JPH038370A

JPH038370A - 密着型イメージセンサ

Info

Publication number: JPH038370A
Application number: JP1143630A
Authority: JP
Inventors: Koichi Kitamura; 公一北村; Kazuo Yamamoto; 一男山本; Shusuke Mimura; 秀典三村; Yasumitsu Ota; 泰光太田; Kazuyoshi Sai; 佐井　一義
Original assignee: Nippon Steel Corp
Current assignee: Nippon Steel Corp
Priority date: 1989-06-06
Filing date: 1989-06-06
Publication date: 1991-01-16

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、小型ファクシミリ等に用いられるイメージセ
ンサに係るものであり、詳しくは原稿を縮小せずに読み
取ることができる密着型イメージセンサに関するもので
ある。

〔従来の技術〕

密着型イメージセンサは縮小光学系を用いずに原稿を読
み取ることができるので、光路長が短（、装置を小型化
することができる。このため、近ζ小型ファクシミリや
バーコードリーグ等の読み取り装置として広（使用され
ている。

第５図は従来の密着型イメージセンサのセンサ素子の概
略断面図である。第５図において、１はガラス基板であ
る。ガラス基板１の上面には下部電極２が形成され、そ
の下部電極２の右端部にはｐｉｎ構造のホトダイオード
（ＰＤ）３、左端部には同構造のブロッキングダイオー
ド（ＢＤ）４が形成されている。ホトダイオード３の上
部にはｒ　Ｔ　Ｏ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　０ｘｉｄｅ
）等の透明導電膜５を介してＰＤ用上部電極６が接合さ
れている。同様に、ブロッキングダイオード４の上部に
も透明導電膜５を介してＢＤ用上部電極７が接合されて
いる。

また、ＢＤ用上部電極７の上部にはプロンキングダイオ
ード４を′ａ蔽するための遮光層８が形成されている。

尚、９はセンサ素子間を絶縁するための絶縁層である。

第６図はマトリックス結線された従来の密着型イメージ
センサに用いられているセンサ素子の結線パターンの一
部を示す図である。第６図に示すようにブロッキングダ
イオード４に接続されているＢＤ用上部電橿７は、櫛型
に形成されている。

また、各ダイオード３・４は絶縁層９に形成されたコン
タクトホール１０を介して各上部電極６・７と電気的に
接続されている。

上記の構成により、原稿からの光はマトリックス結線さ
れた多数のホトダイオード３に入射し、ホトダイオード
３によって光電変換され、光量に応じた電荷として蓄積
される。蓄積された電荷は、入力コンタクト部■を介し
て、スイッチイング素子である各ブロッキングダイオー
ド４に順次パルスを与え、各ブロッキングダイオード４
を順次ＯＮ状態にすることにより、外部に読み出される
。

かかる密着型イメージセンサは、センサ素子を構成する
光電変換素子とスイッチイング素子とが同一構造のダイ
オードによって構成されているので、センサ素子の集積
度の向上を図ることができ、また製造が容易であるとい
う利点を有する。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところで、密着型イメージセンサで原稿を読み取る際に
原稿からの光がブロッキングダイオード４に入射すると
、この入射光によってブロッキングダイオード４に電流
が流れる。この電流はホトダイオード３への入射光によ
る信号電流と混ざり、両者は分離することができなくな
るので、原稿からの光がブロッキングダイオード４に入
射すると、読み取った画像がボケでしまう、このため、
従来の密着型イメージセンサでは、原稿からの光がプロ
ンキングダイオード４に入射するのを防ぐため、第５図
に示すようにブロッキングダイオード４の上部に更に遮
光層８を形成している。このように、従来の密着型イメ
ージセンサでは、原稿からの光がブロッキングダイオー
ド４に入射するのを防止するために、遮光層８とその遮
光層８を形成するための工程とを必要とし、そのため製
造コストが嵩むという欠点があった。

本発明は、上記事情に基づいてなされたものであり、製
造工程の簡略化を図り、しかも原稿からの光がブロッキ
ングダイオードに入射するのを確実に防止することがで
きる密着型イメージセンサを提供することを目的とする
ものである。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的を達成するための本発明は、原稿からの光信号
を光の強度に応じて電気信号に変換するホトダイオード
と、該ホトダイオードに蓄積された情報を読み出すため
のスイッチイング素子として機能するブロッキングダイ
オードとからなるセンサ素子を有する密着型イメージセ
ンサにおいて、前記ブロッキングダイオードの前記原稿
に対向する表面に設けられた電極が、前記ブロッキング
ダイオードの前記表面全体を蔽うように形成されている
ことを特徴とするものである。

〔作用〕

本発明は前記の構成によって、ブロッキングダイオード
の原稿と対向する表面には、その表面全体を被うように
電極が形成されているので、原稿からの光がブロッキン
グダイオードに入射するのを確実に防止することができ
る。また、ブロッキングダイオードへの入射光は電極に
よって遮蔽され、従来の密着型イメージセンサのように
遮光のための遮光層を形成する必要がなくなるので、製
造工程の簡略化を図ることができる。

〔実施例〕

以下に本発明の第１の実施例を第１図乃至第４図を参照
して説明する。第１図は本発明の１実施例である密着型
イメージセンサの概略断面図である。第１図及び第２図
において、１は光透過性材料、たとえばガラスで作られ
たガラス基板である。

ガラス基板１上には、その一方の側端部にセンサ素子１
１が形成され、他方の側端部に人力コンタクト部■と出
力コンタクト部０とが形成されている。ガラス基板１の
背後には、センサ素子１１を駆動する駆動用ＩＣ１２・
１２が載置された回路基板１３が配置され、更に回路基
板１３の下方には光源１４が配置されている。また、１
３ａは光ＳＺからの光が透過するスリット、１５は各コ
ンタクト部■・０と駆動用１ｃ１２・１２とを接続する
熱圧着導電シール、１６は原稿Ａをセンサ素子１１に押
し当てるローラ、１７はホルダである。

第２図は本実施例である密着型イメージセンサの概略結
線図、第３図はそのセンサブロックの詳細図、第４図は
そのセンサ素子の結線パターンの一部を示す図である０
本実施例の密着型イメージセンサには、１６個のセンサ
素子１１からなるセンサブロックＢが４０個配置され、
各センサ素子１１を駆動するために各センサ素子１１の
入力側に接続される４０個の入力コンタクト部Ｉと、各
センサ素子１１の出力側に接続される１６個の出力コン
タクト部Ｏとが配置されている。また、各センサ素子１
１は第３図に示すように、バンク・ツウ・バックに接続
されたホトダイオード３とブロッキングダイオード４と
からなり、ホトダイオード３とブロッキングダイオード
４とは、第４図に示すようにその中心軸が一部するよう
に共通の下部電極２上に形成されている。また、ブロッ
キングダイオード４の原稿Ａと対向する表面に設けられ
たＢＤ用上部電極７は第４図に示すようにブロッキング
ダイオード４の上部表面全体を蔽うように形成されてい
る。

駆動用ＩＣ１２・１２は、合計６４０個のセンサ素子１
１を、１６個の出力コンタクト部０と４０個の入力コン
タクト部■とを介して、順次駆動して読み取りを行う。

光源１４が発した光はスリット１３ａを通り、原稿Ａに
よって反射されてセンサ素子１１に入射し、センサ素子
１１によって電気信号に光電変換される。駆動用ＩＣ１
２・１２は、入力コンタクト部■、出力コンタクト部Ｏ
及び熱圧着導電シール１５を介して、センサ素子１１を
駆動し、センサ素子１１に蓄積された情報を読み取る。

ところで、原稿Ａからの光はホトダイオード３にはその
まま入射するが、ブロッキングダイオード４の表面には
、その表面を蔽うようにＢＤ用上部電極７が形成されて
いるので、ＢＤ用上部電極７によって反射される。この
ように、本実施例の密着型イメージセンサは、ブロッキ
ングダイオード４のＢＤ用上部電極７により、１６個の
ブロッキングダイオード４の共通電極を形成することが
できると同時に、原稿Ａからの光がブロッキングダイオ
ード４に入射するのを防止する。従来の密着型イメージ
センサでは、ブロッキングダイオード４にのみ特別に遮
光のための遮光層を形成していたが、本実施例によれば
、かかる遮光層やそのための工程を必要としないので、
製造工程の簡略化を図ることができ、また製造コストの
低凍化を図ることができる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明によれば、プロンキングダイ
オードの上部に形成される上部電極によって、原稿から
の光がブロッキングダイオードに入射するのを防止する
ので、原稿からの光がブロッキングダイオードに入射す
るのを確実に防止し、しかも製造工程の簡略化を図るこ
とができる密着型イメージセンサを提供することができ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の１実施例である密着型イメージセンサ
の概略断面図、第２図はその概略結線は第３図はそのセ
ンサブロックの詳細図、第４図はそのセンサ素子の結線
パターンの一部を示す図、第５図は従来の密着型イメー
ジセンサのセンサ素子の概略構造図、第６図は従来の密
着型イメージセンサに用いられているセンサ素子の結線
パターンの一部を示す図である。１・・・ガラス基板、２・・・下部電極、３・・・　ホ
トダイオード、４・・・ブロッキングダイオード、５・・・透明導電膜、６・・・ＰＤ用上部電橿、７・・
・ＢＤ用上部電極、８・・・遮光膜、１１・・・センサ
素子、１２・・・駆動用ＩＣ１１３・・・回路基板、１
３ａ・・・スリット、１４・・・光源、１５・・・熱圧
着導電シール、１６・・・ローラ、１７・・・ホルダ、
■・・・入力コンタクト部、０・・・出力コンタクト部、Ａ・・・原稿。手続補正書、自発）平成　２年　１月１６日１．１略牛の耘平成１年特許側第１４３６３０号２、発明の名称密着型イメージセンサ３、補正をする者羽生との関係　　　特許出願人

Claims

【特許請求の範囲】

原稿からの光信号を光の強度に応じて電気信号に変換す
るホトダイオードと、該ホトダイオードに蓄積された情
報を読み出すためのスイッチイング素子として機能する
ブロッキングダイオードとからなるセンサ素子を有する
密着型イメージセンサにおいて、前記ブロッキングダイ
オードの前記原稿に対向する表面に設けられた電極が、
前記ブロッキングダイオードの前記表面全体を蔽うよう
に形成されていることを特徴とする密着型イメージセン
サ。