KR940006394A - 고체촬상장치 - Google Patents

고체촬상장치 Download PDF

Info

Publication number
KR940006394A
KR940006394A KR1019930011929A KR930011929A KR940006394A KR 940006394 A KR940006394 A KR 940006394A KR 1019930011929 A KR1019930011929 A KR 1019930011929A KR 930011929 A KR930011929 A KR 930011929A KR 940006394 A KR940006394 A KR 940006394A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode region
signal
potential
charge
outputting
Prior art date
Application number
KR1019930011929A
Other languages
English (en)
Other versions
KR970007399B1 (ko
Inventor
마히토 시노하라
Original Assignee
미타라이 하지메
캐논 가부시기가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 미타라이 하지메, 캐논 가부시기가이샤 filed Critical 미타라이 하지메
Publication of KR940006394A publication Critical patent/KR940006394A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR970007399B1 publication Critical patent/KR970007399B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/50—Control of the SSIS exposure
    • H04N25/53—Control of the integration time
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

본 발명은, 고체촬상장치에 관한 것으로서, 특히 광전변환된 신호전하를 증폭해서 출력하는 증폭형의 광전변환소자를 사용한 고체촬상장치에 관한 것이다.
본 발명은, 광에너지를 받으므로서 생성되는 전하를 축적하고, 이전하를 증폭해서 출력하는 광전변환화소를 복수개배열한 고체촬상장치에 있어서, 관전변환부의 각하소의 축적개시종료의 타이밍을 동시, 또는 축적시간에 비해 약간의 어긋남 만으로 행하기 위하여, 트랜지스터(21)를 가진 신호축적셀을 배열한 신호축적부와, 상기 광전변환화소의 신호를, 상기 신호축적셀의 제어전극에 전압으로서 전송하는 전송부(26),(29),(31)와, 상기 신호축적셀의 트랜지스터의 1개의 주전극으로부터 신호를 출력하는 판독회로를 구비한 것을 특징으로 하는 고체촬상장치를 제공한다.

Description

고체촬상장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 쌍곡형센서를 사용한 고체촬상장치의 광전변환부 및 신호판독부의 회로구성도,
제2도는 광전변환부 및 신호판독부의 동작을 설명하기 위한 타이밍차아트,
제3도는 쌍곡형센서를 사용한 고체촬상장치의 광전변화부 및 신호판독부의 회로 구성도,
제4도는 본 발명 제1의 고체촬상장치의 제1실시예의 광전변환부 및 신호판독부의 회로구성도,
제6도는 본 발명 제1의 고체촬상장치의 제2 실시예의 일부의 광전변환부 및 신호판독부의 회로구성도,
제7도는 제6도에서 표시한 고체촬상장치의 동작순서를 표시한 도면.

Claims (6)

  1. 광에너지를 받게 되므로서 생성되는 전하를 축적하고, 이 전하를 증폭해서 출력하는 광전변환화소를 복수개 배열한 고체촬상장치에 있어서, 쌍곡트랜지스터를 가진 신호축적셀을 배열한 신호축적부와, 상기 광전변환화소의 신호를, 상기 신호축적셀의 베이스에 베이스전압으로서 전송하는 전송수단과, 상기 신호축적셀의 쌍곡트랜지스터의 이미터로부터 신호를 출력하는 판독수단을 구비한 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전송수단은, 상기 광전변환화소의 신호를 저임피던스에서 전압치로서 상기 쌍곡트랜지스터의 이미터에 출력하는 수단과, 상기 쌍곡트랜지스터의 베이스를 이미터보다도 전위가 높은 플로팅상태로 하는 수단을 구비하고, 흐르는 베이스전류에 의해서, 전위를 이미터전위보다 일정전압분 만큼 높은 전위로 규정하므로서, 상기 신호축적셀의 베이스에 신호를 전송하는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  3. 제1도전형의 반도체로 이루어진 제어전극영역, 및 상기 제1도전형과는 다른 제2도전형의 반도체로 이루어진 제1 및 제2의 주전극영역을 가지고, 광에너지를 받으므로서 생성되는 전하를 상기 제어전극영역에 축적가능한 트랜지스터와, 상기 제어전극영역과 용량결합된 전극을 가진 화소를 구비함과 동시에, 이 전극의 전위를 제어하므로서, 상기 제어전극영역의 전위를 상기 제1의 주전극영역에 대해서 순방향으로 바이어스하고, 축적된 전하에 따른 신호를 상기 제1의 주전극영역으로부터 출력되는 판독수단을 구비한 고체쵤상 장치에 있어서, 상기 제어전극영역에 전하를 축적하고 있는 기간에, 축적된 전하에 따른 신호가 상기 제1의 주전극영역으로 부터 출력되도록, 상기 전극의 전위를 설정하는 전위설정수단과, 이 기간에 상기 제1의 주전극영역으로부터 출력된 출력을 검지하는 검지수단을 설정한 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  4. 제3항에 있어서, 화소를 2차원매트릭스형상으로 배치하고, 상기 전극의 전위를 검지하는 제2의 검지수단을 설정, 한방향으로 배설된 화소의 제1의 주전극영역을 열마다 공통접속해서 특허청구범위 제3항기재의 검지수단에 접속하고, 다른 한 방향으로 배열된 화소의 용량결합된 전극을 행마다 공통접속해서 상기 제2의 검지수단에 접속하고, 공통접속된 전극의 전위를 소정의 전위로 한후에 이 전극을 부유상태로 하고, 상기 제어전극영역에 전하를 축적하고 있는 기간에 축적된 전하에 따른 신호를 상기 제1의 주전극영역으로부터 출력해서 상기 검지수단에서 검지함과 동시에, 전하축적에서 수반하여 용량을 개재해서 변동하는 전극전위를 상기 제2의 검지수단으로 검지한 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  5. 제1도전형의 반도체로 이루어진 제어전극영역, 및 상기 제1도전형과는 다른 제2도전형의 반도체로 이루어진 제1 및 제2의 주전극영역을 가지고, 광에너지를 받으므로서 생성되는 전하를 상기 제어전극영역에 축적가능한 트랜지스터와, 상기 제어전극영역과 용량결합된 전극을 가진 화소를 구비함과 동시에, 이 전극의 전위를 제어하므로서, 상기 제어전극영역의 전위를 상기 제1의 주전극영역에 대해서 순방향으로 바이어스하고, 축적된 전하에 따른 신호를 상기 제1의 주전극영역으로부터 출력하는 판독수단을 구비한 고체촬상장치에 있어서, 상기 전극의 전위를 검지하는 검지수단을 설정, 상기 제어전극영역에 전하를 축적하고 있는 기간에 상기 전극을 부유상태로하고, 전하축적에 수반요량을 개재해서 변동하는 전극전위를 이검지수단으로 검지한 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  6. 제1도전형의 반도체로 이루어진 제어전극영역, 및 상기 제1도전형과는 다른 제2도전형의 반도체로 이루어진 제1, 제2 제3의 주전극영역을 가지고, 광에너지를 받으므로서 생성되는 전하를 상기 제어전극영역에 축적하고, 제1 및 제2의 주전극영역으로부터 축적된 전하에 따른 신호를 출력하는 트랜지스터를 구비한 화소를 2차원매트릭스 형상으로 배치하고, 각 열에 화소의 제1의 주전극영역과 접속하는 제1출력선, 및 각행에 화소의 제2의 주전극영역과 접속하는 제2의 출력선을 형성함과 동시에, 각열의 제1의 출력선의 출력을 검지하는 제1의 검지수단과, 각행의 제2의 출력선의 출력을 검지하는 제2의 검지수단을 설정, 광신호축적중에 축적전하량에 따는 제1 및 제2의 출력선의 출력을 제1 및 제2의 검출수단에 의해서 검지하는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930011929A 1992-06-30 1993-06-29 고체촬상장치 KR970007399B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP92-196145 1992-06-30
JP4196145A JP2833729B2 (ja) 1992-06-30 1992-06-30 固体撮像装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR940006394A true KR940006394A (ko) 1994-03-23
KR970007399B1 KR970007399B1 (ko) 1997-05-08

Family

ID=16352971

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019930011929A KR970007399B1 (ko) 1992-06-30 1993-06-29 고체촬상장치

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6049357A (ko)
EP (1) EP0577391B1 (ko)
JP (1) JP2833729B2 (ko)
KR (1) KR970007399B1 (ko)
AT (1) ATE170030T1 (ko)
DE (1) DE69320428T2 (ko)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69427952T2 (de) * 1993-11-17 2002-04-04 Canon Kk Festkörperbildaufnahmevorrichtung
JPH10257392A (ja) * 1997-03-14 1998-09-25 Matsushita Electron Corp 物理量分布検知半導体装置およびその駆動方法ならびにその製造方法
JPH11103418A (ja) * 1997-09-29 1999-04-13 Canon Inc 光電変換装置
US6580454B1 (en) * 1998-11-18 2003-06-17 Agilent Technologies, Inc. CMOS active pixel sensor having in-pixel local exposure control
US6587146B1 (en) * 1998-11-20 2003-07-01 Eastman Kodak Company Three transistor active pixel sensor architecture with correlated double sampling
KR100364603B1 (ko) * 2000-06-20 2002-12-16 (주) 픽셀플러스 출력 버퍼부를 공유하는 씨모스 이미지 센서
JP3750502B2 (ja) * 2000-08-03 2006-03-01 ソニー株式会社 固体撮像装置およびカメラシステム
JP4681767B2 (ja) * 2001-07-17 2011-05-11 キヤノン株式会社 撮像装置およびカメラ
US7233350B2 (en) * 2002-01-05 2007-06-19 Candela Microsystems, Inc. Image sensor with interleaved image output
US8054357B2 (en) 2001-11-06 2011-11-08 Candela Microsystems, Inc. Image sensor with time overlapping image output
US6795117B2 (en) 2001-11-06 2004-09-21 Candela Microsystems, Inc. CMOS image sensor with noise cancellation
US20030193594A1 (en) * 2002-04-16 2003-10-16 Tay Hiok Nam Image sensor with processor controlled integration time
US7091530B1 (en) 2002-07-03 2006-08-15 Massachusetts Institute Of Technology High-speed, high-sensitivity charge-coupled device with independent pixel control of charge collection and storage
US7015960B2 (en) * 2003-03-18 2006-03-21 Candela Microsystems, Inc. Image sensor that uses a temperature sensor to compensate for dark current
US7413336B2 (en) 2003-08-29 2008-08-19 3M Innovative Properties Company Adhesive stacking for multiple optical films
WO2006056086A1 (fr) * 2004-11-25 2006-06-01 Waeny Martin Capteur optoelectronique a haute dynamique et faible bruit d’offset
US7339635B2 (en) 2005-01-14 2008-03-04 3M Innovative Properties Company Pre-stacked optical films with adhesive layer
US7777832B2 (en) 2005-11-18 2010-08-17 3M Innovative Properties Company Multi-function enhancement film

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL170480C (nl) * 1971-03-19 1982-11-01 Philips Nv Opnemer voor het omzetten van een twee-dimensionaal fysisch patroon in een televisiesignaal.
US4803710A (en) * 1986-01-09 1989-02-07 General Electric Company Storage registers with charge packet accumulation capability, as for solid-state imagers
US4804854A (en) * 1987-02-16 1989-02-14 Shimadzu Corporation Low-noise arrayed sensor radiation image detecting system wherein each sensor connects to a buffer circuit
US4959723A (en) * 1987-11-06 1990-09-25 Canon Kabushiki Kaisha Solid state image pickup apparatus having multi-phase scanning pulse to read out accumulated signal
US5043821A (en) * 1988-08-31 1991-08-27 Canon Kabushiki Kaisha Image pickup device having a frame-size memory
EP0400985B1 (en) * 1989-05-31 2000-08-23 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric converting apparatus
JP2582168B2 (ja) * 1989-11-21 1997-02-19 キヤノン株式会社 光電変換装置
JP2798805B2 (ja) * 1990-11-13 1998-09-17 キヤノン株式会社 光電変換装置及びそれを用いたマルチチップセンサ装置
US5146339A (en) * 1989-11-21 1992-09-08 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric converting apparatus employing Darlington transistor readout
EP0473294B1 (en) * 1990-08-07 2004-09-22 Canon Kabushiki Kaisha Photoconversion device
JP2884205B2 (ja) * 1992-01-29 1999-04-19 オリンパス光学工業株式会社 固体撮像装置
JP3563743B2 (ja) * 1992-05-01 2004-09-08 オリンパス株式会社 撮像装置
EP0576022B1 (en) * 1992-06-25 1998-09-02 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion device and method of driving the same
US5355165A (en) * 1992-08-06 1994-10-11 Princeton Scientific Instruments, Inc. Very high frame rate CCD imager
DE69427952T2 (de) * 1993-11-17 2002-04-04 Canon Kk Festkörperbildaufnahmevorrichtung
JP3571770B2 (ja) * 1994-09-16 2004-09-29 キヤノン株式会社 光電変換装置
DE69631356T2 (de) * 1995-08-02 2004-07-15 Canon K.K. Halbleiter-Bildaufnehmer mit gemeinsamer Ausgangsleistung
JP3408045B2 (ja) * 1996-01-19 2003-05-19 キヤノン株式会社 光電変換装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0621422A (ja) 1994-01-28
US6049357A (en) 2000-04-11
JP2833729B2 (ja) 1998-12-09
DE69320428T2 (de) 1999-02-04
EP0577391B1 (en) 1998-08-19
KR970007399B1 (ko) 1997-05-08
EP0577391A3 (en) 1994-06-08
EP0577391A2 (en) 1994-01-05
DE69320428D1 (de) 1998-09-24
ATE170030T1 (de) 1998-09-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR940006394A (ko) 고체촬상장치
KR890011393A (ko) 고체촬상장치
KR100247167B1 (ko) 증폭형 고체촬상장치
KR890011120A (ko) 고체촬상소자
JPH0435106B2 (ko)
KR950016250A (ko) 고체촬상장치
EP1850387A1 (en) Solid-state image pickup device
US5274459A (en) Solid state image sensing device with a feedback gate transistor at each photo-sensing section
US5146074A (en) Solid state imaging device
EP0630152B1 (en) Photo-electric converter
US10880510B2 (en) Circuit of detecting light, image sensor and electronic device using the same and method of detecting light based on the same
EP2648404B1 (en) Floating diffusion pre-charge
US5825056A (en) Scanning switch transistor for solid state imaging device
US4340909A (en) Solid state area imaging apparatus
US20040252215A1 (en) Solid state imaging device
JP2000078472A (ja) 光電変換装置及びそれを用いた撮像装置
EP0498664A1 (en) Solid-state imaging device
US4752829A (en) Multipacket charge transfer image sensor and method
JPS6161589B2 (ko)
CN100421459C (zh) Cmos图像传感器
CN113992872B (zh) 一种cmos图像传感器的像素阵列读出结构
CN217307779U (zh) 飞行时间图像传感器像素电路及图像传感器
KR101029619B1 (ko) Ｃｍｏｓ 이미지 센서
JP2009239788A (ja) 固体撮像装置
KR930008528B1 (ko) 고체 촬상 소자

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120924

Year of fee payment: 16

EXPY Expiration of term