JPH024147B2 - - Google Patents
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- JPH024147B2 JPH024147B2 JP57150523A JP15052382A JPH024147B2 JP H024147 B2 JPH024147 B2 JP H024147B2 JP 57150523 A JP57150523 A JP 57150523A JP 15052382 A JP15052382 A JP 15052382A JP H024147 B2 JPH024147 B2 JP H024147B2
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- terminals
- common electrode
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 9
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光電変換素子に関するものである。
従来、フアクシミリ等の送信原稿の読み取り用
センサとしては、一次元のフオトダイオードアレ
イと走査回路とを集積化（IC化）した自己走査
形イメージセンサが用いられていたが送信原稿の
巾が広い場合には光学レンズによる縮小率を大き
くする必要がある。送信原稿とセンサ間の距離が
長くなり、そのため装置が大形化する欠点があつ
た。
センサとしては、一次元のフオトダイオードアレ
イと走査回路とを集積化（IC化）した自己走査
形イメージセンサが用いられていたが送信原稿の
巾が広い場合には光学レンズによる縮小率を大き
くする必要がある。送信原稿とセンサ間の距離が
長くなり、そのため装置が大形化する欠点があつ
た。
最近、フアクシミリ装置を小型化するために、
送信原稿と１：１に対応する長尺の密着形センサ
とセルフオツクレンズとの組合せによる読取り方
式が提案されている。送信原稿がA4判の場合に
はセンサ長は216mm必要であり、センサ密度を８
本／mmとすると、センサ数は1728個となる。この
ような長尺のセンサは、通常CdS―CdSe―
CdSe，Se―As―Te，ａ―Siなどの薄膜を、ガラ
ス基板上に蒸着法，スパツタ法，グローデイスチ
ヤージ法などによつて形成し、フオトエツチ法に
よつて島状または帯状に成形し、電極を蒸着法等
によつて被着し、フオトリソ技術によつて形成し
て作製している。この場合、センサ数が多いので
外部回路と接続する端子数を減らすために同一基
板上でマトリツクス配線を行つているのが普通で
ある。例えばセンサ数が1728個の場合にはセンサ
を32個づつ54個のブロツクに分割し、各ブロツク
毎に一方の電極を共通に結線し、各ブロツク毎の
各々対応する個別電極を共通に結線して32×54の
マトリツクス配線を行なうことによつて、外部端
子数を32＋54＝86に減らすことができる。
送信原稿と１：１に対応する長尺の密着形センサ
とセルフオツクレンズとの組合せによる読取り方
式が提案されている。送信原稿がA4判の場合に
はセンサ長は216mm必要であり、センサ密度を８
本／mmとすると、センサ数は1728個となる。この
ような長尺のセンサは、通常CdS―CdSe―
CdSe，Se―As―Te，ａ―Siなどの薄膜を、ガラ
ス基板上に蒸着法，スパツタ法，グローデイスチ
ヤージ法などによつて形成し、フオトエツチ法に
よつて島状または帯状に成形し、電極を蒸着法等
によつて被着し、フオトリソ技術によつて形成し
て作製している。この場合、センサ数が多いので
外部回路と接続する端子数を減らすために同一基
板上でマトリツクス配線を行つているのが普通で
ある。例えばセンサ数が1728個の場合にはセンサ
を32個づつ54個のブロツクに分割し、各ブロツク
毎に一方の電極を共通に結線し、各ブロツク毎の
各々対応する個別電極を共通に結線して32×54の
マトリツクス配線を行なうことによつて、外部端
子数を32＋54＝86に減らすことができる。
第１図は密着型センサのマトリツクス配線部の
従来例を拡大斜視図で示したものである。１はガ
ラス基板、２は受光素子、３は共通電極、４は共
通電極の端子、５は個別電極、６は各ブロツクの
各々に対応する個別電極を共通に結線するための
フイルムリード７の共通配線で各ブロツク毎に個
別電極の端子と結線されている。
従来例を拡大斜視図で示したものである。１はガ
ラス基板、２は受光素子、３は共通電極、４は共
通電極の端子、５は個別電極、６は各ブロツクの
各々に対応する個別電極を共通に結線するための
フイルムリード７の共通配線で各ブロツク毎に個
別電極の端子と結線されている。
第２図ａ，ｂはマトリツクス結線された密着型
センサと外部回路との接続法の従来例を示す。
センサと外部回路との接続法の従来例を示す。
第２図ａは共通側端子から外部回路への接続を
個別リード線とコネクターで、また個別側からは
フイルムリードで行なう構成の一例であり、１は
ガラス基板、７は個別電極を共通に接続するため
のフイルムリード、８は基台、９は個別リード
線、１０はコネクター、１１は個別側のフイルム
リードである。第２図ｂは共通側端子から外部回
路への接続フイルムリードで行なう構成の一例で
あり、１２が共通側フイルムリードである。
個別リード線とコネクターで、また個別側からは
フイルムリードで行なう構成の一例であり、１は
ガラス基板、７は個別電極を共通に接続するため
のフイルムリード、８は基台、９は個別リード
線、１０はコネクター、１１は個別側のフイルム
リードである。第２図ｂは共通側端子から外部回
路への接続フイルムリードで行なう構成の一例で
あり、１２が共通側フイルムリードである。
上記従来の構成ではいずれも共通側端子をガラ
ス基板端面にそのピツチを拡大・縮小することな
くそのまま出しているので、例えばA4判のセン
サで、センサ密度８本／mmの場合、32×54のマト
リツクス結線を行なうとすると、共通側の端子数
が54個、端子間のピツチが４mmとなり、個別にリ
ード線またはフイルムリードの端子を接続するの
は容易であるが、一度に接続するのは困難であ
り、量産する場合工数がかかる欠点がある。第２
図ａの場合より第２図ｂの場合の方が量産性は少
しよくなるが、大型のフイルムリードを必要とす
るのでコストの点で問題がある。
ス基板端面にそのピツチを拡大・縮小することな
くそのまま出しているので、例えばA4判のセン
サで、センサ密度８本／mmの場合、32×54のマト
リツクス結線を行なうとすると、共通側の端子数
が54個、端子間のピツチが４mmとなり、個別にリ
ード線またはフイルムリードの端子を接続するの
は容易であるが、一度に接続するのは困難であ
り、量産する場合工数がかかる欠点がある。第２
図ａの場合より第２図ｂの場合の方が量産性は少
しよくなるが、大型のフイルムリードを必要とす
るのでコストの点で問題がある。
本発明は上記従来例の欠点を除去するために、
同一基板上で共通側端子をその端子間のピツチを
縮小して２個所にまとめて配線するようにした光
電変換素子であり、以下図面にもとずいて本発明
を詳細に説明する。
同一基板上で共通側端子をその端子間のピツチを
縮小して２個所にまとめて配線するようにした光
電変換素子であり、以下図面にもとずいて本発明
を詳細に説明する。
第３図ａ，ｂは本発明の実施例を示す図面であ
る。第１図と第２図ａ，ｂとの対応部には同一番
号を付している。第３図ａは同一ガラス基板１上
で共通電極の端子を２分割して端子群１２と端子
群１３にまとめ、その端子群間のピツチおよび端
子数を個別側の共通配線の端子群１６と同一に
し、同一形状のフイルムリード１１，１４，１５
で外部回路と接続できるようにしたものである。
例えばB4判、８本／mmのセンサの場合にはセン
サ長は256mm、センサ数は2048個でこれを32×64
のマトリツクス結線にして、共通側端子を２分割
すれば個別側端子数と同じ32本づつとなるので、
端子間のピツチを同一にすれば、外部回路との接
続に同じ形状のフイルムリードが使用できる。共
通電極の端子群１２，１３および個別配線の端子
群１６をガラス基板に対する密着性のよいNiCr
―Auの蒸着膜とし、フイルムリードの先端を半
田メツキしておくと、熱圧着によりフイルムリー
ドとガラス基板上のNiCr―Au端子とを一度に結
線することが可能となる。
る。第１図と第２図ａ，ｂとの対応部には同一番
号を付している。第３図ａは同一ガラス基板１上
で共通電極の端子を２分割して端子群１２と端子
群１３にまとめ、その端子群間のピツチおよび端
子数を個別側の共通配線の端子群１６と同一に
し、同一形状のフイルムリード１１，１４，１５
で外部回路と接続できるようにしたものである。
例えばB4判、８本／mmのセンサの場合にはセン
サ長は256mm、センサ数は2048個でこれを32×64
のマトリツクス結線にして、共通側端子を２分割
すれば個別側端子数と同じ32本づつとなるので、
端子間のピツチを同一にすれば、外部回路との接
続に同じ形状のフイルムリードが使用できる。共
通電極の端子群１２，１３および個別配線の端子
群１６をガラス基板に対する密着性のよいNiCr
―Auの蒸着膜とし、フイルムリードの先端を半
田メツキしておくと、熱圧着によりフイルムリー
ドとガラス基板上のNiCr―Au端子とを一度に結
線することが可能となる。
A4判、８本／mmのセンサの場合にはセンサ数
が1728個となり32×54のマトリツクスにすると共
通電極の端子を２分割しても27となり個別側の端
子数と同一にすることはできないが、端子間のピ
ツチさえ同一にしておけば、同じフイルムリード
が使用できる。この場合フイルムリード側の端子
が少しあまるが荷等問題はない。
が1728個となり32×54のマトリツクスにすると共
通電極の端子を２分割しても27となり個別側の端
子数と同一にすることはできないが、端子間のピ
ツチさえ同一にしておけば、同じフイルムリード
が使用できる。この場合フイルムリード側の端子
が少しあまるが荷等問題はない。
第３図ｂは外部回路との接続をフイルムゲート
のかわりに導電性エラストマーによつて行なう方
式のもので、個別電極の共通配線の端子間ピツチ
をガラス基板の端面一ぱいに拡大した個別端子１
６′とそれと同一ピツチになるように共通電極の
端子を２分割してまとめた共通端子１２′，１
３′から導電体間のピツチが上記端子間のピツチ
より大巾に小さい丸棒または角棒状の導電性エラ
ストマー１７を用いて外部回路を組込んだプリン
ト基板との接続を行なうようにしたもので高価な
フイルムリードおよびそのボンデイング工程も不
要となりセンサの交換も容易となる。
のかわりに導電性エラストマーによつて行なう方
式のもので、個別電極の共通配線の端子間ピツチ
をガラス基板の端面一ぱいに拡大した個別端子１
６′とそれと同一ピツチになるように共通電極の
端子を２分割してまとめた共通端子１２′，１
３′から導電体間のピツチが上記端子間のピツチ
より大巾に小さい丸棒または角棒状の導電性エラ
ストマー１７を用いて外部回路を組込んだプリン
ト基板との接続を行なうようにしたもので高価な
フイルムリードおよびそのボンデイング工程も不
要となりセンサの交換も容易となる。
この場合、個別側および共通側端子としてはガ
ラス基板に対する密着性がよく、耐触性に優れ長
期の使用に耐えるものとしてNiCr―Auの薄膜ま
たは透明導電性薄膜が適している。
ラス基板に対する密着性がよく、耐触性に優れ長
期の使用に耐えるものとしてNiCr―Auの薄膜ま
たは透明導電性薄膜が適している。
以上説明したように本発明の光電変換素子によ
ればフアクシミリ等の読み取りに用いる送信原稿
と１：１に対応する密着型センサの外部回路への
接続用コネクタの取付けが大巾に簡易化されると
同時に、コネクタ自身も安価なものが使用できる
など工業的価値の高いものである。特にフイルム
リードのかわりに導電性エラストマを用いる場合
には、高価なフイルムリードが不要になるばかり
でなく、センサの検査や交換も非常に容易になる
という特徴も付加される。
ればフアクシミリ等の読み取りに用いる送信原稿
と１：１に対応する密着型センサの外部回路への
接続用コネクタの取付けが大巾に簡易化されると
同時に、コネクタ自身も安価なものが使用できる
など工業的価値の高いものである。特にフイルム
リードのかわりに導電性エラストマを用いる場合
には、高価なフイルムリードが不要になるばかり
でなく、センサの検査や交換も非常に容易になる
という特徴も付加される。
第１図は従来のフアクシミリの読取り用密着型
センサの受光素子およびマトリツクス配線部の要
部拡大斜視図、第２図ａ，ｂはそれぞれ密着型セ
ンサのマトリツクス配線から外部回路への接続構
成を示す図、第３図ａ，ｂはそれぞれ本発明の光
電変換素子における外部回路との接続構成の実施
例を示す図である。 １……ガラス基板、２……受光素子、３……共
通電極、４……共通電極の端子、５……個別電
極、６……共通配線、７……フイルムリード、１
１，１４，１５……フイルムリード、１２，１
２′，１３，１３′……共通電極から取り出した端
子群、１６，１６′……個別電極から取り出した
端子群、１７……導電性エラストマー。
センサの受光素子およびマトリツクス配線部の要
部拡大斜視図、第２図ａ，ｂはそれぞれ密着型セ
ンサのマトリツクス配線から外部回路への接続構
成を示す図、第３図ａ，ｂはそれぞれ本発明の光
電変換素子における外部回路との接続構成の実施
例を示す図である。 １……ガラス基板、２……受光素子、３……共
通電極、４……共通電極の端子、５……個別電
極、６……共通配線、７……フイルムリード、１
１，１４，１５……フイルムリード、１２，１
２′，１３，１３′……共通電極から取り出した端
子群、１６，１６′……個別電極から取り出した
端子群、１７……導電性エラストマー。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に複数個の受光素子を配列し、前記受
光素子の一方側に同受光素子を複数個ずつまとめ
て電気的接続する共通電極群を配置し、前記受光
素子の他方側に前記受光素子の各々と電気的に接
続される個別電極を配置し、前記共通電極群を外
部回路に接続するための端子群を複数の端子群に
分け、同複数の端子群を異なる箇所に集めたこと
を特徴とする光電変換素子。 ２ 共通電極から取り出した端子群と個別電極か
ら取り出した端子群の端子の形状および端子間の
ピツチを同一にすることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の光電変換素子。 ３ 共通電極から取り出した端子群と個別電極か
ら取り出した端子群をNiCr―Au薄膜で形成し、
外部回路との接続をフイルムリードにより行なう
ことを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の光
電変換素子。 ３ 共通電極から取り出した端子群と個別電極の
共通配線からの各端子群をNiCr―Au薄膜または
透明導電性薄膜で形成し、外部回路との接続を導
電性エラストマーにより行なうことを特徴とする
特許請求の範囲第２項記載の光電変換素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57150523A JPS5940568A (ja) | 1982-08-30 | 1982-08-30 | 光電変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57150523A JPS5940568A (ja) | 1982-08-30 | 1982-08-30 | 光電変換素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5940568A JPS5940568A (ja) | 1984-03-06 |
| JPH024147B2 true JPH024147B2 (ja) | 1990-01-26 |
Family
ID=15498722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57150523A Granted JPS5940568A (ja) | 1982-08-30 | 1982-08-30 | 光電変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5940568A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6428065U (ja) * | 1987-08-10 | 1989-02-17 |
-
1982
- 1982-08-30 JP JP57150523A patent/JPS5940568A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5940568A (ja) | 1984-03-06 |
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