KR890015584A - 증폭형 고체촬상장치 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

증폭형 고체촬상장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2 도 ~ 제 6 도는 본 발명의 제1~제 5의 실시예를 설명하는 회로도.

Claims (32)

  1. 여러개의 수광영역, 상기 각 수광영역에 입사한 광신호에 의해서 발생한 각각의 전기신호를 입력해서 증폭하는 여러개의 신호증폭수단, 상기 신호증폭수단에 전원을 공급하는 여러개의 전원선, 상기 전원선을 구동하는 전원선구동수단, 상기 신호증폭수단의 출력을 리드하는 리드수단을 포함하며, 상기 전원선 구동수단은 여러개 마련되어 동일한 타이밍으로 상기 전원선에 전원을 공급하는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  2. 특허 청구의 범위 제 1 항에 있어서, 적어도 1개의 상기 신호증폭수단은 상기 전원선 구동 수단 사이에 접속된 상기 전원선에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  3. 특허 청구의 범위 제 1 항에 있어서, 상기 전원선 구동 수단은 상기 전원선의 양끝부에 각각 마련되어 있는 고체촬상장치.
  4. 특허 청구의 범위 제 1 항에 있어서, 상기 수광영역은 포로다이오드로 구성되어 있고, 또한 1000×2000화소 이상의 매트릭스 형상으로 배치되어 있는 고체촬상장치.
  5. 특허 청구의 범위 제 1 항에 있어서, 상기 신호증폭수단은 MOS 트랜지스터로 구성되어 있는 고체촬상장치.
  6. 특허 청구의 범위 제 1 항에 있어서, 또 상기 증폭수단의 전류를 공통으로 출력하는 배선을 포함하고, 상기 전원선의 단위길이당의 저항이 상기 배선의 단위길이당의 저항보다 작은 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  7. 특허 청구의 범위 제 1 항에 있어서, 또 제 1 의 스위치 수단과 제 2 의 스위치 수단, 상기 제 1 의 스위치 수단을 거쳐서 상기 증폭수단의 출력을 축적하는 여러개의 축적수단과 상기 제 2 의 스위치 수단을 거쳐서 이 축적수단의 추력을 주사하는 주사수단을 포함하며, 제 2 의 스위치 수단의 ON시의 저항이 제 1 의 스위치 수단의 ON시의 저항보다도 낮은 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  8. 특허 청구의 범위 제 7 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 의 스위치수단은 전계효과 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  9. 반도체기판내에 2차원형상으로 배치되어 입사광에 따른 신호전하를 축적하는 여러개의 광전변환소자, 상기 광전변환소자에 인접해서 마련되어 상기 광전변환소자에 축적된 신호전하를 증폭하는 증폭수단, 상기 증폭수단의 입력을 리세트하는 수단을 포함하며, 수평방향의 상기 증폭수단을 동시에 구동하는 고체촬상장치에 있어서, 수평방향의 상기 증폭수단의 전류를 공통으로 공급하는 제 1 의 배선과 수직방향의 상기 증폭수단의 전류를 공통으로 출력하는 제 2 의 배선을 마련하고, 상기 제 1 의 배선의 단위길이당 저항이 상기 제 2 의 배선의 단위길이당 저항보다 작은 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  10. 특허 청구의 범위 제 9 항에 있어서, 또 상기 제 1 의 배선에 전류를 공급하는 여러개의 전원선 구동수단을 포함하는 고체촬상장치.
  11. 특허 청구의 범위 제 10 항에 있어서, 상기 전원선구동수단은 상기 전원선의 양끝부에 각각 마련되어 있는 고체촬상장치.
  12. 특허 청구의 범위 제 10 항에 있어서, 상기 수광영역은 포토다이오드로 구성되어 있으며, 또한 1000×2000화소 이상의 매트릭스 형상으로 배치되어 있는 고체촬상장치.
  13. 특허 청구의 범위 제 10 항에 있어서, 상기 신호증폭수단은 MOS트랜지스터로 구성되는 고체촬상장치.
  14. 2차원 형상으로 배치되어 입사광에 따른 전하를 축적하는 여러개의 광전변환소자, 상기 광전변화소자에 인접해서 마련되어 상기 광전변환소자에 축적된 신호전하를 증폭하는 증폭수단, 제 1 의 스위치 수단을 거쳐서 상기 증폭수단의 출력을 축적하는 여러개의 축적수단, 제 2 의 스위치 수단을 거쳐서 이 축적수단의 출력을 주사하는 주사수단을 포함하며, 상기 제 2 의 스위치 수단의 ON시의 저항이 제 1 의 스위치 수단의 ON시의 저항보다도 낮은 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  15. 특허 청구의 범위 제 14 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 스위치수단은 전계효과 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  16. 특허 청구의 범위 제 15 항에 있어서, 상기 제 2 스위치수단은 제 1 스위치수단보다도 게이트 폭이 큰 전계효과 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  17. 특허 청구의 범위 제 15 항에 있어서, 상기 제 2 스위치수단은 제 1 스위치수단보다도 게이트 단위면적용량이 큰 전계효과 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  18. 특허 청구의 범위 제 15 항에 있어서, 상기 제 2 스위치수단은 제 1 스위치수단보다도 ON시의 게이트 전압에서 임계값전압을 뺀값이 크게 설정되어있는 전계효과 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  19. 특허 청구의 범위 제 15 항에 있어서, 상기 전계효과 트랜지스터는 MOS트랜지스터인 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  20. 특허 청구의 범위 제 19 항에 있어서, 상기 MOS트랜지스터는 엔한스민트형인 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  21. 특허 청구의 범위 제 14 항에 있어서, 상기 제 2 스위치수단의 ON시 저항과 상기 축적 수단의 용량의 곱의 값은 상기 주사수단이 1개의 상기 축적수단을 주사해서 출력하는 출력시간보다도 작은 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  22. 특허 청구의 범위 제 14 항에 있어서, 상기 제 1 스위치수단의 ON시 저항과 상기 축적 수단의 용량의 곱의 값이 상기 축적수단에 상기 증폭수단의 출력을 축적시키기 위하여 사용하는 축적시간보다도 작은 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  23. 특허 청구의 범위 제 14 항에 있어서, 상기 제 1 스위치수단의 ON시의 저항이 상기 증폭수단의 출력 저항보다도 작은 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  24. 특허 청구의 범위 제 14 항에 있어서, 상기 제 2 스위치수단의 ON시 저항이 상기 축적수단의 출력 대한 다른 저항보다도 작은 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  25. 입사광에 따른 전하를 축적하는 광전변환소자, 상기 광전변환소자에 축적된 신호전하를 증폭하는 증폭수단, 상기 증폭수단의 출력을 한번 축적수단에 축적한 후에 출력하는 구조를 포함하며, 상기 축적수단에서의 출력에 따른 시정수를 상기 축적수단으로의 입력에 따른 시정수보다도 작게 한 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  26. 특허 청구의 범위 제 25 항에 있어서, 상기 축적수단은 여러개인 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  27. 특허 청구의 범위 제 26 항에 있어서, 모든 여러개의 상기 축적수단으로의 입력은 동일 타이밍으로 행하여지는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  28. 특허 청구의 범위 제 26 항에 있어서, 상기 축적수단으로의 입력은 여러개의 축적수단의 그룹마다 동일 타이밍으로 행하여지는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  29. 특허 청구의 범위 제 26 항에 있어서, 상기 축적수단에서의 출력은 순차적으로 행하여지는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  30. 특허 청구의 범위 제 26 항에 있어서, 상기 축적수단에서의 출력은 여러개의 상기 축적수단의 그룹마다 동일 타이밍으로 행하여지는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  31. 입사광에 따른 전하를 축적하는 광전변환소자, 이 광전변환소자에 축적된 신호전하를 증폭하는 증폭수단, 상기 증폭수단의 출력을 한번 축적수단에 축적한 후에 출력하는 구조를 갖는 고체촬상장치의 구동방법에 있어서, 상기 축적수단에서의 출력을 위해 사용하는 시간을 상기 축적수단으로의 입력을 위해 사용하는 시간보다도 짧게 한 것을 특징으로 하는 고체촬상장치의 구동방법.
  32. 입사광에 따른 전하를 축적하는 광전변환소자, 상기 광전변환소자에 축적된 신호전하를 증폭하는 증폭수단, 상기 증폭수단의 출력을 한번 축적수단에 축적한 후에 출력하는 구조를 가지며, 상기 축적수단에서의 출력에 따른 시정수를 상기 축적수단으로의 입력에 따른 시정수보다도 작게 한 고체촬상 장치를 사용한 정보처리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100605436B1 (ko) * 1998-03-23 2006-07-28 소니 가부시끼 가이샤 고체 촬상 장치

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3018546B2 (ja) * 1991-03-18 2000-03-13 ソニー株式会社 固体撮像装置
DE4118154A1 (de) * 1991-06-03 1992-12-10 Philips Patentverwaltung Anordnung mit einer sensormatrix und einer ruecksetzanordnung
EP0627847B1 (en) * 1993-05-28 2001-04-11 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion device
US6570617B2 (en) 1994-01-28 2003-05-27 California Institute Of Technology CMOS active pixel sensor type imaging system on a chip
USRE42918E1 (en) 1994-01-28 2011-11-15 California Institute Of Technology Single substrate camera device with CMOS image sensor
JP3385760B2 (ja) * 1994-02-21 2003-03-10 ソニー株式会社 固体撮像装置及びその駆動方法
US5493423A (en) * 1994-10-28 1996-02-20 Xerox Corporation Resettable pixel amplifier for an image sensor array
US6873362B1 (en) * 1995-03-22 2005-03-29 Sony Corporation Scanning switch transistor for solid-state imaging device
US5933190A (en) * 1995-04-18 1999-08-03 Imec Vzw Pixel structure, image sensor using such pixel structure and corresponding peripheral circuitry
JP3854639B2 (ja) 1995-08-11 2006-12-06 株式会社 東芝 Ｍｏｓ型固体撮像装置
JP3845449B2 (ja) * 1995-08-11 2006-11-15 株式会社東芝 Ｍｏｓ型固体撮像装置
ATE227487T1 (de) * 1995-08-11 2002-11-15 Toshiba Kk Bildaufnahmesystem, integrierte festkörperbildaufnahmehalbleiterschaltung
WO1997007630A1 (fr) * 1995-08-11 1997-02-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Dispositif mos de prise d'image
JPH09129864A (ja) 1995-10-30 1997-05-16 Canon Inc 半導体装置及びそれを用いた半導体回路、相関演算装置、信号処理システム
EP0809394B1 (en) 1996-05-22 2008-02-13 Eastman Kodak Company Active pixel sensor with switched supply row select
US5892541A (en) * 1996-09-10 1999-04-06 Foveonics, Inc. Imaging system and method for increasing the dynamic range of an array of active pixel sensor cells
US7199410B2 (en) * 1999-12-14 2007-04-03 Cypress Semiconductor Corporation (Belgium) Bvba Pixel structure with improved charge transfer
JPH10257392A (ja) * 1997-03-14 1998-09-25 Matsushita Electron Corp 物理量分布検知半導体装置およびその駆動方法ならびにその製造方法
JP4009761B2 (ja) * 1997-03-31 2007-11-21 株式会社ニコン 固体撮像素子
US6107655A (en) * 1997-08-15 2000-08-22 Eastman Kodak Company Active pixel image sensor with shared amplifier read-out
US5986510A (en) * 1998-01-09 1999-11-16 Reticon Corporation Method and apparatus for amplifying input signals in one of multiple modes of resolution
JP4200545B2 (ja) * 1998-06-08 2008-12-24 ソニー株式会社 固体撮像素子およびその駆動方法、並びにカメラシステム
KR100265364B1 (ko) 1998-06-27 2000-09-15 김영환 넓은 동적 범위를 갖는 씨모스 이미지 센서
US6757018B1 (en) 1998-12-18 2004-06-29 Agilent Technologies, Inc. CMOS image sensor with pixel level gain control
KR100284304B1 (ko) * 1998-12-22 2001-03-02 김영환 씨모스 이미지 센서 및 그 구동 방법
JP2001251557A (ja) * 1999-12-27 2001-09-14 Canon Inc エリアセンサ、該エリアセンサを有する画像入力装置および該エリアセンサの駆動方法
US8117644B2 (en) 2000-01-07 2012-02-14 Pennar Software Corporation Method and system for online document collaboration
WO2002073538A1 (fr) * 2001-03-13 2002-09-19 Ecchandes Inc. Dispositif visuel, compteur asservi et capteur d'images
JP2003007995A (ja) * 2001-06-20 2003-01-10 Iwate Toshiba Electronics Co Ltd Ｃｍｏｓイメージセンサ
JP3962561B2 (ja) * 2001-07-12 2007-08-22 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びそれを用いた撮像システム
TWI229539B (en) * 2003-02-27 2005-03-11 Elecvision Inc Small image sensing device and image sensing element thereof
JP4276879B2 (ja) * 2003-04-28 2009-06-10 オリンパス株式会社 撮像素子
KR100604865B1 (ko) * 2004-06-08 2006-07-26 삼성전자주식회사 신호 대 잡음비가 향상된 ａｐｓ 셀
JP2006042302A (ja) * 2004-06-22 2006-02-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像素子およびカメラ
JP2006253316A (ja) * 2005-03-09 2006-09-21 Sony Corp 固体撮像装置
US7808022B1 (en) 2005-03-28 2010-10-05 Cypress Semiconductor Corporation Cross talk reduction
US7750958B1 (en) 2005-03-28 2010-07-06 Cypress Semiconductor Corporation Pixel structure
US7755684B2 (en) * 2006-08-29 2010-07-13 Micron Technology, Inc. Row driver circuitry for imaging devices and related method of operation
JP5101972B2 (ja) * 2007-10-02 2012-12-19 オリンパス株式会社 固体撮像装置
JP5096946B2 (ja) * 2008-01-30 2012-12-12 浜松ホトニクス株式会社 固体撮像装置
US20090237540A1 (en) * 2008-03-20 2009-09-24 Micron Technology, Inc. Imager method and apparatus having combined gate signals
WO2014002367A1 (ja) * 2012-06-25 2014-01-03 パナソニック株式会社 固体撮像装置
JP5939960B2 (ja) * 2012-11-09 2016-06-29 キヤノン株式会社 半導体装置、液体吐出ヘッド、液体吐出ヘッドカードリッジおよび記録装置
KR102135677B1 (ko) * 2013-11-28 2020-07-20 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 이미지 센서를 구동하는 방법
JP2022089648A (ja) * 2020-12-04 2022-06-16 ローム株式会社 半導体装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4573076A (en) * 1984-07-13 1986-02-25 Fuji Photo Film Co., Ltd. Image sensor including a repeating read function
US4835617A (en) * 1986-09-22 1989-05-30 Hitachi, Ltd. Image pickup device for television cameras having a shutter function for a photodiode matrix operated using MOS switches
JPH0671324B2 (ja) * 1987-04-03 1994-09-07 オリンパス光学工業株式会社 撮像装置
JP2702955B2 (ja) * 1988-03-11 1998-01-26 株式会社日立製作所 固体撮像装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100605436B1 (ko) * 1998-03-23 2006-07-28 소니 가부시끼 가이샤 고체 촬상 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US5144447A (en) 1992-09-01

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