KR940010359A - 완전밀착형 이미지센서 및 유닛 그리고 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 직접 광학화상에 투명필름기판을 개재해서 접촉하고 광확화상을 전기신호로 변환하는 완전밀착형 이미지센서에 관한 것으로서 투명필름기판을 사용함으로써 더욱 얇게 할 수 있고 더욱 저코스트화할 수 있고, 광의 전송효율도 향상된 완전밀착형 이미지센서를 제공하는 것을 목적으로 한 것이며 그 구성에 있어서, 투명필름기판(1)의 표면상에 투명광열병용경화형절연수지(5) 개재해서 반도체이미지센서칩(3)을 페이즈 다움에 의해서 플립칩실장하고, 반도체이미지센서칩상에 형성된 인출전극의 회로도체층(2)에 당접함으로써, 원고(11)와 반도체이미지센서칩(3)과의 사이의 갭을 작게할 수 있고, 투명필름기판(1)의 표리양면에 있어서 수광소자(7)에 대응하는 부분과 광을 투과하는 제1슬릿(이면)(15), 제2슬릿(표면)(16)이 되는 부활을 제외하고 회로도체층(2)과 동일측으로 이루어진 각각 이면차광층(8) 표면차광층(10)을 형성함으로써, 판독시의 불필요한 광(표유광)을 없애는 것이 가능하게 되고, 투명필름기판내에서 광의 누화가 발생하기 어려운 구조의 완전밀착형이미지센서유닛을 실현하는 것이다.

Description

완전밀착형 이미피엔서 및 유닛 그리고 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예의 정면단면도.

Claims (24)

  1. 판독해야할 원고를 조사하는 광원과, 표면상에 회로도체층을 형성한 투명필름기판과, 이 투명필름기판의 표면상에 투명광열병용경화형절연수지를 개재해서 폴립칩실장한 수광소자를 가진 반도체소자와, 반도체소자를 보호하는 투명보호층을 구비하고, 광원에 의해 조명된 원고로부터의 반사광을 투명필름기판의 표면에 실장된 반도체소자의 수광소자에 인도하여 전기신호로 변환하고, 화상을 판독하는 완전밀착된 이미지센서에 있어서, 상기 반도체소자로서 결정형실리콘칩을 사용하고. 페이즈다운에 의해서 풀립칩실장하고, 상기 반도체 소자위에 형성된 인출전극이 상기 회로도체층에 당접하는 구조이고, 상기 투명필름기판의 이면(원고밀착면)에 있어서, 상기 수광소자가있는 위치로부터 광원방향으로 일정한 거리(제1슬릿)를 두고, 상기 수광소자 및 상기 제1슬릿이외의 장소에는 도전차광층을 형성하고, 또 상기 투명필름 기판의 이면전체면에 도전투명막을 형성시키고, 상기 투명필름기판의 표면(반도체소자실장면)에 있어서, 상기 수광소자가 있는 위치로부터 광원방향으로 일정한 거리(제2슬릿)를 두고, 상기 수광소자 및 상기 제2슬릿이외의 장소에는 회로도체층과 동일층으로 이루어진 차광층을 형성하고. 광원에 의해 조명된 원고로부터의 반사광을 상기 투명필름기판의 표면에 형성된 상기 반도체소자의 상기 수광소자에 인도하는 것을 특징으로 하는 완전밀착형이미지센서 및 유닛.
  2. 제1항에 있어서, 투명필름기판의 이면(원고밀착면)에 있어서 상기 제1슬릿의 폭이 0.05∼0.5㎜인 것을 특징으로 하는 완전밀착형 이미지센서.
  3. 제1항에 있어서, 투명필름기판의 표면(반도체소자실장면)에 있어서 상기 제2슬릿의 폭이 0.1~0.6㎜인 것을 특징으로 하는 완전밀착형이미지센서.
  4. 제1항에 있어서, 도전차광층의 두께는 30㎛ 이하로 하는 것을 특징으로 하는 완전밀착형이미지센서.
  5. 제1항에 있어서, 도전차광층으로서 시이트저항 106Ω/□ 이하의 차광할 수 있는 색의 도전성 재료를 사용하는 것을 특징으로하는 완전밀착형이미지센서.
  6. 제1항에 있어서, 도전투명막의 두께는 30㎛ 이하로 하는 것을 특징으로 하는 완전밀착형이미지센서.
  7. 제1항에 있어서, 차광층의 두께는 30㎛ 이하로 하는 것을 특징으로 하는 완전밀착형이미지센서.
  8. 제1항에 있어서, 투명필름기판, 회로도체층, 도전차광층, 차광층 및 도전투명막을 향한 총두께는 200㎛ 이하로 하는 것을 특징으로 하는 완전밀착형이미지센서.
  9. 제1항에 있어서, 반도체소자의 수광소자의 위치로부터의 원고면까지의 거리를 150㎛ 이하로 하는 것을 특징으로 하는 완전밀착형이미지센서.
  10. 제1항에 있어서, 광원으로부터의 입사각은 상기 반도체소자의 바로위(입사각 0°)로부터 입사각 30°까지 조사하는 것을 특징으로 하는 완전밀착형이미지센서유닛.
  11. 제1항에 있어서, 반도체소자의 전극에 금속범프를 설치한 것을 특징으로 한느 완전밀착형이미지센서.
  12. 제1항에 있어서, 반도체소자의 전극에 설치하는 금속범프를 Au범프로 한 것을 특징으로 차는 완전밀착형이미지센서.
  13. 제1항에 있어서, 반도체소자의 전극에 설치하는 금속범프를 땜납범프로 한 것을 특징으로 하는 완전밀착형이미지센서.
  14. 제1항에 있어서, 반도체소자의 위로부터 반도체소자를 보호하기 위하여 형성한, 경화후의 높이 5㎜ 이하, 굴절률 1.8 이하, 정화후 연필결도 2H-8H의 상기 투명보호층을 형성하는 것을 특징으로 하는 완전밀착형이미지센서.
  15. 청구범위 제1항 기재의 완전밀착형 이미지센서에 있어서, 상기 투명필름기판의 표면상에 금 또는 구리등의 금속을 증착법 또는 스퍼터링법, 또는 박동을 사용해서 두께 2㎛-35㎛ 형성하고, 나중에 사진석판법에 의해서 1층의 회로도체층 및 회로도체층과 동일층으로 이루어진 차광층을 동일공정, 동일마스크로 형성하는 것을 특징으로 하는 완전밀착형이미지센서의 제조방법.
  16. 투명필름기판의 표리양면상에 회로도체층을 형성하는 동시에 관통구멍을 형성해서 양면배선의 회로도체층을 형성하고, 투명필름기판의 표면상에 투명광열병용 경화형절연수지를 개재해서 수광소자를 가진 반도체소자를 페이즈다운에 의해서 폴립칩실장하고, 반도체소자상을 투명보호층에 의해서 덮고, 투명필름기판의 이면에 있어서, 수광소자에 대향하는 부분과 광을 투과하는 제1슬릿이 되는 부분을 제외하고 회로도체층과 동일층으로 이루어진 차광층을 형성하고, 그 위에 투명 필름기판의 이면전체면에 걸쳐서 도전투명막을 형성하고, 상기 투명필름기판의 표면에 있어서, 수광소자에 대향하는 부분과 광을 투과하는 제2슬릿이 되는 부분을 제외하고 회로도체층과 동일층으로 이루어진 차광층을 형성한 것을 특징으로 하는 완전밀착형이미지센서 및 유닛.
  17. 청구범위 제16항 기재의 완전밀착형이미지센서에 있어서, 상기 투명필름기판의표리면상에 금 또는 구리등의 금속을 증착법 또는 스퍼터링법, 또는 박동을 사용해서 두께 2㎛∼35㎛형성하고, 나중에 사진석판법에 의해서 양면의 회로도체층 및 회로도체층으로서 차광층을 겸한 회로도체차광층을 동일공정, 동일마스크로 형성하는 것을 특징으로 하는 완전밀착형이미지센서의 제조방법.
  18. 판독해야할 원고를 조사하는 광원과, 표면상에 회로도체층을 형성한 투명필름기판과, 이 투명필름기판의 표면상에 투명광일병용경화형절연수지를 개재해서 플립칩실장한 수광소자를 가진 반동체소자와, 반도체소자를 보호하는 투명보호층을 구비하고, 광원에 의해 조명된 원고로부터의 반사광을 투명필름기판의 표면에 실장된 반도체소자의 수광소자에 인도하여 전기신호로 변환하고, 화상을 판독하는 완전밀착형이미지센서에 있어서, 상기 반도체소자로서 결정형실리콘을 사용하고, 페이즈다운에 의해서 상기 반도체소자위에 형성된 인출전극이 상기 회로도체층에 당접하는 구조이고 상기 투명필름기판의 표면(반도체소자실장면)위에 상기 반도체소자실장부 및 광로부에 창이 뚫린 보강판을 설치하고, 보강판의 창을 통해서, 광원으로부터의광을 원고에 인도하는 구성으로 하는 것을 특징으로 하는 완전밀착형이미지센서유닛.
  19. 제18항에 있어서, 보강판은 두께 50㎛ 이상이고 구동회로기능도 겸비한 유리에폭시의 프린트 기판으로 하는 것을 특징으로 하는 완전밀착형이미지센서유닛.
  20. 제18항에 있어서, 보강판은 두께 50㎛ 이하이고 차광할 수 있는 색의 유리 또는 플라스틱으로 하는 것을 특징으로 하는 완전밀착형이미지센서유닛.
  21. 제18항에 있어서, 투명필름기판의 표면상에 형성시킨 회로도체층에 땜납도금하는 것을 특징으로 하는 완전밀착형이미지센서유닛.
  22. 제18항에 있어서, 투명필름기판의 표면(반도체소자실장면)상의 반도체소자실장부 및 광로부이외의 장소에 접착제를 도포하고, 가압을 해서 상기 투명필름기판의 표면(반도체소자실장면)과 상기 보강판을 평면성좋게 접착하고, 또 상기 반도체소자를 보호하기 위하여 상기 반도체소자를 실장한 상기 투명필름기판과 상기 보강판의 창과의 사이에 상기 투명수지를 균일하게 도포하고, 상기 투명보호층을 형성시키는 것을 특징으로 하는 완전밀착형이미지센서유닛의 제조방법.
  23. 제18항에 있어서, 청구범위 제19항 기재의 프린트기판의전극과 상기 투명필름기판의 표면상에 형성시킨 회로도체층의 전극을 땜납접합하는 것을 특징으로 하는 완전밀착형이미지센서유닛.
  24. 제18항에 있어서, 투명보호층으로서 높이 2㎜ 이하, 굴절률 1.8이하, 경화후 연필경도 2H∼8H인것을 특징으로 하는 완전밀착형이미지센서유닛.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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