JP6137522B2 - 光電変換装置のリセット方法と、光電変換装置、光電変換アレイ、および撮像装置 - Google Patents
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Description
1.ベース・エミッタリセット電圧設定の方法と最適電圧の提供、
2.ベース電極の除去、
3.リセット機能のために使用され、光電変換装置の面積を増大させるスイッチ回路、配線を活用した、飽和制御技術の提供、を課題とする。
該飽和制御技術はベース・コレクタ接合が「深い順方向電圧にバイアスされる」、いわゆる飽和状態を防止するが、前記ベース・コレクタ接合の逆方向電流にショットキ接合の逆方向電流ほど大きくならない技術である。
ベース電位とエミッタ電位を同時にリセットする時間帯を設けることにより、ベース・エミッタ間電圧が意図した値にリセットされる方法としては次の方法が提供される。また、フォトトランジスタの暗電流の増大とベース電極によるシャドウイングによる光−電子情報変換効率の減少、光電変換装置全体の占有面積の増加を改善する方法も提供される。
この具体構造の一つが(5)で提供される。
(1)第1コレクタ、第1ベース、第1エミッタを有するフォトトランジスタと、
第1ソース、第1ドレイン、第1ゲートを有する第1電界効果トランジスタとから少なくとも構成され、
該第1ベースと該第1電界効果トランジスタの第1ソースまたは第1ドレインの一方とが共通領域または連続領域を有することでベース電極を設けることなしに接続され、
該第1ソース、第1ドレインの他方へベースリセット電位が供給される光電変換装置のリセット方法であって、
該第1エミッタへ第1エミッタ電位を供給している時間と、該第1ゲートへ該第1電界効果トランジスタをオンとする第1オン電位を供給する時間とが重複する時間を有し、
前記ベースリセット電位は、前記第1エミッタ電位に前記フォトトランジスタのベース・エミッタリセット電圧を加えた値とし、該ベース・エミッタリセット電圧は前記フォトトランジスタのベース・コレクタ間暗電流が前記フォトトランジスタのベース・エミッタへ流れたときの該フォトトランジスタのベース・エミッタ電圧およびその±kT/q以内の電圧であり、ここでkはボルツマン定数、Tは該光電変換装置の絶対温度、qは電子の電荷素量である、
ことを特徴とする光電変換装置のリセット方法。
前記光電荷は増幅された電荷またはその充放電電流として前記フォトトランジスタのコレクタまたはエミッタから読み出すことができる。その読出時にエミッタに供給する電位を本発明では参照電位と呼ぶ。
前記フォトトランジスタの第1エミッタは該第2トランジスタの第2ベースへ接続され、
前記第1エミッタ電位は該第2エミッタへ参照電位を供給することにより与えられることを特徴とする光電変換装置のリセット方法。
前記第2トランジスタの第2エミッタは該第3トランジスタの第3ベースへ接続され、
前記第1エミッタ電位は該第3エミッタへ参照電位を供給することにより与えられることを特徴とする光電変換装置のリセット方法。
なお、(3)、(4)の場合、感度を最大限確保するためには、前記第1エミッタ電位は次の値をとることが望ましい。第2トランジスタを接続した場合には、前記参照電位と前記フォトトランジスタのベース・コレクタ間暗電流が前記フォトトランジスタにより増幅され、前記第2トランジスタの第2ベース・エミッタに流れたときの第2ベース・エミッタ電圧の和が前記第1エミッタ電位である。更に、第3トランジスタを接続した場合は、増幅された暗電流がさらに第2トランジスタにより増幅されそれが第3トランジスタのベース・エミッタへ流れたときの第3ベース・エミッタ電圧が上記の「和」に更に加えられた値が前期エミッタ電位となる。
(5)第1導電型を有する第1半導体領域と、
該第1半導体領域に接して設けられた逆導電型を有する第2半導体領域と、該第2半導体領域と離間して該第1半導体領域に接して設けられた逆導電型を有する第3半導体領域と、該第2半導体領域に接して設けられた第1導電型の第5半導体領域と、
少なくとも該第2、第3半導体領域に挟まれる該第1半導体領域表面に設けられた第1絶縁膜と、該第1絶縁膜上に該第2、第3半導体領域を橋渡すごとく設けた第1ゲートから成り、
該第2半導体領域または該第2半導体領域近傍の第1半導体領域に光が照射され、該第2半導体領域と該第1半導体領域間に光電流が流れる光電変換装置において、
該第5半導体領域へ第1エミッタ電位を供給している時間と、
該第3半導体領域へベースリセット電位が供給され、かつ、
該第1ゲートへ該第2、第3半導体領域間の該第1ゲート下の該第1半導体表面にチャネルまたは電流路が誘起される第1ゲート電位を供給している時間とが重複する時間を有し、
該ベースリセット電位は、該第1エミッタ電位に、該第1半導体領域を第1コレクタ、該第2半導体領域を第1ベース、該第5半導体領域を第1エミッタとするフォトトランジスタのベース・エミッタリセット電圧を加えた値とし、該ベース・エミッタリセット電圧は該フォトトランジスタのベース・コレクタ間暗電流が該フォトトランジスタのベース・エミッタへ流れたときの該フォトトランジスタのベース・エミッタ電圧およびその±kT/q以内の電圧であり、ここでkはボルツマン定数、Tは該光電変換装置の絶対温度、qは電子の電荷素量である、
ことを特徴とする光電変換装置。
該第1半導体領域に接して設けられた逆導電型を有する第2半導体領域と、該第2半導体領域と離間して該第1半導体領域に接して設けられた逆導電型を有する第3半導体領域と、該第2半導体領域に連続し第3半導体領域と離間して設けられた逆導電型の第4半導体領域と、該第2半導体領域に接して設けられた第1導電型の第5半導体領域と、
少なくとも該第3、第4半導体領域に挟まれる該第1半導体領域表面に設けられた第1絶縁膜と、該第1絶縁膜上に該第3、第4半導体領域を橋渡すごとく設けた第1ゲートから成り、
該第2半導体領域または該第2半導体領域近傍の第1半導体領域に光が照射され、該第2半導体領域と該第1半導体領域間に光電流が流れる光電変換装置において、
該第5半導体領域へ第1エミッタ電位を供給している時間と、
該第3半導体領域へベースリセット電位が供給され、かつ、
該第1ゲートへ該第3、第4半導体領域間の該第1ゲート下の該第1半導体表面にチャネルまたは電流路が誘起される第1ゲート電位を供給している時間とが重複する時間を有し、
該ベースリセット電位は、該第1エミッタ電位に、該第1半導体領域を第1コレクタ、該第2半導体領域を第1ベース、該第5半導体領域を第1エミッタとするフォトトランジスタのベース・エミッタリセット電圧を加えた値とし、該ベース・エミッタリセット電圧は該フォトトランジスタのベース・コレクタ間暗電流が該フォトトランジスタのベース・エミッタへ流れたときの該フォトトランジスタのベース・エミッタ電圧およびその±kT/q以内の電圧であり、ここでkはボルツマン定数、Tは該光電変換装置の絶対温度、qは電子の電荷素量である、
ことを特徴とする光電変換装置。
該第6半導体領域は前記第5半導体領域に電気接続され、
前記第1エミッタ電位は第7半導体領域へ参照電位を供給することにより与えられることを特徴とする光電変換装置。
該第8半導体領域は前記第7半導体領域に電気接続され、
前記第1エミッタ電位は第9半導体領域へ参照電位を供給することにより与えられることを特徴とする光電変換装置。
前記第1半導体に接して設けられた逆導電型の第10半導体領域と、
前記第1半導体領域に接し、該第10半導体領域と離間して設けられた逆導電型の第11半導体領域と、
少なくとも該第10、第11半導体領域に挟まれる該第1半導体領域表面に設けられた第2絶縁膜と、該第2絶縁膜上に該第10、第11半導体領域を橋渡すごとく設けた第2ゲートから成り、
該第10半導体領域は第5半導体領域、または第7半導体領域、または第9半導体領域に接続され、参照電位が該第11半導体領域に供給され、該第2ゲートに供給された第2オン電位により該第10、第11半導体領域間の第1半導体領域表面にチャネルまたは電流路が形成され、該参照電位が該第10半導体領域へ該チャネルまたは電流路をとおして供給され、結果として第5半導体領域へ第1エミッタ電位が供給されることを特徴とする光電変換装置。
(11)第1導電型の第1半導体領域(101)の一部をコレクタ、該第1半導体領域の表面に接して設けられた逆導電型の第2半導体領域(102)を第1ベース、該第2半導体領域に接して設けられた第1導電型の第5半導体領域(105)を第1エミッタとするフォトトランジスタ(1100)と同様なベース、エミッタ構造および寸法を有し、遮光手段が設けられた第2フォトトラジスタを少なくとも設け、
該第2フォトトラジスタのエミッタに第1エミッタ電位を供給して該第2フォトトラジスタのベースから得た電位をベースリセット電位とすることを特徴とするベースリセット電位発生装置。
なお、前記フォトトラジスタと同様なベース、エミッタ構造および寸法を有するとは、同じ面積密度のベース電流を流した時に前記フォトトランジスタと±kT/qの誤差範囲で同じベース・エミッタ電圧となる構造および寸法を言う。
なお、該第2フォトトラジスタ、第4、第5トランジスタは前記フォトトランジスタと同一チップ上に前記フォトトランジスタと同時に作製されることが望ましい。
(14)第1コレクタ、第1ベース、第1エミッタを有するフォトトランジスタと、
第1ソース、第1ドレイン、第1ゲートを有する第1電界効果トランジスタとから少なくとも構成され、
該第1ベースと該第1電界効果トランジスタの第1ソースとが共通領域または連続した領域を有することでベース電極を設けることなしに接続され、
該第1ドレインへ前記ベースリセット電位が供給され、
該第1エミッタへ前記第1エミッタ電位が供給され、次いで、
該第1ゲートへ該第1電界効果トランジスタがオンとなる第1オン電位が供給されたあと、
該第1ゲートへ飽和制御電位が供給され、
該第1エミッタ電位は、読み出し時に供給される参照電位であり、
該第1ドレインへ第1ドレイン電位が供給されることを特徴とする光電変換装置。
前記フォトトランジスタの第1エミッタは該第2トランジスタの第2ベースへ接続され、
前記第1エミッタ電位は該第2エミッタへ参照電位を供給することにより与えられることを特徴とする光電変換装置。
前記第2トランジスタの第2エミッタは該第3トランジスタの第3ベースへ接続され、
前記第1エミッタ電位は該第3エミッタへ参照電位を供給することにより与えられることを特徴とする光電変換装置。
第1方向へ延在する複数の第1配線と、
第2方向へ延在する複数の第2配線と、
前記第1ゲートと接続する複数の第3配線と、
前記第1ドレインと接続する少なくとも1つの第4配線と、
該第1、第2、第3、第4配線は相互に絶縁され、
前記フォトトランジスタのコレクタは該第1方向へ延在する複数の第1配線の一つに接続され、
前記(14)記載の光電変換装置の場合は前記フォトトランジスタの第1エミッタ、
前記(15)記載の光電変換装置の場合は前記第2トランジスタの第2エミッタ、
前記(16)記載の光電変換装置の場合は前記第3トランジスタの第3エミッタ、が該第2方向へ延在する複数の第2配線の一つに接続された、ことを特徴とする光電変換アレイ。
第1方向へ延在する複数の第1配線と、
第2方向へ延在する複数の第2配線と、
前記第1ゲートと接続する複数の第3配線と、
前記第1ドレインと接続する少なくとも1つの第4配線と、
該第1、第2、第3、第4配線は相互に絶縁され、
前記第2電界効果トランジスタの第2ゲートは該第1方向へ延在する複数の第1配線の一つに接続され、前記第2電界効果トランジスタの第2ソースまたは第2ドレインの他方は該第2方向へ延在する複数の第2配線の一つに接続された、ことを特徴とする光電変換アレイ。
前記第1配線をスキャンするYスキャン回路と、
前記第2配線に接続された(複数の)電流または電荷センス回路と、
前記第2配線にソース・ドレインの一方が接続された(複数の)参照電位設定電界効果トランジスタと、
該参照電位設定電界効果トランジスタのソース・ドレインの他方に接続された参照電位供給手段と、
第3配線に接続されたリセット・飽和制御スキャン回路と、
第4配線に接続された第1ドレイン電位供給手段と、
から構成され、
該電流または電荷センス回路は、信号入力の他に参照電位入力第2入力端子を有する差動形であり、該第2入力端子には参照電位が供給された、ことを特徴とする撮像装置。
第2オン電位は(10)で構造上は定義されているが更に一般的には、前記第2電界効果トランジスタの第2ソースまたは第2ドレインが参照電位Vrefであるときに前記第2電界効果トランジスタをオンとする第2ゲート電位、
第1オン電位は前記第1電界効果トランジスタの第1ソースおよび第1ドレインがベースリセット電位Vresであるときに前記第1電界効果トランジスタをオンとする第1ゲート電位、
飽和制御電位はフォトトランジスタの第1コレクタ電位Vc1に前記第1電界効果トランジスタのゲート閾値電圧Vthを加えた電位と前記ベースリセット電位Vresとの間の電位でベース・コレクタ接合が深い順方向電位にバイアスされる前にベース電位をクランプするために第1ゲートへ供給する電位である。
第3半導体領域311、第4半導体領域312、第3、第4半導体領域近傍の第1半導体領域表面、第1ゲート絶縁膜314、第1ゲート313から第1電界効果トランジスタ3100が構成される。
更に、該第4半導体領域と該第2半導体領域は同じ導電型であり、一つの共有領域として総合的に把握することもできる。
1011、1012、1013はフォトトランジスタ1100のコレクタ、ベース、エミッタであり、3011、3012、3013は第1電界効果トランジスタ3100のドレイン、ソース、ゲートである。ベース電極を介さないでドレイン、ソースのどちらがフォトトランジスタのベースに接続されてもよいが、図2では第1電界効果トランジスタのソースがベースと連続して接続されている。
例えば、このVres−Ve1がこのフォトトランジスタの暗電流に対応するベース・エミッタ間電圧である場合、ベースから流れ出る光電流で該ベース・コレクタ間電気容量Cbcは放電され始め、リセット時よりΔVだけ電圧が変化する。このCbc×ΔVが本発明で上記定義した光蓄積電荷に近い電気量である。実際は光蓄積電荷にはベース浮遊容量への充電電荷、ベース・エミッタ間容量への充電電荷も含まれるが通常相対的に小さく複雑になるのでここでは言及しない。
後に述べる飽和制御回路を利用して、ベースの電気容量が放電してベース電位がVc2へ向かって変化していってもベースの電位変化を設計値で停止出来るので、ベース・コレクタが深く順方向電圧にバイアスされることなく、読み出しのための電位(リセット時の電位と同じにすることができる)Vc1を第1コレクタ1011へ供給するまでは第1コレクタ1011または第1エミッタ1013から電流が流れだすことはない。
この特性はアレイを構成して各セルを選択的して読み出すときフォトトランジスタのコレクタ電位をセル選択に活用できるので好都合である。
蓄積時間tstrの経過とともに光電流でCbcは放電され、Cbstはさらに充電され、ベース電位VbはVresからコレクタ電位Vc1の方向に向って変化する。なお、Cbeはベース・エミッタ電圧の変化分(小さい)だけ充放電される。
そのまま放置すれば、ベース・コレクタ接合の電圧は逆バイアス、ゼロバイアスと変化し、ベース電位はVc1を通り越し、ベース・コレクタ接合の電圧は順バイアスと変化し、ついに深い順方向電圧にバイアスされて電位変化は停止する。このため、上記のように過剰少数キャリアが蓄積されて、スイッチ速度阻害、画像の滲みなどの悪影響を及ぼす。
本発明では前記ベース・コレクタ接合が順バイアスされたとしてもその順方向電圧が深い順方向電圧より60mV程度以上小さく制御される、またはゼロから逆バイアス電圧に制御されることを飽和制御されると称する。
この方法を採用するときは、読み出す直前に第1電界効果トランジスタのゲートの電位をVc1近くへ変化させる必要がある。
第1電界効果トランジスタによりバイパスされる電流Isinkは図3に示すようにVbがVresからVsctrl−Vthに近くなると指数関数的に増加して、Vsctrl−VthではIth(たとえば1μA)となる。いわゆるオフ電流値IoffはpAレベルに設計できるから、ショットキダイオードを並列接続したときに比べてベース・コレクタ接合の等価暗電流に加算される電流は小さい。Vbが、Vsctrl−Vth−(0.4〜0.5)Vから、Vsctrl−Vthまで変化する間に、Isinkは、IoffのレベルからIthまで増加する。このVbの変化幅0.4〜0.5Vは、s×log(Ith/Ioff)で与えられる。ここでsはいわゆるsub-threshold slopeと呼ばれるデバイスパラメータである。
W=(iph−ith)×2L/(μCox(Vsctrl−Vc1−Vth)2)
ここで、Lはチャネル長、μはキャリア移動度、Coxはゲート絶縁膜単位面積電気容量である。この場合のIthは単位チャネルあたり(W/L=1)の値ithを使う。
第1方向へ延在する複数の第1配線M1310−j(j=1、2、3、・・・、n)と、
第2方向へ延在する複数の第2配線M2310−i(i=1、2、3、・・・、m)と、
前記第1ゲート電位を供給する複数の第3配線M1320−j(j=1、2、3、・・・、n)と、
前記第1ドレイン電位を供給する少なくとも1つの第4配線2320と、
が相互に絶縁され配列されている。
該第1方向へ配列された該ユニットセルの前記第2電界効果トランジスタのゲートは該第1方向へ延在する複数の第1配線M1310−j(j=1、2、3、・・・、n)の一つに接続され、該第2方向へ配列された該ユニットセルの前記第2電界効果トランジスタの第2ソースまたは第2ドレインの他方は該第2方向へ延在する複数の第2配線M2310−i(i=1、2、3、・・・、m)の一つに接続され、
該第1方向へ配列された該ユニットセルの前記第1電界効果トランジスタのゲートは該第1方向へ延在する複数の第3配線M1320−j(j=1、2、3、・・・、n)の一つに接続されている。
上記アレイ1000と、
第1方向へ延在する複数の第1配線M1310−j(j=1、2、3、・・・、n)をスキャンするYスキャン回路9010、
第2方向へ延在する複数の第2配線M2310−i(i=1、2、3、・・・、m)(本発明では出力線とも言う)に接続された電流または電荷センス回路9020−i(i=1、2、3、・・・、m)(複数を仮定。単数の場合は切替用電界効果トランジスタを介して接続)および参照電位設定電界効果トランジスタ3090−i(i=1、2、3、・・・、m)(複数を仮定。単数の場合は切り替え用電界効果とランジスタを介して接続)からなる図5に例を示す構成が提供される。該電流または電荷センス回路9020は参照電位入力端子922を有する差動形である。
参照電位設定電界効果トランジスタ3090−i(i=1、2、3、・・・、m)のソース・ドレインの一方はそれぞれ、出力線(第2配線)M2310−i(i=1、2、3、・・・、m)に接続され、該ソース・ドレインの他方へは該参照電位供給手段6001から参照電位Vrefが供給される。
前記センス回路9020−i(i=1、2、3、・・・、m)の出力は並列直列変換回路9030によりserial信号に変換される。
102 :第2半導体領域
102−1 :第2−1半導体領域
105 :第5半導体領域
311 :第3半導体領域、第1ドレイン
312 :第4半導体領域、第1ソース
313 :第1ゲート
314 :第1ゲート絶縁膜
922 :センス回路9020の参照入力
1100 :フォトトランジスタ
1011 :フォトトランジスタのコレクタ
1012 :フォトトランジスタのベース
1013 :フォトトランジスタのエミッタ
2010 :第2バイポーラトランジスタ
3100 :第1電界効果トランジスタ
3011 :第1ドレイン
3012 :第1ソース
3013 :第1ゲート
3023 ;第2ゲート
3200 :第2電界効果トランジスタ
1001−i−j(i=1〜m、j=1〜n) :本発明の撮像装置用アレイを構成するセル
3090−i(i=1〜m) :参照電位設定電界効果トランジスタ
6001 :参照電位供給手段
9010 :Yスキャン回路
9011 :リセット・飽和制御スキャン回路
9020 :電流または電荷センス回路
9030 :並列直列変換回路
M1310−j(j=1〜n) :複数の第1配線
M1320−j (j=1〜n) :第3配線
M2310−i(i=1〜m) :第2配線
M2320 :第4配線
Claims (22)
- 第1コレクタ、第1ベース、第1エミッタを有するフォトトランジスタと、
第1ソース、第1ドレイン、第1ゲートを有する第1電界効果トランジスタとから少なくとも構成され、
該第1ベースと該第1電界効果トランジスタの第1ソースまたは第1ドレインの一方とが共通領域または連続領域を有することでベース電極を設けることなしに接続され、
該第1ソース、第1ドレインの他方へベースリセット電位が供給される光電変換装置のリセット方法であって、
該第1エミッタへ第1エミッタ電位を供給している時間と、該第1ゲートへ該第1電界効果トランジスタをオンとする第1オン電位を供給する時間とが重複する時間を有し、
前記ベースリセット電位は、前記第1エミッタ電位に前記フォトトランジスタのベース・エミッタリセット電圧を加えた値とし、該ベース・エミッタリセット電圧は前記フォトトランジスタのベース・コレクタ間暗電流が前記フォトトランジスタのベース・エミッタへ流れたときの該フォトトランジスタのベース・エミッタ電圧およびその±kT/q以内の電圧であり、ここでkはボルツマン定数、Tは該光電変換装置の絶対温度、qは電子の電荷素量である、
ことを特徴とする光電変換装置のリセット方法。 - 前記第1エミッタ電位は読出時に供給される参照電位であることを特徴とする請求項1記載の光電変換装置のリセット方法。
- 請求項1記載の光電変換装置は、前記フォトトランジスタにさらに第2トランジスタが設けられ、該第2トランジスタは第2ベースと第2エミッタを有し、
前記フォトトランジスタの第1エミッタは該第2トランジスタの第2ベースへ接続され、
前記第1エミッタ電位は該第2エミッタへ参照電位を供給することにより与えられることを特徴とする光電変換装置のリセット方法。 - 請求項3記載の光電変換装置は、前記フォトトランジスタにさらに第3トランジスタが設けられ、該第3トランジスタは第3ベースと第3エミッタを有し、
前記第2トランジスタの第2エミッタは該第3トランジスタの第3ベースへ接続され、
前記第1エミッタ電位は該第3エミッタへ参照電位を供給することにより与えられることを特徴とする光電変換装置のリセット方法。 - 第1導電型を有する第1半導体領域と、
該第1半導体領域に接して設けられた逆導電型を有する第2半導体領域と、該第2半導体領域と離間して該第1半導体領域に接して設けられた逆導電型を有する第3半導体領域と、該第2半導体領域に接して設けられた第1導電型の第5半導体領域と、
少なくとも該第2、第3半導体領域に挟まれる該第1半導体領域表面に設けられた第1絶縁膜と、該第1絶縁膜上に該第2、第3半導体領域を橋渡すごとく設けた第1ゲートから成り、
該第2半導体領域または該第2半導体領域近傍の第1半導体領域に光が照射され、該第2半導体領域と該第1半導体領域間に光電流が流れる光電変換装置において、
該第5半導体領域へ第1エミッタ電位を供給している時間と、
該第3半導体領域へベースリセット電位が供給され、かつ、
該第1ゲートへ該第2、第3半導体領域間の該第1ゲート下の該第1半導体表面にチャネルまたは電流路が誘起される第1ゲート電位を供給している時間とが重複する時間を有し、
該ベースリセット電位は、該第1エミッタ電位に、該第1半導体領域を第1コレクタ、該第2半導体領域を第1ベース、該第5半導体領域を第1エミッタとするフォトトランジスタのベース・エミッタリセット電圧を加えた値とし、該ベース・エミッタリセット電圧は該フォトトランジスタのベース・コレクタ間暗電流が該フォトトランジスタのベース・エミッタへ流れたときの該フォトトランジスタのベース・エミッタ電圧およびその±kT/q以内の電圧であり、ここでkはボルツマン定数、Tは該光電変換装置の絶対温度、qは電子の電荷素量である、
ことを特徴とする光電変換装置。 - 第1導電型を有する第1半導体領域と、
該第1半導体領域に接して設けられた逆導電型を有する第2半導体領域と、該第2半導体領域と離間して該第1半導体領域に接して設けられた逆導電型を有する第3半導体領域と、該第2半導体領域に連続し第3半導体領域と離間して設けられた逆導電型の第4半導体領域と、該第2半導体領域に接して設けられた第1導電型の第5半導体領域と、
少なくとも該第3、第4半導体領域に挟まれる該第1半導体領域表面に設けられた第1絶縁膜と、該第1絶縁膜上に該第3、第4半導体領域を橋渡すごとく設けた第1ゲートから成り、
該第2半導体領域または該第2半導体領域近傍の第1半導体領域に光が照射され、該第2半導体領域と該第1半導体領域間に光電流が流れる光電変換装置において、
該第5半導体領域へ第1エミッタ電位を供給している時間と、
該第3半導体領域へベースリセット電位が供給され、かつ、
該第1ゲートへ該第3、第4半導体領域間の該第1ゲート下の該第1半導体表面にチャネルまたは電流路が誘起される第1ゲート電位を供給している時間とが重複する時間を有し、
該ベースリセット電位は、該第1エミッタ電位に、該第1半導体領域を第1コレクタ、該第2半導体領域を第1ベース、該第5半導体領域を第1エミッタとするフォトトランジスタのベース・エミッタリセット電圧を加えた値とし、該ベース・エミッタリセット電圧は該フォトトランジスタのベース・コレクタ間暗電流が該フォトトランジスタのベース・エミッタへ流れたときの該フォトトランジスタのベース・エミッタ電圧およびその±kT/q以内の電圧であり、ここでkはボルツマン定数、Tは該光電変換装置の絶対温度、qは電子の電荷素量である、
ことを特徴とする光電変換装置。 - 前記第1エミッタ電位は、読出時に供給される参照電位であることを特徴とする請求項5または6記載の光電変換装置。
- 請求項5または6記載の光電変換装置は、さらに前記第2半導体領域と離間して前記第1半導体領域に接して設けられた逆導電型の第6半導体領域と該第6半導体領域に接して設けられた第1導電型の第7半導体領域とからなり、
該第6半導体領域は前記第5半導体領域に電気接続され、
前記第1エミッタ電位は第7半導体領域へ参照電位を供給することにより与えられることを特徴とする光電変換装置。 - 請求項8記載の光電変換装置は、さらに前記第2半導体領域および第6半導体領域と離間して前記第1半導体領域に接して設けられた逆導電型の第8半導体領域と該第8半導体領域に接して設けられた第1導電型の第9半導体領域とからなり、
該第8半導体領域は前記第7半導体領域に電気接続され、
前記第1エミッタ電位は第9半導体領域へ参照電位を供給することにより与えられることを特徴とする光電変換装置。 - 請求項5、6、8または9記載の光電変換装置は、更に、
前記第1半導体領域に接して設けられた逆導電型の第10半導体領域と、
前記第1半導体領域に接し、該第10半導体領域と離間して設けられた逆導電型の第11半導体領域と、
少なくとも該第10、第11半導体領域に挟まれる該第1半導体領域表面に設けられた第2絶縁膜と、該第2絶縁膜上に該第10、第11半導体領域を橋渡すごとく設けた第2ゲートから成り、
該第10半導体領域は、第5半導体領域、第7半導体領域、または第9半導体領域に接続され、参照電位が該第11半導体領域に供給され、該第2ゲートに供給された第2オン電位により該第10、第11半導体領域間の第1半導体領域表面にチャネルまたは電流路が形成され、該参照電位が該第10半導体領域へ該チャネルまたは電流路をとおして供給され、結果として第5半導体領域へ第1エミッタ電位が供給されることを特徴とする光電変換装置。 - 第1導電型の第1半導体領域(101)の一部をコレクタ、該第1半導体領域の表面に接して設けられた逆導電型の第2半導体領域(102)を第1ベース、該第2半導体領域に接して設けられた第1導電型の第5半導体領域(105)を第1エミッタとするフォトトランジスタ(1100)と同様なベース、エミッタ構造および寸法を有し、遮光手段が設けられた第2フォトトラジスタを少なくとも設け、
該第2フォトトラジスタのエミッタに第1エミッタ電位を供給して該第2フォトトラジスタのベースから得た電位をベースリセット電位とすることを特徴とするベースリセット電位発生装置。 - 請求項11記載のベースリセット電位発生装置において、さらに第4ベースと第4エミッタを有する第4トランジスタを設け、第2フォトトラジスタのエミッタを該第4ベースへ接続し、該第4エミッタに読み出し時に供給される参照電位を供給して該第2フォトトラジスタのベースから得た電位をベースリセット電位とすることを特徴とするベースリセット電位発生装置。
- 請求項12記載のベースリセット電位発生装置において、さらに第5ベースと第5エミッタを有する第5トランジスタを設け、第4トランジスタの第4エミッタを該第5ベースへ接続し、該第5エミッタに読み出し時に供給される参照電位を供給して該第2フォトトラジスタのベースから得た電位をベースリセット電位とすることを特徴とするベースリセット電位発生装置。
- 第1コレクタ、第1ベース、第1エミッタを有するフォトトランジスタと、
第1ソース、第1ドレイン、第1ゲートを有する第1電界効果トランジスタとから少なくとも構成され、
該第1ベースと該第1電界効果トランジスタの第1ソースとが共通領域または連続した領域を有することでベース電極を設けることなしに接続され、
該第1ドレインへベースリセット電位が供給され、
該第1エミッタへ第1エミッタ電位が供給され、かつ、
該第1ゲートへ該第1電界効果トランジスタがオンとなる第1オン電位が供給されたあと、
該第1ゲートへ飽和制御電位が供給され、
該第1エミッタ電位は、読み出し時に供給される参照電位であり、
該第1ドレインへ第1ドレイン電位が供給されることを特徴とする光電変換装置。 - 請求項14記載の光電変換装置は、前記フォトトランジスタに加えてさらに第2トランジスタが設けられ、該第2トランジスタは第2ベースと第2エミッタを有し、
前記フォトトランジスタの第1エミッタは該第2トランジスタの第2ベースへ接続され、
前記第1エミッタ電位は該第2エミッタへ参照電位を供給することにより与えられることを特徴とする光電変換装置。 - 請求項15記載の光電変換装置は、前記第2トランジスタに加えてさらに第3トランジスタが設けられ、該第3トランジスタは第3ベースと第3エミッタを有し、
前記第2トランジスタの第2エミッタは該第3トランジスタの第3ベースへ接続され、
前記第1エミッタ電位は該第3エミッタへ参照電位を供給することにより与えられることを特徴とする光電変換装置。 - 請求項14記載の光電変換装置において、さらに第2ソース、第2ドレイン、第2ゲートを備えた第2電界効果トランジスタを設け、該第2ソース・ドレインの一方は前記フォトトランジスタの第1エミッタに接続され、該第2ゲートに第2オン電位を供給することにより、該第2ソースまたはドレインの他方から電子情報を得ることを特徴とする光電変換装置。
- 請求項15記載の光電変換装置において、さらに第2ソース、第2ドレイン、第2ゲートを備えた第2電界効果トランジスタを設け、該第2ソース・ドレインの一方は前記第2トランジスタの第2エミッタに接続され、該第2ゲートに第2オン電位を供給することにより、該第2ソースまたはドレインの他方から電子情報を得ることを特徴とする光電変換装置。
- 請求項16記載の光電変換装置において、さらに第2ソース、第2ドレイン、第2ゲートを備えた第2電界効果トランジスタを設け、該第2ソース・ドレインの一方は前記第3トランジスタの第3エミッタに接続され、該第2ゲートに第2オン電位を供給することにより、該第2ソースまたはドレインの他方から電子情報を得ることを特徴とする光電変換装置。
- 交差する第1方向と第2方向に複数個配列された請求項14〜16のいずれかに記載の光電変換装置と、
第1方向へ延在する複数の第1配線と、
第2方向へ延在する複数の第2配線と、
前記第1ゲートと接続する複数の第3配線と、
前記第1ドレイン電位と接続する少なくとも1つの第4配線と、
該第1、第2、第3、第4配線は相互に絶縁され、
前記フォトトランジスタの第1コレクタは該第1方向へ延在する複数の第1配線の一つに接続され、
請求項14記載の光電変換装置の場合は前記フォトトランジスタの第1エミッタ、
請求項15記載の光電変換装置の場合は前記第2トランジスタの第2エミッタ、
請求項16記載の光電変換装置の場合は前記第3トランジスタの第3エミッタ、
が該第2方向へ延在する複数の第2配線の一つに接続された、ことを特徴とする光電変換アレイ。 - 交差する第1方向と第2方向に複数個配列された請求項17〜19のいずれかに記載の光電変換装置と、
第1方向へ延在する複数の第1配線と、
第2方向へ延在する複数の第2配線と、
前記第1ゲートと接続する複数の第3配線と、
前記第1ドレインと接続する少なくとも1つの第4配線と、
該第1、第2、第3、第4配線は相互に絶縁され、
前記第2電界効果トランジスタのゲートは該第1方向へ延在する複数の第1配線の一つに接続され、前記第2電界効果トランジスタの第2ソースまたは第2ドレインの他方は該第2方向へ延在する複数の第2配線の一つに接続された、ことを特徴とする光電変換アレイ。 - 請求項20または21記載の光電変換アレイと、
前記第1配線をスキャンするYスキャン回路と、
前記第2配線に接続された電流または電荷センス回路と、
前記第2配線にソース・ドレインの一方が接続された参照電位設定電界効果トランジスタと、
該参照電位設定電界効果トランジスタのソース・ドレインの他方に接続された参照電位供給手段と、
第3配線に接続されたリセット・飽和制御スキャン回路と、
第4配線に接続された第1ドレイン電位供給手段と、
から構成され、
該電流または電荷センス回路は信号入力の他に参照電位入力第2入力端子を有する差動形であり、該第2入力端子には参照電位が供給された、ことを特徴とする撮像装置。
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