JPH06121112A - 密着型イメージセンサの製造方法およびイメージセンサユニット - Google Patents
密着型イメージセンサの製造方法およびイメージセンサユニットInfo
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- JPH06121112A JPH06121112A JP4264511A JP26451192A JPH06121112A JP H06121112 A JPH06121112 A JP H06121112A JP 4264511 A JP4264511 A JP 4264511A JP 26451192 A JP26451192 A JP 26451192A JP H06121112 A JPH06121112 A JP H06121112A
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- Japan
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- optical fiber
- fiber array
- light
- image sensor
- array plate
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 光ファイバアレイに回路導体層や、受光素子
を実装する際にも加熱の必要がなく、均質な透過特性の
光ファイバアレイによる密着型イメージセンサを得る。 【構成】 光ファイバアレイ９が透明基板１の間に融接
された構造の光ファイバアレイプレート上に回路導体層
を有するフレキシブルプリント基板２を透明絶縁樹脂を
用いて張り付けた後、光ファイバアレイプレート上に半
導体受光素子７を透明光硬化型絶縁樹脂５を用いてフェ
イスダウンで実装した密着型イメージセンサの光ファイ
バアレイプレート表面の上方に光源１２を設け、光ファ
イバアレイプレート表面に光源からの光が通るようにス
リットを設け、光ファイバアレイおよび受光素子以外の
場所及びプレートの全側面にも遮光層８を設け、さらに
光ファイバアレイプレートの裏面全面に透明樹脂１０を
塗布し、光源からの光を光ファイバアレイおよび透明樹
脂を透して原稿を照明する構成にした。
を実装する際にも加熱の必要がなく、均質な透過特性の
光ファイバアレイによる密着型イメージセンサを得る。 【構成】 光ファイバアレイ９が透明基板１の間に融接
された構造の光ファイバアレイプレート上に回路導体層
を有するフレキシブルプリント基板２を透明絶縁樹脂を
用いて張り付けた後、光ファイバアレイプレート上に半
導体受光素子７を透明光硬化型絶縁樹脂５を用いてフェ
イスダウンで実装した密着型イメージセンサの光ファイ
バアレイプレート表面の上方に光源１２を設け、光ファ
イバアレイプレート表面に光源からの光が通るようにス
リットを設け、光ファイバアレイおよび受光素子以外の
場所及びプレートの全側面にも遮光層８を設け、さらに
光ファイバアレイプレートの裏面全面に透明樹脂１０を
塗布し、光源からの光を光ファイバアレイおよび透明樹
脂を透して原稿を照明する構成にした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、原稿等の画像を検出し
て画像信号を得る密着型イメージセンサの製造方法及び
イメージセンサユニットに関するものである。
て画像信号を得る密着型イメージセンサの製造方法及び
イメージセンサユニットに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバアレイは、光ファイバ束を２
枚のガラス基板により挟み加熱圧着しさらに切断、研磨
することにより得られる。従来、回路導体層を形成する
方法として、厚膜印刷により形成する方法とフレキシブ
ルプリント基板により形成する方法とがある。
枚のガラス基板により挟み加熱圧着しさらに切断、研磨
することにより得られる。従来、回路導体層を形成する
方法として、厚膜印刷により形成する方法とフレキシブ
ルプリント基板により形成する方法とがある。
【０００３】イメージセンサユニットは、この光ファイ
バアレイプレート上に厚膜印刷により回路導体層を形成
し、受光素子を有する回路基板上に形成された電気配線
とを対向して配置しこれらの回路導体層と受光素子の電
気配線とを半田バンプ等を用いて接続していた。これに
より図３に示す様に受光素子３７が設けられた光ファイ
バアレイ３９の一端側に光源４２を設け、光ファイバア
レイ３９の他端側に近接して置かれた原稿４１を照明
し、その原稿４１からの反射光を他端側の光ファイバア
レイ３９内に入射させて、この光を受光素子３７に導く
ものである。
バアレイプレート上に厚膜印刷により回路導体層を形成
し、受光素子を有する回路基板上に形成された電気配線
とを対向して配置しこれらの回路導体層と受光素子の電
気配線とを半田バンプ等を用いて接続していた。これに
より図３に示す様に受光素子３７が設けられた光ファイ
バアレイ３９の一端側に光源４２を設け、光ファイバア
レイ３９の他端側に近接して置かれた原稿４１を照明
し、その原稿４１からの反射光を他端側の光ファイバア
レイ３９内に入射させて、この光を受光素子３７に導く
ものである。
【０００４】また、光ファイバアレイ３９に原稿４１か
らの反射光を互いにクロストークなく読みとるために
は、図２で光ファイバのクラッド２２の外表面に吸光体
２３を設けることが望ましい。しかし、吸光体２３の吸
光により光ファイバアレイ他端側に近接して置かれた原
稿に照明光が十分に届かず、吸光体の１部を除いた光フ
ァイバアレイあるいは吸光体を外表面に設けない光ファ
イバアレイを積層する必要があった。
らの反射光を互いにクロストークなく読みとるために
は、図２で光ファイバのクラッド２２の外表面に吸光体
２３を設けることが望ましい。しかし、吸光体２３の吸
光により光ファイバアレイ他端側に近接して置かれた原
稿に照明光が十分に届かず、吸光体の１部を除いた光フ
ァイバアレイあるいは吸光体を外表面に設けない光ファ
イバアレイを積層する必要があった。
【０００５】さらに、回路導体層を形成する方法とし
て、フレキシブルプリント基板により形成する方法とが
ある。まず、回路導体層を有するフレキシブルプリント
基板を半導体素子の接続端子に、テープオートメーテッ
ドボンディング（ＴＡＢ）実装を用いて、接続を行う。
次に、フレキシブルプリント基板をファイバーアレイプ
レートに、光硬化型接着剤を用いて接着させる必要があ
った。
て、フレキシブルプリント基板により形成する方法とが
ある。まず、回路導体層を有するフレキシブルプリント
基板を半導体素子の接続端子に、テープオートメーテッ
ドボンディング（ＴＡＢ）実装を用いて、接続を行う。
次に、フレキシブルプリント基板をファイバーアレイプ
レートに、光硬化型接着剤を用いて接着させる必要があ
った。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな構成では、光ファイバアレイの一端側にイメージセ
ンサチップに形成した受光素子が相対面するように半田
バンプ等により実装する際の半田溶融時の熱によって、
あるいは回路導体層をスクリーン印刷による厚膜形成時
の焼成熱により光ファイバアレイが変質または光ファイ
バ自身の断線により、光ファイバアレイを構成する各々
の光ファイバ間で光透過率が著しく低下する部分が発生
し画像読み取りが均一に出来ない問題があった。
うな構成では、光ファイバアレイの一端側にイメージセ
ンサチップに形成した受光素子が相対面するように半田
バンプ等により実装する際の半田溶融時の熱によって、
あるいは回路導体層をスクリーン印刷による厚膜形成時
の焼成熱により光ファイバアレイが変質または光ファイ
バ自身の断線により、光ファイバアレイを構成する各々
の光ファイバ間で光透過率が著しく低下する部分が発生
し画像読み取りが均一に出来ない問題があった。
【０００７】また吸光体の１部を除いた光ファイバアレ
イあるいは吸光体２３をクラッド２２の外表面に設けな
い光ファイバアレイを積層する場合、光のクロストーク
が幾分増加し、解像度の低下が生じていた。
イあるいは吸光体２３をクラッド２２の外表面に設けな
い光ファイバアレイを積層する場合、光のクロストーク
が幾分増加し、解像度の低下が生じていた。
【０００８】さらに、フレキシブルプリント基板に半導
体素子の接続端子に、テープオートメーテッドボンディ
ング（ＴＡＢ）実装を用いて、接続を行った後で、光学
面でフレキシブルプリント基板と半導体素子との間に、
樹脂を満たす必要が生じる。次に、フレキシブルプリン
ト基板をファイバーアレイプレートに、光硬化型接着剤
を用いて接着させるとき、半導体素子を実装したフレキ
シブルプリント基板は長手方向の直線性が悪く、光硬化
型接着剤を用いて接着させるとき、加圧がかけずらく、
フレキシブルプリント基板の電極の高さばらつきが生じ
やすく、半導体素子への光量ばらつきが生じていた。
体素子の接続端子に、テープオートメーテッドボンディ
ング（ＴＡＢ）実装を用いて、接続を行った後で、光学
面でフレキシブルプリント基板と半導体素子との間に、
樹脂を満たす必要が生じる。次に、フレキシブルプリン
ト基板をファイバーアレイプレートに、光硬化型接着剤
を用いて接着させるとき、半導体素子を実装したフレキ
シブルプリント基板は長手方向の直線性が悪く、光硬化
型接着剤を用いて接着させるとき、加圧がかけずらく、
フレキシブルプリント基板の電極の高さばらつきが生じ
やすく、半導体素子への光量ばらつきが生じていた。
【０００９】本発明は上記問題点に鑑み、高解像度で、
また感度のばらつきの少ない高画質な画像読み取りを可
能とすることを目的とするものである。
また感度のばらつきの少ない高画質な画像読み取りを可
能とすることを目的とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明の密着型イメージセンサは少なくとも複数の
光ファイバを整列して形成した光ファイバアレイと、こ
の光ファイバアレイの一端側に複数個の受光素子を密接
して設けた密着型イメージセンサにおいて、前記光ファ
イバは中心部のコアと、このコアの外表面に設けたクラ
ッドと、このクラッドの外表面に設けた吸光体を備え、
さらに前記複数個の受光素子が回路導体層を有するフレ
キシブルプリント基板を張り付けた透明基板に形成さ
せ、受光素子が透明基板を介して光ファイバアレイの一
端面と接するよう構成される。
めに本発明の密着型イメージセンサは少なくとも複数の
光ファイバを整列して形成した光ファイバアレイと、こ
の光ファイバアレイの一端側に複数個の受光素子を密接
して設けた密着型イメージセンサにおいて、前記光ファ
イバは中心部のコアと、このコアの外表面に設けたクラ
ッドと、このクラッドの外表面に設けた吸光体を備え、
さらに前記複数個の受光素子が回路導体層を有するフレ
キシブルプリント基板を張り付けた透明基板に形成さ
せ、受光素子が透明基板を介して光ファイバアレイの一
端面と接するよう構成される。
【００１１】また、吸光体をクラッド外表面に有する光
ファイバを整列して形成した光ファイバアレイがガラス
基板の間あるいは端面に融接された構造を有し、この光
ファイバアレイの一端側に複数個の受光素子を密接して
設けた密着型イメージセンサにおいて、光ファイバアレ
イの一端側の斜め上方に光源を設け、この光ファイバア
レイの他端側に密接して置かれた原稿をガラス基板を介
して照明し原稿からの反射光を光ファイバアレイを通し
て受光素子に導く構成としたものである。
ファイバを整列して形成した光ファイバアレイがガラス
基板の間あるいは端面に融接された構造を有し、この光
ファイバアレイの一端側に複数個の受光素子を密接して
設けた密着型イメージセンサにおいて、光ファイバアレ
イの一端側の斜め上方に光源を設け、この光ファイバア
レイの他端側に密接して置かれた原稿をガラス基板を介
して照明し原稿からの反射光を光ファイバアレイを通し
て受光素子に導く構成としたものである。
【００１２】
【作用】本発明は上記した構成によって光ファイバアレ
イに回路導体層あるいは、受光素子を実装する際にも加
熱の必要がなく、光ファイバの切断あるいは変質のない
均質な透過特性の光ファイバアレイを得ることができ
る。これにより、光感度のばらつきの少ない密着型イメ
ージセンサを得ることができる。
イに回路導体層あるいは、受光素子を実装する際にも加
熱の必要がなく、光ファイバの切断あるいは変質のない
均質な透過特性の光ファイバアレイを得ることができ
る。これにより、光感度のばらつきの少ない密着型イメ
ージセンサを得ることができる。
【００１３】光ファイバアレイに密接した原稿への光照
明効率がセルフォックレンズアレイを用いた密着型イメ
ージセンサと同等あるいはそれ以上で行なうことがで
き、原稿からの光情報を光ファイバアレイを用いて受光
素子に導く際に、イメージセンサの受光素子に対して光
ファイバアレイをより近接した位置に高精度に配置でき
ることにより、一対一の対応でよりよく導くことが可能
になり、画像読み取りの解像度、光の利用効率がいまま
で以上に向上する。
明効率がセルフォックレンズアレイを用いた密着型イメ
ージセンサと同等あるいはそれ以上で行なうことがで
き、原稿からの光情報を光ファイバアレイを用いて受光
素子に導く際に、イメージセンサの受光素子に対して光
ファイバアレイをより近接した位置に高精度に配置でき
ることにより、一対一の対応でよりよく導くことが可能
になり、画像読み取りの解像度、光の利用効率がいまま
で以上に向上する。
【００１４】
【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
【００１５】図１は本発明の実施例における密着型イメ
ージセンサの正断面図である。１は透明基板、２は透明
基板１の表面上に張り付けた回路導体層を有するフレキ
シブルプリント基板、３は受光素子７を有する半導体イ
メージセンサチップ、４は半導体イメージセンサチップ
３に設けられている電極、５は半導体イメージセンサチ
ップ３を、透明基板１へ実装するための透明光硬化型絶
縁樹脂、６は半導体イメージセンサチップ３を保護する
ための透明保護層、７は半導体イメージセンサチップ３
に設けられている受光素子、８は透明基板１の裏面（原
稿密着面）の受光素子、光ファイバアレイ該当部以外の
場所には遮光層があり、および透明基板１の表面（半導
体イメージセンサチップ３実装面）の受光素子、光ファ
イバアレイ該当部以外の場所には遮光層があり、さらに
光ファイバアレイプレートの全側面にも遮光層があり、
９は透明基板１に透明な接着剤や光硬化性樹脂（紫外線
硬化性樹脂）等により接着させた光ファイバアレイで、
１０は透明基板の裏面全面に透明樹脂である。１１は読
み取るべき原稿で、１２は原稿１１を照明する光源（Ｌ
ＥＤアレイ）で、１３は原稿を読み取り部の読み取り位
置に搬送する搬送ローラーである。
ージセンサの正断面図である。１は透明基板、２は透明
基板１の表面上に張り付けた回路導体層を有するフレキ
シブルプリント基板、３は受光素子７を有する半導体イ
メージセンサチップ、４は半導体イメージセンサチップ
３に設けられている電極、５は半導体イメージセンサチ
ップ３を、透明基板１へ実装するための透明光硬化型絶
縁樹脂、６は半導体イメージセンサチップ３を保護する
ための透明保護層、７は半導体イメージセンサチップ３
に設けられている受光素子、８は透明基板１の裏面（原
稿密着面）の受光素子、光ファイバアレイ該当部以外の
場所には遮光層があり、および透明基板１の表面（半導
体イメージセンサチップ３実装面）の受光素子、光ファ
イバアレイ該当部以外の場所には遮光層があり、さらに
光ファイバアレイプレートの全側面にも遮光層があり、
９は透明基板１に透明な接着剤や光硬化性樹脂（紫外線
硬化性樹脂）等により接着させた光ファイバアレイで、
１０は透明基板の裏面全面に透明樹脂である。１１は読
み取るべき原稿で、１２は原稿１１を照明する光源（Ｌ
ＥＤアレイ）で、１３は原稿を読み取り部の読み取り位
置に搬送する搬送ローラーである。
【００１６】また、図２は光ファイバアレイ９の平面図
であり、各光ファイバは中心部のコア２１とその外表面
のクラッド２２と、このクラッド２２の外表面に設けら
れた吸光体２３で構成されている。
であり、各光ファイバは中心部のコア２１とその外表面
のクラッド２２と、このクラッド２２の外表面に設けら
れた吸光体２３で構成されている。
【００１７】次に以上のように構成した密着型イメージ
センサの詳部についてさらに詳細に説明する。
センサの詳部についてさらに詳細に説明する。
【００１８】図２に示す様に、直径がおよそ２５μｍの
光ファイバのクラッド２２の外表面に厚さ２〜３μｍの
吸光体２３を形成し、この光ファイバ多数本を、２枚の
透明基板（ガラス基板等）１に挟み込んで、両側から圧
力を加えながら、ガラスの融点程度の熱を加え融着す
る。さらに、約１ｍｍ厚に切断した後表面を平滑に研磨
し光ファイバアレイ９を作成する。次に、フレキシブル
プリント基板２は、ＡｕやＡｇーＰｔやＣｕ等の貴金属
を用いて薄膜形成法とフォトリソ法により３５μｍ以下
の回路導体層を２層配線で形成し、厚さ２００μｍ以下
好ましくは３０〜１００μｍの高分子フィルムが好適で
ある。ここではベースフィルムおよびカバーフィルムと
して１２．５〜２５μｍのポリイミドあるいはポリエス
テル等の高分子フィルムを用いて作成する。また、フレ
キシブルプリント基板２の電極はＡｕやＡｇーＰｔやＣ
ｕやＳｎや共晶半田やＳｎ−Ｉｎ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｂｉ、
Ｓｎ−Ｐｂ−Ｉｎ等の低温半田等を用いてソルダーコー
トまたは電解メッキ等で、高さ５０μｍ以下好ましくは
２〜２０μｍの電極を形成させる。透明基板（ガラス基
板）１に黒色系遮光膜８をスクリーン印刷法で形成す
る。ただし、光ファイバアレイ９を接着する部分と光源
１２から照明光が通る部分は除く。光ファイバアレイプ
レートの裏面全面（原稿密着面全面）に耐摩耗性を有す
るようなフェノール樹脂やエポキシ樹脂やウレタンアク
リレートやシリコンレジン等の透明樹脂１０を塗布す
る。前記光ファイバアレイが透明基板の間あるいは端面
に融接されたる光ファイバアレイプレートを製造した
後、前記フレキシブルプリント基板は、前記光ファイバ
アレイプレートの透明基板部上にフェノールエポキシ樹
脂やエポキシ樹脂等の透明絶縁樹脂を用いてプレス機等
でフラットに湾曲の無いように張り付ける。この透明絶
縁樹脂は、硬化後の厚みは５０μｍ以下好ましくは１０
〜２５μｍが好適である。フレキシブルプリント基板
は、前記光ファイバアレイプレート上にフラットに張り
付ける後、前記半導体イメージセンサチップの電極（金
または半田のボールバンプ）をフレキシブルプリント基
板２の回路導体層の電極の所定の位置に接続するように
透明光硬化型絶縁樹脂を用いてフェイスダウンで実装す
る。そして、半田が溶けて確実に接続するように１７０
〜２００℃の温度で熱処理する。さらに、上記光ファイ
バアレイプレート上に大きさ５０〜１００μｍ角の受光
素子７を一定間隔（６２．５または１２５μｍ）で多数
並列に形成している前記半導体イメージセンサチップ３
を保護するためにシリコーン樹脂等の透明保護膜６によ
りコーティングする。
光ファイバのクラッド２２の外表面に厚さ２〜３μｍの
吸光体２３を形成し、この光ファイバ多数本を、２枚の
透明基板（ガラス基板等）１に挟み込んで、両側から圧
力を加えながら、ガラスの融点程度の熱を加え融着す
る。さらに、約１ｍｍ厚に切断した後表面を平滑に研磨
し光ファイバアレイ９を作成する。次に、フレキシブル
プリント基板２は、ＡｕやＡｇーＰｔやＣｕ等の貴金属
を用いて薄膜形成法とフォトリソ法により３５μｍ以下
の回路導体層を２層配線で形成し、厚さ２００μｍ以下
好ましくは３０〜１００μｍの高分子フィルムが好適で
ある。ここではベースフィルムおよびカバーフィルムと
して１２．５〜２５μｍのポリイミドあるいはポリエス
テル等の高分子フィルムを用いて作成する。また、フレ
キシブルプリント基板２の電極はＡｕやＡｇーＰｔやＣ
ｕやＳｎや共晶半田やＳｎ−Ｉｎ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｂｉ、
Ｓｎ−Ｐｂ−Ｉｎ等の低温半田等を用いてソルダーコー
トまたは電解メッキ等で、高さ５０μｍ以下好ましくは
２〜２０μｍの電極を形成させる。透明基板（ガラス基
板）１に黒色系遮光膜８をスクリーン印刷法で形成す
る。ただし、光ファイバアレイ９を接着する部分と光源
１２から照明光が通る部分は除く。光ファイバアレイプ
レートの裏面全面（原稿密着面全面）に耐摩耗性を有す
るようなフェノール樹脂やエポキシ樹脂やウレタンアク
リレートやシリコンレジン等の透明樹脂１０を塗布す
る。前記光ファイバアレイが透明基板の間あるいは端面
に融接されたる光ファイバアレイプレートを製造した
後、前記フレキシブルプリント基板は、前記光ファイバ
アレイプレートの透明基板部上にフェノールエポキシ樹
脂やエポキシ樹脂等の透明絶縁樹脂を用いてプレス機等
でフラットに湾曲の無いように張り付ける。この透明絶
縁樹脂は、硬化後の厚みは５０μｍ以下好ましくは１０
〜２５μｍが好適である。フレキシブルプリント基板
は、前記光ファイバアレイプレート上にフラットに張り
付ける後、前記半導体イメージセンサチップの電極（金
または半田のボールバンプ）をフレキシブルプリント基
板２の回路導体層の電極の所定の位置に接続するように
透明光硬化型絶縁樹脂を用いてフェイスダウンで実装す
る。そして、半田が溶けて確実に接続するように１７０
〜２００℃の温度で熱処理する。さらに、上記光ファイ
バアレイプレート上に大きさ５０〜１００μｍ角の受光
素子７を一定間隔（６２．５または１２５μｍ）で多数
並列に形成している前記半導体イメージセンサチップ３
を保護するためにシリコーン樹脂等の透明保護膜６によ
りコーティングする。
【００１９】この密着型イメージセンサを用いて、光フ
ァイバアレイ９の裏面側に原稿１１を密着させ、光源
（ＬＥＤアレイ）１２からの光を、透明基板１の上面側
から入射させ透明基板を通り、光ファイバ、透明樹脂を
通じて原稿１１を照射させる。原稿からの光情報は、吸
光体２３を設けた多数の光ファイバにより、光の交錯
（クロストーク）なしに、一対一の対応で、受光素子７
に導かれる。また外部からの不要な光は、黒色系遮光膜
８によって１００％遮断されている。
ァイバアレイ９の裏面側に原稿１１を密着させ、光源
（ＬＥＤアレイ）１２からの光を、透明基板１の上面側
から入射させ透明基板を通り、光ファイバ、透明樹脂を
通じて原稿１１を照射させる。原稿からの光情報は、吸
光体２３を設けた多数の光ファイバにより、光の交錯
（クロストーク）なしに、一対一の対応で、受光素子７
に導かれる。また外部からの不要な光は、黒色系遮光膜
８によって１００％遮断されている。
【００２０】この様にして、高解像度（ＭＴＦ値が４ｌ
ｐ／ｍｍで約７０％）で画像を読み取ることを可能にし
た。
ｐ／ｍｍで約７０％）で画像を読み取ることを可能にし
た。
【００２１】
【発明の効果】以上のように本発明は、耐摩耗性を向上
させ、画像読み取りのＳ／Ｎ比、分解能、光の転送効率
を高水準で維持でき、非常にシンプル、コンパクト、か
つ低コストで原稿を読み取ることができる。
させ、画像読み取りのＳ／Ｎ比、分解能、光の転送効率
を高水準で維持でき、非常にシンプル、コンパクト、か
つ低コストで原稿を読み取ることができる。
【図１】本発明の第１の実施例におけるイメージセンサ
の正断面図
の正断面図
【図２】同実施例における同光ファイバの上面図
【図３】従来のイメージセンサの正断面図
１ 透明基板 ２ フレキシブルプリント基板 ３ 半導体イメージセンサチップ ４ 電極 ５ 透明光硬化型絶縁樹脂 ６ 透明保護層 ７ 受光素子 ８ 遮光層 ９ 光ファイバアレイ １０ 透明樹脂 １１ 原稿 １２ 光源（ＬＥＤアレイ） １３ 搬送ローラ ２１ コア ２２ クラッド ２３ 吸光体 ３１ 透明基板 ３２ 回路導体層 ３３ 半導体イメージセンサチップ ３４ 電極 ３５ 透明光硬化型絶縁樹脂 ３６ 透明保護層 ３７ 受光素子 ３８ 遮光層 ３９ 光ファイバイアレイ ４１ 原稿 ４２ 光源（ＬＥＤアレイ） ４３ 搬送ローラ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤原 慎司 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】少なくとも複数の光ファイバを整列して形
成した光ファイバアレイと、複数個の受光素子アレイを
有する半導体イメージセンサチップとを備え、前記光フ
ァイバは中心部のコアと、このコアの外表面に設けたク
ラッドと、このクラッドの外表面に設けた吸光体により
構成されており、上記光ファイバアレイが透明基板の間
あるいは端面に融接された構造を有する光ファイバアレ
イプレートと、回路導体層を有するフレキシブルプリン
ト基板とを備えた密着型イメージセンサにおいて、上記
フレキシブルプリント基板を上記光ファイバアレイプレ
ート上に、透明絶縁樹脂を用いて張り付けた後、上記光
ファイバアレイプレート上に前記半導体イメージセンサ
チップを透明光硬化型絶縁樹脂を用いてフェイスダウン
で実装することにより、上記受光素子アレイが上記光フ
ァイバアレイプレートを介して光ファイバアレイの表面
と光学的に当接し、上記半導体イメージセンサチップと
上記フレキシブルプリント基板の両電極配線同士が電気
的に接続されるよう構成されたことを特徴とする密着型
イメージセンサの製造方法。 - 【請求項２】請求項１記載の密着型イメージセンサにお
いて、前記光ファイバアレイプレート表面（半導体イメ
ージセンサチップ実装面）の上方に光源を設け、上記光
源からの光を光ファイバアレイプレートを透して原稿を
照明する構成にし、前記光ファイバアレイプレートの裏
面（原稿密着面）の光ファイバアレイおよび受光素子該
当部以外の場所には遮光層を設け、さらに上記光ファイ
バアレイプレートの表面（半導体イメージセンサチップ
実装面）に上記光源からの光が通るようにスリットを設
け、上記光ファイバアレイプレート表面の光ファイバア
レイ、スリットおよび受光素子部以外の場所には遮光層
を設け、上記光ファイバアレイプレートの全側面にも遮
光層を設け、さらに上記光ファイバアレイプレートの裏
面全面（原稿密着面全面）に透明樹脂を塗布し、光源か
らの光を光ファイバアレイおよび透明樹脂を透して原稿
を照明する構成にしたことを特徴とする請求項１記載の
密着型イメージセンサユニット。 - 【請求項３】請求項１記載の前記フレキシブルプリント
基板の取り出し電極の高さ１００μｍ以下とする構成に
したことを特徴とする密着型イメージセンサユニット。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4264511A JPH06121112A (ja) | 1992-10-02 | 1992-10-02 | 密着型イメージセンサの製造方法およびイメージセンサユニット |
| EP93101546A EP0554825B1 (en) | 1992-02-04 | 1993-02-02 | Direct contact type image sensor and its production method |
| DE69321745T DE69321745T2 (de) | 1992-02-04 | 1993-02-02 | Direktkontakt-Bildsensor und Herstellungsverfahren dafür |
| KR93001461A KR970011025B1 (en) | 1992-02-04 | 1993-02-04 | Direct contact type image sensor and its production method |
| US08/487,971 US5835142A (en) | 1992-02-04 | 1995-06-07 | Direct contact type image sensor and its production method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4264511A JPH06121112A (ja) | 1992-10-02 | 1992-10-02 | 密着型イメージセンサの製造方法およびイメージセンサユニット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06121112A true JPH06121112A (ja) | 1994-04-28 |
Family
ID=17404264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4264511A Pending JPH06121112A (ja) | 1992-02-04 | 1992-10-02 | 密着型イメージセンサの製造方法およびイメージセンサユニット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06121112A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002520668A (ja) * | 1998-07-16 | 2002-07-09 | ブルックヘイブン サイエンス アソシエイツ | マルチ−クラッド黒色ディスプレイパネル |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6066208A (ja) * | 1983-09-22 | 1985-04-16 | Asahi Glass Co Ltd | フアイバ−アレイにおける外乱光防止方法 |
| JPS648668A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-12 | Sharp Kk | Contact type image sensor |
| JPS6471173A (en) * | 1987-06-12 | 1989-03-16 | Canon Kk | Image reader |
| JPH01138751A (ja) * | 1987-08-05 | 1989-05-31 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 光センサ−アレイ及び読み取り装置 |
| JPH0458656A (ja) * | 1990-06-28 | 1992-02-25 | Asahi Glass Co Ltd | イメージセンサ兼プリンタ及びファクシミリ装置 |
-
1992
- 1992-10-02 JP JP4264511A patent/JPH06121112A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|---|
| JP2002520668A (ja) * | 1998-07-16 | 2002-07-09 | ブルックヘイブン サイエンス アソシエイツ | マルチ−クラッド黒色ディスプレイパネル |
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