JPH06141129A - 完全密着型イメージセンサ及びユニット - Google Patents
完全密着型イメージセンサ及びユニットInfo
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- JPH06141129A JPH06141129A JP4285759A JP28575992A JPH06141129A JP H06141129 A JPH06141129 A JP H06141129A JP 4285759 A JP4285759 A JP 4285759A JP 28575992 A JP28575992 A JP 28575992A JP H06141129 A JPH06141129 A JP H06141129A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 透光性基板の裏面と導電透明膜との間に、導
電遮光層を設け、光のクロストークを防ぎ、耐静電気性
を向上させ、画像読み取りのＳ／Ｎ比、分解能、および
光の転送効率を維持する高性能の完全密着型イメージセ
ンサユニットを提供する。 【構成】 表面上に回路導体層を形成した透光性基板
と、この透光性基板の表面上に、透明光硬化型絶縁樹脂
を介して受光素子を有する半導体イメージセンサチップ
をフェイスダウンで、その半導体イメージセンサチップ
上に形成された取り出し電極が上記回路導体層に当接す
る構造をし、透光性基板の表面（半導体素子実装面）に
遮光層を設けることによって、迷光が発生しにくい構造
にする。透光性基板の裏面と原稿との間に、導電遮光層
と導電透明膜とを設け、この導電透明膜を原稿密着面に
し、 光源からの原稿搬送方向から入射角σは半導体素
子の真上（入射角０度）から入射角３０度まで照射し、
照明原稿により照明された原稿からの反射光を透光性基
板の表面に設けられた半導体素子に導き、読み取ること
ができる。
電遮光層を設け、光のクロストークを防ぎ、耐静電気性
を向上させ、画像読み取りのＳ／Ｎ比、分解能、および
光の転送効率を維持する高性能の完全密着型イメージセ
ンサユニットを提供する。 【構成】 表面上に回路導体層を形成した透光性基板
と、この透光性基板の表面上に、透明光硬化型絶縁樹脂
を介して受光素子を有する半導体イメージセンサチップ
をフェイスダウンで、その半導体イメージセンサチップ
上に形成された取り出し電極が上記回路導体層に当接す
る構造をし、透光性基板の表面（半導体素子実装面）に
遮光層を設けることによって、迷光が発生しにくい構造
にする。透光性基板の裏面と原稿との間に、導電遮光層
と導電透明膜とを設け、この導電透明膜を原稿密着面に
し、 光源からの原稿搬送方向から入射角σは半導体素
子の真上（入射角０度）から入射角３０度まで照射し、
照明原稿により照明された原稿からの反射光を透光性基
板の表面に設けられた半導体素子に導き、読み取ること
ができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ファクシミリ装置等に
利用できる完全密着型イメージセンサ及びユニットに関
するものである。
利用できる完全密着型イメージセンサ及びユニットに関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の完全密着型イメージセンサユニッ
トは、図２に示すように表面上に回路導体層２２を形成
した透光性基板２１と、この透光性基板２１の表面上
に、透明光硬化型絶縁樹脂２５を介して実装した受光素
子２７を有する半導体イメージセンサチップ２３をフェ
イスダウンで、その半導体イメージセンサチップ２３上
に形成された取り出し電極２４が上記回路導体層２２に
当接する構造をしたもので、透光性基板２１の裏面には
直接原稿面に接しないように導電透明膜２８を有する構
造をとっていた。
トは、図２に示すように表面上に回路導体層２２を形成
した透光性基板２１と、この透光性基板２１の表面上
に、透明光硬化型絶縁樹脂２５を介して実装した受光素
子２７を有する半導体イメージセンサチップ２３をフェ
イスダウンで、その半導体イメージセンサチップ２３上
に形成された取り出し電極２４が上記回路導体層２２に
当接する構造をしたもので、透光性基板２１の裏面には
直接原稿面に接しないように導電透明膜２８を有する構
造をとっていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな構成では、導電透明膜の厚みが大きくなるほど、原
稿と半導体素子との間のギャップが大きくなり、透光性
基板内でクロストークが発生してしまい、ＭＴＦや解像
度が低下するという課題があった。
うな構成では、導電透明膜の厚みが大きくなるほど、原
稿と半導体素子との間のギャップが大きくなり、透光性
基板内でクロストークが発生してしまい、ＭＴＦや解像
度が低下するという課題があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の完全密着型イメージセンサ及びユニットは、
半導体素子と原稿との間でクロストークが発生しないよ
うに、透光性基板の裏面と導電透明膜との間に、耐静電
気性を持つ導電遮光層を有する構造にする。また、透光
性基板の表面（半導体素子実装面）に遮光層を設けるこ
とによって、迷光が発生しにくい構造にする。
に本発明の完全密着型イメージセンサ及びユニットは、
半導体素子と原稿との間でクロストークが発生しないよ
うに、透光性基板の裏面と導電透明膜との間に、耐静電
気性を持つ導電遮光層を有する構造にする。また、透光
性基板の表面（半導体素子実装面）に遮光層を設けるこ
とによって、迷光が発生しにくい構造にする。
【０００５】
【作用】本発明は上記した構成によって、透光性基板と
導電透明膜との間に導電遮光層を使用することにより耐
静電気性を向上させ、クロストークの発生を防ぎ、透光
性基板の表面に遮光層を設けることにより、画像読み取
りのＳ／Ｎ比、分解能、および光の転送効率を維持する
高性能で高信頼性の完全密着型イメージセンサユニット
を実現する。
導電透明膜との間に導電遮光層を使用することにより耐
静電気性を向上させ、クロストークの発生を防ぎ、透光
性基板の表面に遮光層を設けることにより、画像読み取
りのＳ／Ｎ比、分解能、および光の転送効率を維持する
高性能で高信頼性の完全密着型イメージセンサユニット
を実現する。
【０００６】
【実施例】以下本発明の一実施例の完全密着型イメージ
センサユニットについて、図面を参照しながら説明す
る。
センサユニットについて、図面を参照しながら説明す
る。
【０００７】図１は本発明の一実施例における完全密着
型イメージセンサユニットの正断面図である。
型イメージセンサユニットの正断面図である。
【０００８】１は透光性基板、２は透光性基板１の表面
上に形成された回路導体層、３は半導体素子として用い
たイメージセンサチップ、４は半導体イメージセンサチ
ップ３に設けられてる電極、１４は半導体イメージセン
サチップ３の電極に４設けたＡｕバンプ、５は半導体イ
メージセンサチップ３を、透光性基板１へ実装するため
の透明光硬化型絶縁樹脂、６は半導体イメージセンサチ
ップ３を保護するための透明保護層、７は半導体イメー
ジセンサチップ３に設けられている受光素子、８は透光
性基板１の裏面（原稿密着面）において受光素子７のあ
る位置から光源方向に０．１〜０．４ｍｍの距離（第一
スリット１５）をあけ、受光素子７及び第一スリット１
５以外の場所には導電遮光層を設け、９は透光性基板１
の裏面全面に設けた導電性を少し有する導電透明膜であ
る。１０は透光性基板１の表面（半導体素子実装面）に
おいて受光素子７のある位置から光源方向に０．１〜
０．６ｍｍの距離（第二スリット１６）をあけ、受光素
子７及び第二スリット１６以外の場所には遮光層を設け
る。１１は読み取るべき原稿で、１２は原稿１１を原稿
搬送方向の上方から照明する光源（ＬＥＤアレイ）で、
１３は原稿を読み取り部の読み取り位置に搬送する導電
性搬送ローラーである。
上に形成された回路導体層、３は半導体素子として用い
たイメージセンサチップ、４は半導体イメージセンサチ
ップ３に設けられてる電極、１４は半導体イメージセン
サチップ３の電極に４設けたＡｕバンプ、５は半導体イ
メージセンサチップ３を、透光性基板１へ実装するため
の透明光硬化型絶縁樹脂、６は半導体イメージセンサチ
ップ３を保護するための透明保護層、７は半導体イメー
ジセンサチップ３に設けられている受光素子、８は透光
性基板１の裏面（原稿密着面）において受光素子７のあ
る位置から光源方向に０．１〜０．４ｍｍの距離（第一
スリット１５）をあけ、受光素子７及び第一スリット１
５以外の場所には導電遮光層を設け、９は透光性基板１
の裏面全面に設けた導電性を少し有する導電透明膜であ
る。１０は透光性基板１の表面（半導体素子実装面）に
おいて受光素子７のある位置から光源方向に０．１〜
０．６ｍｍの距離（第二スリット１６）をあけ、受光素
子７及び第二スリット１６以外の場所には遮光層を設け
る。１１は読み取るべき原稿で、１２は原稿１１を原稿
搬送方向の上方から照明する光源（ＬＥＤアレイ）で、
１３は原稿を読み取り部の読み取り位置に搬送する導電
性搬送ローラーである。
【０００９】次に以上のように構成した完全密着型イメ
ージセンサユニットの詳部についてさらに詳細に説明す
る。
ージセンサユニットの詳部についてさらに詳細に説明す
る。
【００１０】まず半導体プロセスを用いて単結晶シリコ
ン基板（ウエハ）上に、各種素子（図示せず）及び取り
出し電極を作る。各電極については、電気メッキまたは
ボールボンディング法によりその表面上にＡｕバンプ１
４を形成する。このウエハを高精度ダイシング技術によ
り切断し、半導体素子３を作る。
ン基板（ウエハ）上に、各種素子（図示せず）及び取り
出し電極を作る。各電極については、電気メッキまたは
ボールボンディング法によりその表面上にＡｕバンプ１
４を形成する。このウエハを高精度ダイシング技術によ
り切断し、半導体素子３を作る。
【００１１】厚み２０μｍ〜２００μｍのポリアリレー
ト（ＰＡ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）または
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等の透光性基板
１の表面上に、金や銅等の金属を、蒸着法やスパッタリ
ング法、または箔等を用いて厚さ３μｍ〜２０μｍ形成
し、後にフォトリソ法によって回路導体層２を形成す
る。
ト（ＰＡ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）または
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等の透光性基板
１の表面上に、金や銅等の金属を、蒸着法やスパッタリ
ング法、または箔等を用いて厚さ３μｍ〜２０μｍ形成
し、後にフォトリソ法によって回路導体層２を形成す
る。
【００１２】この透光性基板１の所定の位置に、アクリ
レート系の透明光硬化型絶縁樹脂５をスタンピング法や
スクリーン印刷法等で所定量塗布し、その上に半導体イ
メージセンサチップ３を電極４が所定の回路導体層２に
当接するようにフェイスダウンで配置する。その後、こ
の半導体イメージセンサチップ３の上方から所定の圧力
を加えながら、透明光硬化型絶縁樹脂５に透光性基板１
を通して紫外線照射をし、硬化させ、実装を完了させ
る。さらにその上から透明シリコーンや透明アクリレー
ト系等の樹脂をディスペンサー等で塗布し、透明保護層
６を形成する。
レート系の透明光硬化型絶縁樹脂５をスタンピング法や
スクリーン印刷法等で所定量塗布し、その上に半導体イ
メージセンサチップ３を電極４が所定の回路導体層２に
当接するようにフェイスダウンで配置する。その後、こ
の半導体イメージセンサチップ３の上方から所定の圧力
を加えながら、透明光硬化型絶縁樹脂５に透光性基板１
を通して紫外線照射をし、硬化させ、実装を完了させ
る。さらにその上から透明シリコーンや透明アクリレー
ト系等の樹脂をディスペンサー等で塗布し、透明保護層
６を形成する。
【００１３】導電性搬送ローラー１２はシート抵抗１０
5 Ω／□以下のカーボンブラックやアセチレンブラック
や酸化亜鉛または酸化スズなどの導電性附与物質をポリ
ウレタンやシリコーンゴム等のエラストマー基材に配合
した導電性ゴムを使用し、搬送ローラーと金属部分とを
アース接続することによって、原稿が擦れることによっ
て生じる静電気を消滅させることができ、ノイズを低減
できるようになった。
5 Ω／□以下のカーボンブラックやアセチレンブラック
や酸化亜鉛または酸化スズなどの導電性附与物質をポリ
ウレタンやシリコーンゴム等のエラストマー基材に配合
した導電性ゴムを使用し、搬送ローラーと金属部分とを
アース接続することによって、原稿が擦れることによっ
て生じる静電気を消滅させることができ、ノイズを低減
できるようになった。
【００１４】半導体イメージセンサチップ３を、透光性
基板１へ実装するための透明樹脂としては、アクリレー
ト系、ウレタンアクリレート系、あるいはエポキシアク
リレート系の透明光硬化型絶縁樹脂または透明熱硬化型
絶縁樹脂が接着性、光感度の点から好適である。
基板１へ実装するための透明樹脂としては、アクリレー
ト系、ウレタンアクリレート系、あるいはエポキシアク
リレート系の透明光硬化型絶縁樹脂または透明熱硬化型
絶縁樹脂が接着性、光感度の点から好適である。
【００１５】透光性基板１の裏面（原稿密着面）におい
て、受光素子７のある位置から光源方向に０．１〜０．
４ｍｍの距離（第一スリット１５）をあけ、受光素子７
及び第一スリット１５以外の場所に、導電遮光層８を設
け、シート抵抗１０6 Ω／□以下のカーボンブラックや
酸化インジウムまたは酸化スズ等の導電性粒子を混入し
たフェノール系またはウレタンアクリレート系樹脂等で
厚み５μｍ〜３０μｍ程度の黒色の導電遮光膜９を使用
し、シート抵抗１０9 Ω／□以下の耐静電気性及び耐摩
耗性を有するようにパラジウム、酸化インジウム及び酸
化スズ等の導電粒子を混入したウレタンアクリレート系
等の鉛筆硬度３Ｈ〜８Ｈで、厚み１０μｍ〜３０μｍ程
度の導電透明膜９を設ける。この時導電遮光層８と導電
透明膜９があることにより、光源１２からのフィルム裏
面（原稿密着面）側での反射による不必要な光（迷光）
を消去することができる。透光性基板１が薄いことと第
一スリット１５を設けることにより、光のクロストーク
を防ぐことができる。
て、受光素子７のある位置から光源方向に０．１〜０．
４ｍｍの距離（第一スリット１５）をあけ、受光素子７
及び第一スリット１５以外の場所に、導電遮光層８を設
け、シート抵抗１０6 Ω／□以下のカーボンブラックや
酸化インジウムまたは酸化スズ等の導電性粒子を混入し
たフェノール系またはウレタンアクリレート系樹脂等で
厚み５μｍ〜３０μｍ程度の黒色の導電遮光膜９を使用
し、シート抵抗１０9 Ω／□以下の耐静電気性及び耐摩
耗性を有するようにパラジウム、酸化インジウム及び酸
化スズ等の導電粒子を混入したウレタンアクリレート系
等の鉛筆硬度３Ｈ〜８Ｈで、厚み１０μｍ〜３０μｍ程
度の導電透明膜９を設ける。この時導電遮光層８と導電
透明膜９があることにより、光源１２からのフィルム裏
面（原稿密着面）側での反射による不必要な光（迷光）
を消去することができる。透光性基板１が薄いことと第
一スリット１５を設けることにより、光のクロストーク
を防ぐことができる。
【００１６】さらに透光性基板１の表面（半導体素子実
装面）のおいて、受光素子７のある位置から光源方向に
０．１〜０．６ｍｍ以下の距離（第二スリット１６）を
あけ、受光素子７及び第二スリット１６以外の場所に、
茶色または黒色等の遮光層１０を設ける。遮光層１０及
び第二スリット１６ことにより、光のクロストークを防
ぐことができる。
装面）のおいて、受光素子７のある位置から光源方向に
０．１〜０．６ｍｍ以下の距離（第二スリット１６）を
あけ、受光素子７及び第二スリット１６以外の場所に、
茶色または黒色等の遮光層１０を設ける。遮光層１０及
び第二スリット１６ことにより、光のクロストークを防
ぐことができる。
【００１７】また、透光性基板１と導電遮光層８と導電
透明膜９と遮光層１０とを合わせての総厚みは２５μｍ
〜２００μｍと薄いために、半導体イメージセンサチッ
プ実装面に補強としてガラスまたはプラスチックまたは
ガラスエポキシ基板等の補強板を用いる。このとき、半
導体イメージセンサチップ３を実装する部分は、補強板
をくり抜いてスリット状にしたものを使用する。半導体
イメージセンサチップ３と補強板のくり抜いてある部分
との間に透明樹脂を塗布して、半導体イメージセンサチ
ップ３を保護するために、硬化後の高さ５ｍｍ以下、屈
折率１．８以下、硬化後鉛筆硬度２Ｈ〜８Ｈの透明保護
層６を形成させる（図示せず）。
透明膜９と遮光層１０とを合わせての総厚みは２５μｍ
〜２００μｍと薄いために、半導体イメージセンサチッ
プ実装面に補強としてガラスまたはプラスチックまたは
ガラスエポキシ基板等の補強板を用いる。このとき、半
導体イメージセンサチップ３を実装する部分は、補強板
をくり抜いてスリット状にしたものを使用する。半導体
イメージセンサチップ３と補強板のくり抜いてある部分
との間に透明樹脂を塗布して、半導体イメージセンサチ
ップ３を保護するために、硬化後の高さ５ｍｍ以下、屈
折率１．８以下、硬化後鉛筆硬度２Ｈ〜８Ｈの透明保護
層６を形成させる（図示せず）。
【００１８】上記完全密着型イメージセンサユニット
は、上記のイメージセンサの透光性基板１の裏面にある
導電透明膜９を原稿密着面とし、上方からＬＥＤアレイ
により透明保護層６、透明光硬化型絶縁樹脂５、透光性
基板１及び導電透明膜９を透して原稿を照射し、原稿か
らの光情報を導電透明膜９、透光性基板１及び透明光硬
化型絶縁樹脂５を透して受光素子７へ直接導き、原稿の
情報を読み取るものである。
は、上記のイメージセンサの透光性基板１の裏面にある
導電透明膜９を原稿密着面とし、上方からＬＥＤアレイ
により透明保護層６、透明光硬化型絶縁樹脂５、透光性
基板１及び導電透明膜９を透して原稿を照射し、原稿か
らの光情報を導電透明膜９、透光性基板１及び透明光硬
化型絶縁樹脂５を透して受光素子７へ直接導き、原稿の
情報を読み取るものである。
【００１９】光源からの原稿搬送方向から入射角σは半
導体素子３の真上（入射角０度）から入射角３０度まで
照射し、照明原稿により照明された原稿からの反射光を
透光性基板の表面に設けられた半導体素子３に導くこと
により、原稿からの光情報をレンズ系なしに光のクロス
トークなく高分解能で読み取ることができる（ＭＴＦ値
５０％（４ｌｐ／ｍｍ））と同時に、完全密着型イメー
ジセンサユニットは自身のサイズを飛躍的に小さくする
ことができた。また、透光性基板１の裏面に導電透明膜
９を当接させこれをアースすることにより、耐静電気性
と耐摩耗性とを向上させることができた。
導体素子３の真上（入射角０度）から入射角３０度まで
照射し、照明原稿により照明された原稿からの反射光を
透光性基板の表面に設けられた半導体素子３に導くこと
により、原稿からの光情報をレンズ系なしに光のクロス
トークなく高分解能で読み取ることができる（ＭＴＦ値
５０％（４ｌｐ／ｍｍ））と同時に、完全密着型イメー
ジセンサユニットは自身のサイズを飛躍的に小さくする
ことができた。また、透光性基板１の裏面に導電透明膜
９を当接させこれをアースすることにより、耐静電気性
と耐摩耗性とを向上させることができた。
【００２０】以上の様な構成により、画像読み取りのＳ
／Ｎ比、分解能、光の転送効率を高水準で維持でき、ノ
イズを低減でき、原稿からの光情報をレンズ系なしに光
のクロストークなく高分解能で読み取ることができる。
さらに、従来のレンズ系を使うより光の転送効率が４〜
５倍程度になり、光源（ＬＥＤアレイ）のコスト低減に
も寄与した。
／Ｎ比、分解能、光の転送効率を高水準で維持でき、ノ
イズを低減でき、原稿からの光情報をレンズ系なしに光
のクロストークなく高分解能で読み取ることができる。
さらに、従来のレンズ系を使うより光の転送効率が４〜
５倍程度になり、光源（ＬＥＤアレイ）のコスト低減に
も寄与した。
【００２１】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、読み取り
の際の光のクロストーク及び不必要な光（迷光）を無く
すことが可能となり、耐静電気性を向上させ、高品質、
高分解能で画像を読み取る完全密着型イメージセンサユ
ニットを実現することができる。
の際の光のクロストーク及び不必要な光（迷光）を無く
すことが可能となり、耐静電気性を向上させ、高品質、
高分解能で画像を読み取る完全密着型イメージセンサユ
ニットを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例におけるの完全密着型イメージ
センサユニットの正面断面図
センサユニットの正面断面図
【図２】従来の完全密着型イメージセンサユニットの正
面断面図の概略図
面断面図の概略図
１ 透光性基板 ２ 回路導体層 ３ 半導体イメージセンサチップ ４ 電極 ５ 透明光硬化型絶縁樹脂 ６ 透明保護層 ７ 受光素子 ８ 導電遮光層 ９ 導電透明膜 １０ 遮光層 １１ 原稿 １２ 光源（ＬＥＤアレイ） １３ 導電性搬送ローラ １４ Ａｕバンプ １５ 第一スリット １６ 第二スリット １７ 入射角σ ２１ 透光性基板 ２２ 回路導体層 ２３ 半導体イメージセンサチップ ２４ 電極 ２５ 透明光硬化型絶縁樹脂 ２６ 透明保護層 ２７ 受光素子 ２８ 導電透明膜 ２９ 原稿 ３０ 光源（ＬＥＤアレイ） ３１ 搬送ローラ
Claims (12)
- 【請求項１】読み取るべき原稿を照射する光源と、表面
上に回路導体層を形成した透光性基板と、この透光性基
板の表面上に、光熱硬化型絶縁樹脂を介して実装した受
光素子を有する半導体素子と半導体素子を保護する透明
保護層とを備え、光源により照明された原稿からの反射
光を透光性基板の表面に実装された半導体素子の受光素
子に導き電気信号に変換し、画像を読み取る完全密着型
イメージセンサにおいて、上記半導体素子として結晶型
シリコンチップを用い、フェイスダウンで、上記半導体
素子上に形成された取り出し電極が上記回路導体層に当
接する構造で、上記透光性基板の裏面（原稿密着面）に
おいて、上記受光素子のある位置から光源方向に一定の
距離（第一スリット）をあけ、上記受光素子及び上記第
一スリット以外の場所には導電遮光層を設け、さらに上
記透光性基板の裏面全面に導電透明膜を形成させ、上記
透光性基板の表面（半導体素子実装面）において、上記
受光素子のある位置から光源方向に一定の距離（第二ス
リット）をあけ、上記受光素子及び上記第二スリット以
外の場所には遮光層を設け、光源により照明された原稿
からの反射光を上記透光性基板の表面に設けられた上記
半導体素子の上記受光素子に導くことを特徴とする完全
密着型イメージセンサ及びユニット。 - 【請求項２】透光性基板の裏面（原稿密着面）において
上記第一スリットの幅が０．１〜０．４ｍｍであること
を特徴とする請求項１記載の完全密着型イメージセン
サ。 - 【請求項３】導電遮光層の厚みは３０μｍ以下とする請
求項１記載の完全密着型イメージセンサ。 - 【請求項４】導電透明膜の厚みは３０μｍ以下とする請
求項１記載の完全密着型イメージセンサ。 - 【請求項５】透光性基板の表面（半導体素子実装面）に
おいて上記第二スリットの幅が０．１〜０．６ｍｍであ
ることを特徴とする請求項１記載の完全密着型イメージ
センサ。 - 【請求項６】遮光層の厚みは３０μｍ以下とする請求項
１記載の完全密着型イメージセンサ。 - 【請求項７】の透光性基板、回路導体層、導電遮光層、
遮光層、及び導電透明膜とを合わせての総厚みは２００
μｍ以下とすることを特徴とする請求項１記載の完全密
着型イメージセンサ。 - 【請求項８】光源からの入射角は上記半導体素子の真上
（入射角０度）から入射角３０度まで照射することを特
徴とする請求項１記載の完全密着型イメージセンサユニ
ット。 - 【請求項９】導電遮光層としてシート抵抗１０6 Ω／□
以下の遮光できる色の導電性材料を使用することを特徴
とする請求項１記載の完全密着型イメージセンサ。 - 【請求項１０】半導体素子の電極に金属バンプを設けた
ことを特徴とする請求項１記載の完全密着型イメージセ
ンサ。 - 【請求項１１】半導体素子の電極に設ける金属バンプを
Ａｕバンプにした請求項１記載の完全密着型イメージセ
ンサ。 - 【請求項１２】半導体素子の上から半導体素子を保護す
るために設けた、硬化後の高さ５ｍｍ以下、屈折率１．
８以下、硬化後鉛筆硬度２Ｈ〜８Ｈの上記透明保護層を
形成させた請求項１記載の完全密着型イメージセンサ。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4285759A JPH06141129A (ja) | 1992-10-23 | 1992-10-23 | 完全密着型イメージセンサ及びユニット |
| KR1019930021755A KR0137398B1 (ko) | 1992-10-23 | 1993-10-20 | 완전밀착형 이미지센서 및 유닛 그리고 그 제조방법 |
| US08/141,328 US5477047A (en) | 1992-10-23 | 1993-10-21 | Direct-contact type image sensor device, an image sensor unit, and methods for producing the same |
| EP93117154A EP0594195B1 (en) | 1992-10-23 | 1993-10-22 | A direct-contact type image sensor device, an image sensor unit, and methods for producing the same |
| DE69327440T DE69327440T2 (de) | 1992-10-23 | 1993-10-22 | Direktkontakt-Bildsensor, eine Bildsensoreinheit und Verfahren zu deren Herstellung |
| US08/351,020 US5556809A (en) | 1992-10-23 | 1994-12-07 | Direct-contact type image sensor device, an image sensor unit, and methods for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4285759A JPH06141129A (ja) | 1992-10-23 | 1992-10-23 | 完全密着型イメージセンサ及びユニット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06141129A true JPH06141129A (ja) | 1994-05-20 |
Family
ID=17695688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4285759A Pending JPH06141129A (ja) | 1992-10-23 | 1992-10-23 | 完全密着型イメージセンサ及びユニット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06141129A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6963367B1 (en) | 1999-07-08 | 2005-11-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup apparatus |
-
1992
- 1992-10-23 JP JP4285759A patent/JPH06141129A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6963367B1 (en) | 1999-07-08 | 2005-11-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup apparatus |
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