing section
KR970068498A (ko) 증폭형 고체촬상장치
JP6137522B2 (ja) 光電変換装置のリセット方法と、光電変換装置、光電変換アレイ、および撮像装置
KR100236797B1 (ko) 이미지센서용 소스종동회로
US6476371B2 (en) Solid state imaging device and driving method thereof
KR940006394A (ko) 고체촬상장치
US5825056A (en) Scanning switch transistor for solid state imaging device
JP3624042B2 (ja) 光電変換装置
KR970077710A (ko) 고체촬상장치
JP4128947B2 (ja) 固体撮像装置
JPS61228667A (ja) 固体撮像装置
JP4336544B2 (ja) 固体撮像装置
JP3875223B2 (ja) 固体撮像装置及びその駆動方法
JP2004104116A (ja) 撮像装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
G170 Re-publication after modification of scope of protection [patent]
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120625

Year of fee payment: 15

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130626

Year of fee payment: 16

EXPY Expiration of term