JPS60170178A - フオトセンサアレイ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は元信号を電気信号に変換して取り出すフォトセ
ンサアレイに関する。

〔従来技術〕

従来、例えばファクシミリ装置の光電変換装置部として
はシリコンフォトダイオード型の１次元フォトセンサア
レイが一般的に知られている。又、近年においては、グ
ロー放電、ス・母ツタリング、イオンゾレーティンダ、
真空蒸着等真空装置を用いた膜形成法、もしくは結着樹
脂と混合して塗布する方法等を用いて被着させた薄膜も
しくは厚膜を積層させて作製した、レンズ系で原稿を縮
小することを必要としない長尺化したフォトセンサアレ
イの開発が進んでいる。

この様な長尺化したフォトセンサアレイの方式として、
大きく次の２つがある。つまり、コプレーチ型の光導電
タイプとサンドイッチ型の光起電力タイプがあるが、コ
ル−ナ型の光導電タイプはサンドイッチ型光起電力タイ
ゾに比べ、光応答速度では劣るものの、感度つまシ光電
流の大きさは、同面積画素、同−光量の場合光起電力タ
イプより約１００倍大きいことが実験的にも理論的にも
示されている。

この光電流が大きいという特性を利用して、実時間読出
し方式（光電流を蓄積しないで、実時間で光電流を増巾
出力する方式）が可能となる。さらに、実時間読出し方
式は１画素当シの読出し速度が速い（蓄積時間がいらな
い）ことから、−次元センサアレイのセンサをある個数
毎に分割して読出す方式つまりストリックス読出し方式
が可能となっている。

とのマ）　ＩＪソックス出し方式は第１図に示す如（ｍ
Ｘｎｆｆ６１の光電変換要素が一列アレイ状とされ、と
の光電変換要素のｍ個に共通な共通ブロック電極２がｎ
個あり、ｍＸｎｆｌｉｉの光電変換要素毎に独立して設
けられたｍＸｎ１ｉｌの個別電極４と前記共通プロ、り
電極２と前記独立して設けられた個別電極４との間に光
電変換層とを有する一次元長尺フオドセンサアレイ部６
．前記ｎｍの共通電極に順次電圧を印加する電圧印加回
路８　、ｍＸｎａの光電変換要素からｍ個ずつ並列に出
力される光電流を入力し直列に出力する走査回路部とマ
トリックス配線部１０とからなる。

とのマトリックス読出し方式の場合、回路構成は簡単と
なるが配線部が複雑となり配線部面積が大きくなること
が問題となっている。

特に、画素数が大となりｍＸｎが大となった場合、例え
ばＡ４サイズを８　ｐａｌ／ｍ＃Ｉで読取るときは、ｍ
　Ｘ　ｎ　＝　１７２８であシ、読取シ速度を最大とす
るだめにはｍりｎ　梠％という関係から、一般にはｍ＝
３２　；　ｎ＝５４またはｍ＝４８　；　ｎ＝３６　（
またはｍ＝６４　、　ｎ＝２７　）が採用される。ｍの
値は回路部が何チャンネル集積可能かによって決定され
るが、回路部を低価格にするためにはなるべくチャンネ
ル数すなわちｍの値を小さくしたい。この結果、ｍ＝３
２；ｎ＝５４程度の配分が一般的であるが、この場合に
は前記共通ブロック電極配線数が５４本、個別電極側マ
トリ、クス配線部は、１７２８本の個別電極とそれに交
差する３２本の配線が必要となり、スルーホール数３２
Ｘ５４＝１７２８　ａ％及び絶縁を必要とする交差点３
　３２−１・５４＝２６７８４が必要となる。

以上述べたようにマトリックス読出し方式の場合マ）　
ＩＪソックス出しの為の配線部が複雑かつ高密度化する
為配線部の製造歩留りが低下するという問題が生ずる。

この問題の解決策として、フォトセンサアレイ部と配線
部とを分離形成して、検査終了後の良品同士を接続する
手法が取られる。この場合、配線部としては前記共通グ
ロ、り電極配線と前記個別電極とそれに続くマトリック
ス配線部があるが、配線部基板としては出来るだけ一体
化して部品点数を減らすことが望ましい。ところが、コ
プレーナ型フォトセンサアレイの場合、前記共通プロ。

り電極と前記個別電極は同一平面上に対向して位置する
ため、両方の配線を同一方向に引き出して基板を一体化
するのは困難となる。

この為第２図に示す如くフォトセンサアレイ１２の両側
に共通ブロック電極配線基板１４と個別電極配線及びマ
トリックス配線基板１６とを設ける方式がとられるが、
配線基板を２枚設ける為実装工程が複雑となりコスト上
昇となるとともに信頼性の低下を招くこともある。１８
は電圧印加回路及び読出し回路である。

又、第３図に示す如く、基板２０上に７オトセンサたる
光電変換層２２を設け、光電変換層２２の一方に個別電
極４を設け、光電変換層２２の他方に接しつつ基板２０
の最上層部に共通ブロック電極２を配設し、共通プロ、
り電極２と個別電極４との間には絶縁層２４を設けたも
のがある。しかるにこのような構造では共通ブロック電
極２が、ＦｇＴのｒ−ト電極と同じ働きをすることにな
り、光電信号電流の誤差を大きくしてしまう。尚この従
来例では第１部２６′と第２部２８′とを別々に製造し
図中Ａ　−Ａ’で両者を接合させるものである。

〔目的〕

そこで本発明の目的は、前記欠点を解消すべく低価格で
信頼性が高いフォトセンサアレイを実現するにある。

〔実施例〕

以下本発明の実施例を具体的かつ詳細に説明する。

第４図は本発明の実施例を示すもので、本実施例では透
明な基板２０は第１部２６、第２部２８、第３部３０に
よって構成され夫々がＣ−σ、Ｂ−Ｂ’線の位置で接合
される。第１部２６、第２部２８、第３部３０は夫々側
々に製造される。本実施例では接合後の状態で説明を行
なう。第１部２６には基板２０上に光電変換層２２を設
け、該光電変換層２２の片側に共通ブロック電極２を設
けるとともに、光電変換層２２の他側に複数個の個別電
極４を設ける。該個別電極４は第２部２８、第３部３０
にも形成される。更に第２部２８、第３部３０には個別
電極４とは別に共通ブロック電極延長部３２を個別重縁
４と平行になるように設け、この共通ブロック電極延長
部３２を電源（図示せず）に接続する。更に共通ブロッ
ク電極２の一部に第１ポンデイング・臂ツド３４を設け
るとともに、共通ブロック電極延長部３２の一部に第２
ポンデイングパツド３６を設け、該第１ビンディングパ
ッド３４．！ＪＩ！２’ｆ’ンディングパッド３６間を
接続手段たるワイヤデンディング３８で接続する。

このフォトセ／サアＶイの光電変換層２２に基板２０側
から原稿等で反射された反射光を照射し光電変換層２２
の抵抗値の変化が個別電極４に流れる電流値を変えるこ
とによって原稿等の表面の情報が読取られる。

〔効果〕

以上詳細に説明した如く本発明によれば共通ブロック電
極の配線引き回しが不用となり、また配　゛線基板を１
枚にすることが出来るので製造コストを低下させるとと
もに信頼性を向上し得る。更にワイヤボンディング接続
を採用し、このワイヤ径が細いこと、また光電変換部と
の距離をとれることから第３図に示す従来例の様なＦＥ
Ｔダート電極作用のような電気的悪影響を除去できる。

【図面の簡単な説明】

第１図はマトリックス読出し方式概略回路図、第２図は
従来の光電変換装置の概略説明図、第３図は従来の光電
変換装置の断面図、第４図は本実施例の光電変換装置の
斜視図である。 図において、 ２・・・共通ブロック電極、４・・・個別電極、２０・
・・基板、２２・・光電変換層、３２・・・共通ブロッ
ク電極延長部、３８・・・ワイヤデンディングである。 第１図 ８、 ＠　２　図 第　３　図 Ａ′ 第４図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. フォトセンサアレイにおいて、光電変換層の片側に共通
   プロ、り電極を設け、前記光電変換層の他側に個別電極
   及び共通ブロック電極延長部を設け、前記共通ブロック
   電極と前記共通ブロック電極延長部とを接続手段を用い
   て接続することを特徴とするフォトセンサアレイ。