JPH02219358A - 光電変換装置 - Google Patents
光電変換装置Info
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- JPH02219358A JPH02219358A JP1039364A JP3936489A JPH02219358A JP H02219358 A JPH02219358 A JP H02219358A JP 1039364 A JP1039364 A JP 1039364A JP 3936489 A JP3936489 A JP 3936489A JP H02219358 A JPH02219358 A JP H02219358A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、光電変換装置に関し、特に光電変換素子(光
センサ)アレイを設けてなる光電変換装置に適用して好
適なものである。
センサ)アレイを設けてなる光電変換装置に適用して好
適なものである。
[従来の技術]
光電変換装置を小型化するとともに、歩留りを向上して
製造価格等の低廉化を図ったものとして、従来特開昭5
0−132452号および特開昭62−97370号等
に開示されたものがある。これらにおいては、光センサ
を設けたセンサ基板を他の工程で作成した支持体(以下
実装基板という)上に担持させる構成が開示されている
。
製造価格等の低廉化を図ったものとして、従来特開昭5
0−132452号および特開昭62−97370号等
に開示されたものがある。これらにおいては、光センサ
を設けたセンサ基板を他の工程で作成した支持体(以下
実装基板という)上に担持させる構成が開示されている
。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、これら従来例においては以下のような問
題点が生じていた。
題点が生じていた。
まず、特開昭60−132452号においては、実装基
板としての絶縁性セラミック基板上に駆動回路部として
の厚膜回路を形成し、かつ光センサアレイ部を実装基板
上に固定し、厚膜回路と光センサアレイ部とをワイヤボ
ンディング法により接続した構成が示されている。しか
しながら、この構成では、実装基板が非透光性であるた
めに光源の配置が制約を受け、充分な小型化を達成しえ
ないおそれが生じている。
板としての絶縁性セラミック基板上に駆動回路部として
の厚膜回路を形成し、かつ光センサアレイ部を実装基板
上に固定し、厚膜回路と光センサアレイ部とをワイヤボ
ンディング法により接続した構成が示されている。しか
しながら、この構成では、実装基板が非透光性であるた
めに光源の配置が制約を受け、充分な小型化を達成しえ
ないおそれが生じている。
方、特開昭62−97370号においては、光センサア
レイが形成されている透光性を有するセンサ基板を、透
光性を有する実装基板上に固定し、光センサ上に不透光
性樹脂のモールドを施した構成が示されている。そして
、情報光を透光性実装基板および透光性センサ基板を介
して光センサ上に受容するとともに、透光性実装基板面
には不要な光線の入射を防止する遮光板が設けである。
レイが形成されている透光性を有するセンサ基板を、透
光性を有する実装基板上に固定し、光センサ上に不透光
性樹脂のモールドを施した構成が示されている。そして
、情報光を透光性実装基板および透光性センサ基板を介
して光センサ上に受容するとともに、透光性実装基板面
には不要な光線の入射を防止する遮光板が設けである。
しかしながら、この構成では、原稿面からの情報光が透
光性実装基板内と透光性センサ基板内とを透過して受光
素子(光センサ)へ入射するために、情報光の光センサ
までの到達経路が長くなって光量ロスが発生し易く、ま
た各層での拡散光による迷光成分が発生してしまい、S
/N比の低下やセンサ出力の低下が生じるおそれがあっ
た。
光性実装基板内と透光性センサ基板内とを透過して受光
素子(光センサ)へ入射するために、情報光の光センサ
までの到達経路が長くなって光量ロスが発生し易く、ま
た各層での拡散光による迷光成分が発生してしまい、S
/N比の低下やセンサ出力の低下が生じるおそれがあっ
た。
[課題を解決するための手段]
本発明は、これら問題点を解決することを目的とし、そ
のために画像情報の読取りに係る原稿との対向面側に光
電変換素子が設けられた透光性を有する基板と、その基
板を支持し、透光性を有する支持体と、支持体の基板に
対する支持面とは反対の面側に設けられた光源とを具え
、光源から出射した光が支持体および基板を透過して原
稿に照射され、当該反射光が光電変換素子に受容される
ようにしたことを特徴とする [作 用] 本発明によれば、透光性実装基板(支持体)内を照明光
が透過するために光源の配置の自由度が向上して小型化
が可能となり、また情報光(原稿面からの反射光)が透
光性実装基板内および基板(透光性センサ基板)内を透
過しない構成であるので、情報光の光量ロスおよび拡散
かなく、S/N比が向上し、センサ出力も向上する。本
発明では、基板および実装基板を照明光が透過する構成
であるので、照明光が透過する際の適度な光量ロスおよ
び拡散によって照明光が各センサに悪影響を及ぼすこと
なく、原稿に対して均一な照明ができる。
のために画像情報の読取りに係る原稿との対向面側に光
電変換素子が設けられた透光性を有する基板と、その基
板を支持し、透光性を有する支持体と、支持体の基板に
対する支持面とは反対の面側に設けられた光源とを具え
、光源から出射した光が支持体および基板を透過して原
稿に照射され、当該反射光が光電変換素子に受容される
ようにしたことを特徴とする [作 用] 本発明によれば、透光性実装基板(支持体)内を照明光
が透過するために光源の配置の自由度が向上して小型化
が可能となり、また情報光(原稿面からの反射光)が透
光性実装基板内および基板(透光性センサ基板)内を透
過しない構成であるので、情報光の光量ロスおよび拡散
かなく、S/N比が向上し、センサ出力も向上する。本
発明では、基板および実装基板を照明光が透過する構成
であるので、照明光が透過する際の適度な光量ロスおよ
び拡散によって照明光が各センサに悪影響を及ぼすこと
なく、原稿に対して均一な照明ができる。
[実施例]
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第1図は本発明の一実施例に係る光電変換装置の断面図
を示す。ここで、透光性センサ基板1は石英ガラスや硼
珪酸ガラス等の透光性および絶縁性を有する基体上に半
導体プロセス等により形成された光センサアレイを有す
る。透光性実装基板2は、石英ガラス、硼珪酸ガラス、
ソーダガラス、あるいはアクリル(アルカリ元素の溶出
や拡散を防ぐ5in2等の保護膜が設けられたものであ
ってもよい)等の透光性および絶縁性を有する基体上に
、厚膜印刷法により形成されたへg、へg−Pd。
を示す。ここで、透光性センサ基板1は石英ガラスや硼
珪酸ガラス等の透光性および絶縁性を有する基体上に半
導体プロセス等により形成された光センサアレイを有す
る。透光性実装基板2は、石英ガラス、硼珪酸ガラス、
ソーダガラス、あるいはアクリル(アルカリ元素の溶出
や拡散を防ぐ5in2等の保護膜が設けられたものであ
ってもよい)等の透光性および絶縁性を有する基体上に
、厚膜印刷法により形成されたへg、へg−Pd。
Ag−Pt、へU等、またはフォトリソグラフィにより
形成された八JZ 、Cu、Mo、ITO等の配線部4
を有している。これら基板の基体には、熱膨張係数が近
似したものを用いる。
形成された八JZ 、Cu、Mo、ITO等の配線部4
を有している。これら基板の基体には、熱膨張係数が近
似したものを用いる。
配線部4はセンサ部と不図示の駆動回路部とを接続する
。そして、透光性実装基板Z上に透光性センサ基板1を
接着層5により接着しである。この接着層5にはシリコ
ン系、アクリル系、エポキシ系等の室温あるいは加熱硬
化型、光硬化等の透光性接着剤が好適に用いられ、透光
性センサ基板1および透光性実装基板2の各基体と熱膨
張率および光屈折率が近似した材質のものを用いる。
。そして、透光性実装基板Z上に透光性センサ基板1を
接着層5により接着しである。この接着層5にはシリコ
ン系、アクリル系、エポキシ系等の室温あるいは加熱硬
化型、光硬化等の透光性接着剤が好適に用いられ、透光
性センサ基板1および透光性実装基板2の各基体と熱膨
張率および光屈折率が近似した材質のものを用いる。
また、透光性センサ基板1と透光性実装基板2の配線部
4とは、ワイヤボンディング、半田付等で電気的に接続
されている。
4とは、ワイヤボンディング、半田付等で電気的に接続
されている。
而して、光源3からの照明光りは透光性実装基板2およ
び透光性センサ基板1内を透過して原稿6に照射され、
原稿6から反射した情報光が透光性センサ基板1上の受
光素子に入射して受光素子より画像信号として出力され
る。
び透光性センサ基板1内を透過して原稿6に照射され、
原稿6から反射した情報光が透光性センサ基板1上の受
光素子に入射して受光素子より画像信号として出力され
る。
本例によれば、情報光は実装基板2およびセンサ基板1
を介することなく光センサに受容されるので、光量ロス
や迷光成分によるS/N比の低下も生じない。また、本
例によれば透光性センサ基板1と透光性実装基板2とは
各々独立した部品として取り扱うことができ、すなわち
各別の工程で製作することが可能となり、従って製造工
程を統一化する必要がなくなるとともに各別の検査工程
で良品のみを使用するようにすることが可能となり、総
合的な歩留りが向上する。また、光センサ部のみを基板
1の基体上に配置することから、ある広がりを有する基
体素材について多数個の基板1を一括製造することもで
き、コストダウンが可能となる。さらに、透光性実装基
板2上には配線部4の他に駆動用ICチップや出力増幅
用ICチップ等を搭載することも可能であり、その場合
にはさらなるコストダウンが可能となる。さらに、光源
3を透光性実装基板2の裏面側に配置することにより、
ユニット外形寸法がさらに小型化する。
を介することなく光センサに受容されるので、光量ロス
や迷光成分によるS/N比の低下も生じない。また、本
例によれば透光性センサ基板1と透光性実装基板2とは
各々独立した部品として取り扱うことができ、すなわち
各別の工程で製作することが可能となり、従って製造工
程を統一化する必要がなくなるとともに各別の検査工程
で良品のみを使用するようにすることが可能となり、総
合的な歩留りが向上する。また、光センサ部のみを基板
1の基体上に配置することから、ある広がりを有する基
体素材について多数個の基板1を一括製造することもで
き、コストダウンが可能となる。さらに、透光性実装基
板2上には配線部4の他に駆動用ICチップや出力増幅
用ICチップ等を搭載することも可能であり、その場合
にはさらなるコストダウンが可能となる。さらに、光源
3を透光性実装基板2の裏面側に配置することにより、
ユニット外形寸法がさらに小型化する。
すなわち、本実施例によると、透光性を有する実装基板
内を照明光が透過する構成としたので、光源の配置の自
由度が向上し、すなわち光源な透光性実装基板の裏面側
に配置可能となり、光電変換装置を通用する装置の更な
る小型化が達成できる。
内を照明光が透過する構成としたので、光源の配置の自
由度が向上し、すなわち光源な透光性実装基板の裏面側
に配置可能となり、光電変換装置を通用する装置の更な
る小型化が達成できる。
また、情報光は透光性実装基板内および透光性センサ基
板内を透過しない構成であるので、情報光の光量ロスお
よび拡散がなく、S/N比が向上してセンサ出力も良好
なものとなる。
板内を透過しない構成であるので、情報光の光量ロスお
よび拡散がなく、S/N比が向上してセンサ出力も良好
なものとなる。
さらに、透光性実装基板と透光性センサ基板とに熱膨張
係数が近似した材料の基体を用いることにより、両者の
接合により生じる応力の緩和が可能となり、基板の反り
や割れが発生しにくい。
係数が近似した材料の基体を用いることにより、両者の
接合により生じる応力の緩和が可能となり、基板の反り
や割れが発生しにくい。
加えて、透光性実装基板上に配線部を設けたことにより
、装置としての小型化が達成され、透光性実装基板と透
光性センサ基板の間に配線部を設ければ、更なる小型化
も可能となる。
、装置としての小型化が達成され、透光性実装基板と透
光性センサ基板の間に配線部を設ければ、更なる小型化
も可能となる。
第2図(A)および(B)は、それぞれ、本発明の他の
実施例に係る光電変換装置を示す分解斜視図および断面
図である。本例は、透光性実装基板2と透光性センサ基
板1との間に遮光層7を設けた実施例である。
実施例に係る光電変換装置を示す分解斜視図および断面
図である。本例は、透光性実装基板2と透光性センサ基
板1との間に遮光層7を設けた実施例である。
ここで、遮光層7は光路りに応じて適切に定めたスリッ
ト状窓部7Aの周囲に配置されるもので、配線部4と同
一プロセスかつ同一金属材料を用いて形成することも可
能であるし、スクリーン印刷法やディスペンス法等によ
る非透光性樹脂によって形成してもよい。また、透光性
実装基板2と透光性センサ基板1とを接着する接着剤を
不透光性のものとして遮光N7を形成してもよく、この
場合には別途接着剤を介在させる工程が不要となる。
ト状窓部7Aの周囲に配置されるもので、配線部4と同
一プロセスかつ同一金属材料を用いて形成することも可
能であるし、スクリーン印刷法やディスペンス法等によ
る非透光性樹脂によって形成してもよい。また、透光性
実装基板2と透光性センサ基板1とを接着する接着剤を
不透光性のものとして遮光N7を形成してもよく、この
場合には別途接着剤を介在させる工程が不要となる。
これらのように作成された遮光層7は、透光性実装基板
2上の照明光りの光路を除く部分に形成され、光入射の
ためのスリット窓部7八を有した形状となっているが、
このスリット状窓部は空隙として残しても良いし、透明
樹脂を充填しても良い。いずれにしても、第2図のよう
な構成によれは、第1図示のものと同様の効果が得られ
ることに加え、遮光層7により光源からの照明光の内、
信号出力の雑音となるような迷光、例えば透光性実装基
板2での乱反射成分を遮断することにより、出力信号の
解像度を向上することができる。
2上の照明光りの光路を除く部分に形成され、光入射の
ためのスリット窓部7八を有した形状となっているが、
このスリット状窓部は空隙として残しても良いし、透明
樹脂を充填しても良い。いずれにしても、第2図のよう
な構成によれは、第1図示のものと同様の効果が得られ
ることに加え、遮光層7により光源からの照明光の内、
信号出力の雑音となるような迷光、例えば透光性実装基
板2での乱反射成分を遮断することにより、出力信号の
解像度を向上することができる。
第3図は第1図または第2図の実施例に係る光電変換装
置のより詳細な断面構造を示す。
置のより詳細な断面構造を示す。
ここで、透光性を有するガラス等で形成した基体1′上
には、マトリクス配線部9、照明窓10、受光素子11
、電荷蓄積部(コンデンサ部)12、および蓄積された
電荷を適宜のタイミングで転送するためのスイッチング
用の薄膜トランジスタ(TPT)13を含む光センサが
一体形成されている。
には、マトリクス配線部9、照明窓10、受光素子11
、電荷蓄積部(コンデンサ部)12、および蓄積された
電荷を適宜のタイミングで転送するためのスイッチング
用の薄膜トランジスタ(TPT)13を含む光センサが
一体形成されている。
そして、このように構成された透光性センサ基板1が接
着層5、または遮光層7(光路部は窓7八)を介して透
光性実装基板2上に支持されている。
着層5、または遮光層7(光路部は窓7八)を介して透
光性実装基板2上に支持されている。
これら各部は、すべて同一の製造プロセスで形成するこ
とが可能である。そして各部の層構成は、例えはCrで
基体上に形成され、センサ部の遮光層下電極15、その
上部に配置された水素化窒化シリコン(SiNx:H)
の絶縁層、その上部の水素化アモルファスシリコン(a
−5i:H)の半導体層、その上部のn”a−5t :
Hのオーミック層、さらにその上部に配置した1等の上
電極から成るものである。
とが可能である。そして各部の層構成は、例えはCrで
基体上に形成され、センサ部の遮光層下電極15、その
上部に配置された水素化窒化シリコン(SiNx:H)
の絶縁層、その上部の水素化アモルファスシリコン(a
−5i:H)の半導体層、その上部のn”a−5t :
Hのオーミック層、さらにその上部に配置した1等の上
電極から成るものである。
このような構成の光センサ部は、パシベーション層19
によって覆われ、さらにこのパシベーション層19上に
接着層20を介して例えば50μm厚の薄板ガラス14
が設けられる。そしてこの薄板ガラス14上を原稿が摺
動するものであり、薄板ガラス14は受光素子11と原
稿6との距離を一定に保つスペーサ層として機能すると
ともに、耐摩耗層としても機能する。
によって覆われ、さらにこのパシベーション層19上に
接着層20を介して例えば50μm厚の薄板ガラス14
が設けられる。そしてこの薄板ガラス14上を原稿が摺
動するものであり、薄板ガラス14は受光素子11と原
稿6との距離を一定に保つスペーサ層として機能すると
ともに、耐摩耗層としても機能する。
かかる構成において、透光性実装基板2の裏側から照射
された照明光りは、透光性実装基板2と透光性センサ基
板1とを透過し、照明窓10を通って薄板ガラス14上
の原稿6を照明する。そして、原稿6で反射された情報
光L′は受光素子11に入射する。
された照明光りは、透光性実装基板2と透光性センサ基
板1とを透過し、照明窓10を通って薄板ガラス14上
の原稿6を照明する。そして、原稿6で反射された情報
光L′は受光素子11に入射する。
第4図は以上のような基本的構成を有する光電変換装置
をユニット化した構成の一例を示す分解斜視図である。
をユニット化した構成の一例を示す分解斜視図である。
図示の例では、透光性センサ基板1を透光性実装基板2
上へ接着固定し、この透光性実装基板2をベースプレー
ト22へ固定し、さらにICカバー23で押える。つぎ
にベースプレート22の下面に光源3を固定する。そし
て、ユニットからはフレキシブル配線24およびコネク
タ25を経由して画像信号を出力することができる。
上へ接着固定し、この透光性実装基板2をベースプレー
ト22へ固定し、さらにICカバー23で押える。つぎ
にベースプレート22の下面に光源3を固定する。そし
て、ユニットからはフレキシブル配線24およびコネク
タ25を経由して画像信号を出力することができる。
さらに、このようにして構成されたセンサユニット10
0を用いて、ファクシミリ装置、イメージリーダその他
の種々の装置を構成することができる。
0を用いて、ファクシミリ装置、イメージリーダその他
の種々の装置を構成することができる。
第5図は本例に係るセンサユニット100を用いて構成
した画像処理装置(例えばファクシミリ)の−例を示す
。
した画像処理装置(例えばファクシミリ)の−例を示す
。
ここで、102は原稿6を読取り位置に向けて給送する
ための給送ローラ、104は原稿6を一枚ずつ確実に分
離給送するための分離片である。106はセンサユニッ
ト100に対向して読取り位置に設けられて原稿6の被
読取り面を規制するとともに原稿6を搬送するプラテン
ローラである。
ための給送ローラ、104は原稿6を一枚ずつ確実に分
離給送するための分離片である。106はセンサユニッ
ト100に対向して読取り位置に設けられて原稿6の被
読取り面を規制するとともに原稿6を搬送するプラテン
ローラである。
Pは図示の例ではロール紙形態とした記録媒体であり、
センサユニット100により読取られた画像情報、ある
いはファクシミリ装置等の場合には外部から送信された
画像情報が形成される。110は当該画像形成を行うた
めの記録ヘッドであり、サーマルヘッド、インクジェッ
ト記録ヘッド等種々のものを用いることができる。また
、この記録ヘッドは、シリアルタイプのものでも、ライ
ンタイプのものでもよい。112は記録へラド110に
よる記録位置に対して記録媒体Pを搬送するとともにそ
の被記録面を規制するプラテンローラである。
センサユニット100により読取られた画像情報、ある
いはファクシミリ装置等の場合には外部から送信された
画像情報が形成される。110は当該画像形成を行うた
めの記録ヘッドであり、サーマルヘッド、インクジェッ
ト記録ヘッド等種々のものを用いることができる。また
、この記録ヘッドは、シリアルタイプのものでも、ライ
ンタイプのものでもよい。112は記録へラド110に
よる記録位置に対して記録媒体Pを搬送するとともにそ
の被記録面を規制するプラテンローラである。
120は操作人力を受容するスイッチや、メツセージそ
の他装置の状態を報知するための表示部等を配したオペ
レーションパネルである。130はシステムコントロー
ル基板であり、各部の制御を行う制御部や、光センサの
駆動回路部5画像情報の処理部、送受信部等が設けられ
る。140は装置の電源である。
の他装置の状態を報知するための表示部等を配したオペ
レーションパネルである。130はシステムコントロー
ル基板であり、各部の制御を行う制御部や、光センサの
駆動回路部5画像情報の処理部、送受信部等が設けられ
る。140は装置の電源である。
以上の実施例においては、光電変換装置と原稿6との間
に光学系を介在させずに、原稿が密着または近接して読
取りが行われる構成について述べたが、情報光(原稿面
からの反射光)を光学系を介して受光素子上に結像させ
る構成に対しても本発明は有効に適用できる。
に光学系を介在させずに、原稿が密着または近接して読
取りが行われる構成について述べたが、情報光(原稿面
からの反射光)を光学系を介して受光素子上に結像させ
る構成に対しても本発明は有効に適用できる。
すなわち、第6図に示すように、透光性センサ基板1と
原稿6との間に集束性光伝送体アレイまたはファイバプ
レートのような光学系部材8を用いた構成であっても、
本発明を容易に適用可能である。
原稿6との間に集束性光伝送体アレイまたはファイバプ
レートのような光学系部材8を用いた構成であっても、
本発明を容易に適用可能である。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明によれば、本実施例による
と、透光性を有する実装基板内を照明光が透過する構成
としたので、光源の配置の自由度が向上し、すなわち光
源を透光性実装基板の裏面側に配置可能となり、光電変
換装置を適用する装置の更なる小型化が達成できる。
と、透光性を有する実装基板内を照明光が透過する構成
としたので、光源の配置の自由度が向上し、すなわち光
源を透光性実装基板の裏面側に配置可能となり、光電変
換装置を適用する装置の更なる小型化が達成できる。
また、情報光は透光性実装基板内および透光性センサ基
板内を透過しない構成であるので、情報光の光量ロスお
よび拡散がなく、S/N比が向上してセンサ出力も良好
なものとなる。
板内を透過しない構成であるので、情報光の光量ロスお
よび拡散がなく、S/N比が向上してセンサ出力も良好
なものとなる。
第1図は本発明の一実施例に係る光電変換装置の模式的
断面図、 第2図(A)および(B)は、それぞれ、本発明の他の
実施例に係る光電変換装置の分解斜視図および模式的断
面図、 第3図は第1図または第2図(A)、 (B)の実施例
に係る光電変換装置のより詳細な断面図、第4図は光電
変換装置を用いて構成したセンサユニットの一例を示す
分解斜視図、 第5図は本発明を適用可能な画像処理装置の一例を示す
断面図、 第6図は本発明のさらに他の実施例を示す模式的断面図
である。 1・・・透光性センサ基板、 2・・・透光性実装基板(支持体)、 3・・・光源、 4・・・配線部、 5・・・接着層、 6・・・原稿、 7・・・遮光層、 7A・・・窓部、 8・・・光学系部材。
断面図、 第2図(A)および(B)は、それぞれ、本発明の他の
実施例に係る光電変換装置の分解斜視図および模式的断
面図、 第3図は第1図または第2図(A)、 (B)の実施例
に係る光電変換装置のより詳細な断面図、第4図は光電
変換装置を用いて構成したセンサユニットの一例を示す
分解斜視図、 第5図は本発明を適用可能な画像処理装置の一例を示す
断面図、 第6図は本発明のさらに他の実施例を示す模式的断面図
である。 1・・・透光性センサ基板、 2・・・透光性実装基板(支持体)、 3・・・光源、 4・・・配線部、 5・・・接着層、 6・・・原稿、 7・・・遮光層、 7A・・・窓部、 8・・・光学系部材。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)画像情報の読取りに係る原稿との対向面側に光電変
換素子が設けられ、透光性を有する基板と、該基板を支
持し、透光性を有する支持体と、該支持体の前記基板の
支持面とは反対の面側に設けられた光源とを具え、該光
源から出射した光が前記支持体および前記基板を透過し
て前記原稿に照射され、当該反射光が前記光電変換素子
に受容されるようにしたことを特徴とする光電変換装置
。 2)前記支持体上に前記光電変換素子とこれを駆動する
回路とを接続するための配線部材を設けたことを特徴と
する請求項1記載の光電変換装置。 3)前記支持体上の配線部は、前記基板と前記支持体と
の間に配置されていることを特徴とする請求項2記載の
光電変換装置。 4)前記基板と前記支持体との間において、前記光源か
ら出射された光の光路部を除く部分に遮光部を設けたこ
とを特徴とする請求項1ないし3のいずれかの項に記載
の光電変換装置。 5)前記光電変換素子上にスペーサ層が設けられ、該ス
ペーサ層の表面近傍または表面に接して前記原稿が位置
することを特徴とする請求項1ないし4のいずれかの項
に記載の光電変換装置。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1039364A JPH02219358A (ja) | 1989-02-21 | 1989-02-21 | 光電変換装置 |
GB9003730A GB2228366B (en) | 1989-02-21 | 1990-02-19 | Photoelectric converter and image reading apparatus mounting the same |
GB9301830A GB2262658B (en) | 1989-02-21 | 1990-02-19 | Photoelectric converter |
DE4005324A DE4005324C2 (de) | 1989-02-21 | 1990-02-20 | Fotoelektrischer Wandler |
FR9002041A FR2643747B1 (fr) | 1989-02-21 | 1990-02-20 | Convertisseur photoelectrique et appareil de lecture d'images sur lequel il est monte |
US07/481,227 US5121225A (en) | 1989-02-21 | 1990-02-20 | Photoelectric converter and image reading apparatus mounting the same |
NL9000418A NL194486C (nl) | 1989-02-21 | 1990-02-21 | Foto-elektrische omzetter en beelduitleesinrichting voorzien van een dergelijke omzetter. |
US07/845,052 US5261013A (en) | 1989-02-21 | 1992-03-03 | Photoelectric converter and image reading apparatus mounting the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1039364A JPH02219358A (ja) | 1989-02-21 | 1989-02-21 | 光電変換装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02219358A true JPH02219358A (ja) | 1990-08-31 |
Family
ID=12551008
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1039364A Pending JPH02219358A (ja) | 1989-02-21 | 1989-02-21 | 光電変換装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02219358A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007300141A (ja) * | 2007-08-08 | 2007-11-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | イメージセンサ |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63102361A (ja) * | 1986-10-20 | 1988-05-07 | Seiko Epson Corp | 密着型固体撮像装置 |
JPH02185064A (ja) * | 1989-01-12 | 1990-07-19 | Ricoh Co Ltd | 完全密着型等倍センサ |
-
1989
- 1989-02-21 JP JP1039364A patent/JPH02219358A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63102361A (ja) * | 1986-10-20 | 1988-05-07 | Seiko Epson Corp | 密着型固体撮像装置 |
JPH02185064A (ja) * | 1989-01-12 | 1990-07-19 | Ricoh Co Ltd | 完全密着型等倍センサ |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007300141A (ja) * | 2007-08-08 | 2007-11-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | イメージセンサ |
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