JPH0714657U - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0714657U JPH0714657U JP4781393U JP4781393U JPH0714657U JP H0714657 U JPH0714657 U JP H0714657U JP 4781393 U JP4781393 U JP 4781393U JP 4781393 U JP4781393 U JP 4781393U JP H0714657 U JPH0714657 U JP H0714657U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- support plate
- semiconductor device
- main surface
- chip
- fixed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/4826—Connecting between the body and an opposite side of the item with respect to the body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73215—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 モールド型半導体装置の小型化を達成する。
【構成】 支持板3の表面と裏面に第1及び第2のチッ
プ1、2を絶縁性接着層4、5で固着する。第2のチッ
プ2に支持板3よりも張り出した部分2a、2bを設け
る。この張り出した部分2a、2bに金属細線9a、9
bを接続する。
プ1、2を絶縁性接着層4、5で固着する。第2のチッ
プ2に支持板3よりも張り出した部分2a、2bを設け
る。この張り出した部分2a、2bに金属細線9a、9
bを接続する。
Description
【0001】
本考案は、複数の半導体素子を含む半導体装置に関する。
【0002】
リードフレームの支持板の一方の主面に複数の半導体素子(以下、チップとい う)を固着し、このチップの電極とリードフレームの外部リードとを金属細線に よって電気的に接続した半導体装置は公知である。
【0003】
ところで、半導体装置の高機能化を図るためにはチップ数を増加しなければな らない。上述のような支持板を使用する半導体装置において、チップ数を増加す る場合には、1枚の支持板に複数のチップを搭載することができるように支持板 の面積を大きくするか、複数のチップを支持するために複数の支持板を用意する ことが必要になり、装置の大型化を招いた。
【0004】 そこで、本考案の目的は小型化が達成できるのみでなく、製作しやすい構造を 有している半導体装置を提供することにある。
【0005】 上記目的を達成するための本考案は、支持板の一方の主面に第1の半導体素子 が固着され、前記支持板の他方の主面に第2の半導体素子が固着され、前記第2 の半導体素子は前記支持板の一方の主面側から見て前記支持板及び前記第1の半 導体素子よりも張り出した部分を有し、この張り出した部分の前記支持板に近い 側の主面に電気的接続用金属細線が接続されていることを特徴とする半導体装置 に係わるものである。
【0006】
本考案においては支持板の一方の主面と他方の主面の両方に半導体素子を固着 するので、半導体装置の小型化が達成される。更に、第2の半導体素子は支持板 及び第1の半導体素子よりも張り出した部分を有するので、この張り出した部分 を接続領域として使用して第2の半導体素子に対する金属細線の接続を支持板の 一方の主面側から容易に達成することが可能になる。
【0007】
次に、図1を参照して本考案の実施例に係わる半導体装置を説明する。 この半導体装置は、第1及び第2の半導体素子としての第1及び第2のモノリ シックICチップ1、2と、これ等を支持する金属平板から成る支持板3と、接 着層4、5と、複数の外部リード6、7と、内部接続用金属細線8a、8b、9 a、9bと、絶縁性被覆樹脂体10とから成る。
【0008】 第1のチップ1は支持板3の一方の主面(表面)に絶縁性接着層4で固着され 、第2のチップ2は支持板3の他方の主面(裏面)に絶縁性接着剤5で固着され ている。第1及び第2のチップ1、2は種々の半導体領域や電極層が周知の方法 で設けられているが、図1では省略されている。第1のチップ1は支持板3より も幾らか小さく形成され、この表面にリード細線接続用電極即ちボンディングパ ッド11、12を有し、これ等に金属細線8a、8bの一端が周知のワイヤボン ディング方法で固着されている。金属細線8a、8bの他端は一方及び他方の側 の複数の外部リード6、7から選択されたものに固着されている。
【0009】 第2のチップ2は矢印13で示すように支持板3の一方の主面側から見て支持 板3から張り出した部分2a、2bを有し、この表面(支持板3に近い側の面) にボンディングパッド14、15が設けられ、これ等に金属細線9a、9bの一 端が周知のワイヤワボンディング法で固着されている。金属細線9a、9bの他 端は一方及び他方の側の複数の外部リード6、7から選択されたものに固着され ている。なお、この実施例では、支持板3及び第2のチップ2が共に平面形状四 角形であり、第2のチップ2の外部リード6、7側の2辺に沿った帯状領域が張 り出し部分2a、2bとなっている。
【0010】 第2のチップ2の上面中央領域に配線導体層(図示せず)が存在するが、絶縁 性接着層5で被覆されているために支持板3から電気的に分離されている。なお 、第2のチップ2の上面の配線導体層の上に特別に絶縁層を設け、第2のチップ 2と支持板3との電気的絶縁をより確実に達成することもできる。また、第1の チップ1の下面の一部又は全部及び第2のチップ2の上面の一部又は全部を必要 に応じて支持板3に半田等で電気的に結合することもできる。
【0011】 支持板3と外部リード6、7はリードフレームから得たものであり、製作段階 においてはそれぞれが相互に連結されている。複数の外部リード6、7の中の1 本又は2本が支持板に連結されている。絶縁被覆樹脂体10は周知のモールド法 によって第1及び第2のチップ1、2と支持板3と金属細線8a、8b、9a、 9bと外部リード6、7の一部とを被覆するように形成されている。
【0012】 半導体装置を図1の構造にすれば、支持板3の両主面を第1及び第2のチップ 1、2の固着に使用できるので、半導体装置の小型化が達成される。 また、第2のチップ2は張り出した部分2a、2bを有するので、ここを使用 して金属細線9a、9bによる接続を第1のチップ1と同一主面側から容易に達 成することができる。
【図1】実施例の半導体装置を示す中央縦断面図であ
る。
る。
1、2 第1及び第2のチップ 3 支持板 2a、2b 張り出し部分
Claims (1)
- 【請求項1】 支持板の一方の主面に第1の半導体素子
が固着され、前記支持板の他方の主面に第2の半導体素
子が固着され、前記第2の半導体素子は前記支持板の一
方の主面側から見て前記支持板及び前記第1の半導体素
子よりも張り出した部分を有し、この張り出した部分の
前記支持板に近い側の主面に電気的接続用金属細線が接
続されていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4781393U JP2587722Y2 (ja) | 1993-08-09 | 1993-08-09 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4781393U JP2587722Y2 (ja) | 1993-08-09 | 1993-08-09 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0714657U true JPH0714657U (ja) | 1995-03-10 |
JP2587722Y2 JP2587722Y2 (ja) | 1998-12-24 |
Family
ID=12785810
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4781393U Expired - Lifetime JP2587722Y2 (ja) | 1993-08-09 | 1993-08-09 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2587722Y2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102979854A (zh) * | 2012-08-29 | 2013-03-20 | 鹤壁汽车工程职业学院 | 大传动比柔性减速器 |
-
1993
- 1993-08-09 JP JP4781393U patent/JP2587722Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102979854A (zh) * | 2012-08-29 | 2013-03-20 | 鹤壁汽车工程职业学院 | 大传动比柔性减速器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2587722Y2 (ja) | 1998-12-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH064595Y2 (ja) | ハイブリッドic | |
JPH03169062A (ja) | 半導体装置 | |
JPWO2002095824A1 (ja) | 電源回路装置 | |
JPS622628A (ja) | 半導体装置 | |
JPH0645504A (ja) | 半導体装置 | |
JPH06291230A (ja) | 複合半導体装置の製造方法 | |
JPH0714657U (ja) | 半導体装置 | |
JP3942495B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2982182B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JP3234614B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JPH02133942A (ja) | セラミックチップキャリア型半導体装置 | |
JP2003124251A5 (ja) | ||
JPH0622997Y2 (ja) | 絶縁物封止型半導体装置 | |
JPH0451489Y2 (ja) | ||
JPS63146453A (ja) | 半導体パツケ−ジおよびその製造方法 | |
JPH0442942Y2 (ja) | ||
JPH0741167Y2 (ja) | 絶縁物封止型回路装置 | |
JPS6130286Y2 (ja) | ||
JPS6236299Y2 (ja) | ||
JP4502489B2 (ja) | マルチチップ半導体装置 | |
JPH0451488Y2 (ja) | ||
JPH0451476Y2 (ja) | ||
JPH08250624A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2562773Y2 (ja) | 半導体集積回路素子 | |
JPH0119395Y2 (ja) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071023 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 10 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081023 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 10 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081023 |