JP2998468B2 - 完全密着型イメージセンサユニット及び製造方法 - Google Patents
完全密着型イメージセンサユニット及び製造方法Info
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- JP2998468B2 JP2998468B2 JP4327753A JP32775392A JP2998468B2 JP 2998468 B2 JP2998468 B2 JP 2998468B2 JP 4327753 A JP4327753 A JP 4327753A JP 32775392 A JP32775392 A JP 32775392A JP 2998468 B2 JP2998468 B2 JP 2998468B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ファクシミリ装置等に
利用できる完全密着型イメージセンサユニットに関する
ものである。
利用できる完全密着型イメージセンサユニットに関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の完全密着型イメージセンサユニッ
トは、図２に示すように表面上に回路導体層２２を形成
した透光性基板２１と、この透光性基板２１の表面上
に、透明光硬化型絶縁樹脂２５を介して実装した受光素
子２７を有する半導体イメージセンサチップ２３をフェ
イスダウンで、その半導体イメージセンサチップ２３上
に形成された取り出し電極２４が上記回路導体層２２に
当接する構造をしたもので、透光性基板２１の裏面には
直接原稿面に接しないように導電透明膜２８を有する構
造をとっていた。
トは、図２に示すように表面上に回路導体層２２を形成
した透光性基板２１と、この透光性基板２１の表面上
に、透明光硬化型絶縁樹脂２５を介して実装した受光素
子２７を有する半導体イメージセンサチップ２３をフェ
イスダウンで、その半導体イメージセンサチップ２３上
に形成された取り出し電極２４が上記回路導体層２２に
当接する構造をしたもので、透光性基板２１の裏面には
直接原稿面に接しないように導電透明膜２８を有する構
造をとっていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな構成では、透光性基板、導電透明膜の厚みが大きく
なるほど、原稿と半導体素子との間のギャップが大きく
なり、透光性基板内で光のクロストークが発生してしま
い、ＭＴＦや解像度が低下するという課題があった。
うな構成では、透光性基板、導電透明膜の厚みが大きく
なるほど、原稿と半導体素子との間のギャップが大きく
なり、透光性基板内で光のクロストークが発生してしま
い、ＭＴＦや解像度が低下するという課題があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の完全密着型イメージセンサユニットは、半導
体素子と原稿との間で光のクロストークが発生しないよ
うに、透光性基板の裏面と導電透明膜との間に、耐静電
気性を持つ導電遮光層を有する構造にする。また、透光
性基板の表面上（半導体素子実装面）に補強板を接着す
ることによって、透光性基板、導電透明膜を薄くでき、
原稿と半導体素子との間のギャップが小さく、透光性基
板内で光のクロストークが発生しにくい構造にする。
に本発明の完全密着型イメージセンサユニットは、半導
体素子と原稿との間で光のクロストークが発生しないよ
うに、透光性基板の裏面と導電透明膜との間に、耐静電
気性を持つ導電遮光層を有する構造にする。また、透光
性基板の表面上（半導体素子実装面）に補強板を接着す
ることによって、透光性基板、導電透明膜を薄くでき、
原稿と半導体素子との間のギャップが小さく、透光性基
板内で光のクロストークが発生しにくい構造にする。
【０００５】
【作用】本発明は上記した構成によって、透光性基板の
表面上に補強板を接着することによって、透光性基板、
導電透明膜を薄くでき、原稿と半導体素子との間のギャ
ップが小さく、透光性基板内で光のクロストークが発生
しにくい構造にでき、画像読み取りのＳ／Ｎ比、分解
能、および光の転送効率を維持する高性能で高信頼性の
完全密着型イメージセンサユニットを実現する。
表面上に補強板を接着することによって、透光性基板、
導電透明膜を薄くでき、原稿と半導体素子との間のギャ
ップが小さく、透光性基板内で光のクロストークが発生
しにくい構造にでき、画像読み取りのＳ／Ｎ比、分解
能、および光の転送効率を維持する高性能で高信頼性の
完全密着型イメージセンサユニットを実現する。
【０００６】
【実施例】以下本発明の一実施例の完全密着型イメージ
センサユニットについて、図面を参照しながら説明す
る。
センサユニットについて、図面を参照しながら説明す
る。
【０００７】図１は本発明の一実施例における完全密着
型イメージセンサユニットの正断面図である。
型イメージセンサユニットの正断面図である。
【０００８】１は透光性基板、２は透光性基板１の表面
上に形成された回路導体層、３は半導体素子として用い
たイメージセンサチップ、４は半導体イメージセンサチ
ップ３に設けられてる電極、１４は半導体イメージセン
サチップ３の電極４に設けるＡｕバンプ、５は半導体イ
メージセンサチップ３を、透光性基板１へ実装するため
の透明光熱硬化型絶縁樹脂、６は半導体イメージセンサ
チップ３を保護するための透明保護層、７は半導体イメ
ージセンサチップ３に設けられている受光素子、８は透
光性基板１の裏面（原稿接触面）において受光素子７の
ある位置から光源方向に０．１〜０．４ｍｍの距離（第
一スリット１５）をあけ、受光素子７及び第一スリット
１５以外の場所には導電遮光層を設け、９は透光性基板
１の裏面全面に設けた導電性を少し有する導電透明膜で
ある。１０は透光性基板１の表面（半導体素子実装面）
において受光素子７のある位置から光源方向に０．１〜
０．６ｍｍの距離（第二スリット１６）をあけ、受光素
子７及び第二スリット１６以外の場所には遮光層を設け
る。１１は読み取るべき原稿で、１２は原稿１１を原稿
搬送方向の上方から照明する光源（ＬＥＤアレイ）で、
１３は原稿を読み取り部の読み取り位置に搬送する導電
性搬送ローラーである。１７は、光源１２からの（原稿
搬送方向から）入射角σである。１８は、透光性基板１
の表面（半導体素子実装面）上に半導体素子実装部及び
光路部に窓が開いた補強板である。１９は、透光性基板
１の表面（半導体素子実装面）上の半導体素子実装部及
び光路部以外の場所に塗布する接着剤である。
上に形成された回路導体層、３は半導体素子として用い
たイメージセンサチップ、４は半導体イメージセンサチ
ップ３に設けられてる電極、１４は半導体イメージセン
サチップ３の電極４に設けるＡｕバンプ、５は半導体イ
メージセンサチップ３を、透光性基板１へ実装するため
の透明光熱硬化型絶縁樹脂、６は半導体イメージセンサ
チップ３を保護するための透明保護層、７は半導体イメ
ージセンサチップ３に設けられている受光素子、８は透
光性基板１の裏面（原稿接触面）において受光素子７の
ある位置から光源方向に０．１〜０．４ｍｍの距離（第
一スリット１５）をあけ、受光素子７及び第一スリット
１５以外の場所には導電遮光層を設け、９は透光性基板
１の裏面全面に設けた導電性を少し有する導電透明膜で
ある。１０は透光性基板１の表面（半導体素子実装面）
において受光素子７のある位置から光源方向に０．１〜
０．６ｍｍの距離（第二スリット１６）をあけ、受光素
子７及び第二スリット１６以外の場所には遮光層を設け
る。１１は読み取るべき原稿で、１２は原稿１１を原稿
搬送方向の上方から照明する光源（ＬＥＤアレイ）で、
１３は原稿を読み取り部の読み取り位置に搬送する導電
性搬送ローラーである。１７は、光源１２からの（原稿
搬送方向から）入射角σである。１８は、透光性基板１
の表面（半導体素子実装面）上に半導体素子実装部及び
光路部に窓が開いた補強板である。１９は、透光性基板
１の表面（半導体素子実装面）上の半導体素子実装部及
び光路部以外の場所に塗布する接着剤である。
【０００９】次に以上のように構成した完全密着型イメ
ージセンサユニット及び製造方法をの詳部についてさら
に詳細に説明する。
ージセンサユニット及び製造方法をの詳部についてさら
に詳細に説明する。
【００１０】まず半導体プロセスを用いて単結晶シリコ
ン基板（ウエハ）上に、各種素子（図示せず）及び取り
出し電極を作る。各電極については、電気メッキまたは
ボールボンディング法によりその表面上にＡｕバンプ１
４を形成する。このウエハを高精度ダイシング技術によ
り切断し、半導体素子３を作る。
ン基板（ウエハ）上に、各種素子（図示せず）及び取り
出し電極を作る。各電極については、電気メッキまたは
ボールボンディング法によりその表面上にＡｕバンプ１
４を形成する。このウエハを高精度ダイシング技術によ
り切断し、半導体素子３を作る。
【００１１】厚み２０μｍ〜２００μｍのポリアリレー
ト（ＰＡ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）または
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等の透光性基板
１の表面上に、金や銅等の金属を、蒸着法やスパッタリ
ング法、または箔等を用いて厚さ３μｍ〜２０μｍ形成
し、後にフォトリソ法によって回路導体層２を形成し、
さらに半田メッキする。
ト（ＰＡ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）または
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等の透光性基板
１の表面上に、金や銅等の金属を、蒸着法やスパッタリ
ング法、または箔等を用いて厚さ３μｍ〜２０μｍ形成
し、後にフォトリソ法によって回路導体層２を形成し、
さらに半田メッキする。
【００１２】半導体イメージセンサチップ３を、透光性
基板１へ実装するための透明樹脂としては、アクリレー
ト系、ウレタンアクリレート系、あるいはエポキシアク
リレート系の透明光熱硬化型絶縁樹脂５が接着性、光感
度の点から好適である。
基板１へ実装するための透明樹脂としては、アクリレー
ト系、ウレタンアクリレート系、あるいはエポキシアク
リレート系の透明光熱硬化型絶縁樹脂５が接着性、光感
度の点から好適である。
【００１３】また、透光性基板１と導電遮光層８と導電
透明膜９と遮光層１０とを合わせての総厚みは２５μｍ
〜２００μｍと薄いために、半導体イメージセンサチッ
プ実装面に補強として厚み５０μｍ以上で駆動回路機能
をも兼ね備えたガラスエポキシのプリント基板または遮
光できる色のガラスまたはプラスチック等の補強板１８
を用いる。このとき、半導体イメージセンサチップ３を
実装する部分及び光路部に窓が開いた構造の補強板１８
を使用する。
透明膜９と遮光層１０とを合わせての総厚みは２５μｍ
〜２００μｍと薄いために、半導体イメージセンサチッ
プ実装面に補強として厚み５０μｍ以上で駆動回路機能
をも兼ね備えたガラスエポキシのプリント基板または遮
光できる色のガラスまたはプラスチック等の補強板１８
を用いる。このとき、半導体イメージセンサチップ３を
実装する部分及び光路部に窓が開いた構造の補強板１８
を使用する。
【００１４】この透光性基板１の所定の位置に、アクリ
レート系の光熱硬化型絶縁樹脂５をスタンピング法また
はスクリーン印刷法等で所定量塗布し、その上に半導体
素子３をそのＡｕバンプ１４が所定の回路導体層２上に
設けられた半田メッキに当接するようにフェイスダウン
で配置する。その後、この半導体素子３の上方から圧力
を加えながら、光熱硬化型絶縁樹脂５に透光性基板１を
通して紫外線照射をし、硬化させる。さらにこれを電気
炉の中にいれ、半田メッキの融点（１７０〜１９０℃）
または上記光熱硬化型絶縁樹脂の硬化温度より高い温度
（１００℃以上）の炉に一定時間（５分〜２０分）熱処
理をして、半田メッキ３を溶かすと共に、回路導体層２
で影になり硬化が完了していない光熱硬化型絶縁樹脂５
を完全に硬化させて実装を完了する。透光性基板１の表
面（半導体素子実装面）上の半導体素子実装部及び光路
部及び半田接合部以外の場所に接着剤１９を塗布し、加
圧をかけて透光性基板１の表面（半導体素子実装面）と
補強板１８とを平面性よく接着し、さらに半導体素子を
保護するために半導体素子を実装した透光性基板と補強
板の窓との間に透明樹脂をディスペンサー等で均一に塗
布し、硬化後の高さ２ｍｍ以下、屈折率１．６以下、硬
化後鉛筆硬度２Ｈ〜８Ｈの透明保護層を形成させる。こ
の際、接着剤１９で補強板１８と十分に接着することに
よって、透明樹脂（透明保護層６）が周りにはみ出ない
ようにする。このように作成された完全密着型イメージ
センサユニットでは、半導体素子を樹脂で固定すると同
時に、電極を半田により電気的に確実に接続できるの
で、信頼性が高く、かつ簡単、短時間、低コストで製造
することが出来る。さらに補強板１８として用いるガラ
スエポキシのプリント基板において、表面は駆動回路用
部品の実装面で、裏面は透光性基板との接着面で駆動回
路用の電極を有し、透光性基板の表面上に形成された回
路導体層のもう一方の半田メッキされた電極と補強板の
裏面の半田メッキされた電極とをパルスヒート式の半田
接合装置等で短時間に半田接合することにより、電気的
に確実に接続できる。
レート系の光熱硬化型絶縁樹脂５をスタンピング法また
はスクリーン印刷法等で所定量塗布し、その上に半導体
素子３をそのＡｕバンプ１４が所定の回路導体層２上に
設けられた半田メッキに当接するようにフェイスダウン
で配置する。その後、この半導体素子３の上方から圧力
を加えながら、光熱硬化型絶縁樹脂５に透光性基板１を
通して紫外線照射をし、硬化させる。さらにこれを電気
炉の中にいれ、半田メッキの融点（１７０〜１９０℃）
または上記光熱硬化型絶縁樹脂の硬化温度より高い温度
（１００℃以上）の炉に一定時間（５分〜２０分）熱処
理をして、半田メッキ３を溶かすと共に、回路導体層２
で影になり硬化が完了していない光熱硬化型絶縁樹脂５
を完全に硬化させて実装を完了する。透光性基板１の表
面（半導体素子実装面）上の半導体素子実装部及び光路
部及び半田接合部以外の場所に接着剤１９を塗布し、加
圧をかけて透光性基板１の表面（半導体素子実装面）と
補強板１８とを平面性よく接着し、さらに半導体素子を
保護するために半導体素子を実装した透光性基板と補強
板の窓との間に透明樹脂をディスペンサー等で均一に塗
布し、硬化後の高さ２ｍｍ以下、屈折率１．６以下、硬
化後鉛筆硬度２Ｈ〜８Ｈの透明保護層を形成させる。こ
の際、接着剤１９で補強板１８と十分に接着することに
よって、透明樹脂（透明保護層６）が周りにはみ出ない
ようにする。このように作成された完全密着型イメージ
センサユニットでは、半導体素子を樹脂で固定すると同
時に、電極を半田により電気的に確実に接続できるの
で、信頼性が高く、かつ簡単、短時間、低コストで製造
することが出来る。さらに補強板１８として用いるガラ
スエポキシのプリント基板において、表面は駆動回路用
部品の実装面で、裏面は透光性基板との接着面で駆動回
路用の電極を有し、透光性基板の表面上に形成された回
路導体層のもう一方の半田メッキされた電極と補強板の
裏面の半田メッキされた電極とをパルスヒート式の半田
接合装置等で短時間に半田接合することにより、電気的
に確実に接続できる。
【００１５】導電性搬送ローラー１３はシート抵抗１０
5 Ω／□以下のカーボンブラックやアセチレンブラック
や酸化亜鉛または酸化スズなどの導電性附与物質をポリ
ウレタンやシリコーンゴム等のエラストマー基材に配合
した導電性ゴムを使用し、搬送ローラーと金属部分とを
アース接続することによって、原稿が擦れることによっ
て生じる静電気を消滅させることができ、ノイズを低減
できるようになった。
5 Ω／□以下のカーボンブラックやアセチレンブラック
や酸化亜鉛または酸化スズなどの導電性附与物質をポリ
ウレタンやシリコーンゴム等のエラストマー基材に配合
した導電性ゴムを使用し、搬送ローラーと金属部分とを
アース接続することによって、原稿が擦れることによっ
て生じる静電気を消滅させることができ、ノイズを低減
できるようになった。
【００１６】透光性基板１の裏面（原稿密着面）におい
て、受光素子７のある位置から光源方向に０．１〜０．
４ｍｍの距離（第一スリット１５）をあけ、受光素子７
及び第一スリット１５以外の場所に、導電遮光層８を設
け、シート抵抗１０6 Ω／□以下のカーボンブラックや
酸化インジウムまたは酸化スズ等の導電性粒子を混入し
たフェノール系またはウレタンアクリレート系樹脂等で
厚み５μｍ〜３０μｍ程度の黒色の導電遮光膜９を使用
し、シート抵抗１０9 Ω／□以下の耐静電気性及び耐摩
耗性を有するようにパラジウム、酸化インジウム及び酸
化スズ等の導電粒子を混入したウレタンアクリレート系
等の鉛筆硬度３Ｈ〜８Ｈで、厚み１０μｍ〜３０μｍ程
度の導電透明膜９を設ける。この時導電遮光層８と導電
透明膜９があることにより、光源１２からのフィルム裏
面（原稿密着面）側での反射による不必要な光（迷光）
を消去することができる。透光性基板１が薄いことと第
一スリット１５を設けることにより、光のクロストーク
を防ぐことができる。さらに透光性基板１の表面（半導
体素子実装面）のおいて、受光素子７のある位置から光
源方向に０．１〜０．６ｍｍ以下の距離（第二スリット
１６）をあけ、受光素子７及び第二スリット１６以外の
場所に、茶色または黒色等の遮光層１０を設ける。遮光
層１０及び第二スリット１６ことにより、光のクロスト
ークを防ぐことができる。
て、受光素子７のある位置から光源方向に０．１〜０．
４ｍｍの距離（第一スリット１５）をあけ、受光素子７
及び第一スリット１５以外の場所に、導電遮光層８を設
け、シート抵抗１０6 Ω／□以下のカーボンブラックや
酸化インジウムまたは酸化スズ等の導電性粒子を混入し
たフェノール系またはウレタンアクリレート系樹脂等で
厚み５μｍ〜３０μｍ程度の黒色の導電遮光膜９を使用
し、シート抵抗１０9 Ω／□以下の耐静電気性及び耐摩
耗性を有するようにパラジウム、酸化インジウム及び酸
化スズ等の導電粒子を混入したウレタンアクリレート系
等の鉛筆硬度３Ｈ〜８Ｈで、厚み１０μｍ〜３０μｍ程
度の導電透明膜９を設ける。この時導電遮光層８と導電
透明膜９があることにより、光源１２からのフィルム裏
面（原稿密着面）側での反射による不必要な光（迷光）
を消去することができる。透光性基板１が薄いことと第
一スリット１５を設けることにより、光のクロストーク
を防ぐことができる。さらに透光性基板１の表面（半導
体素子実装面）のおいて、受光素子７のある位置から光
源方向に０．１〜０．６ｍｍ以下の距離（第二スリット
１６）をあけ、受光素子７及び第二スリット１６以外の
場所に、茶色または黒色等の遮光層１０を設ける。遮光
層１０及び第二スリット１６ことにより、光のクロスト
ークを防ぐことができる。
【００１７】上記完全密着型イメージセンサユニット
は、上記のイメージセンサの透光性基板１の裏面にある
導電透明膜９を原稿密着面とし、上方からＬＥＤアレイ
により補強板１８の窓を通して透明保護層６、透明光硬
化型絶縁樹脂５、透光性基板１及び導電透明膜９を透し
て原稿を照射し、原稿からの光情報を導電透明膜９、透
光性基板１及び透明光熱硬化型絶縁樹脂５を透して受光
素子７へ直接導き、原稿の情報を読み取るものである。
は、上記のイメージセンサの透光性基板１の裏面にある
導電透明膜９を原稿密着面とし、上方からＬＥＤアレイ
により補強板１８の窓を通して透明保護層６、透明光硬
化型絶縁樹脂５、透光性基板１及び導電透明膜９を透し
て原稿を照射し、原稿からの光情報を導電透明膜９、透
光性基板１及び透明光熱硬化型絶縁樹脂５を透して受光
素子７へ直接導き、原稿の情報を読み取るものである。
【００１８】光源からの原稿搬送方向から入射角σは半
導体素子３の真上（入射角０度）から入射角３０度まで
照射し、照明原稿により照明された原稿からの反射光を
透光性基板の表面に設けられた半導体素子３に導くこと
により、原稿からの光情報をレンズ系なしに光のクロス
トークなく高分解能で読み取ることができる（ＭＴＦ値
５０％（４ｌｐ／ｍｍ））と同時に、完全密着型イメー
ジセンサユニットは自身のサイズを飛躍的に小さくする
ことができた。
導体素子３の真上（入射角０度）から入射角３０度まで
照射し、照明原稿により照明された原稿からの反射光を
透光性基板の表面に設けられた半導体素子３に導くこと
により、原稿からの光情報をレンズ系なしに光のクロス
トークなく高分解能で読み取ることができる（ＭＴＦ値
５０％（４ｌｐ／ｍｍ））と同時に、完全密着型イメー
ジセンサユニットは自身のサイズを飛躍的に小さくする
ことができた。
【００１９】以上の様な構成により、画像読み取りのＳ
／Ｎ比、分解能、光の転送効率を高水準で維持でき、ノ
イズを低減でき、原稿からの光情報をレンズ系なしに光
のクロストークなく高分解能で読み取ることができる。
さらに、従来のレンズ系を使うより光の転送効率が４〜
５倍程度になり、光源（ＬＥＤアレイ）のコスト低減に
も寄与した。
／Ｎ比、分解能、光の転送効率を高水準で維持でき、ノ
イズを低減でき、原稿からの光情報をレンズ系なしに光
のクロストークなく高分解能で読み取ることができる。
さらに、従来のレンズ系を使うより光の転送効率が４〜
５倍程度になり、光源（ＬＥＤアレイ）のコスト低減に
も寄与した。
【００２０】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、読み取り
の際の光のクロストーク及び不必要な光（迷光）を無く
すことが可能となり、耐静電気性を向上させ、高品質、
高分解能で画像を読み取る完全密着型イメージセンサユ
ニットを実現することができる。
の際の光のクロストーク及び不必要な光（迷光）を無く
すことが可能となり、耐静電気性を向上させ、高品質、
高分解能で画像を読み取る完全密着型イメージセンサユ
ニットを実現することができる。
【図１】本発明の実施例におけるの完全密着型イメージ
センサユニットの正面断面図
センサユニットの正面断面図
【図２】従来の完全密着型イメージセンサユニットの正
面断面図の概略図
面断面図の概略図
１ 透光性基板 ２ 回路導体層 ３ 半導体イメージセンサチップ ４ 電極 ５ 透明光熱硬化型絶縁樹脂 ６ 透明保護層 ７ 受光素子 ８ 導電遮光層 ９ 導電透明膜 １０ 遮光層 １１ 原稿 １２ 光源（ＬＥＤアレイ） １３ 導電性搬送ローラ １４ Ａｕバンプ １５ 第一スリット １６ 第二スリット １７ 入射角σ １８ 補強板 １９ 接着剤 ２１ 透光性基板 ２２ 回路導体層 ２３ 半導体イメージセンサチップ ２４ 電極 ２５ 透明光硬化型絶縁樹脂 ２６ 透明保護層 ２７ 受光素子 ２８ 導電透明膜 ２９ 原稿 ３０ 光源（ＬＥＤアレイ） ３１ 搬送ローラ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H04N 1/028
Claims (7)
- 【請求項１】読み取るべき原稿を照射する光源と、表面
上に回路導体層を形成した透光性基板と、この透光性基
板の表面上に、光熱硬化型絶縁樹脂を介して実装した受
光素子を有する半導体素子と半導体素子を保護する透明
保護層とを備え、光源により照明された原稿からの反射
光を透光性基板の表面に実装された半導体素子の受光素
子に導き電気信号に変換し、画像を読み取る完全密着型
イメージセンサにおいて、上記半導体素子として結晶型
シリコンチップを用い、フェイスダウンで、上記半導体
素子上に形成された取り出し電極が上記回路導体層に当
接する構造で、上記透光性基板の半導体素子実装面の表
面上に上記半導体素子実装部及び光路部に窓が開いた補
強板を設け、補強板の窓を通して、光源からの光を原稿
に導く構成とすることを特徴とする完全密着型イメージ
センサユニット。 - 【請求項２】上記補強板は、厚み５０μｍ以上で駆動回
路機能をも兼ね備えたガラスエポキシのプリント基板と
する請求項１記載の完全密着型イメージセンサユニッ
ト。 - 【請求項３】上記補強板は、厚み５０μｍ以上で遮光で
きる色のガラスまたはプラスチックとする請求項１記載
の完全密着型イメージセンサユニット。 - 【請求項４】上記透光性基板の表面上に形成させた回路
導体層に半田メッキすることを特徴とする請求項１記載
の完全密着型イメージセンサユニット。 - 【請求項５】上記透光性基板の半導体素子実装面の表面
上である半導体素子実装部及び光路部以外の場所に接着
剤を塗布し、加圧をかけて上記透光性基板の半導体素子
実装面の表面と上記補強板とを平面性よく接着し、さら
に上記半導体素子を保護するために上記半導体素子を実
装した上記透光性基板と上記補強板の窓との間に上記透
明樹脂を均一に塗布し、上記透明保護層を形成させるこ
とを特徴とする請求項１記載の完全密着型イメージセン
サユニットの製造方法。 - 【請求項６】請求項２記載のプリント基板の電極と上記
透光性基板の表面上に形成させた回路導体層の電極とを
半田接合することを特徴とする請求項１記載の完全密着
型イメージセンサユニット。 - 【請求項７】上記透明保護層として、高さ２ｍｍ以下、
屈折率１．６以下、硬化後鉛筆硬度２Ｈ〜８Ｈであるこ
とを特徴とする請求項１記載の完全密着型イメージセン
サユニット。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4327753A JP2998468B2 (ja) | 1992-12-08 | 1992-12-08 | 完全密着型イメージセンサユニット及び製造方法 |
| KR1019930021755A KR0137398B1 (ko) | 1992-10-23 | 1993-10-20 | 완전밀착형 이미지센서 및 유닛 그리고 그 제조방법 |
| US08/141,328 US5477047A (en) | 1992-10-23 | 1993-10-21 | Direct-contact type image sensor device, an image sensor unit, and methods for producing the same |
| EP93117154A EP0594195B1 (en) | 1992-10-23 | 1993-10-22 | A direct-contact type image sensor device, an image sensor unit, and methods for producing the same |
| DE69327440T DE69327440T2 (de) | 1992-10-23 | 1993-10-22 | Direktkontakt-Bildsensor, eine Bildsensoreinheit und Verfahren zu deren Herstellung |
| US08/351,020 US5556809A (en) | 1992-10-23 | 1994-12-07 | Direct-contact type image sensor device, an image sensor unit, and methods for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4327753A JP2998468B2 (ja) | 1992-12-08 | 1992-12-08 | 完全密着型イメージセンサユニット及び製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06178047A JPH06178047A (ja) | 1994-06-24 |
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Family
ID=18202606
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4327753A Expired - Fee Related JP2998468B2 (ja) | 1992-10-23 | 1992-12-08 | 完全密着型イメージセンサユニット及び製造方法 |
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|---|---|
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Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1992
- 1992-12-08 JP JP4327753A patent/JP2998468B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06178047A (ja) | 1994-06-24 |
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