JPH1126738A - 固体撮像装置とその製造方法 - Google Patents
固体撮像装置とその製造方法Info
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- JPH1126738A JPH1126738A JP9182713A JP18271397A JPH1126738A JP H1126738 A JPH1126738 A JP H1126738A JP 9182713 A JP9182713 A JP 9182713A JP 18271397 A JP18271397 A JP 18271397A JP H1126738 A JPH1126738 A JP H1126738A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 配線部を高融点金属で形成する場合の低電気
伝導率の問題の解決をはかる。 【解決手段】 固体撮像素子を有する半導体基板上に配
線部が形成され、この配線部上に平坦化ないしは平滑化
絶縁層が形成されて成る固体撮像装置において、その配
線部１３を、第１の金属層パターン３１と、この第１の
金属パターン３１に平坦化ないしは平滑化絶縁層１５に
形成した開口１５ｗを通じて、コンタクトされた第２の
金属層パターン３２とにより構成する。そして、第１の
金属層パターン３１は、平坦化絶縁層の軟化温度より高
い高融点金属より構成し、第２の金属層パターン３２
は、第１の金属層パターン３１より良導電性の金属より
構成する。
伝導率の問題の解決をはかる。 【解決手段】 固体撮像素子を有する半導体基板上に配
線部が形成され、この配線部上に平坦化ないしは平滑化
絶縁層が形成されて成る固体撮像装置において、その配
線部１３を、第１の金属層パターン３１と、この第１の
金属パターン３１に平坦化ないしは平滑化絶縁層１５に
形成した開口１５ｗを通じて、コンタクトされた第２の
金属層パターン３２とにより構成する。そして、第１の
金属層パターン３１は、平坦化絶縁層の軟化温度より高
い高融点金属より構成し、第２の金属層パターン３２
は、第１の金属層パターン３１より良導電性の金属より
構成する。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体撮像装置とそ
の製造方法に関わる。
の製造方法に関わる。
【０００２】
【従来の技術】例えばＣＣＤ（チャージカプルドデバイ
ス）型の固体撮像装置においては、その受光部上に、色
フィルタや、レンチキュラーレンズ等を配置するため
に、あるいは受光の効率を高めるなどの目的をもって、
その表面に平坦化ないしは平滑化された絶縁層の形成が
なされる。この平坦化ないしは平滑化された絶縁層は、
例えばＢＰＳＧ（ボロンりんシリケートガラス）を用い
て、これを加熱軟化（本明細書でいう軟化とは、熔融流
動化させる場合も含む）することによって、表面をなだ
らかにして急激な凹凸を解消するものである。
ス）型の固体撮像装置においては、その受光部上に、色
フィルタや、レンチキュラーレンズ等を配置するため
に、あるいは受光の効率を高めるなどの目的をもって、
その表面に平坦化ないしは平滑化された絶縁層の形成が
なされる。この平坦化ないしは平滑化された絶縁層は、
例えばＢＰＳＧ（ボロンりんシリケートガラス）を用い
て、これを加熱軟化（本明細書でいう軟化とは、熔融流
動化させる場合も含む）することによって、表面をなだ
らかにして急激な凹凸を解消するものである。
【０００３】例えばＣＣＤ型カラー固体撮像装置の例
を、その模式的平面図を示す図３と、その受光部の概略
断面図を示す図４を参照して説明する。この例では、ｎ
型のＳｉ半導体基体１に、固体撮像素子２１が形成され
た場合を示している。この場合、半導体基体１の１主面
側にｐ型の第１のウエル領域２が形成され、その受光部
の形成領域に光電変換素子例えばフォトダイオードを構
成するｎ型の不純物導入領域３が形成され、その表面に
ｐ型の高濃度の正電荷蓄積領域４が形成された受光部５
が形成される。この受光部５は、半導体基体１上に、基
板面に沿って水平および垂直方向に沿ってそれぞれ多数
配列形成される。そして、例えば共通の垂直方向に配列
された受光部５に隣り合ってＣＣＤ構成による垂直シフ
トレジスタ６が形成される。この垂直シフトレジスタ６
は、第２のｐ型ウエル領域７上に、ｎ型の転送領域８が
形成され、これの上にＳｉＯ2 等の絶縁層９を介して、
転送電極１０が、多結晶Ｓｉ等の多結晶半導体層によっ
て形成される。この転送電極１０は、垂直方向に相互に
絶縁された複数組の転送電極が配置されてなり、各組の
転送電極間にクロック電圧が印加されて、各受光部５か
らその受光量に応じて発生した電荷を引出し、これを垂
直方向に順次転送するようになされている。半導体基体
１の、電荷の授受が回避されるべき部分には、ｐ型の高
濃度チャネルストップ領域１１が形成される。
を、その模式的平面図を示す図３と、その受光部の概略
断面図を示す図４を参照して説明する。この例では、ｎ
型のＳｉ半導体基体１に、固体撮像素子２１が形成され
た場合を示している。この場合、半導体基体１の１主面
側にｐ型の第１のウエル領域２が形成され、その受光部
の形成領域に光電変換素子例えばフォトダイオードを構
成するｎ型の不純物導入領域３が形成され、その表面に
ｐ型の高濃度の正電荷蓄積領域４が形成された受光部５
が形成される。この受光部５は、半導体基体１上に、基
板面に沿って水平および垂直方向に沿ってそれぞれ多数
配列形成される。そして、例えば共通の垂直方向に配列
された受光部５に隣り合ってＣＣＤ構成による垂直シフ
トレジスタ６が形成される。この垂直シフトレジスタ６
は、第２のｐ型ウエル領域７上に、ｎ型の転送領域８が
形成され、これの上にＳｉＯ2 等の絶縁層９を介して、
転送電極１０が、多結晶Ｓｉ等の多結晶半導体層によっ
て形成される。この転送電極１０は、垂直方向に相互に
絶縁された複数組の転送電極が配置されてなり、各組の
転送電極間にクロック電圧が印加されて、各受光部５か
らその受光量に応じて発生した電荷を引出し、これを垂
直方向に順次転送するようになされている。半導体基体
１の、電荷の授受が回避されるべき部分には、ｐ型の高
濃度チャネルストップ領域１１が形成される。
【０００４】また、この固体撮像装置の上面には、受光
部５上に受光窓１２ｗが開口された遮光膜１２が、ほぼ
全面的に被着形成される。そして、この遮光膜１２の形
成と同時に半導体基体１の周辺部に、固体撮像装置２１
に対する外部端子の導出等がなされる配線部１３の形成
がなされる。１４は、配線部１３の端部に形成されたボ
ンディングパッドで、ここに、外部リードワイヤ（図示
せず）がボンディングされる。
部５上に受光窓１２ｗが開口された遮光膜１２が、ほぼ
全面的に被着形成される。そして、この遮光膜１２の形
成と同時に半導体基体１の周辺部に、固体撮像装置２１
に対する外部端子の導出等がなされる配線部１３の形成
がなされる。１４は、配線部１３の端部に形成されたボ
ンディングパッドで、ここに、外部リードワイヤ（図示
せず）がボンディングされる。
【０００５】そして、例えば全面的に耐湿の目的をもっ
て光透過性の例えばＳｉＯ2 あるいはＳｉＮ等よりなる
保護膜（図示せず）が必要に応じて被着形成され、この
上に、ＢＰＳＧ等による平坦化ないしは平滑化された絶
縁層（以下平坦化絶縁層と略称する）１５が形成され、
これの上に例えば色フィルタ（図示せず）や、レンチキ
ュラーレンズ（図示せず）が配置形成される。
て光透過性の例えばＳｉＯ2 あるいはＳｉＮ等よりなる
保護膜（図示せず）が必要に応じて被着形成され、この
上に、ＢＰＳＧ等による平坦化ないしは平滑化された絶
縁層（以下平坦化絶縁層と略称する）１５が形成され、
これの上に例えば色フィルタ（図示せず）や、レンチキ
ュラーレンズ（図示せず）が配置形成される。
【０００６】平坦化絶縁層１５は、半導体基体１上の殆
ど全域に渡って形成されるが、最終的には、ボンディン
グパッド１４上においては、絶縁層１５やこれの下の保
護膜等が除去されて外部に露呈されて、リードワイヤが
ボンディングされる。
ど全域に渡って形成されるが、最終的には、ボンディン
グパッド１４上においては、絶縁層１５やこれの下の保
護膜等が除去されて外部に露呈されて、リードワイヤが
ボンディングされる。
【０００７】このような固体撮像装置においては、通
常、遮光膜１２と、配線部１３とは同一金属層によって
同時に形成される。そして、この金属層の形成後に、上
述した保護膜や平坦化絶縁層１５の形成、特にこの平坦
化絶縁層１５の平坦化のための軟化加熱すなわちリフロ
ーを行う１０００℃程度の加熱を経ることから、遮光膜
１２や、配線部１３を構成する金属層としては、高融点
金属の例えばＷ（タングステン）によって構成される。
常、遮光膜１２と、配線部１３とは同一金属層によって
同時に形成される。そして、この金属層の形成後に、上
述した保護膜や平坦化絶縁層１５の形成、特にこの平坦
化絶縁層１５の平坦化のための軟化加熱すなわちリフロ
ーを行う１０００℃程度の加熱を経ることから、遮光膜
１２や、配線部１３を構成する金属層としては、高融点
金属の例えばＷ（タングステン）によって構成される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このよう
に、その配線部を高融点金属の例えばＷ（タングステ
ン）によって構成する場合、高融点金属は、一般にその
抵抗率が、例えばＡｌの２，３倍も大きいことから、配
線部に付随する分布抵抗が大きくなって応答特性を低下
させるなどの問題が生じる。本発明は、このような課題
の解決をはかる。
に、その配線部を高融点金属の例えばＷ（タングステ
ン）によって構成する場合、高融点金属は、一般にその
抵抗率が、例えばＡｌの２，３倍も大きいことから、配
線部に付随する分布抵抗が大きくなって応答特性を低下
させるなどの問題が生じる。本発明は、このような課題
の解決をはかる。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、固体撮像素子
を有する半導体基板上に配線部が形成され、この配線部
上に平坦化ないしは平滑化絶縁層が形成されて成る固体
撮像装置において、その配線部を、第１の金属層パター
ンと、平坦化ないしは平滑化絶縁層（前述したように平
坦化絶縁層と呼称する）に形成した開口を通じて、第１
の金属層パターン上にコンタクトされた第２の金属層パ
ターンとより構成する。そして、第１の金属層パターン
は、平坦化絶縁層の軟化温度より高い高融点金属より構
成し、第２の金属層パターンは、第１の金属層パターン
より良導電性の金属より構成する。
を有する半導体基板上に配線部が形成され、この配線部
上に平坦化ないしは平滑化絶縁層が形成されて成る固体
撮像装置において、その配線部を、第１の金属層パター
ンと、平坦化ないしは平滑化絶縁層（前述したように平
坦化絶縁層と呼称する）に形成した開口を通じて、第１
の金属層パターン上にコンタクトされた第２の金属層パ
ターンとより構成する。そして、第１の金属層パターン
は、平坦化絶縁層の軟化温度より高い高融点金属より構
成し、第２の金属層パターンは、第１の金属層パターン
より良導電性の金属より構成する。
【００１０】また、本発明による固体撮像装置の製造方
法は、半導体基板に固体撮像素子を形成する工程と、第
１の金属層パターンを形成する工程と、その後、絶縁層
を形成する工程と、この絶縁層を加熱軟化して平坦化な
いしは平滑化するいわゆるリフロー工程と、その後、平
坦化絶縁層の、第１の金属層パターンの配線部の形成部
上に開口を穿設する工程と、この開口を通じて第１の金
属層パターン上にコンタクトする第２の金属層パターン
を形成する工程とを経る。そして、この場合において
も、その第１の金属層パターンは、平坦化絶縁層の軟化
温度より高い高融点金属により構成し、第２の金属層パ
ターンは、第１の金属層パターンより良導電性の金属よ
り構成する。
法は、半導体基板に固体撮像素子を形成する工程と、第
１の金属層パターンを形成する工程と、その後、絶縁層
を形成する工程と、この絶縁層を加熱軟化して平坦化な
いしは平滑化するいわゆるリフロー工程と、その後、平
坦化絶縁層の、第１の金属層パターンの配線部の形成部
上に開口を穿設する工程と、この開口を通じて第１の金
属層パターン上にコンタクトする第２の金属層パターン
を形成する工程とを経る。そして、この場合において
も、その第１の金属層パターンは、平坦化絶縁層の軟化
温度より高い高融点金属により構成し、第２の金属層パ
ターンは、第１の金属層パターンより良導電性の金属よ
り構成する。
【００１１】上述したように、本発明装置および方法に
おいては、高融点金属をもって平坦化絶縁層の形成前に
形成される金属層の形成を行うものであるが、その平坦
化絶縁層の形成の後、すなわちその軟化加熱すなわちリ
フローの後に、低融点であるが電気伝導率の高いすなわ
ち良導電性を示す第２の金属層を配置した構成としたの
で、配線部の電気的抵抗を小さくすることができ、応答
性の向上をはかることができるものである。
おいては、高融点金属をもって平坦化絶縁層の形成前に
形成される金属層の形成を行うものであるが、その平坦
化絶縁層の形成の後、すなわちその軟化加熱すなわちリ
フローの後に、低融点であるが電気伝導率の高いすなわ
ち良導電性を示す第２の金属層を配置した構成としたの
で、配線部の電気的抵抗を小さくすることができ、応答
性の向上をはかることができるものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明による固体撮像装置は、Ｆ
Ｔ（フレームトランスファ）型構成、ＩＴ（インターラ
イントランスファ）型構成、ＦＩＴ（フレームインター
ライントランスファ）型構成等の各種、ＣＣＤ型固体撮
像素子を有する固体撮像装置に適用できるものである。
Ｔ（フレームトランスファ）型構成、ＩＴ（インターラ
イントランスファ）型構成、ＦＩＴ（フレームインター
ライントランスファ）型構成等の各種、ＣＣＤ型固体撮
像素子を有する固体撮像装置に適用できるものである。
【００１３】本発明による固体撮像装置は、半導体基板
上に配線部が形成され、この配線部上に平坦化ないしは
平滑化絶縁層が形成されて成る固体撮像装置において、
その配線部を、第１の金属層パターンと、平坦化ないし
は平滑化絶縁層（前述したように平坦化絶縁層と呼称す
る）に形成した開口を通じて、第１の金属層パターン上
にコンタクトされた第２の金属層パターンとより構成す
る。
上に配線部が形成され、この配線部上に平坦化ないしは
平滑化絶縁層が形成されて成る固体撮像装置において、
その配線部を、第１の金属層パターンと、平坦化ないし
は平滑化絶縁層（前述したように平坦化絶縁層と呼称す
る）に形成した開口を通じて、第１の金属層パターン上
にコンタクトされた第２の金属層パターンとより構成す
る。
【００１４】また、本発明による固体撮像装置の製造方
法は、半導体基板に固体撮像素子を形成する工程と、第
１の金属層パターンを形成する工程と、その後、絶縁層
を形成する工程と、この絶縁層を加熱軟化して平坦化な
いしは平滑化する工程と、その後、平坦化絶縁層の、第
１の金属層パターンの配線部の形成部上に開口を穿設す
る工程と、この開口を通じて第１の金属層パターン上に
コンタクトする第２の金属層パターンを形成する工程と
を経る。
法は、半導体基板に固体撮像素子を形成する工程と、第
１の金属層パターンを形成する工程と、その後、絶縁層
を形成する工程と、この絶縁層を加熱軟化して平坦化な
いしは平滑化する工程と、その後、平坦化絶縁層の、第
１の金属層パターンの配線部の形成部上に開口を穿設す
る工程と、この開口を通じて第１の金属層パターン上に
コンタクトする第２の金属層パターンを形成する工程と
を経る。
【００１５】第１の金属層パターンは、平坦化絶縁層の
軟化温度より高い高融点金属より構成し、第２の金属層
パターンは、第１の金属層パターンより良導電性の金属
より構成する。
軟化温度より高い高融点金属より構成し、第２の金属層
パターンは、第１の金属層パターンより良導電性の金属
より構成する。
【００１６】この配線部を構成する下層の第１の金属層
パターンは、固体撮像装置を構成する遮光膜の形成と同
時に同一金属層によって形成する。また、この第１の金
属層パターンは、Ｗ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｔｉのいずれかの金
属によって構成することができ、第２の金属層パターン
は、ＡｌまたはＡｌ合金によって構成することができ
る。
パターンは、固体撮像装置を構成する遮光膜の形成と同
時に同一金属層によって形成する。また、この第１の金
属層パターンは、Ｗ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｔｉのいずれかの金
属によって構成することができ、第２の金属層パターン
は、ＡｌまたはＡｌ合金によって構成することができ
る。
【００１７】図１は、本発明による固体撮像装置の一例
の、要部の概略断面図を示し、図２はその製造方法の工
程図を示す。この固体撮像装置は、図３で説明したと同
様に、半導体基体１に固体撮像素子２１が形成され、半
導体基体１の周辺部にボンディングパッド１４が形成さ
れ、固体撮像素子２１の所定部からボンディングパッド
に連結する配線部１３が形成される。本発明において
は、この配線部１３を、第１および第２の金属層パター
ン３１および３２によって構成する。
の、要部の概略断面図を示し、図２はその製造方法の工
程図を示す。この固体撮像装置は、図３で説明したと同
様に、半導体基体１に固体撮像素子２１が形成され、半
導体基体１の周辺部にボンディングパッド１４が形成さ
れ、固体撮像素子２１の所定部からボンディングパッド
に連結する配線部１３が形成される。本発明において
は、この配線部１３を、第１および第２の金属層パター
ン３１および３２によって構成する。
【００１８】本発明方法においては、図２Ａに示すよう
に、図４で説明したと同様に、ｎ型のＳｉ半導体基体１
に、固体撮像素子２１が形成された場合で、この場合、
半導体基体１の１主面側にｐ型の第１のウエル領域２が
形成され、その受光部の形成領域に光電変換素子例えば
フォトダイオードを構成するｎ型の不純物導入領域３が
形成され、その表面にｐ型の高濃度の正電荷蓄積領域４
が形成された受光部５が形成される。この受光部５は、
半導体基体１上に、基板面に沿って水平および垂直方向
に沿ってそれぞれ多数配列形成される。そして、例えば
共通の垂直方向に配列された受光部５に隣り合ってＣＣ
Ｄ構成による垂直シフトレジスタ６が形成される。この
垂直シフトレジスタ６は、第２のｐ型ウエル領域７上
に、ｎ型の転送領域８が形成され、これの上にＳｉＯ2
等の絶縁層９を介して、転送電極１０が、多結晶Ｓｉ等
の多結晶半導体層によって形成される。この転送電極１
０は、垂直方向に相互に絶縁された複数組の転送電極が
配置されてなり、各組の転送電極間にクロック電圧が印
加されて、各受光部５からその受光量に応じて発生した
電荷を引出し、これを垂直方向に順次転送するようにな
されている。半導体基体１の、電荷の授受が回避される
べき部分には、ｐ型の高濃度チャネルストップ領域１１
が形成される。
に、図４で説明したと同様に、ｎ型のＳｉ半導体基体１
に、固体撮像素子２１が形成された場合で、この場合、
半導体基体１の１主面側にｐ型の第１のウエル領域２が
形成され、その受光部の形成領域に光電変換素子例えば
フォトダイオードを構成するｎ型の不純物導入領域３が
形成され、その表面にｐ型の高濃度の正電荷蓄積領域４
が形成された受光部５が形成される。この受光部５は、
半導体基体１上に、基板面に沿って水平および垂直方向
に沿ってそれぞれ多数配列形成される。そして、例えば
共通の垂直方向に配列された受光部５に隣り合ってＣＣ
Ｄ構成による垂直シフトレジスタ６が形成される。この
垂直シフトレジスタ６は、第２のｐ型ウエル領域７上
に、ｎ型の転送領域８が形成され、これの上にＳｉＯ2
等の絶縁層９を介して、転送電極１０が、多結晶Ｓｉ等
の多結晶半導体層によって形成される。この転送電極１
０は、垂直方向に相互に絶縁された複数組の転送電極が
配置されてなり、各組の転送電極間にクロック電圧が印
加されて、各受光部５からその受光量に応じて発生した
電荷を引出し、これを垂直方向に順次転送するようにな
されている。半導体基体１の、電荷の授受が回避される
べき部分には、ｐ型の高濃度チャネルストップ領域１１
が形成される。
【００１９】そして、この固体撮像素子２１の上面に、
受光部５上に受光窓１２ｗを開口した遮光膜１２を形成
すると同時に配線部１３の下層配線層４１（必要に応じ
てボンディングパッド部を含む）を、第１の金属層３１
の全面的形成、その後の例えばフォトリソグラフィによ
るパターンエッチングによって形成する。第１の金属層
パターン３１は、高融点金属の例えばＷ，Ｍｏ，Ｃｒ，
Ｔｉのいずれかによる第１の金属を全面的に蒸着、スパ
ッタリング等によって形成し、これをフォトリソグラフ
ィを用いたパターンエッチングによって所要のパターン
とすることによって少なくとも遮光膜１２と配線部１３
下層配線層４１との形成を行う。
受光部５上に受光窓１２ｗを開口した遮光膜１２を形成
すると同時に配線部１３の下層配線層４１（必要に応じ
てボンディングパッド部を含む）を、第１の金属層３１
の全面的形成、その後の例えばフォトリソグラフィによ
るパターンエッチングによって形成する。第１の金属層
パターン３１は、高融点金属の例えばＷ，Ｍｏ，Ｃｒ，
Ｔｉのいずれかによる第１の金属を全面的に蒸着、スパ
ッタリング等によって形成し、これをフォトリソグラフ
ィを用いたパターンエッチングによって所要のパターン
とすることによって少なくとも遮光膜１２と配線部１３
下層配線層４１との形成を行う。
【００２０】次に、例えば全面的に耐湿の目的をもって
光透過性の例えばＳｉＯ2 あるいはＳｉＮ等よりなる保
護膜（図示せず）を必要に応じて被着形成し、この上に
全面的に、例えばＢＰＳＧ，ＢＳＧ，ＰＳＧ等を被着
し、これを加熱することによっていわゆるリフローし、
表面がなだらかに、すなわち平坦化させ、さらに例えば
平滑化する。このリフローのための加熱温度は、１００
０℃前後の例えば９５０℃程度の加熱であるが、このと
き、先に形成した遮光膜１２および配線部の下層配線層
４１は、すなわち第１の金属層は、その融点が、リフロ
ーの加熱温度より充分高いことから、このリフローの加
熱によって阻害されることがない。因みにタングステン
Ｗの融点は３４００℃程度、Ｍｏのそれは２６２０℃程
度、Ｃｒのそれは１８６０℃程度、Ｔｉのそれは１６６
０℃程度である。
光透過性の例えばＳｉＯ2 あるいはＳｉＮ等よりなる保
護膜（図示せず）を必要に応じて被着形成し、この上に
全面的に、例えばＢＰＳＧ，ＢＳＧ，ＰＳＧ等を被着
し、これを加熱することによっていわゆるリフローし、
表面がなだらかに、すなわち平坦化させ、さらに例えば
平滑化する。このリフローのための加熱温度は、１００
０℃前後の例えば９５０℃程度の加熱であるが、このと
き、先に形成した遮光膜１２および配線部の下層配線層
４１は、すなわち第１の金属層は、その融点が、リフロ
ーの加熱温度より充分高いことから、このリフローの加
熱によって阻害されることがない。因みにタングステン
Ｗの融点は３４００℃程度、Ｍｏのそれは２６２０℃程
度、Ｃｒのそれは１８６０℃程度、Ｔｉのそれは１６６
０℃程度である。
【００２１】このリフローの後、もしくはその前に、図
２Ｂに示すように、平坦化絶縁層１５に、配線部を構成
する第１の金属層３１からなる下層配線層４１上におい
て、下層配線層４１のパターンに沿って、さらに或る場
合はボンディングパッドのパターンを含んで、開口１５
ｗを穿設する。
２Ｂに示すように、平坦化絶縁層１５に、配線部を構成
する第１の金属層３１からなる下層配線層４１上におい
て、下層配線層４１のパターンに沿って、さらに或る場
合はボンディングパッドのパターンを含んで、開口１５
ｗを穿設する。
【００２２】その後、開口１５ｗを通じて下層配線層４
１とコンタクトする第２の金属を全面的に形成し（図示
せず）、フォトリソグラフィによるパターンエッチング
を行って図１に示すように、少なくとも下層配線層４１
上にこれに沿ってコンタクトされた第２の金属層パター
ン３２を形成し、これによって上層配線層４２を構成す
る。このようにして第１および第２の金属層パターンに
よる上層配線層４１および下層配線層４２が積層されて
成る配線部１３を形成する。
１とコンタクトする第２の金属を全面的に形成し（図示
せず）、フォトリソグラフィによるパターンエッチング
を行って図１に示すように、少なくとも下層配線層４１
上にこれに沿ってコンタクトされた第２の金属層パター
ン３２を形成し、これによって上層配線層４２を構成す
る。このようにして第１および第２の金属層パターンに
よる上層配線層４１および下層配線層４２が積層されて
成る配線部１３を形成する。
【００２３】この上層配線層４２、すなわち第２の金属
層３２は、第１の金属層３１に比し充分高い導電性を有
するが、その融点は、平坦化絶縁層１５の軟化点、すな
わちリフロー加熱温度より低い、例えばＡｌあるいはＡ
ｌの合金例えばＡｌ−Ｓｉによって形成する。
層３２は、第１の金属層３１に比し充分高い導電性を有
するが、その融点は、平坦化絶縁層１５の軟化点、すな
わちリフロー加熱温度より低い、例えばＡｌあるいはＡ
ｌの合金例えばＡｌ−Ｓｉによって形成する。
【００２４】そして、平坦化ないしは平滑化された絶縁
層１５上に、例えば色フィルタ（図示せず）や、レンチ
キュラーレンズ（図示せず）を配置形成する。
層１５上に、例えば色フィルタ（図示せず）や、レンチ
キュラーレンズ（図示せず）を配置形成する。
【００２５】上述したように、本発明装置および方法に
おいては、高融点金属をもって平坦化絶縁層の形成前に
形成される金属層の形成を行うものであるが、その平坦
化絶縁層の形成の後、すなわちその軟化加熱の後に、低
融点であるが電気伝導率の高いすなわち良導電性を示す
金属層を配置した構成としたので、配線部の電気的抵抗
を小さくすることができ、応答性の向上をはかることが
できるものである。
おいては、高融点金属をもって平坦化絶縁層の形成前に
形成される金属層の形成を行うものであるが、その平坦
化絶縁層の形成の後、すなわちその軟化加熱の後に、低
融点であるが電気伝導率の高いすなわち良導電性を示す
金属層を配置した構成としたので、配線部の電気的抵抗
を小さくすることができ、応答性の向上をはかることが
できるものである。
【００２６】尚、図示の例では、ｎ型基板を用いた固体
撮像装置とした場合であるが、図示の例に限られるもの
ではなくｐ型基板を用いた固体撮像装置、遮光膜と配線
部とを有するそのほか各種構成による固体撮像装置に適
用して同様の効果を奏することができる。また、上述し
た例では、半導体基体の周辺部に配置された端子導出の
配線部１３についてのみ、第１および第２の金属パター
ン３１および３２の積層構造とした場合であるが、例え
ば、シフトレジスタの転送電極間相互を連結いわゆるシ
ャントする構成によるシャント型の固体撮像装置におい
て、そのシャント配線を上述した第１および第２の金属
パターン３１および３２の積層構造とすることができ
る。
撮像装置とした場合であるが、図示の例に限られるもの
ではなくｐ型基板を用いた固体撮像装置、遮光膜と配線
部とを有するそのほか各種構成による固体撮像装置に適
用して同様の効果を奏することができる。また、上述し
た例では、半導体基体の周辺部に配置された端子導出の
配線部１３についてのみ、第１および第２の金属パター
ン３１および３２の積層構造とした場合であるが、例え
ば、シフトレジスタの転送電極間相互を連結いわゆるシ
ャントする構成によるシャント型の固体撮像装置におい
て、そのシャント配線を上述した第１および第２の金属
パターン３１および３２の積層構造とすることができ
る。
【００２７】
【発明の効果】上述したように、本発明装置および方法
においては、高融点金属をもって平坦化絶縁層の形成前
に形成される金属層例えば遮光膜および配線部の下層配
線層の形成を行い、平坦化絶縁層の形成の形成およびそ
の軟化加熱、すなわちリフローの後に、低融点であるが
電気伝導率の高いすなわち良導電性を示す金属層を下層
配線層とコンタクトして積層した構成としたので、配線
部の電気的抵抗を小さくすることができ、応答性の向上
をはかることができるものである。
においては、高融点金属をもって平坦化絶縁層の形成前
に形成される金属層例えば遮光膜および配線部の下層配
線層の形成を行い、平坦化絶縁層の形成の形成およびそ
の軟化加熱、すなわちリフローの後に、低融点であるが
電気伝導率の高いすなわち良導電性を示す金属層を下層
配線層とコンタクトして積層した構成としたので、配線
部の電気的抵抗を小さくすることができ、応答性の向上
をはかることができるものである。
【図１】本発明による固体撮像装置の一例の要部の断面
図である。
図である。
【図２】ＡおよびＢは、本発明による固体撮像装置の製
造方法の一例の工程図である。
造方法の一例の工程図である。
【図３】固体撮像装置の一例の模式的平面図である。
【図４】従来の固体撮像装置の要部の断面図である。
１…半導体基体、２…第１のウエル領域、３…不純物導
入領域、４…正電荷蓄積領域、５…受光部、６…垂直シ
フトレジスタ、７…第２のウエル領域、８…転送領域、
９…絶縁層、１０…転送電極、１１…チャネルストップ
領域、１２…遮光膜、１３…配線部、１４…ボンディン
グパッド、１５…平坦化絶縁層（平坦化ないしは平滑化
絶縁層）、３１…第１の金属層パターン、３２…第２の
金属層パターン、４１…下層配線層、４２…上層配線層
入領域、４…正電荷蓄積領域、５…受光部、６…垂直シ
フトレジスタ、７…第２のウエル領域、８…転送領域、
９…絶縁層、１０…転送電極、１１…チャネルストップ
領域、１２…遮光膜、１３…配線部、１４…ボンディン
グパッド、１５…平坦化絶縁層（平坦化ないしは平滑化
絶縁層）、３１…第１の金属層パターン、３２…第２の
金属層パターン、４１…下層配線層、４２…上層配線層
Claims (8)
- 【請求項１】 固体撮像素子を有する半導体基板上に配
線部が形成され、該配線部上に平坦化ないしは平滑化絶
縁層が形成されて成る固体撮像装置において、 上記配線部が、第１の金属層パターンと、上記平坦化な
いしは平滑化絶縁層に形成した開口を通じて、上記第１
の金属層パターン上にコンタクトされた第２の金属層パ
ターンとより成り、 上記第１の金属層パターンは、上記平坦化ないしは平滑
化された絶縁層の軟化温度より高い高融点金属より成
り、 上記第２の金属層パターンは、上記第１の金属層パター
ンより良導電性の金属より成ることを特徴とする固体撮
像装置。 - 【請求項２】 半導体基板に固体撮像素子を形成する工
程と、 第１の金属層パターンを形成する工程と、 その後、絶縁層を形成する工程と、 該絶縁層を加熱軟化して平坦化ないしは平滑化する工程
と、 その後、上記平坦化ないしは平滑化された絶縁層の、上
記第１の金属層パターンの配線部の形成部上に開口を穿
設する工程と、 該開口を通じて上記第１の金属層パターン上にコンタク
トする第２の金属層パターンを形成する工程とを有し、 上記第１の金属層パターンは、上記平坦化ないしは平滑
化された絶縁層の軟化温度より高い高融点金属により構
成し、 上記第２の金属層パターンは、上記第１の金属層パター
ンより良導電性の金属より構成することを特徴とする固
体撮像装置の製造方法。 - 【請求項３】 上記第１の金属層パターンは、上記固体
撮像素子に対する遮光膜と同一金属より成ることを特徴
とする請求項１に記載の固体撮像装置。 - 【請求項４】 上記第１の金属層パターンは、上記固体
撮像素子に対する遮光膜と同時に形成することを特徴と
する請求項２に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項５】 上記第１の金属層パターンは、Ｗ，Ｍ
ｏ，Ｃｒ，Ｔｉのいずれかの金属より成ることを特徴と
する請求項１に記載の固体撮像装置。 - 【請求項６】 上記第１の金属層パターンは、Ｗ，Ｍ
ｏ，Ｃｒ，Ｔｉのいずれかの金属より成ることを特徴と
する請求項２に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項７】 上記第２の金属層パターンは、Ａｌまた
はＡｌ合金より成ることを特徴とする請求項１に記載の
固体撮像装置。 - 【請求項８】 上記第２の金属層パターンは、Ａｌまた
はＡｌ合金より成ることを特徴とする請求項２に記載の
固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9182713A JPH1126738A (ja) | 1997-07-08 | 1997-07-08 | 固体撮像装置とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9182713A JPH1126738A (ja) | 1997-07-08 | 1997-07-08 | 固体撮像装置とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1126738A true JPH1126738A (ja) | 1999-01-29 |
Family
ID=16123143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9182713A Abandoned JPH1126738A (ja) | 1997-07-08 | 1997-07-08 | 固体撮像装置とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1126738A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006179903A (ja) * | 2004-12-23 | 2006-07-06 | Samsung Electronics Co Ltd | イメージ素子の製造方法 |
| JP2006294654A (ja) * | 2005-04-05 | 2006-10-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置及びその製造方法 |
-
1997
- 1997-07-08 JP JP9182713A patent/JPH1126738A/ja not_active Abandoned
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006179903A (ja) * | 2004-12-23 | 2006-07-06 | Samsung Electronics Co Ltd | イメージ素子の製造方法 |
| JP2006294654A (ja) * | 2005-04-05 | 2006-10-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置及びその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041201 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050308 |
|
| A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20050506 |