JPH04367155A - 完全密着型イメージセンサユニット - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光学画像を電気信号に
変換する完全密着型イメージセンサユニットに関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】従来の完全密着型イメージセンサユニッ
トは、図２に示すように表面上に回路導体層２２を形成
した透光性基板２１の表面上に、透明光硬化型絶縁樹脂
２５を介して実装した受光素子２７を有する半導体イメ
ージセンサチップ２３をフェイスダウンで、その半導体
イメージセンサチップ２３上に形成された取り出し電極
２４が上記回路導体層２２に当接する構造をしたもので
、透光性基板２１の裏面が直接原稿面に接する構造をと
っていた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな構成では、透光性基板の裏面が直接原稿面に接する
構造のため原稿が何万枚も通過することによって透光性
基板が摩耗していき、ＭＴＦや感度が低下し、また、静
電気によって透光性基板に当接した半導体素子が破損し
てしまうという課題があった。

【０００４】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の完全密着型イメージセンサユニットは、透光
性基板の裏面が直接原稿面に接しないように、透光性基
板の裏面と原稿との間に、耐静電気性を持ち、摩耗量の
少ない導電透明シートを透光性基板の裏面に密接させる
構造にする。さらに、導電透明シートが、何万枚もの原
稿が通過することによって摩耗した場合には、この導電
透明シートの原稿と接する位置を移動させる機構を備え
た完全密着型イメージセンサユニットを作成するもので
ある。

【０００５】

【作用】本発明は上記した構成によって、導電透明シー
トを使用することにより耐静電気性と耐摩耗性とを向上
させ、画像読み取りの解像度、分解能、および光の転送
効率を維持する高性能の完全密着型イメージセンサユニ
ットを実現する。

【０００６】

【実施例】以下本発明の一実施例の完全密着型イメージ
センサユニットについて、図面を参照しながら説明する
。

【０００７】図１は本発明の一実施例における完全密着
型イメージセンサユニットの正断面図である。

【０００８】１は透光性基板、２は透光性基板１の表面
上に形成された回路導体層、３は半導体素子として用い
たイメージセンサチップ、４はイメージセンサチップ３
に設けられてる電極、５は半導体イメージセンサチップ
３を、透光性基板１へ実装するための透明光硬化型絶縁
樹脂、６は半導体イメージセンサチップ３を保護するた
めの透明保護層、７は半導体イメージセンサチップ３に
設けられている受光素子、８は透光性基板１の裏面で、
原稿９と当接する移動する導電透明シートである。９は
読み取るべき原稿で、１０は原稿９を照明する光源（Ｌ
ＥＤアレイ）で、１１は原稿を送るローラである。

【０００９】次に以上のように構成した完全密着型イメ
ージセンサユニットの詳部についてさらに詳細に説明す
る。

【００１０】厚み２５μｍ〜２００μｍのポリアリレー
ト（ＰＡ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）または
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等の透光性基板
１の表面上に、金や銅等の金属を、蒸着法やスパッタリ
ング法、または箔等を用いて厚さ３μｍ〜２０μｍ形成
し、後にフォトリソ法によって回路導体層２を形成する
。この透光性基板１の所定の位置に、アクリレート系の
透明光硬化型絶縁樹脂５をスタンピング法やスクリーン
印刷法等で所定量塗布し、その上に半導体イメージセン
サチップ３を電極４が所定の回路導体層２に当接するよ
うにフェイスダウンで配置する。その後、この半導体イ
メージセンサチップ３の上方から所定の圧力を加えなが
ら、透明光硬化型絶縁樹脂５に透光性基板１を通して紫
外線照射をし、硬化させ、実装を完了せる。さらにその
上から透明シリコーン等の樹脂をディスペンサー等で塗
布し、透明保護層６を形成する。

【００１１】上記完全密着型イメージセンサユニットは
、上記のイメージセンサの透光性基板の裏面にある導電
透明シートを原稿密着面とし、上方からＬＥＤアレイに
より透明保護層６、透明光硬化型絶縁樹脂５、透光性基
板１及び導電透明シート８を透して原稿を照射し、原稿
からの光情報を導電透明シート８、透光性基板１及び透
明光硬化型絶縁樹脂５を透して受光素子７へ直接導き、
原稿の情報を読み取るものである。

【００１２】透明光硬化型絶縁樹脂５としては、ウレタ
ンアクリレート系、あるいはエポキシアクリレート系の
紫外線硬化性樹脂が接着性、光感度の点から好適である
。

【００１３】透光性基板１として厚み２０μｍ〜２００
μｍ程度の薄いポリアリレートフィルムを使用し、導電
透明シートとして厚み１０μｍ〜１００μｍ程度の耐静
電気性及び耐摩耗性を有するようにパラジウム、酸化イ
ンジウム及びスズ等の導電粒子を混入したウレタンアリ
レート系等の透明シートを使用し、透光性基板と導電透
明シートとの合わせての厚みは２５μｍ〜２００μｍと
すると、原稿からの光情報をレンズ系なしに光のクロス
トークなく高分解能で読み取ることができる（ＭＴＦ値
５０％（４ｌｐ／ｍｍ））と同時に、イメージセンサユ
ニット自身のサイズを飛躍的に小さくすることができた
。

【００１４】また、透光性基板１の裏面に導電透明シー
ト８を密接させこれをアースすることにより、原稿が擦
れることによって生じる静電気を消滅させれことができ
、ノイズを低減できるようになった。さらに、従来のレ
ンズ系を使うより光の転送効率が２〜３倍程度になり、
光源（ＬＥＤアレイ）のコスト低減にも寄与した。

【００１５】また、それでも導電透明シート８を原稿が
１０万枚も通過し、摩耗した場合でも、導電透明シート
のみ原稿密着面を移動できるような機構をつけることに
より、使用頻度の高いビジネスタイプのＦＡＸにも適用
できることがわかった。

【００１６】

【発明の効果】以上のように本発明の完全密着型イメー
ジセンサユニットは、原稿面と透光性基板との間に導電
透明シートを設けることにより、耐静電気性と耐摩耗性
とを向上させ、画像読み取りの解像度、分解能、光の転
送効率を高水準で維持でき、非常にシンプル、コンパク
ト、かつ低コストで原稿を読み取ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例における完全密着型イメージセ
ンサユニットの正面断面図である。

【図２】従来の完全密着型イメージセンサユニットの正
面断面図の概略図である。

【符号の説明】

１　　透光性基板 ２　　回路導体層 ３　　半導体イメージセンサチップ ４　　電極 ５　　透明光硬化型絶縁樹脂 ６　　透明保護層 ７　　受光素子 ８　　導電透明シート ９　　原稿 １０　　光源（ＬＥＤアレイ） １１　　ローラ ２１　　透光性基板 ２２　　回路導体層 ２３　　半導体イメージセンサチップ ２４　　電極 ２５　　透明光硬化型絶縁樹脂 ２６　　透明保護層 ２７　　受光素子 ２９　　原稿 ３０　　光源（ＬＥＤアレイ） ３１　　ローラ

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　表面上に回路導体層を形成した透光性
   基板と、この透光性基板の表面上に、透明光硬化型絶縁
   樹脂を介して実装した受光素子を有する半導体素子とを
   備え、上記半導体素子はフェイスダウンで、その半導体
   素子上に形成された取り出し電極が上記回路導体層に当
   接して導通させた構造をしたもので、上記透光性基板の
   裏面には、導電透明シートを当接させ、なおかつ上記導
   電透明シートのみ上記透光性基板より移動できる機構を
   有し、上記透光性基板の半導体素子を密接した側に上記
   半導体素子に近接する位置で光源を取り付け、上記透光
   性基板に当接させた上記導電透明シートの他方表面を原
   稿に密着面とした完全密着型イメージセンサユニット。
2. 【請求項２】　　透光性基板と導電透明シートとを合わ
   せての厚みは２５μｍ〜２００μｍとする請求項１記載
   の完全密着型イメージセンサユニット。