KR940017814A - 완전밀착형 이미지센서 및 유닛 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 광학화상을 전기신호로 변환하는 완전밀착형이미지센서 및 유닛에 관한 것으로서, 현재의 광파이버어레이를 사용한 완전밀착형이미지센서유닛에서는, 판독할때의 불필요한 광(플레이광) 및 광의교착(크로스토크)이 많기 때문에, 고품질, 고분해능의 판독이 불가능했었다. 그래서, 이 크로스토크 및 플레이광을 제거하여, 고성능의 화상판독이 가능한 완전밀착형이미지센서 및 유닛을 제공하는 것을 목적으로 한것이며, 이문제를 해결하기 위하여, 외표면에 광흡수체층(2)을 가진 광파이비를 다수 배열해서 만든 광파이버어레이(26)를 사용하고, 그 측면에 채광용의 슬릿으로서 투면유리판(27)(도는 보통의광파이버어레이)을 밀착해서 형성하고, 이것을 2장의 불투명유리기판(28)으로 양측면으로부터 끼워넣은 광파이버플레이트를 발명하였다.
이 광파이버플레이트를 사용하므로서 플레이광 및 광의 크로스토크가 없는 고품질, 고분해능의 판독이 가능한 완전밀착형이미지센서유닛을 실현하였다.

Description

완전밀착형 이미지센서 및 유닛
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는(a),(b)는 본 발명의 제1실시예에 있어서의 공파이버어레이플레이트의 측면단면도 및 평면도, 제2도는 본 발명의 제1실시예에 있어서의 광파이비의 구성도, 제3도는 본 발명의 제1실시예에 있어서의 완전밀착형이미지 센서유닛의 정면단면도.

Claims (34)

  1. 복수의 광파이버를 정렬해서 형성한 광파이버어레이와, 이 광파이버어레이의 일단부쪽에 형성한 복수개의 수광소자어레이를 구비하고, 상기 광파이버는 중심부의 코어와, 이 코어의 외표면에 형성한 클래드와, 이클래드의 외표면에 형성한 광흡수체층에 의해서 구성되어있고, 광파이버어레이의 타단부쪽을 원고밀착면으로한 완전밀착형이미지센서에 있어서, 상기 광파이버어레이의 측면에 밀착해서, 투명판을 배치하는 것을 특징으로 하는 완전 밀착형이미지센서.
  2. 제1항에 있어서, 상기 광파이버에 있어서, 이 주주사방향(긴쪽방향)에 어떤 간격의 피치로, 이 주주사방향에 대해서 수직으로 광흡수체층을 형성하는 것을 특징으로한 완전밀착형이미지센서.
  3. 제1항에 있어서, 상기 수광소장어레이로서 실리콘결정형 IC에 형성한 포토트랜지스터어레이 또는 포토다이오우드어레이를 사용한 것을 특징으로한 완전밀착형이미지센서.
  4. 제3항에 있어서, 광파이버어레이 및 투명판을 2장의 기판으로 양쪽으로부터 끼워서 형성한 광파이버어레이 플레이트상에 회로도체층을 형성하고, 전극상에 금속범프를 형성한 실리콘결정형IC칩을 상기 광파이버어레이플레이트에 폴립칩실장한 것을 특징으로 하는 완전밀착형이미지센서.
  5. 제4항에 있어서, 상기 회로도체층으로서 도전성페이스트를 두꺼운막 인쇄에 의해 형성한 것을 특징으로 하는 완전밀착형이미지센서.
  6. 제4항에 있어서, 회로도체층으로서 가요성프린트기판을 사용하는 것을 특징으로 하는 완전밀착형이미지센서.
  7. 제4항에 있어서, 투명광경화형절연수지를 개재해서 실리콘결정형 IC칩을 광파이버어레이플레이트에 풀립칩실장한 것을 특징으로 하는 완전밀착형이미지센서.
  8. 제1항에 있어서, 광파이버의 코어의 굴절률은 no, 클래드의 굴절률을 n1, 광파이버어레이의 두께(광파이버의 길이)를 T, 광파이버어레이의 폭을 W1로하면, W1/Ttan(sin-1(no2-n1 2)1/2/no))의 관계를 만족시키는 것을 특징으로 하는 완전밀착형이미지센서.
  9. 제1항에 있어서, 투면판의 폭을 W2로하면, 0.3㎜＜W2＜0.8㎜의 관계를 만족시키는 것을 특징으로 하는 밀착형이미지센서.
  10. 제2항에 있어서, 광파이버의 코어의 굴절률은 no, 클래드의 굴절률을 n1, 광파이버어레이의 두께(광파이버의 길이)를 T, 광흡수체층의 간격의 피치를 P로하면, P/Ttan(sin-1(no2-n1 2)1/2/no))의 관계를 만족시키는 것을 특징으로 하는 완전밀착형이미지센서.
  11. 제4항에 있어서, 광파이버어레이 및 투명판을 끼우는 2장의 기판이 불투명한 것을 특징으로 하는 완전밀착형이미지센서.
  12. 제4항에 있어서, 광파이버어레이 및 투명판을 끼우는 2장의 기판의 안팎면에 차광층을 형성한 것을 특징으로 하는 완전밀착형이미지센서.
  13. 제11항에 있어서, 투명판의 원고밀착면끝에 차광층을 형성한 것을 특징으로 하는 완전밀착형이미지센서.
  14. 제12항에 있어서, 투명판의 원고밀착면끝에 차광층을 형성한 것을 특징으로 하는 완전밀착형이미지센서.
  15. 제4항에 있어서, 광파이버어레이와 기판과의 사이, 및 투명판과 기판과의 사이에 각각 차광층을 형성한 것을 특징으로 하는 완전밀착형이미지센서.
  16. 청구범위 제1항 기재의 완전밀착형이미지센서에 있어서 수광소자어레이의 뒤쪽에 광원을 형성하고, 투명판 및 광파이버어레이를 투과해서 원고를 조명하는 구성으로 한 것을 특징으로 하는 완전밀착형이미지센서유닛.
  17. 제16항에 있어서, 조명의 입사각을 30°∼60°로 한것을 특징으로 하는 완전밀착형이미지센서유닛.
  18. 복수의 광파이버를 정렬해서 형성한 광파이버어레이와, 이 광파이버어레이의 일단부쪽에 형성한 복수개의 수광소자어레이를 구비하고, 상기 광파이버는 중심부의 코어와, 이 코어의 외표면에 형성한 클래드와, 이 클래드의 외표면에 형성한 광흡수체층에 의해 구성되어 있고, 광파이버어레이의 타단부쪽을 원고밀착면으로한 완전밀착형이미지센서에 있어서, 상기 광파이버어레이(제1광파이버어레이)의 측면에 밀착해서, 중심부의 코어와, 이코어의 외표면에 형성한 클래드로 구성되는 광파이버를 복수정렬해서 형성한 제2광피어버어레이를 배치하는 것을 특징으로 하는 완전밀착형이미지센서.
  19. 제18항에 있어서, 제1광파이버어레이에 있어서, 이 주주사방향(긴쪽방향)에, 어떤 간격의 피치로, 이 주주사방향에 대해서 수직으로 광흡수체층을 형성하는 것을 특징으로 한 완전밀착형이미지센서.
  20. 제18항에 있어서, 수광소자어레이로서 실리콘결정형 IC에 형성한 포토트랜지스터어레이 또는 포토다이오우드어레이를 사용한 것을 특징으로 하는 완전밀착형이미지센서.
  21. 제20항에 있어서, 제1및 제2의 광파이버어레이를 2장의 기판에 의해 양쪽으로부터 끼워서 형성한 광파이버어레이플레이트상에 회로도체층을 형성하고, 전극상에 금속범프를 형성한 실리콘결정형 IC칩을 상기 광파이버어레이플레이트에 플립칠실장한 것을 특징으로 하는 완전밀착형이미지센서.
  22. 제21항에 있어서, 회도로체층으로서 도전성페이스트를 두꺼운 막인쇄에 의해 형성한 것을 특징으로 하는 완전밀착형이미지센서.
  23. 제21항에 있어서, 회도로체층으로서 가요성프린트기판을 사용하는 것을 특징으로 하는 완전밀착형이미지센서.
  24. 제21항에 있어서, 투명광경화형절연수지를 개재해서 실리콘결정형 IC칩을 광파이어레플레이트에 플립칩실장한 것을 특징으로 하는 완전밀착형이미지센서.
  25. 제18항에 있어서, 광파이버의 코어의 굴절률을 no, 클래드의 굴절률을 n1, 광파이버어레이의 두께(광파이버의 길이)를 T, 제1광파이버어레이의 폭을 W1로하면, W1/Ttan(sin-1(no2-n1 2)1/2/no))의 관계를 만족시키는 것을 특징으로 하는 완전밀착형이미지센서.
  26. 제18항에 있어서, 광파이버의 코어의 굴절률을 no, 클래드 굴절률을 n1, 광파이버어레이의 두께(광파이버의 길이)를 T, 제2광파이버어레이의 폭을 W2로하면, W2/Ttan(sin-1(no2-n1 2)1/2/no))의 관계를 만족시키는 것을 특징으로 하는 완전밀착형이미지센서.
  27. 제19항에 있어서, 광파이버의 코어의 굴절률은 no, 클래드의 굴절률을 n1, 광파이버어레이의 두께(광파이버의 길이)를 T, 광흡수층의 간격의 피치를 P로 하면, P/Ttan(sin-1(no2-n1 2)1/2/no))의 관계를 만족시키는 것을 특징으로 하는 완전밀착형이미지센서.
  28. 제21항에 있어서, 제1및 제2광파이버어레이를 끼우는 기판이 불투명한 것을 특징으로 하는 완전밀착형이미지센서.
  29. 제21항에 있어서, 제1밑 제2의 광파이버어레이를 끼우는 표리면에 차광층을 형성하는 것을 특징으로 하는 완전밀착형이미지센서.
  30. 제28항에 있어서,제2광파이버어레이의 원고밀착면끝에 차광층을 형성하는 것을 특징으로 하는 완전밀착형이미지센서.
  31. 제29항에 있어서,제2광파이버어레이의 원고밀착면끝에 차광층을 형성하는 것을 특징으로 하는 완전밀착형이미지센서.
  32. 제21항에 있어서, 제1광파이버어레이와 기판과의 사이, 및 제2광파이버어레이와 기판과의 사이에 각각 차광층을 형성한 것을 특징으로 하는 완전밀착형이미지센서.
  33. 청구범위 제18항기재의 완전밀착형이미지센서에 있어서 수광소자어레이의 뒤쪽에 광원을 형성하고, 제2광파이버어레이 및 제1광파이버어레이를 투과해서 원고를 조명하는 것을 특징으로한 것을 특징으로 하는 완전밀착형이미지센서유닛.
  34. 제33항에 있어서, 조명의 입사각율 30°∼60°로 한것을 특징으로 하는 완전밀착형이미지센서유닛.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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