JPH02305064A - 完全密着型イメージセンサ - Google Patents
完全密着型イメージセンサInfo
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- JPH02305064A JPH02305064A JP1125336A JP12533689A JPH02305064A JP H02305064 A JPH02305064 A JP H02305064A JP 1125336 A JP1125336 A JP 1125336A JP 12533689 A JP12533689 A JP 12533689A JP H02305064 A JPH02305064 A JP H02305064A
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- JP
- Japan
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- sensor
- glass substrate
- sensor element
- image sensor
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- Prior art date
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 26
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/024—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
- H04N1/028—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up
- H04N1/03—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array
- H04N1/031—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array the photodetectors having a one-to-one and optically positive correspondence with the scanned picture elements, e.g. linear contact sensors
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、゛小型ファクシミリ等に用いられるイメージ
センサに係るものであり、詳しくは原稿を縮小せずに読
み取ることができる完全！着型イメージセンサに関する
ものである。
センサに係るものであり、詳しくは原稿を縮小せずに読
み取ることができる完全！着型イメージセンサに関する
ものである。
密着型イメージセンサは縮小光学系を用いずに原稿を読
み取ることができるので、光路長が短（、装置を小型化
することができる。このため、近縁小型ファクシミリや
バーコードリーダー等の読み取り装置として広く使用さ
れている。
み取ることができるので、光路長が短（、装置を小型化
することができる。このため、近縁小型ファクシミリや
バーコードリーダー等の読み取り装置として広く使用さ
れている。
ところで、従来の密着型イメージセンサには、縮小光学
系のかわりにセルフォックレンズに代表される等倍光学
系を使って、センサ面上に像を形成するものがある。ま
た、センサの価格を下げるため、セルフォックレンズを
省き、センサ面を原稿に密着させて画像を読み取る方式
の密着型イメージセンサも開発されている。以後、この
方式の密着型イメージセンサを、完全密着型イメージセ
ンサと呼ぶ。
系のかわりにセルフォックレンズに代表される等倍光学
系を使って、センサ面上に像を形成するものがある。ま
た、センサの価格を下げるため、セルフォックレンズを
省き、センサ面を原稿に密着させて画像を読み取る方式
の密着型イメージセンサも開発されている。以後、この
方式の密着型イメージセンサを、完全密着型イメージセ
ンサと呼ぶ。
第６図は従来の完全密着型イメージセンサの概略断面図
である。第６図において、１はガラス基板である。ガラ
ス基板１の表面には、光信号を電気信号に変換する。セ
ンサ素子２が形成され、またセンサ素子２の入力側に接
続される入力コンタクト部Ｉと、出力側に接続される出
力コンタクト部０とがバターニングされている。ガラス
基板１の背後には、センサ素子２を駆動する駆動用ＩＣ
５・５が載置された回路基板６が配置され、更に回路基
板６の下方には光源７が配置されている。また、６ａは
光源７からの光が透過するスリット、８ば各コンタクト
部工・Ｏと駆動用ＩＣ５・５とを接続する熱圧着導電シ
ール、９は原稿Ａをセンサ素子２に押し当てる（密着）
ローラ、１０はホルダである。
である。第６図において、１はガラス基板である。ガラ
ス基板１の表面には、光信号を電気信号に変換する。セ
ンサ素子２が形成され、またセンサ素子２の入力側に接
続される入力コンタクト部Ｉと、出力側に接続される出
力コンタクト部０とがバターニングされている。ガラス
基板１の背後には、センサ素子２を駆動する駆動用ＩＣ
５・５が載置された回路基板６が配置され、更に回路基
板６の下方には光源７が配置されている。また、６ａは
光源７からの光が透過するスリット、８ば各コンタクト
部工・Ｏと駆動用ＩＣ５・５とを接続する熱圧着導電シ
ール、９は原稿Ａをセンサ素子２に押し当てる（密着）
ローラ、１０はホルダである。
第７図は従来の完全密着型イメージセンサの概略結線図
、第８図はそのセンサブロックの詳細図である。第６図
に示す準来の完全密着型イメージセンサには、１６個の
センサ素子・２からなるセンサブロックＢが４０個配置
され、各センサ素子２を駆動するために各センサ素子２
の入力側に接続される４０個の入力コンタクト部Ｉと、
各センサ素子２の出力側に接続される１６個の出力コン
タクト部○とが配置されている。各センサ素子２は第８
図に示すように、バック・ツウ・バックに接続されたホ
トダイオード３とブロッキングダイオード４とからなる
。
、第８図はそのセンサブロックの詳細図である。第６図
に示す準来の完全密着型イメージセンサには、１６個の
センサ素子・２からなるセンサブロックＢが４０個配置
され、各センサ素子２を駆動するために各センサ素子２
の入力側に接続される４０個の入力コンタクト部Ｉと、
各センサ素子２の出力側に接続される１６個の出力コン
タクト部○とが配置されている。各センサ素子２は第８
図に示すように、バック・ツウ・バックに接続されたホ
トダイオード３とブロッキングダイオード４とからなる
。
駆動用ＩＣ５・５は、合計６４０個のセンサ素子２を、
１６個の出力コンタクト部０と４０個の入力コンタクト
部■とを介して、順次駆動・読み取りを行う。
１６個の出力コンタクト部０と４０個の入力コンタクト
部■とを介して、順次駆動・読み取りを行う。
ところで、完全密着型イメージセンサ（以下、単にセン
サとも称する。）は、原稿Ａとセンサ素子２の表面とが
離れていると、分解能が劣化するので、原稿Ａとセンサ
素子２との間隔はできるだけ狭い方が望ましい。しかし
ながら、従来のセンサは、第６図に示すように入力コン
タクト部Ｉがガラス基板１の一方の側端部に、また出力
コンタクト部０がガラス基板１の他方の側端部に形成さ
れ、センサ素子２の両側にコンタクト部■・０による突
起ができるので、原稿Ａを読み取る際に、原稿Ａをセン
サ素子２に密着することが困難であった。このため、従
来の完全密着型イメージセンサではｓ ＭＴ Ｆ （Ｍ
ｏｄｕｌａｔｉｏｎ Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｆ＋ｒｎｃｔ
ｉ。
サとも称する。）は、原稿Ａとセンサ素子２の表面とが
離れていると、分解能が劣化するので、原稿Ａとセンサ
素子２との間隔はできるだけ狭い方が望ましい。しかし
ながら、従来のセンサは、第６図に示すように入力コン
タクト部Ｉがガラス基板１の一方の側端部に、また出力
コンタクト部０がガラス基板１の他方の側端部に形成さ
れ、センサ素子２の両側にコンタクト部■・０による突
起ができるので、原稿Ａを読み取る際に、原稿Ａをセン
サ素子２に密着することが困難であった。このため、従
来の完全密着型イメージセンサではｓ ＭＴ Ｆ （Ｍ
ｏｄｕｌａｔｉｏｎ Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｆ＋ｒｎｃｔ
ｉ。
ｎ）が劣化するという問題があった。
また、従来の完全密着型イメージセンサでは、第６図に
示すように入力コンタクト部Ｉと出力コンタクト部０と
がガラス基板１上の両側端部に各々別個に形成されてい
るので、入力コンタクト部ｒと出力コンタクト部０との
間隔が狭いと、ローラ９によって原稿Ａとセンサ素子２
とを密着する際に、ローラ９がホルダ１０に接触する。
示すように入力コンタクト部Ｉと出力コンタクト部０と
がガラス基板１上の両側端部に各々別個に形成されてい
るので、入力コンタクト部ｒと出力コンタクト部０との
間隔が狭いと、ローラ９によって原稿Ａとセンサ素子２
とを密着する際に、ローラ９がホルダ１０に接触する。
このため、従来の完全密着型イメージセンサではガラス
基板１の幅を大きくする必要があり、センサ全体のモジ
ュールを小型化することができなかった。
基板１の幅を大きくする必要があり、センサ全体のモジ
ュールを小型化することができなかった。
本発明は、上記事情に基づいてなされたものであり、小
型で、しかもセンサ素子上原稿とを完全に密着すること
ができる完全密着型イメージセンサを提供することを目
的とするものである。
型で、しかもセンサ素子上原稿とを完全に密着すること
ができる完全密着型イメージセンサを提供することを目
的とするものである。
Ｃ１題を解決するための手段〕
上記目的を達成するための本発明は、光透過性基板上に
配列されたセンサ素子をマトリックス駆動する完全密着
型イメージセンサにおいて、前記センサ素子の入力側に
接続される゛入力コンタクト部と、前記センサ素子の出
力側に接続される出力コンタクト部とを前記光透過性基
板の一方の側端部に配置したことを特徴とするものであ
る。
配列されたセンサ素子をマトリックス駆動する完全密着
型イメージセンサにおいて、前記センサ素子の入力側に
接続される゛入力コンタクト部と、前記センサ素子の出
力側に接続される出力コンタクト部とを前記光透過性基
板の一方の側端部に配置したことを特徴とするものであ
る。
本発明は前記の構成によって、センサ素子の各コンタク
ト部が光透過性基板上の一方の側端部に配置されている
ので、センサ素子と原稿との間隙を極めて狭くすること
ができる。また、入力コンタクト部と出力コンタクト部
とが光透過性基板上の一方の側に配置されているので、
従来のセンサよりも、光透過性基板の幅が小さくてすみ
、センサのモジュールを小型化することができる。
ト部が光透過性基板上の一方の側端部に配置されている
ので、センサ素子と原稿との間隙を極めて狭くすること
ができる。また、入力コンタクト部と出力コンタクト部
とが光透過性基板上の一方の側に配置されているので、
従来のセンサよりも、光透過性基板の幅が小さくてすみ
、センサのモジュールを小型化することができる。
以下に本発明の第１の実施例を第１図乃至第３図を参照
して説明する。
して説明する。
第１図は本発明の１実施例である完全密着型イメージセ
ンサの概略断面図、第２図はその概略結線図、第３図は
そのセンサ素子の結線パターンを示す図である。尚、第
６図乃至第８図に示す従来の完全密着型イメージセンサ
と同一の機能を有するものには同一の符号を付すること
により、その詳細な説明を省略する。
ンサの概略断面図、第２図はその概略結線図、第３図は
そのセンサ素子の結線パターンを示す図である。尚、第
６図乃至第８図に示す従来の完全密着型イメージセンサ
と同一の機能を有するものには同一の符号を付すること
により、その詳細な説明を省略する。
第１図及び第２図において、１は光透過性材料、たとえ
ばガラスで作られたガラス基板である。ガラス基ｔａ
を上には、その一方の側端部にセンサ素子２が形成され
、他方の側端部に入力コンタクト部■と出力コンタクト
部０とが形成されている。
ばガラスで作られたガラス基板である。ガラス基ｔａ
を上には、その一方の側端部にセンサ素子２が形成され
、他方の側端部に入力コンタクト部■と出力コンタクト
部０とが形成されている。
また、センサ素子２を構成するホトダイオード３とブロ
ッキングダイオード４とは、第３図に示すようにその中
心軸が一致するように共通の上部電極１１上に形成され
（バンク・ツウ・バンクに接続され）、上部電極１２・
１２とは絶縁物を介してコンタクトホール１３により電
気的に接続されている。
ッキングダイオード４とは、第３図に示すようにその中
心軸が一致するように共通の上部電極１１上に形成され
（バンク・ツウ・バンクに接続され）、上部電極１２・
１２とは絶縁物を介してコンタクトホール１３により電
気的に接続されている。
光ａ７が発した光はスリット６ａを通り、原稿Ａによっ
て反射されてセンサ素子２に入射し゛、センサ素子２に
よって電気信号に光電変換される。
て反射されてセンサ素子２に入射し゛、センサ素子２に
よって電気信号に光電変換される。
駆動用ＩＣ５は入力コンタクト部■・出力コンタクト部
０と熱圧着導電シール８とを介して、センサ素子２を駆
動し、センサ素子２に蓄積された情報を読み取る。
０と熱圧着導電シール８とを介して、センサ素子２を駆
動し、センサ素子２に蓄積された情報を読み取る。
ところで、従来の完全密着型イメージセンサでは、ガラ
ス基板１の両側端部の各々に各コンタクト部■・０が配
置しであるのに対し、本実施例である完全密着型イメー
ジセンサは、第２図に示すように入力コンタクト部Ｉを
出力コンタクト部○側に引き回すことにより、出力コン
タクト部０と入力コンタクト部■とを、ガラス基板１上
の一方の側端部に配置しである。すなわち、第１図に示
すようにガラス基板１上のコンタクト部■・Ｏによる突
起は、ガラス基板１の原稿Ａを挿入する側の側端部に唯
一形成されている。このように、ガラス基板１の原稿Ａ
を送出する側には突起が存在しないので、ガラス基板１
の幅が狭くてもローラ９により原稿Ａとセンサ素子２と
を完全に密着し、ＭＴ Ｆ （Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ
Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｆｕｎｃｔｔｏｎ）の劣化を防止す
ることができる。また、出力コンタクト部０を引き回す
と、出力側の浮遊容量が大きくなり、ノイズが乗り易く
なるので、Ｓ／Ｎ比が悪くなるのに対して、本実施例で
は、入力コンタクト部■を引き回しているので、Ｓ／Ｎ
比は全く劣化しない。
ス基板１の両側端部の各々に各コンタクト部■・０が配
置しであるのに対し、本実施例である完全密着型イメー
ジセンサは、第２図に示すように入力コンタクト部Ｉを
出力コンタクト部○側に引き回すことにより、出力コン
タクト部０と入力コンタクト部■とを、ガラス基板１上
の一方の側端部に配置しである。すなわち、第１図に示
すようにガラス基板１上のコンタクト部■・Ｏによる突
起は、ガラス基板１の原稿Ａを挿入する側の側端部に唯
一形成されている。このように、ガラス基板１の原稿Ａ
を送出する側には突起が存在しないので、ガラス基板１
の幅が狭くてもローラ９により原稿Ａとセンサ素子２と
を完全に密着し、ＭＴ Ｆ （Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ
Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｆｕｎｃｔｔｏｎ）の劣化を防止す
ることができる。また、出力コンタクト部０を引き回す
と、出力側の浮遊容量が大きくなり、ノイズが乗り易く
なるので、Ｓ／Ｎ比が悪くなるのに対して、本実施例で
は、入力コンタクト部■を引き回しているので、Ｓ／Ｎ
比は全く劣化しない。
更に、従来のセンサに比べて、ガラス基板１の幅が狭く
ても、原稿Ａとセンサ素子２とを完全に密着することが
できるので、センサのモジュールを小型化することがで
きる０本発明者等の実験によれば、従来センサ幅が１２
．５ ｍｎ＋であったもの力（６１１１１１幅になった
（読み取り長８０ ｍ＋ｗ） 。
ても、原稿Ａとセンサ素子２とを完全に密着することが
できるので、センサのモジュールを小型化することがで
きる０本発明者等の実験によれば、従来センサ幅が１２
．５ ｍｎ＋であったもの力（６１１１１１幅になった
（読み取り長８０ ｍ＋ｗ） 。
加えて、ガラス基板１の幅が狭いので、１枚のガラスか
ら多数のガラス基板１を作り出すことができ且つ回路基
板６も小型化できる。また、ガラス基板１上の片側に入
力コンタクト部■と出力コンタクト部Ｏとが配置しであ
るので、熱圧着導電シール８による各コンタクト部ｒ・
０と駆動用ＩＣ５との接続作業が容易になり、且つ歩留
が良くなる。したがって、本実施例によれば従来６セン
サの価格に比べて、半分以下の廉価なセンサを提供する
ことができる。
ら多数のガラス基板１を作り出すことができ且つ回路基
板６も小型化できる。また、ガラス基板１上の片側に入
力コンタクト部■と出力コンタクト部Ｏとが配置しであ
るので、熱圧着導電シール８による各コンタクト部ｒ・
０と駆動用ＩＣ５との接続作業が容易になり、且つ歩留
が良くなる。したがって、本実施例によれば従来６セン
サの価格に比べて、半分以下の廉価なセンサを提供する
ことができる。
第４図は本発明の第２の実施例である完全密着型イメー
ジセンサのセンサブロックの詳細図、第５図はそのセン
サ素子の結線パターンを示す図である。第２の実施例が
第１の実施例と異なるのは、第１の実施例では上部電極
１２・１２をセンサ素子２の両側に配置したが、本実施
例では上部電極１２・１２をセンサ素子２の一方の側に
配置した点にある。
ジセンサのセンサブロックの詳細図、第５図はそのセン
サ素子の結線パターンを示す図である。第２の実施例が
第１の実施例と異なるのは、第１の実施例では上部電極
１２・１２をセンサ素子２の両側に配置したが、本実施
例では上部電極１２・１２をセンサ素子２の一方の側に
配置した点にある。
第２の実施例のセンサ素子２は、第５図示すようにホト
ダイオード３とブロッキングダイオード４とを一端縁を
揃えるようにして配置し、かつホトダイオード３のコン
タクトホール１３を、ブロッキングダイオード４のコン
タクトホール１３と一直線状にならないように、ホトダ
イオード３上のブロッキングダイオード４側に形成しで
ある。
ダイオード３とブロッキングダイオード４とを一端縁を
揃えるようにして配置し、かつホトダイオード３のコン
タクトホール１３を、ブロッキングダイオード４のコン
タクトホール１３と一直線状にならないように、ホトダ
イオード３上のブロッキングダイオード４側に形成しで
ある。
第２の実施例によれば、入力コンタクト部■の引き回し
部く第２図の点線部Ｘ）が無くなるので、浮遊容量が小
さくなる。また、ガラス基板１の長さが短くてすむので
、コストの低減化を図ることができる。その他の作用・
効果は第１の実施例と同様である。
部く第２図の点線部Ｘ）が無くなるので、浮遊容量が小
さくなる。また、ガラス基板１の長さが短くてすむので
、コストの低減化を図ることができる。その他の作用・
効果は第１の実施例と同様である。
以上説明したように本発明によれば、入力コンタクト部
と出力コンタクト部とを光透過性基板上の一方の側端部
に配置することにより、小型で、しかもセンサ素子と原
稿とを完全に密着することができる完全密着型イメージ
センサを提供することができる。
と出力コンタクト部とを光透過性基板上の一方の側端部
に配置することにより、小型で、しかもセンサ素子と原
稿とを完全に密着することができる完全密着型イメージ
センサを提供することができる。
第１図は本発明の１実施例である完全密着型イメージセ
ンサの概略断面図、第２図はその概略結線図、第３図は
そのセンサ素子の結線パターンを示す図、第４図は本発
明の第２の実施例である完全密着型イメージセンサのセ
ンサブロックの詳細図、第５図はそのセンサ素子の結線
パターンを示す図、第６図は従来の完全密着型イメージ
センサの概略断面図、第７図は従来の完全密着型イメー
ジセンサの概略結線図、第８図はそのセンサーブロック
の詳細図である。 １・・・ガラス基板、２・・・センサ素子、５・・・駆
動用ＩＣ１６・・・回路基板、６ａ・・・スリット、７
・・・光源、 ８・・・熱圧着導電シール、９・・・ローラ、１０・・
・ホルダ、■・・・入力コンタクト部、Ｏ・・・出力コ
ンタクト部、Ａ・・・原稿。
ンサの概略断面図、第２図はその概略結線図、第３図は
そのセンサ素子の結線パターンを示す図、第４図は本発
明の第２の実施例である完全密着型イメージセンサのセ
ンサブロックの詳細図、第５図はそのセンサ素子の結線
パターンを示す図、第６図は従来の完全密着型イメージ
センサの概略断面図、第７図は従来の完全密着型イメー
ジセンサの概略結線図、第８図はそのセンサーブロック
の詳細図である。 １・・・ガラス基板、２・・・センサ素子、５・・・駆
動用ＩＣ１６・・・回路基板、６ａ・・・スリット、７
・・・光源、 ８・・・熱圧着導電シール、９・・・ローラ、１０・・
・ホルダ、■・・・入力コンタクト部、Ｏ・・・出力コ
ンタクト部、Ａ・・・原稿。
Claims (1)
- 光透過性基板上に配列されたセンサ素子をマトリックス
駆動する完全密着型イメージセンサにおいて、前記セン
サ素子の入力側に接続される入力コンタクト部と、前記
センサ素子の出力側に接続される出力コンタクト部とを
前記光透過性基板の一方の側端部に配置したことを特徴
とする完全密着型イメージセンサ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1125336A JPH02305064A (ja) | 1989-05-18 | 1989-05-18 | 完全密着型イメージセンサ |
| US07/525,021 US5216524A (en) | 1989-05-18 | 1990-05-18 | Complete-contact type image sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1125336A JPH02305064A (ja) | 1989-05-18 | 1989-05-18 | 完全密着型イメージセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02305064A true JPH02305064A (ja) | 1990-12-18 |
Family
ID=14907592
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1125336A Pending JPH02305064A (ja) | 1989-05-18 | 1989-05-18 | 完全密着型イメージセンサ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5216524A (ja) |
| JP (1) | JPH02305064A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6865000B2 (en) * | 1994-12-06 | 2005-03-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Image reading apparatus for grouping sensors according to characteristics |
| JPH1010446A (ja) * | 1996-06-20 | 1998-01-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マルチ光ビーム走査の同期検出方法及びマルチ光ビーム走査装置 |
| JP2008005465A (ja) * | 2006-05-23 | 2008-01-10 | Ricoh Co Ltd | イメージセンサ装置、画像読取装置および画像形成装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60218870A (ja) * | 1984-04-16 | 1985-11-01 | Canon Inc | フオトセンサアレイ |
| JP2680002B2 (ja) * | 1987-11-14 | 1997-11-19 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
| JPH088624B2 (ja) * | 1988-03-14 | 1996-01-29 | 株式会社日立製作所 | 完全密着型読取センサ及び読取センサアセンブリ |
-
1989
- 1989-05-18 JP JP1125336A patent/JPH02305064A/ja active Pending
-
1990
- 1990-05-18 US US07/525,021 patent/US5216524A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5216524A (en) | 1993-06-01 |
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