JPS5812458Y2 - 半導体撮像装置 - Google Patents
半導体撮像装置Info
- Publication number
- JPS5812458Y2 JPS5812458Y2 JP14548778U JP14548778U JPS5812458Y2 JP S5812458 Y2 JPS5812458 Y2 JP S5812458Y2 JP 14548778 U JP14548778 U JP 14548778U JP 14548778 U JP14548778 U JP 14548778U JP S5812458 Y2 JPS5812458 Y2 JP S5812458Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- imaging device
- semiconductor imaging
- photodetector
- detection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Description
【考案の詳細な説明】
本考案は半導体撮像装置、更に詳しくはＭＯＳダイオー
ド型光検知素子を一次元に配列した半導体撮像装置に関
する。
ド型光検知素子を一次元に配列した半導体撮像装置に関
する。
以前より固体撮像装置の研究は行われていたが、近年Ｃ
ＣＤ （電荷結合素子）の研究が進むにつれ、ＣＣＤ撮
像装置の開発が非常に進みその応用も活発に行なわれて
きた。
ＣＤ （電荷結合素子）の研究が進むにつれ、ＣＣＤ撮
像装置の開発が非常に進みその応用も活発に行なわれて
きた。
中でも１次元撮像装置は、ファクシミリの普及、高速化
に必要かくべからざるものとなりつつある。
に必要かくべからざるものとなりつつある。
しかしながらＣＣＤ撮像装置を使用したファクシミリに
は現在法のような問題がある。
は現在法のような問題がある。
以下この問題点をＣＣＤ撮像装置の概念とファクシミリ
の概念を説明しながら明らかにしていく。
の概念を説明しながら明らかにしていく。
一次元ＭＯＳダイオード光検知型ＣＣＤ撮像装置は第１
図に示す如く、半導体基板１表面に酸化シリコン膜等の
光透過性絶縁膜２を介して多結晶シリコン薄膜等から成
る多数の光透過性電極３゜３・・・・・・を−次元に配
列して光検知部４を構成すると共に、この光検知部４を
該検知部４に並設したＣＣＤ ５に関連付けた構成とな
っている。
図に示す如く、半導体基板１表面に酸化シリコン膜等の
光透過性絶縁膜２を介して多結晶シリコン薄膜等から成
る多数の光透過性電極３゜３・・・・・・を−次元に配
列して光検知部４を構成すると共に、この光検知部４を
該検知部４に並設したＣＣＤ ５に関連付けた構成とな
っている。
尚、具体的には光検知部４とＣＣＤ ５とは連結電極６
，６・・・・・・等で電気的に連っている。
，６・・・・・・等で電気的に連っている。
このような構成に於て光検知部４の電極３゜３・・・・
・・に検知電圧Ｖｏを印加する事に依って基板１の各電
極３，３・・・・・・直下に反転層７，７・・・・・・
が発生し、その時に照射される光に依って生じた電荷が
この反転層７，７・・・・・・に蓄積され、その電荷を
連結電極６．６・・・・・・に依ってＣＣＤ ５に転送
し、ＣＣＤ５の出力端子に撮像出力信号を得る。
・・に検知電圧Ｖｏを印加する事に依って基板１の各電
極３，３・・・・・・直下に反転層７，７・・・・・・
が発生し、その時に照射される光に依って生じた電荷が
この反転層７，７・・・・・・に蓄積され、その電荷を
連結電極６．６・・・・・・に依ってＣＣＤ ５に転送
し、ＣＣＤ５の出力端子に撮像出力信号を得る。
一方一次元撮像装置を使用したファクシミリは第１図に
示した撮像装置１０の光検知部４に第２図に示す如く、
螢光灯１１で照明された図面等の対象物１２の１ライン
を光学系１３を用いて結像させ、■ラインづつの画像信
号を取り出すものである。
示した撮像装置１０の光検知部４に第２図に示す如く、
螢光灯１１で照明された図面等の対象物１２の１ライン
を光学系１３を用いて結像させ、■ラインづつの画像信
号を取り出すものである。
このようにして取り出された１ライン分の信号はシンク
ロスコープで観察すると、第３図で示す如く、対象物１
２の暗いところ、即ち例えば図面の場合字や線のある黒
いところに該当する出力レベルはイ氏く、逆に白いとこ
ろ（明るいところ）の出カレうルは高くなる。
ロスコープで観察すると、第３図で示す如く、対象物１
２の暗いところ、即ち例えば図面の場合字や線のある黒
いところに該当する出力レベルはイ氏く、逆に白いとこ
ろ（明るいところ）の出カレうルは高くなる。
このような出力信号は所定の閾値電圧Ｖ。
と比較して画像の白黒の判定を行つ０
然し乍ら対象物（図面）が大きい場合、光学系の問題か
ら対象物の、周平部の明るさ力仲央部に比して暗くなり
、出力信号は第３図に示す如く周辺部で出力レベルの全
体的低下が見られる。
ら対象物の、周平部の明るさ力仲央部に比して暗くなり
、出力信号は第３図に示す如く周辺部で出力レベルの全
体的低下が見られる。
しかも場合に依っては周辺部での明るいところ（白いと
ころ）に該当する出力レベルが閾値電圧■１より低くな
ってしまう場合がある。
ころ）に該当する出力レベルが閾値電圧■１より低くな
ってしまう場合がある。
勿論その時の閾値電圧ＶＴを下げるとこのような周辺部
での問題は解消されるが、中央部では白黒の判別が出来
なくなってしまう。
での問題は解消されるが、中央部では白黒の判別が出来
なくなってしまう。
本考案はこのような問題点に鑑みて為されたものであり
、その構成は第４図に示されている。
、その構成は第４図に示されている。
同図に於て、１〜７は第１図と同様に半導体基板、光透
過性絶縁膜、反転層を示しており、第１図と異るところ
は各光検知部４を構成している光透過性電極３．３・・
・・・・への検知電圧の印加状況にある。
過性絶縁膜、反転層を示しており、第１図と異るところ
は各光検知部４を構成している光透過性電極３．３・・
・・・・への検知電圧の印加状況にある。
即ち光透過性電極３，３・・・・・・のうち中央部分に
位置する電極が一括接続されて第１の検知電圧■１が印
加されており、また周辺部分に位置する電極も一括接続
されて第２の検知電圧■２が印加されている。
位置する電極が一括接続されて第１の検知電圧■１が印
加されており、また周辺部分に位置する電極も一括接続
されて第２の検知電圧■２が印加されている。
そしてこれ等第１、第２の検知電圧■１．ｖ２は、Ｖ
１ ＜ Ｖ ２の関係に設定されている。
１ ＜ Ｖ ２の関係に設定されている。
一般にＭＯＳダイオード型光検知素子への検知電圧を高
くすると、光検知部４に発生する反転層７の深さが大と
なり、照射光に依って基板１の奥深くで発生した光電荷
をも蓄積可能となる。
くすると、光検知部４に発生する反転層７の深さが大と
なり、照射光に依って基板１の奥深くで発生した光電荷
をも蓄積可能となる。
従ってＶｌ＜Ｖ２に設定する事に依って光検知部４の周
辺部分の光検知感度は中央部分のそれより高くなる。
辺部分の光検知感度は中央部分のそれより高くなる。
換言すると光照射量の少いところの検知感度を光照射量
の多いところのそれより高く設定出来るので、全体とし
ての光検出出力は平坦なものとなる。
の多いところのそれより高く設定出来るので、全体とし
ての光検出出力は平坦なものとなる。
本考案装置に依る具体的な検知出力信号は第５図に示す
如く、中央部分の出力信号の全体レベルが周辺部分のそ
れより低くなっているので、結果的に閾値電圧ＶＴの適
当なレベル設定に依って、周辺部分の信号の落ち零れは
なくなり、また中央部分での判別不可と云う不都合は解
消される。
如く、中央部分の出力信号の全体レベルが周辺部分のそ
れより低くなっているので、結果的に閾値電圧ＶＴの適
当なレベル設定に依って、周辺部分の信号の落ち零れは
なくなり、また中央部分での判別不可と云う不都合は解
消される。
具体例を挙げて説明する。
例えば光検知部４の中央部分の光照射量に対して周辺部
分のそれが１割少いとした場合、例えば中央部分の光透
明電極３．３・・・・・・に印加する電圧を７〜８Ｖと
すると、周辺部分に対しては３〜４割程度高い１０〜１
２Ｖ程度に印加する事に依って出力信号レベルの平坦化
が図れる。
分のそれが１割少いとした場合、例えば中央部分の光透
明電極３．３・・・・・・に印加する電圧を７〜８Ｖと
すると、周辺部分に対しては３〜４割程度高い１０〜１
２Ｖ程度に印加する事に依って出力信号レベルの平坦化
が図れる。
本考案は以上の説明から明らかな如く、光検知部の中央
部分と周辺部分とに印加する検知電圧を中央部分の電圧
により周辺部分のそれを高く設定しているので、検知出
力信号レベルが平坦化され、安定した特性の撮像装置を
得る事が出来る。
部分と周辺部分とに印加する検知電圧を中央部分の電圧
により周辺部分のそれを高く設定しているので、検知出
力信号レベルが平坦化され、安定した特性の撮像装置を
得る事が出来る。
第１図は従来装置の構造を示す平面図並びに縦横断面図
、第２図はファクシミリの概念を示す光学系図、第３図
は従来装置の出力信号を示す波形図、第４図は本考案撮
像装置の構造を示す平面図並びに縦横断面図、第５図は
本考案装置に依る出力信号を示す波形図であって、３は
光透過性電極、５はＣＣＵ、７は反転層、を夫々示して
いる。
、第２図はファクシミリの概念を示す光学系図、第３図
は従来装置の出力信号を示す波形図、第４図は本考案撮
像装置の構造を示す平面図並びに縦横断面図、第５図は
本考案装置に依る出力信号を示す波形図であって、３は
光透過性電極、５はＣＣＵ、７は反転層、を夫々示して
いる。
Claims (1)
- ＭＯＳダイオード型光検知素子を一次元に配列した半導
体撮像装置に於て、半導体基板に光透過性絶縁膜を介し
て多数の光透過電極を一次元に配列して光検知部を構成
し、該光検知部に電荷結合素子を関連付けると共に、上
記光透過電極のうち中央部分に位置する電極に与える検
知電圧を周辺部分の電極へのそれより低く設定して成る
半導体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14548778U JPS5812458Y2 (ja) | 1978-10-19 | 1978-10-19 | 半導体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14548778U JPS5812458Y2 (ja) | 1978-10-19 | 1978-10-19 | 半導体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5562063U JPS5562063U (ja) | 1980-04-26 |
| JPS5812458Y2 true JPS5812458Y2 (ja) | 1983-03-09 |
Family
ID=29125089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14548778U Expired JPS5812458Y2 (ja) | 1978-10-19 | 1978-10-19 | 半導体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5812458Y2 (ja) |
-
1978
- 1978-10-19 JP JP14548778U patent/JPS5812458Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5562063U (ja) | 1980-04-26 |
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