JPS6134970A - フオトセンサ - Google Patents
フオトセンサInfo
- Publication number
- JPS6134970A JPS6134970A JP15404584A JP15404584A JPS6134970A JP S6134970 A JPS6134970 A JP S6134970A JP 15404584 A JP15404584 A JP 15404584A JP 15404584 A JP15404584 A JP 15404584A JP S6134970 A JPS6134970 A JP S6134970A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- base plate
- discrete
- electrode
- wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/36—Assembling printed circuits with other printed circuits
- H05K3/361—Assembling flexible printed circuits with other printed circuits
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はフォトセンサに係り、特に光電変換素子の配線
部の改良に関する。
部の改良に関する。
［従来技術］
従来のフォトセンサは、センサ基板とマトリクス配線基
板とを有している。センサ基板には、光電変換素子がア
レイ状に配置され、マトリクス配！！ｉ１基板には、そ
の光電変換素子を駆動するだめのマトリクス配線が形成
されている。
板とを有している。センサ基板には、光電変換素子がア
レイ状に配置され、マトリクス配！！ｉ１基板には、そ
の光電変換素子を駆動するだめのマトリクス配線が形成
されている。
このようなセンサ基板およびマトリクス配線基板は共に
ガラスで形成されているために、光電変換素子の電極と
マトリクス配線との接続には、アルミニウム導線等のよ
るワイヤボンディング技術が用いられている。
ガラスで形成されているために、光電変換素子の電極と
マトリクス配線との接続には、アルミニウム導線等のよ
るワイヤボンディング技術が用いられている。
しかしながら、−ワイヤポンディングのよる接続は、そ
の導線を保護封止する保護膜を形成する必要がある。そ
のためにフォトセンサの製造時間がながくなり、歩留り
が悪くなるという問題点を有していた。
の導線を保護封止する保護膜を形成する必要がある。そ
のためにフォトセンサの製造時間がながくなり、歩留り
が悪くなるという問題点を有していた。
［発明の目的］
本発明は上記従来の問題点に鑑み成されたものであり、
その目的は製造工程が簡略化されるとともに、光電変換
素子の電極とマトリクス配線との接続が確実であるフォ
トセンサを提供することにある。
その目的は製造工程が簡略化されるとともに、光電変換
素子の電極とマトリクス配線との接続が確実であるフォ
トセンサを提供することにある。
［発明の概要］
上記目的を達成するために１本発明によるフォトセンサ
は光電変換素子を動作させるための配線部をフレキシブ
ル基板に形成したことを特徴とする。
は光電変換素子を動作させるための配線部をフレキシブ
ル基板に形成したことを特徴とする。
［発明の実施例コ
以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。
第１図は、本発明によるフォトセンサの一実施例の斜視
図である。
図である。
同図において、ガラス基板１には光電変換素子２がアレ
イ上に形成されている。光電変換素子２は一定数ずつブ
ロックを形成し、一方の端子はブロック単位で共通電極
３に接続され、他方の端子は各々個別電極４に接続され
ている。
イ上に形成されている。光電変換素子２は一定数ずつブ
ロックを形成し、一方の端子はブロック単位で共通電極
３に接続され、他方の端子は各々個別電極４に接続され
ている。
このような光電変換素子２をマトリクス駆動させるため
のマトリクス配線は、フレキシブル配線基板５に形成さ
れている。
のマトリクス配線は、フレキシブル配線基板５に形成さ
れている。
ガラス基板ｌの共通電極３は、接続部６でフレキシブル
配線基板５の共通配線５１に、個別電極４は、接続部７
で個別配線５２に各々接続されている。
配線基板５の共通配線５１に、個別電極４は、接続部７
で個別配線５２に各々接続されている。
このように配線された光電変換素子２は、ブロンク毎に
電圧が共通配線５１を通して順次印加され、電圧が印加
された光電変換素子２の光電流は、個別配線５１を通し
て読み出される。
電圧が共通配線５１を通して順次印加され、電圧が印加
された光電変換素子２の光電流は、個別配線５１を通し
て読み出される。
次に、本実施例の製造方法を第２図および第３図を用い
て説明する。ただし、第２図は接続部７の断面図、第３
図はその平面図であり、接続部６ニツイても同様である
。
て説明する。ただし、第２図は接続部７の断面図、第３
図はその平面図であり、接続部６ニツイても同様である
。
まず、カラス基板１上に、ＣＶＤ法により光電変換素子
２、すなわちアモルファスシリコンの光導電層およびオ
ーミックコンタクト層を形成する。続いて、真空スパッ
タ法によりアルミニウムを蒸着し、フォトリソグラフィ
技術によって共通電極３および個別電極４を形成する。
２、すなわちアモルファスシリコンの光導電層およびオ
ーミックコンタクト層を形成する。続いて、真空スパッ
タ法によりアルミニウムを蒸着し、フォトリソグラフィ
技術によって共通電極３および個別電極４を形成する。
次に、フレキシブル配線基板５の共通配線５１および個
別配線５２は、それぞれ対応するガラス基板１の共通電
極３および個別電極４に異方性導電シール８を用いて接
続される。
別配線５２は、それぞれ対応するガラス基板１の共通電
極３および個別電極４に異方性導電シール８を用いて接
続される。
異方性導電シール８には接続部と同一ピッチの導体がス
トライプ状に形成されている。したがって、接続部７を
例に取れば、位置合わせを行った後、異方性導電シール
８を個別電極４と個別配線５２との間にはさみ、熱圧着
を行うだけで容易に接続することができる。
トライプ状に形成されている。したがって、接続部７を
例に取れば、位置合わせを行った後、異方性導電シール
８を個別電極４と個別配線５２との間にはさみ、熱圧着
を行うだけで容易に接続することができる。
このように、本実施例のフォトセンサは、ワイヤボンデ
ィングを用いないので、保護層形成工程が不要となり、
構造が簡略化されるとともに、製造時間を短縮すること
ができる。
ィングを用いないので、保護層形成工程が不要となり、
構造が簡略化されるとともに、製造時間を短縮すること
ができる。
［発明の効果］
以上詳細に説明したように、本発明によるフォトセンサ
は、光電変換素子を動作させるための配線部をフレキシ
ブル基板に形成したために、構造が簡単になり、製造工
程が簡略化され、したがって歩留りが向上する。
は、光電変換素子を動作させるための配線部をフレキシ
ブル基板に形成したために、構造が簡単になり、製造工
程が簡略化され、したがって歩留りが向上する。
また、カラス基板の光電変換素子の電極とフレキシブル
基板の配線とを異方性導電シールによって圧着接続する
ために、接続が容易に短時間で行えるとともに、接続が
確実となり、接合部の信頼性が向上する。
基板の配線とを異方性導電シールによって圧着接続する
ために、接続が容易に短時間で行えるとともに、接続が
確実となり、接合部の信頼性が向上する。
さらに、フレキシブル基板を使用することで、フォトセ
ンサを小型化することができる。
ンサを小型化することができる。
第１図は本発明によるフォトセンサの一実施例の斜視図
、 第２図は本実施例における接続部の断面図、第３図はそ
の平面図である。
、 第２図は本実施例における接続部の断面図、第３図はそ
の平面図である。
Claims (2)
- （１）光電変換素子を動作させるための配線部をフレキ
シブル基板に形成したことを特徴とするフォトセンサ。 - （２）上記光電変換素子の電極と上記配線部の配線とは
異方性導電シールによって接続されていることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載のフォトセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15404584A JPS6134970A (ja) | 1984-07-26 | 1984-07-26 | フオトセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15404584A JPS6134970A (ja) | 1984-07-26 | 1984-07-26 | フオトセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6134970A true JPS6134970A (ja) | 1986-02-19 |
Family
ID=15575710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15404584A Pending JPS6134970A (ja) | 1984-07-26 | 1984-07-26 | フオトセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6134970A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62287765A (ja) * | 1986-06-06 | 1987-12-14 | Matsushita Graphic Commun Syst Inc | 一次元イメ−ジセンサ |
| WO2000075996A1 (fr) * | 1999-06-08 | 2000-12-14 | Commissariat A L'energie Atomique | Dispositif de detection de rayonnements connecte par film conducteur anisotrope |
-
1984
- 1984-07-26 JP JP15404584A patent/JPS6134970A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62287765A (ja) * | 1986-06-06 | 1987-12-14 | Matsushita Graphic Commun Syst Inc | 一次元イメ−ジセンサ |
| WO2000075996A1 (fr) * | 1999-06-08 | 2000-12-14 | Commissariat A L'energie Atomique | Dispositif de detection de rayonnements connecte par film conducteur anisotrope |
| FR2794894A1 (fr) * | 1999-06-08 | 2000-12-15 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de detection de rayonnements connecte par film conducteur anisotrope |
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