DE4005324C2 - Fotoelektrischer Wandler - Google Patents
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Bildlesegerät wie ein
Faksimilegerät, ein Kopiergerät oder eine elektronische
Tafel, einen fotoelektrischen Wandler für den Einbau in das
Gerät und ein mit dem fotoelektrischen Wandler ausgestatte
tes Bildlesegerät; insbesondere bezieht sich die Erfindung
auf einen fotoelektrischen Wandler, in dem eine fotoelektri
sche Wandlerelementeanordnung bzw. ein Fotosensor gebildet
ist.
Für das Verkleinern eines fotoelektrischen Wandlers und das
Verbessern der Ausbeute zur Verringerung der Herstellungsko
sten und dergleichen wurden fotoelektrische Wandler gemäß
Fig. 1A und 1B vorgeschlagen. Bei diesen Wandlern wird eine
Anordnung angewandt, bei der ein Sensorsubstrat mit einem
Fotosensor an einem als Trägersubstrat bezeichneten Träger
angebracht wird, der in einem anderen Schritt geformt wird.
Diese Wandler sind nachstehend ausführlich beschrieben.
Fig. 1A und 1B sind eine schematische perspektivische An
sicht bzw. eine Schnittansicht, die herkömmliche fotoelek
trische Wandler zeigen. Nach Fig. 1A hat ein Keramiksubstrat
1001 einen Ansteuerungsteil 1002, einen Sensorteil 1003 und
einen Golddraht-Verbindungsteil 1004. Ein solcher fotoelek
trischer Wandler ist beispielsweise in der JP-OS 60-132452
beschrieben.
Bei der in Fig. 1A dargestellten Anordnung wird jedoch als
Ansteuerungsteil 1002 eine Dickfilmschaltung 1005 auf dem
als Trägersubstrat dienenden isolierenden Keramiksubstrat
1001 geformt, an dem Trägersubstrat 1001 der Fotosensor-Teil
1003 befestigt und die Dickfilmschaltung 1005 mit dem Foto
sensorteil 1003 nach einem Bondeverfahren mittels des Gold
draht-Verbindungsteils 1004 verbunden. Da jedoch das Träger
substrat 1001 lichtundurchlässig ist, bestehen Einschränkun
gen hinsichtlich der Anordnungslage einer Lichtquelle, was
es schwierig macht, ein zufriedenstellend kleines optisches
System zu erhalten, welches einen Vorteil eines langge
streckten Sensors darstellt.
Bei dem in Fig. 1B gezeigten fotoelektrischen Wandler ist
ein lichtdurchlässiges Sensorsubstrat 1032 mit einem Foto
sensor 1031 mit einem Klebemittel 1070 an einem lichtdurch
lässigen Trägersubstrat 1010 befestigt, wobei auf den Foto
sensor 1031 eine Vergußmasse 1080 aus einem lichtundurchläs
sigen Harz aufgebracht ist. Informationslicht wird von dem
Fotosensor über das durchlässige Trägersubstrat und das
durchlässige Sensorsubstrat aufgenommen. An dem durchlässi
gen Trägersubstrat ist eine Lichtabschirm- bzw. Lichtabfang
platte 1060 angebracht, die das Einfallen von unnützen
Lichtstrahlen verhindert. Ein fotoelektrischer Wandler mit
einem solchen Aufbau ist beispielsweise in der JP-OS 62-
97370 beschrieben. Bei diesem Aufbau fällt Informationslicht
von einer Vorlagenfläche her durch das durchlässige Träger
substrat und das durchlässige Sensorsubstrat hindurch auf
das Lichtempfangselement bzw. den Fotosensor. Daher ist der
optische Weg des Informationslichts bis zu dem Fotosensor
verlängert, so daß ein Lichtmengenverlust entsteht. Außerdem
entsteht Streulicht durch die Streuung des Lichts in einer
jeweiligen Schicht, so daß das Nutzsignal/Störsignal-Ver
hältnis bzw. der Störabstand vermindert ist oder das Sensor
ausgangssignal verringert ist.
Falls ferner eine Lichtquelle für einen fotoelektrischen
Wandler Lichtmengenabweichungen zeigt, treten zusätzlich zu
den vorstehend angeführten Problemen Schwankungen des Aus
gangssignals des Sensors auf oder es erscheinen manchmal
weiße oder schwarze Streifen, wodurch Lesefehler verursacht
werden. Als ein Verfahren für das Ausschalten diese Mängel
ist ein Verfahren bekannt, bei dem in dem Lichtweg bzw. Strahlengang zwischen
einer Lichtquelle und einer Vorlage ein Lichteinstellelement
(Beleuchtungsvorhang bzw. Lichtfänger) angebracht wird.
Dieses Lichteinstellelement hat die Form eines Lichtabfang
films, der auf einem Film durch ein Muster gebildet ist,
welches eine gleichmäßige Lichtmengenverteilung ergibt.
Damit wird durch das Lichteinstellelement das Beleuchtungs
licht an der Vorlagenfläche zu einer gleichmäßigen Vertei
lung korrigiert. Diese Anordnung ist beispielsweise in der
JP-OS 63-310262 beschrieben.
Da jedoch bei diesem herkömmlichen Verfahren das Lichteinstell
element bzw. der Lichtfänger als ein zusätzlicher Teil
vorgesehen ist, kann die Ausrichtungsgenauigkeit zwischen
dem Lichtfänger und der Lichtquelle nicht auf einem hohen
Wert gehalten werden und es ergeben sich höhere Herstel
lungskosten.
Es ist anzumerken, daß in einem fotoelektrischen Wandler bei
einer Erhöhung der Anzahl von aufgereihten fotoelektrischen
Wandlerelementen für das Verlängern des Wandlers auch das
Leitermuster zu verlängern ist, was das Einmischen von
elektrischen Störkomponenten verursacht. Entstehungsquellen
der elektrischen Störsignale sind eine Stromquelle, durch
den Transport einer Vorlage bzw. das Vorbeiführen von Papier
hervorgerufene statische Elektrizität, ein Lichtquellen
stromkreis und dergleichen. Durch diese elektrischen Stör
signale werden in einer Signalausgabeschaltung Störsignale
induziert, wodurch ein Bildsignal unstabil bzw. ungleich
mäßig wird. Als Maßnahme zum Verhindern dieses Problems wird
eine Grundplatte (ein Kastenelement für das Befestigen des
Sensors) auf einem konstanten Potential gehalten, wodurch
sich eine Abschirmung gegen elektrische Störsignale ergibt.
Diese Abschirmung verhindert das Eindringen der elektrischen
Störsignale in den Sensor, wodurch ein stabiles Bild erzielt
wird. Eine solche Anordnung ist beispielsweise in der JP-OS
63-310261 beschrieben.
Diese Anordnung ergibt jedoch die folgenden Probleme:
Wenn die Grundplatte auf Massepotential gelegt ist, fließt die bei dem Vorbeiführen von Papier entstehende statische Elektrizität über die Grundplatte, eine Masseleitung und eine Treiberstufe, wodurch die Schaltung zerstört wird oder eine Fehlfunktion hervorgerufen wird.
Wenn die Grundplatte auf Massepotential gelegt ist, fließt die bei dem Vorbeiführen von Papier entstehende statische Elektrizität über die Grundplatte, eine Masseleitung und eine Treiberstufe, wodurch die Schaltung zerstört wird oder eine Fehlfunktion hervorgerufen wird.
Der Abschirmungseffekt kann nur erreicht werden, wenn die
Grundplatte aus einem Leiter wie A1 besteht, jedoch nicht
dann, wenn die Platte aus einem Isolator wie einem Harz oder
dergleichen hergestellt ist.
In der JP-OS 62-97370 ist ein Verfahren zum Einschichten
eines lichtdurchlässigen Klebemittels auf der ganzen Fläche
zwischen einem lichtdurchlässigen Trägersubstrat und einem
lichtdurchlässigen Sensorsubstrat beschrieben. Bei diesem
Verfahren können jedoch in der Klebemittelschicht Bläschen
entstehen, die einen Lichtmengenverlust verursachen und eine
Streulichtkomponente hervorrufen.
Da außerdem ein lichtdurchlässiges Klebemittel gewählt
werden muß, das keinen großen Lichtmengenverlust verursacht,
nämlich hohe Durchlässigkeit hat, ist der Freiheitsgrad
hinsichtlich der Wahl des Klebemittels verringert.
Darüberhinaus muß auch eine Verringerung der Spannungsbela
stung zwischen dem durchlässigen Trägersubstrat und dem
durchlässigen Sensorsubstrat in Betracht gezogen werden.
Aus der DE-OS 28 56 540 ist lediglich eine
Beleuchtungsvorrichtung bekannt, in der ein Original in
seiner gesamten Breite durch eine Maske bestrahlt wird.
Ferner zeigt die JP 63-310 262 A2 einen fotoelektrischen
Wandler, der aus einem Träger, einem darüber liegenden
Substrat und einem darauf befindlichen Fotosensor
besteht, wobei das Aufstrahlen von Licht auf das Original
durch eine Aussparung im Träger und durch das
lichtdurchlässige Substrat hindurch erfolgt. Der Träger
als solcher ist dabei lichtundurchlässig und besteht
nicht aus halbleitendem Material.
Weiterhin beschreibt die DE 35 44 182 A1 einen
fotoelektrischen Wandler, bei dem ein Ansteuerbaustein
als Substrat für Fotosensoren dient und mit diesen durch
eine Isolierschicht getrennt kontaktiert ist. Das
Bestrahlen eines Original mit Licht erfolgt dabei derart,
daß zunächst Licht auf das Original (die Vorlage)
gestrahlt und der reflektierte Anteil über eine
gesonderte Optik den zeilenförmig angeordneten
Bildsensorelementen zugeführt wird.
Demzufolge wird die gesamte Anordnung aufgrund der
gesondert vorzusehenden Optik aufwendiger und verteuert
sich.
Schließlich zeigt die US 4 805 032 einen fotoelektrischen
Wandler, der aus einem lichtdurchlässigen Substrat, einer
darüber befindlichen lichtdurchlässigen Isolierschicht
und einem fotoelektrischen Wandlerelement besteht, das
sich an der Oberseite der Isolierschicht befindet. Das
Aufstrahlen von Licht durch das Substrat und die
Isolierschicht auf ein Original erfolgt mittels einer
unter dem Substrat befindlichen Lichtquelle.
Nachteilig ist hierbei jedoch, daß sich sowohl das
fotoelektrische Wandlerelement als auch die zum
elektrischen Verbinden erforderlichen Leiterelemente bzw.
Leiterteile auf einem Substrat befinden.
Die Herstellung eines derartigen fotoelektrischen
Wandlers ist aufgrund der höheren Integration und der
damit verbundenen geringeren Ausbeute sehr schwierig und
kostspielig.
Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe
zugrunde, einen kompakten und platzsparenden
fotoelektrischen Wandler mit gleichförmiger
Lichtmengenverteilung zu schaffen, der kostengünstig
herzustellen ist.
Ferner soll mit der Erfindung ein fotoelektrischer Wandler
geschaffen werden, bei dem wegen des Durchlassens von Be
leuchtungslicht durch ein durchlässiges Auflage- bzw. Trä
gersubstrat (als Träger) der Freiheitsgrad hinsichtlich der
Anordnung einer Lichtquelle verbessert ist, um die Abmessun
gen des Wandlers zu verringern, und deshalb, weil das
von einer Vorlagenfläche reflektierte Licht bzw. Informa
tionslicht nicht durch das durchlässige Trägersubstrat und
das durchlässige Sensorsubstrat hindurch geleitet wird, kein
Lichtmengenverlust oder keine Streuung des Informations
lichts auftritt, so daß der Störabstand und das Sensoraus
gangssignal verbessert sind.
Weiterhin soll mit der Erfindung ein fotoelektrischer Wand
ler geschaffen werden, bei dem wegen des Durchlassens von
Beleuchtungslicht durch ein Substrat und ein Trägersubstrat
das Beleuchtungslicht infolge eines angemessenen Lichtmen
genverlustes und einer angemessenen Streuung, die bei dem
Durchlassen des Beleuchtungslichts ohne nachteilige Einwir
kung auf den Sensor herbeigeführt werden, gleichförmig auf
eine Vorlage aufgestrahlt wird.
Mit der Erfindung soll ferner ein fotoelektrischer Wandler
geschaffen werden, der ein lichtdurchlässiges Substrat mit
einem fotoelektrischen Wandlerelement an derjenigen Fläche,
die einer Vorlage zugewandt ist, deren Bildinformationen
gelesen werden sollen, einen lichtdurchlässigen Träger für
das Halten des Substrats, eine Lichtquelle, die an derjeni
gen Fläche des Trägers angebracht ist, welche der Fläche für
das Halten des Substrats gegenüberliegt, und einen Lichtab
schirm- bzw. Lichtabfangteil aufweist, der zwischen dem
Träger und dem Substrat an einem Bereich außerhalb eines
Lichtwegbereichs für das von der Lichtquelle abgegebene
Licht angeordnet ist, wobei das von der Lichtquelle abgege
bene Licht durch den Lichtwegbereich und das Substrat hin
durch auf eine Vorlage gestrahlt wird und das reflektierte
Licht von dem fotoelektrischen Wandlerelement empfangen
wird.
Mit der Erfindung soll weiterhin ein fotoelektrischer Wand
ler geschaffen werden, in welchem eine Lichtabschirmschicht
von dem aus einer Lichtquelle abgestrahlten Beleuchtungs
licht das Streulicht abfängt, welches Störsignale in einem
Ausgangssignal hervorrufen würde, wie beispielsweise un
gleichmäßige Reflexionskomponenten aus einem lichtdurchläs
sigen Trägersubstrat; dadurch soll die Auflösung des Aus
gangssignals verbessert werden.
Weiterhin soll mit der Erfindung ein fotoelektrischer Wand
ler geschaffen werden, der ein durchlässiges Substrat mit
einem fotoelektrischen Wandlerelement an der einer Vorlage
für das Lesen von Bildinformationen zugewandten Fläche,
einen durchlässigen Träger für das Halten des Substrats, der
an seiner Fläche für das Halten des Substrats ein Schal
tungs- bzw. Leiterelement für das Verbinden des fotoelektri
schen Wandlerelements mit einer Schaltung für die Ansteue
rung des Wandlerelements sowie einen Lichteinstellteil hat,
der zumindest teilweise aus dem gleichen Material wie das
Leiterelement geformt ist, und eine Lichtquelle aufweist,
die an derjenigen Fläche des Trägers angebracht ist, die der
Fläche für das Halten des Substrats gegenüberliegt, wobei
das von der Lichtquelle abgegebene Licht durch den Träger,
den Lichteinstellteil und das Substrat hindurch auf die
Vorlage gestrahlt wird und das reflektierte Licht von dem
fotoelektrischen Wandlerelement aufgenommen wird.
Mit der Erfindung soll ferner ein fotoelektrischer Wandler
geschaffen werden, bei dem deshalb, weil ein Lichteinstell
teil, welcher herkömmlicherweise ein zusätzlicher Teil ist,
zumindest teilweise aus dem gleichen Material wie ein Lei
terelement geformt ist, an einem Trägersubstrat der Licht
einstellteil und das Leiterelement im gleichen Herstellungs
schritt geformt werden können, wodurch die Abmessungen und
die Herstellungskosten des Wandlers verringert werden.
Mit der Erfindung soll weiterhin ein fotoelektrischer Wand
ler geschaffen werden, in dem eine Lichtabschirmschicht von
dem von einer Lichtquelle abgegebenen Beleuchtungslicht das
Streulicht, das Störsignale in einem Ausgangssignal hervor
rufen würde, wie beispielsweise ungleichmäßige Reflexions
komponenten aus einem lichtdurchlässigen Trägersubstrat
abfängt, wodurch die Auflösung des Ausgangssignals verbes
sert wird, wobei die Lichtabschirmschicht auch als elektri
sche Abschirmung wirken kann.
Ferner soll mit der Erfindung ein fotoelektrischer Wandler
geschaffen werden, in dem eine Lichtabschirmschicht von dem
Beleuchtungslicht aus einer Lichtquelle das Streulicht, das
Störsignale in einem Ausgangssignal hervorrufen würde, z. B.
die unregelmäßigen Reflexionskomponenten aus einem licht
durchlässigen Trägersubstrat abfängt, wodurch die Auflösung
des Ausgangssignals verbessert wird, wobei die Abschirm
schicht zugleich auch als elektrische Abschirmung dienen
kann.
Weiterhin soll mit der Erfindung ein fotoelektrischer Wand
ler geschaffen werden, der ein durchlässiges Substrat mit
einem fotoelektrischen Wandlerelement an seiner einer Vorla
ge zum Lesen von Bildinformationen zugewandten Fläche, einen
durchlässigen Träger für das Halten des Substrats, eine an
der der Substrathaltefläche gegenüberliegenden Fläche des
Trägers angebrachte Lichtquelle und einen zwischen dem
Träger und dem Substrat in einem Lichtwegbereich für das
Licht aus der Lichtquelle liegenden Spaltbereich hat, wobei
das von der Lichtquelle abgegebene Licht durch den Träger,
den Spaltbereich und das Substrat hindurch auf die Vorlage
gestrahlt wird und das reflektierte Licht von dem fotoelek
trischen Wandlerelement aufgenommen wird.
Ferner soll mit der Erfindung ein fotoelektrischer Wandler
geschaffen werden, bei dem wegen des Bildens eines Spaltbe
reichs bzw. einer Luftschicht in dem Lichtwegbereich zwi
schen einem durchlässigen Trägersubstrat und einem Sensor
substrat bei dem Zusammenkleben der beiden Substrate ein
Schritt für das Entfernen von Bläschen aus einem Klebemittel
entfällt, wodurch der Bereich für das Wählen des Klebemit
tels erweitert ist.
Diese Aufgabe wird durch einen fotoelektrischen Wandler
mit den im Patentanspruch 1 angegebenen Merkmalen gelöst.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den
abhängigen Patentansprüchen angegeben.
Die Erfindung und ihr technisches Umfeld sind nachstehend anhand von Ausführungsbei
spielen unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher erläutert.
Fig. 1A und 1B sind eine schematische per
spektivische Ansicht bzw. eine schematische Schnittansicht,
die herkömmliche fotoelektrische Wandler zeigen.
Fig. 2A und 2B sind eine schematische
Schnittansicht, die einen fotoelektrischen Wandler gemäß
einem weiteren Beispiel zeigt, bzw. eine schemati
sche perspektivische Ansicht, die einen Teil des Wandlers in
vergrößertem Maßstab zeigt.
Fig. 3A und 3B sind eine schematische, aus
einandergezogen dargestellte Ansicht des fotoelektrischen
Wandlers gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel bzw. eine
schematische Schnittansicht zur Erläuterung des Hauptteils
des Wandlers.
Fig. 4 ist eine schematische Schnittansicht
eines Sensorsubstrats, das in den fotoelektrischen Wandlern
gemäß dem Beispiel und dem ersten Ausführungsbeispiel verwendet
wird.
Fig. 5 ist eine auseinandergezogen darge
stellte perspektivische Ansicht eines als eine Einheit
gestalteten fotoelektrischen Wandlers.
Fig. 6A, 6B, 6C, 6D und 6E sind eine schema
tische Draufsicht, eine schematische Seitenansicht, eine
schematische Unteransicht, eine schematische Ansicht eines
Schnitts entlang einer Linie D-D' bzw. eine schematische
Ansicht eines Schnitts entlang einer Linie E-E' und zeigen
den in Fig. 5 dargestellten fotoelektrischen Wandler.
Fig. 7 ist eine schematische Schnittansicht
eines Bildverarbeitungsgeräts mit Auf
zeichnungsfunktion.
Fig. 8 ist eine schematische Schnittansicht
eines fotoelektrischen Wandlers.
Fig. 9 ist eine schematische Schnittansicht,
die einen um einen Randbereich des fotoelektrischen Wandlers
gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel herum liegenden
Bereich zeigt.
Fig. 10A und 10B sind eine schematische,
auseinandergezogen dargestellte perspektivische Ansicht des
fotoelektrischen Wandlers gemäß dem zweiten Ausführungsbei
spiel bzw. eine Schnittansicht des Hauptteils des Wandlers.
Fig. 11A und 11B sind eine schematische
Schnittansicht bzw. eine schematische, auseinandergezogen
dargestellte perspektivische Ansicht für die Erläuterung der
Funktion des fotoelektrischen Wandlers gemäß dem zweiten
Ausführungsbeispiel.
Fig. 12A und 12B sind eine schematische,
auseinandergezogen dargestellte perspektivische Ansicht des
fotoelektrischen Wandlers gemäß einem dritten Ausführungs
beispiel bzw. eine schematische Draufsicht, die ein Licht
einstellmuster des Wandlers zeigt.
Fig. 13A und 13B sind eine schematische,
auseinandergezogen dargestellte perspektivische Ansicht
einer Abwandlungsform des fotoelektrischen Wandlers gemäß
dem dritten Ausführungsbeispiel bzw. eine schematische
Draufsicht, die ein Lichteinstellmuster des Wandlers zeigt.
Fig. 14 ist eine grafische Darstellung für
die Beschreibung einer Lichtmengenverteilung bei dem Wandler
gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel.
Fig. 15 ist eine schematische Schnittansicht
eines fotoelektrischen Wandlers.
Der fotoelektrische Wandler gemäß einem
Ausführungsbeispiel enthält eine fotoelektrische Wandlervor
richtung mit einem Substrat, das einen lichtdurchlässigen
Bereich hat, und mit einem fotoelektrischen Wandlerelement,
das an einer Fläche des Substrats angebracht ist, die einer
Vorlage mit Bildinformationen zugewandt ist, und eine Licht
quelle, die an derjenigen Fläche des Substrats angebracht
ist, die der der Vorlage zugewandten Fläche gegenüberliegt,
und aus der das Licht durch das Substrat hindurch auf die
Vorlage gestrahlt wird, während das von der Vorlage reflek
tierte Licht von dem fotoelektrischen Wandlerelement aufge
nommen wird, wobei das Substrat einen Schichtenaufbau aus
einem Sensorsubstrat als erstes Substrat, auf dem das foto
elektrische Wandlerelement angeordnet ist, und einer Grund
platte als zweites Substrat hat, das größer als das erste
Substrat ist, aufweist.
Vorzugsweise werden an dem zweiten Substrat einzeln für sich
oder in Kombination aus zwei oder mehr Elementen eine integ
rierte Halbleiterschaltung für die Ansteuerung des fotoelek
trischen Wandlerelements, ein Verdrahtungs- bzw. Leiterteil
für das elektrische Verbinden der Wandlerelemente mit
der Schaltung, ein Lichtabfangelement, ein Lichteinstellele
ment, ein Leiter zum Abschirmen gegen statische Elektrizität
und dergleichen angeordnet.
Außerdem wird der Wandler vorzugsweise derart gestaltet, daß
zwischen dem ersten und dem zweiten Substrat durch ein
Klebemittel ein Spalt geformt ist, durch den hindurch Be
leuchtungslicht durchgelassen wird.
Fig. 2A und 2B sind eine schematische Ansicht des fotoelek
trischen Wandlers gemäß einem Beispiel bzw.
eine schematische perspektivische Ansicht, die einen Teil
des Wandlers in vergrößertem Maßstab zeigt. Gemäß Fig. 2A
und 2B trägt ein lichtdurchlässiges Sensorsubstrat 1 eine
Fotosensoranordnung, die nach einem Halbleiterdünnfilmver
fahren oder dergleichen auf einer Unterlage aus beispiels
weise Quarzglas oder Borsilikatglas mit Lichtdurchlässigkeit
und Isolationseigenschaften gebildet ist. Ein lichtdurchläs
siges Trägersubstrat (Grundplatte) 2 hat einen Verdrahtungs-
bzw. Leiterteil, der beispielsweise aus nach einem Dickfilm
druckverfahren aufgebrachten Ag, Ag-Pd, Ag-Pt oder Au oder
beispielsweise aus durch Dampfablagerung, Aufsprühen, ein
chemisches Bedampfungsverfahren, Fotolithografie, ein Dünn
filmformungsverfahren oder dergleichen aufgebrachtem Al, Cu,
Mo oder Indiumzinnoxid (ITO) auf einer Unterlage besteht,
welche beispielsweise aus Quarzglas, Borsilikatglas, Natron
glas oder Acryl mit Durchlässigkeit und Isolationseigen
schaften besteht (und welche einen Schutzfilm aus beispiels
weise SiO2 zum Verhindern eines Lösens oder Diffundierens
eines Alkalielements erhalten kann). Für die Unterlagen bzw.
Grundplatten dieser Substrate werden Materialien mit nahe
aneinanderliegenden Wärmeausdehnungskoeffizienten verwendet.
Der Leiterteil 4 enthält Leiterbahnen für das elektrische
Verbinden eines Sensorteils an dem Substrat 1 mit einem
(nicht gezeigten) Ansteuerungsteil an dem Substrat 2. Das
durchlässige Sensorsubstrat 1 wird mittels einer Klebemit
telschicht 5 an das durchsichtige Trägersubstrat 2 ange
klebt.
Die Klebemittelschicht 5 für das Verbinden des durchsichti
gen Sensorsubstrats 1 mit dem durchsichtigen Trägersubstrat
2 kann nach einem Siebdruckverfahren, einem Linienbeschich
tungsverfahren mit einem Verteiler oder dergleichen gebildet
werden. Beispiele für das Klebemittel sind bei Raumtempera
tur härtendes Klebemittel auf Silikonkautschukbasis und
Fotosatz-Klebemittel auf Acrylbasis. Das Klebemittel besteht
aus einem Material mit einem Wärmeausdehnungskoeffizienten,
der nahe an denjenigen der Materialien für die Grundplatten
des durchlässigen Sensorsubstrats 1 und des durchlässigen
Trägersubstrats 2 liegt, und wird auf einem dem Umfangsbe
reich des Sensorsubstrats 1 entsprechenden Bereich aufge
bracht, z. B. zumindest an den beiden Längsseitenabschnitten
des fotoelektrischen Wandlers und an dessen beiden Endab
schnitten, wodurch die Substrate 1 und 2 zusammengeklebt
werden. Auf diese Weise wird ein Spalt bzw. eine Luftschicht
5A im Bereich eines optischen Weges für Beleuchtungslicht
aus einer Lichtquelle 3 gebildet.
Das durchsichtige Sensorsubstrat 1 und der Leiterteil 4 des
durchsichtigen Trägersubstrats 2 werden elektrisch durch
"Bonden", Löten oder dergleichen verbunden.
Beleuchtungslicht L aus der Lichtquelle 3 wie einer Leucht
diode wird durch das durchlässige Trägersubstrat 2, die
Luftschicht 5A und das durchlässige Sensorsubstrat 1 hin
durch auf eine Vorlage 6 gestrahlt, während das von der
Vorlage 6 reflektierte Informationslicht auf ein Lichtemp
fangselement an dem durchlässigen Sensorsubstrat 1 fällt und
von dem Lichtempfangselement als Bildsignal abgegeben wird.
Da bei diesem Beispiel das Informationslicht von
dem Fotosensor aufgenommen wird, ohne daß es durch das
Trägersubstrat 2 und das Sensorsubstrat 1 hindurch geleitet
wird, wird das Nutzsignal/Störsignal-Verhältnis bzw. der
Störabstand nicht durch einen Lichtmengenverlust oder durch
Streulichtkomponenten verringert. Bei dem Bei
spiel können das beispielsweise nach dem Halbleiterdünnfilm
verfahren geformte durchlässige Sensorsubstrat 1 und das
beispielsweise nach dem Dickfilmverfahren geformte durchläs
sige Trägersubstrat 2 als gesonderte Teile behandelt werden,
nämlich in gesonderten Schritten hergestellt werden. Daher
müssen die Herstellungsschritte nicht aufeinander abgestimmt
werden und es können in gesonderten. Prüfschritten nur ein
wandfreie Produkte herausgegriffen werden, wodurch die
Gesamtausbeute verbessert ist. Da auf dem Grundmaterial des
Substrats 1 nur der Fotosensorteil angeordnet ist, kann aus
einem Substratmaterial mit einer bestimmten Fläche eine
Vielzahl von Substraten 1 gleichzeitig hergestellt werden,
wodurch die Herstellungskosten vermindert werden. An dem
durchlässigen Trägersubstrat 2 können außer dem Leiterteil 4
ein integrierter Ansteuerungsschaltungsbaustein, ein inte
grierter Ausgangsverstärkerbaustein und dergleichen ange
bracht werden. In diesem Fall ist der Vorteil der Herstel
lung der Substrate 1 und 2 in voneinander unabhängigen
Prozessen vergrößert, wodurch die Herstellungskosten weiter
vermindert sind. Darüberhinaus können die Abmessungen der
Einheit durch das Anordnen der Lichtquelle an der unteren
Fläche des durchlässigen Trägersubstrats 2 weiter verringert
werden.
D. h., bei dem Beispiel wird das Beleuch
tungslicht durch das Trägersubstrat mit Durchlässigkeit
hindurchgeleitet. Daher ist der Freiheitsgrad hinsichtlich
der Lage der Lichtquelle verbessert, d. h., die Lichtquelle
kann an der unteren Fläche des lichtdurchlässigen Trägersub
strats angeordnet werden. Infolgedessen kann ein Gerät
kompakter gestaltet werden, in dem dieser fotoelektrische
Wandler eingesetzt ist.
Das Informationslicht wird nicht durch das durchlässige
Trägersubstrat und das durchlässige Sensorsubstrat hindurch
geführt. Da daher weder ein Lichtmengenverlust noch eine
Streuung des Informationslichts auftritt, ist der Störab
stand verbessert und es wird ein hohes Sensorausgangssignal
erzielt.
Bei diesem Beispiel werden als Grundmaterial für
das Trägersubstrat und das Sensorsubstrat Materialien mit
nahe aneinanderliegenden Wärmeausdehnungskoeffizienten
benutzt. Da infolgedessen bei dem Verbinden der beiden
Substrate entstehende Spannungen verringert sind, werden die
Substrate kaum gewölbt oder gespalten.
Da der Leiterteil auf dem durchlässigen Trägersubstrat
gebildet ist, kann der Wandler kompakt gestaltet werden.
Falls beispielsweise der Leiterteil zwischen dem Trägersub
strat und dem Sensorsubstrat ausgebildet wird, kann der
Wandler noch kompakter werden.
Bei diesem Beispiel ist in dem Lichtwegabschnitt
für das Beleuchtungslicht zwischen dem Trägersubstrat 2 und
dem Sensorsubstrat 1 die Luftschicht 5A gebildet. Daher muß
kein Schritt zum Entfernen von Bläschen aus der Klebemittel
schicht 5 ausgeführt werden, wodurch der Herstellungsprozeß
vereinfacht wird und dadurch die Herstellungskosten verrin
gert werden.
Da außerdem beispielsweise ein farbiges Klebemittel unabhän
gig von dessen Durchlässigkeit oder Undurchlässigkeit ge
wählt werden kann, ist der Freiheitsgrad bei der Wahl des
Klebemittels verbessert.
Da darüberhinaus das Klebemittel in Teilen aufgetragen und
gehärtet wird, können durch die Elastizität des Klebemittels
die Spannungen selbst dann vermindert werden, wenn die
Wärmeausdehnungskoeffizienten des Trägersubstrats 2 und des
Sensorsubstrats 1 voneinander verschieden sind.
Fig. 3A und 3B sind eine auseinandergezogen dargestellte
schematische perspektivische Ansicht des fotoelektrischen
Wandlers gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel bzw. eine
schematische Schnittansicht für die Erläuterung des Haupt
teils des Wandlers. In Fig. 3A ist ein beispielsweise an
beiden Seitenbereichen aufzubringendes Klebemittel 5 nicht
dargestellt.
Bei diesem Ausführungsbeispiel ist zwischen einem licht
durchlässigen Trägersubstrat 2 und einem lichtdurchlässigen
Sensorsubstrat 1 eine Lichtabschirmschicht bzw. Lichtabfang
schicht 7 gebildet. Die Lichtabfangschicht 7 ist um einen
spaltförmigen bzw. schlitzförmigen Fensterbereich angeord
net, der auf geeignete Weise entsprechend einem optischen
Weg L festgelegt ist. Die Lichtabfangschicht 7 kann nach dem
gleichen Verfahren unter Verwendung des gleichen metalli
schen Materials wie ein Leiterteil 4 oder in einem Sieb
druckverfahren, einem Dosierverfahren oder dergleichen aus
einem lichtundurchlässigen Harz geformt werden.
In einem jeden Fall kann bei dar Gestaltung gemäß Fig. 3A
zusätzlich zu den vorstehend anhand der Fig. 2A und 2B
beschriebenen grundlegenden Funktionen des
Beispiels die Auflösung bzw. Wiedergabeschärfe eines
Ausgangssignals verbessert werden, da die Lichtabfangschicht
7 von dem Belichtungslicht aus einer Lichtquelle das Streu
licht, das Störsignale in einem ausgegebenen Signal hervor
rufen würde, beispielsweise ungleichförmige Reflexionskompo
nenten aus dem Trägersubstrat 2 abfängt.
Es ist anzumerken, daß bei der Gestaltung des
Beispiels gemäß Fig. 2A und 2B als Klebemittel ein
lichtundurchlässiges Material verwendet werden kann, so daß
die Klebemittelschicht 5 als Lichtabfangschicht wirkt. In
diesem Fall erübrigt sich ein Schritt zum Formen der Licht
abfangschicht 7. D. h., bei dem Beispiel
nach Fig. 2A und 2B kann ein undurchlässiges Klebemittel
verwendet werden und es ist in diesem Sinne der Bereich für
das als Klebemittel wählbare Material erweitert. In diesem
Fall wirkt die Klebemittelschicht 5 selbst als Lichtabfang
schicht. Falls dieses Verfahren bei dem ersten Ausführungs
beispiel angewandt wird, wird eine in Fig. 3B dargestellte
Gestaltung erzielt.
Die Fig. 4 zeigt im Schnitt ausführlich den Aufbau des
Sensorsubstrats 1 des fotoelektrischen Wandlers gemäß dem
Beispiel oder dem ersten Ausführungsbeispiel nach Fig. 2A und 2B
bzw. 3A und 3B.
Gemäß Fig. 4 sind auf einer Unterlage 1' aus durchlässigem
Glas oder dergleichen integriert ein Matrixleiterteil 9, ein
Beleuchtungsfenster 10, ein Lichtempfangselement 11, ein
Ladespeicherungsteil bzw. Kondensatorteil 12 und ein Dünn
film-Schalttransistor 13 für das Übertragen von gespeicher
ter Ladung unter einer beliebigen Zeitsteuerung ausgebildet,
die alle zusammen einen Fotosensor bilden. Das Sensorsub
strat 1 mit dieser Gestaltung wird auf einem lichtdurchläs
sigen Trägersubstrat 2 mittels einer Klebemittelschicht 5
festgelegt, die in einem Lichtwegbereich eine Luftschicht 5A
enthält. Alle diese Teile können im gleichen Herstellungs
prozeß geformt werden. Jeder Teil besteht aus einer unteren
Elektrode 15, die auf der Unterlage aus Cr gebildet ist,
damit sie als Lichtabfangschicht des Sensorteils dient,
einer darauf gebildeten Isolierschicht 16 aus hydriertem
Siliciumnitrid (SiNx: H), einer darüber gebildeten Halblei
terschicht 17 aus hydriertem amorphem Silicium (a-Si: H),
einer darauf gebildeten ohmschen Schicht 18 aus n+-a-Si: H
und einer darüber geformten oberen Elektrode 19 aus bei
spielsweise Al.
Der Fotosensorteil mit diesem Aufbau wird mittels einer
Passivierungsschicht 20 abgedeckt, an der mittels einer
Klebemittelschicht 21 eine dünne Glasplatte 14 mit einer
Dicke von beispielsweise 50 µm angebracht wird. An der
dünnen Glasplatte 14 wird in Berührung mit derselben eine
Vorlage 6 vorbeigeführt. Die dünne Glasplatte 14 dient als
Abstandshalteschicht für das Einhalten eines Abstands zwi
schen dem Lichtempfangselement 11 und der Vorlage 6 sowie
auch als Abriebschutzschicht. Zwischen der dünnen Glasplatte
14 und der Passivierungsschicht 20 kann ein lichtdurchlässi
ger leitender Film gebildet werden, der auf einem konstanten
Potential gehalten wird, um die Einwirkung von durch die
Berührung mit der Vorlage erzeugter statischer Elektrizität
zu verhindern.
Bei dieser Anordnung wird von der Unterseite des Trägersub
strats 2 her aufgestrahltes Beleuchtungslicht L durch das
Trägersubstrat 2 und das Sensorsubstrat 1 hindurchgelassen,
so daß es durch das Beleuchtungsfenster 10 hindurch die auf
der Glasplatte 14 aufliegende Vorlage 6 beleuchtet. Von der
Vorlage reflektiertes Informationslicht L' fällt auf das
Lichtempfangselement 11.
Die Fig. 5 ist eine auseinandergezogen dargestellte perspek
tivische Ansicht, die ausführlich die Gestaltung des foto
elektrischen Wandlers als eine Einheit mit der grundlegenden
Gestaltung gemäß dem vorstehend beschriebenen Beispiel oder
ersten Ausführungsbeispiel zeigt. Die Fig. 6A ist eine
Draufsicht, die eine Sensoreinheit des Wandlers nach Fig. 5
zeigt, die Fig. 6B ist eine Seitenansicht hiervon, die Fig.
6C ist eine Rückansicht hiervon, die Fig. 6D ist eine An
sicht eines Schnitts entlang einer Linie D-D' in Fig. 6A und
die Fig. 6E ist eine Ansicht eines Schnitts entlang einer
Linie E-E' in Fig. 6A. Ein lichtdurchlässiges Sensorsubstrat
1 wird an einem lichtdurchlässigen Trägersubstrat 2 ange
klebt und festgelegt, welches an einer Grundplatte 22 befe
stigt und mittels einer Integrationsschaltungs-Abdeckung 23
angedrückt wird. An der unteren bzw. anderen Fläche der
Grundplatte 22 wird eine Lichtquelle 3 befestigt. Aus der
Einheit wird ein Bildsignal über eine flexible Leitung 24
und einen Verbindungsstecker 25 ausgegeben. Diese Anordnung
wird nachfolgend ausführlicher beschrieben.
Die Lichtquelle 3 ist folgendermaßen gestaltet: Unterhalb
(nach Fig. 5) einer Platte 72 aus einem lichtundurchlässigen
Isoliermaterial ist eine nicht dargestellte Leuchtdiodenzei
le als Leuchtelement angeordnet. Mit Schrauben 52 von zwei
Schraubenpaaren 51 und 52 wird über ein Andruckelement 53
die flexible Leitung 24 elektrisch und mechanisch mit einem
Verbindungsanschluß 61 verbunden. Als Elemente 73 und 74 zur
Korrektur der Lichtmengeneinstellung und/oder der Temperatur
werden veränderbare Widerstände oder Thermistoren verwendet.
An einem Endbereich des Trägersubstrats 2 sind ein inte
grierter Ansteuerungsbaustein 55 für die Ausgabe eines
Signals zum Schalten eines Dünnfilmtransistors des Fotosen
sors zur Signalübertragung und ein integrierter Ausgangsver
stärkerbaustein 54 für das aufeinanderfolgende Auslesen
eines Signals unter Matrixansteuerung ausgebildet.
Die elektrische Verbindung zwischen dem Fotosensor und dem
Leiterteil des Trägersubstrats wird durch Drahtkontaktierung
gleichfalls an einem Bereich nahe dem Endbereich des Träger
substrats 2 hergestellt.
Die elektrische Verbindung zwischen der flexiblen Leitung 24
und dem Leiterteil des Trägersubstrats 2 wird mittels eines
anisotrop leitenden Klebemittels oder eines anisotrop lei
tenden Films hergestellt.
Die Integrationsschaltungs-Abdeckung 23 besteht aus Edel
stahl und deckt die Endbereiche des Sensorsubstrats 1 und
denjenigen Bereich des Trägersubstrats 2 ab, auf dem das
Sensorsubstrat 1 nicht aufliegt. Die Abdeckung 23 wird an
der Grundplatte 22 mittels Schrauben 57 befestigt.
Eine Blattfeder 56 bildet die elektrische Verbindung zu
einem lichtdurchlässigen leitenden Film des Fotosensors zum
Abschirmen gegen statische Elektrizität, wodurch eine Ein
wirkung von durch die Berührung mit einer Vorlage erzeugter
statischer Elektrizität verhindert wird.
Nachstehend wird die elektrische Verbindung zwischen dieser
Sensoreinheit und einem Wandlerhauptgehäuse für das Anbrin
gen der Einheit beschrieben:
Wenn von einer Schaltung an dem Wandlerhauptgehäuse bzw. Hauptteil ein Bildlesebefehl erzeugt wird, werden die inte grierten Schaltungsbausteine 54 und 55 für die Ausgangsver stärkung und die Ansteuerung über einen Leitungsweg mit dem Verbindungsstecker 25, dem Verbindungsanschluß 61, der flexiblen Leitung 24 und dem Leiterteil an dem Trägersub strat 2 betrieben, wodurch ein Lesevorgang herbeigeführt wird. Zugleich wird aus dem Verbindungsstecker 25 an die Lichtquelle ein Signal für die Ansteuerung des Leuchtele ments gesendet. Das Lesesignal wird aus dem Leiterteil des Trägersubstrats 2 über den Ausgangsverstärker-Schaltungsbau stein und über den Anschlußstecker 25 an das Wandlerhauptge häuse ausgegeben.
Wenn von einer Schaltung an dem Wandlerhauptgehäuse bzw. Hauptteil ein Bildlesebefehl erzeugt wird, werden die inte grierten Schaltungsbausteine 54 und 55 für die Ausgangsver stärkung und die Ansteuerung über einen Leitungsweg mit dem Verbindungsstecker 25, dem Verbindungsanschluß 61, der flexiblen Leitung 24 und dem Leiterteil an dem Trägersub strat 2 betrieben, wodurch ein Lesevorgang herbeigeführt wird. Zugleich wird aus dem Verbindungsstecker 25 an die Lichtquelle ein Signal für die Ansteuerung des Leuchtele ments gesendet. Das Lesesignal wird aus dem Leiterteil des Trägersubstrats 2 über den Ausgangsverstärker-Schaltungsbau stein und über den Anschlußstecker 25 an das Wandlerhauptge häuse ausgegeben.
Gemäß der vorstehenden Beschreibung ist der Verbindungs
stecker 25 für den Anschluß zum Wandlerhauptgehäuse nicht an
dem Trägersubstrat 2, sondern an der Lichtquelle 3 ange
bracht. Daher kann eine dynamische bzw. Krafteinwirkung auf
das Trägersubstrat 2 verringert werden und es wird vermie
den, daß die Beschaltung an dem Trägersubstrat 2 kompliziert
wird. Außerdem wird eine Verformung oder Versetzung des
Trägersubstrats 2 vermieden, wodurch eine genaue Ausrichtung
in bezug auf das Sensorsubstrat 1 erzielt wird und dadurch
eine fehlerhafte Funktion vermieden wird.
Der Verbindungsstecker könnte zwar auch an der Grundplatte
22 angeordnet werden, jedoch ist die vorstehend beschriebene
Anordnung vorteilhafter.
Unter Verwendung einer Sensoreinheit 100 mit dem vorstehend
beschriebenen Aufbau können verschiedenartige Geräte wie
Faksimilegeräte oder Bildleser gestaltet werden.
Die Fig. 7 zeigt als Bildverarbeitungsgerät mit Aufzeich
nungsfunktion ein Faksimilegerät mit Übertragungseinrichtun
gen, das unter Verwendung der Sensoreinheit 100 aufgebaut
ist.
Das Faksimilegerät enthält eine Zuführwalze 102 zum Zuführen
einer Vorlage 6 zu einer Lesestation, ein Trenn- bzw. Ver
einzelungsglied 104 zum zuverlässigen Trennen und aufeinan
derfolgenden Zuführen der Vorlagen und eine Gegenwalze 106
als Fördervorrichtung, die an der Lesestation der Sensorein
heit 100 gegenübergesetzt ist, die zu lesende Fläche der
Vorlage 6 ausrichtet und die Vorlage 6 transportiert.
Als Aufzeichnungsmaterial P ist nach Fig. 7 Rollenpapier
vorgesehen. Auf dem Aufzeichnungsmaterial P werden die
mittels der Sensoreinheit 100 gelesenen oder im Falle einer
Faksimileübertragung oder dergleichen die von außen her
übertragenen Bildinformationen aufgezeichnet. Als Aufzeich
nungskopf 110 für das Reproduzieren und/oder Aufzeichnen des
Bilds können verschiedenartige Köpfe wie ein Thermokopf oder
ein Tintenstrahl-Aufzeichnungskopf eingesetzt werden. Bei
spielsweise ist als Tintenstrahl-Aufzeichnungskopf ein Kopf
geeignet, aus dem eine Tinte unter Nutzung von Wärmeenergie
ausgestoßen wird. Dieser Aufzeichnungskopf kann ein Serien
aufzeichnungskopf oder ein Zeilenaufzeichnungskopf sein. Von
einer Schreibwalze 112 wird das Aufzeichnungsmaterial P zur
Aufzeichnungsstation an dem Aufzeichnungskopf 110 befördert
und die Aufzeichnungsfläche des Aufzeichnungsmaterials P
ausgerichtet.
Ein Bedienungsfeld 120 enthält Schalter für Betriebsein
gangssignale, einen Anzeigeabschnitt für die Anzeige einer
Nachricht oder eines Gerätezustands und dergleichen. Eine
Systemsteuerplatine 130 als Steuereinrichtung enthält eine
Steuereinheit für das Steuern der jeweiligen Abschnitte,
eine Ansteuerungseinheit für den Fotosensor, eine Prozessor
einheit für die Bildinformationen, eine Sende/Empfangsein
heit und dergleichen. Das Gerät enthält ferner einer Strom
quelle 140.
Bei dem vorstehend beschriebenen Beispiel bzw. dem vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispiel ist
kein optisches System zwischen den fotoelektrischen Wandler
und die Vorlage 6 eingefügt, so daß die Vorlage in Berührung
mit dem Wandler oder nahe an diesem gelesen wird. Es kann
jedoch auch auf wirkungsvolle Weise eine Anordnung gewählt
werden, bei der das Informationslicht, nämlich das von einer
Vorlagenfläche reflektierte Licht über ein optisches System
auf dem Lichtempfangselement abgebildet wird.
D. h., der Wandler kann auf einfache Weise
auch bei einer Anordnung gewählt werden, bei der gemäß Fig.
8 zwischen ein lichtdurchlässiges Sensorsubstrat 1 und eine
Vorlage 6 ein optisches System 8 wie eine fokussierende
Lichtleiterzeile oder Faserplatte gesetzt ist.
Bei dem zuvor beschriebenen Beispiel bzw. dem vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispiel ist
als vorzugsweise gewählte Gestaltung der Leiterteil an dem
lichtdurchlässigen Trägersubstrat 2 ausgebildet. Der Leiter
teil kann jedoch auch an einem anderen Element ausgebildet
werden. In diesem Fall können die Beschaltungsleiter mittels
einer flexiblen Leitung direkt von dem lichtdurchlässigen
Sensorsubstrat herausgeführt werden.
Gemäß der vorstehenden Beschreibung wird bei dem Beispiel und
ersten Ausführungsbeispiel das Beleuchtungslicht durch das
durchlässige Trägersubstrat hindurch übertragen. Daher ist
der Freiheitsgrad hinsichtlich der Lageanordnung der Licht
quelle verbessert, d. h., die Lichtquelle kann an der unteren
Fläche des durchlässigen Trägersubstrats angeordnet werden.
Infolgedessen kann ein mit dem fotoelektrischen Wandler
ausgestattetes Gerät kompakter gestaltet werden.
Bei den vorstehend beschriebenen Anordnungen wird das Infor
mationslicht nicht durch das Trägersubstrat und das Sensor
substrat hindurch geleitet. Da infolgedessen weder ein
Lichtmengenverlust noch eine Streuung des Informationslichts
auftritt, ist das Nutzsignal/Störsignal-Verhältnis bzw. der
Störabstand verbessert, so daß ein hohes Sensorausgangssig
nal erzielt wird.
Da in dem Lichtwegabschnitt für das Beleuchtungslicht
zwischen dem durchlässigen Trägersubstrat und dem durchläs
sigen Sensorsubstrat die Luftschicht gebildet ist, erübrigt
sich ein Schritt zum Entfernen von Bläschen aus der Klebe
mittelschicht, so daß der Herstellungsprozeß vereinfacht ist
und dadurch die Herstellungskosten verringert sind.
Da außerdem beispielsweise ein farbiges Klebemittel ohne
Beachtung von dessen Durchlässigkeit oder Undurchlässigkeit
verwendet werden kann, ist der Freiheitsgrad hinsichtlich
der Wahl des Klebemittels verbessert.
Da ferner das Klebemittel in Teilen aufgebracht und gehärtet
wird, kann durch die Elastizität des Klebemittels eine
mechanische Spannung selbst dann vermindert werden, wenn die
Wärmeausdehnungskoeffizienten des Trägersubstrats und des
Sensorsubstrats voneinander verschieden sind.
Nachstehend wird anhand der Zeichnung der fotoelektrische
Wandler gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel ausführlich
beschrieben.
Die Fig. 9 ist eine Schnittansicht, die einen Abschnitt um
einen Endbereich des Wandlers gemäß dem zweiten Ausführungs
beispiel herum zeigt. Eine (nachfolgend beschriebene) Licht
abfangschicht 7 ist in Fig. 9 nicht dargestellt. Nach Fig. 9
hat ein lichtdurchlässiges Sensorsubstrat 1 eine Fotosensor
anordnung, die in einem Halbleiterprozeß oder dergleichen
auf einem Substrat aus beispielsweise Quarzglas oder Borsi
likatglas mit Lichtdurchlässigkeit und Isolationseigenschaf
ten ausgebildet ist. Ein lichtdurchlässiges Trägersubstrat 2
(als Träger-Leiterplatte) hat einen Leiterteil 4 aus bei
spielsweise Ag, Ag-Pd, Ag-Pt oder Au, das in einem Dickfilm-
Druckverfahren geformt ist, oder aus beispielsweise Al, Cu,
Mo oder ITO, das durch Fotolithografie geformt ist, auf
einem Grundmaterial aus beispielsweise Quarzglas, Borsili
katglas, Natronglas oder Acryl mit Lichtdurchlässigkeit und
Isolationseigenschaften (wobei auch ein Schutzfilm aus SiO2
oder dergleichen zum Verhindern von Lösen oder Diffundieren
eines Alkalielements vorgesehen sein kann). Als Grundmateria
lien für diese Substrate werden Materialien mit nahe anein
anderliegenden Wärmeausdehnungskoeffizienten verwendet.
Der Leiterteil 4 verbindet einen Sensorteil mit einem (nicht
gezeigten) Ansteuerungsteil. Das Sensorsubstrat 1 wird
mittels einer Klebemittelschicht 5 auf das Trägersubstrat 2
geklebt. Vorzugsweise Beispiele für die Klebemittelschicht 5
sind lichtdurchlässige Klebemittel auf Silicon-, Acryl- und
Epoxy-Basis, die bei Raumtemperatur, durch Wärme oder durch
Licht gehärtet werden. Die Klebemittelschicht 5 besteht aus
einem Material mit einem Wärmeausdehnungskoeffizienten, der
nahe an denjenigen der Grundmaterialien für das Sensorsub
strat 1 und das Trägersubstrat 2 liegt, und wird zum Zusam
menkleben der Substrate 1 und 2 an den beiden Endabschnitten
des fotoelektrischen Wandlers in dessen Längsrichtung aufge
bracht.
Das Sensorsubstrat 1 und der Leiterteil 4 des Trägersub
strats 2 werden elektrisch durch Bonden bzw. Drahtverbin
dung, Löten oder dergleichen verbunden.
Beleuchtungslicht L aus einer Lichtquelle 3 wie einer
Leuchtdiode wird durch das Trägersubstrat 2 und das Sensor
substrat 1 hindurch auf eine Vorlage 6 aufgestrahlt, während
von der Vorlage 6 reflektiertes Informationslicht auf das
Lichtempfangselement an dem Sensorsubstrat 1 fällt und vom
Lichtempfangselement als Bildsignal ausgegeben wird.
Da bei diesem Ausführungsbeispiel das Informationslicht von
dem Fotosensor aufgenommen wird, ohne daß es durch das
Trägersubstrat 2 und das Sensorsubstrat 1 durchgeleitet
wird, ist der Störabstand nicht durch Lichtmengenverlust
oder Streulichtkomponenten verringert. Bei diesem Ausfüh
rungsbeispiel können das Sensorsubstrat 1 und das Trägersub
strat 2 als voneinander unabhängige Teile behandelt werden,
nämlich in voneinander unabhängigen Schritten hergestellt
werden. Daher müssen die Herstellungsschritte nicht aufein
ander abgestimmt werden und es können in getrennten Prüf
schritten nur einwandfreie Produkte herausgegriffen werden,
wodurch die Gesamtausbeute verbessert ist. Da an dem Grund
material des Substrats 1 nur der Fotosensorteil angeordnet
ist, kann aus einem Grundmaterial mit einer bestimmten
Fläche eine Vielzahl von Substraten 1 gleichzeitig herge
stellt werden, wodurch die Herstellungskosten verringert
sind. An dem Trägersubstrat 2 können außer dem Leiterteil 4
ein integrierter Schaltungsbaustein zur Ansteuerung, ein
integrierter Schaltungsbaustein zur Ausgangsverstärkung und
dergleichen angebracht werden. In diesem Fall können die
Herstellungskosten weiter verringert werden. Wenn die Licht
quelle 3 an der unteren Fläche des Trägersubstrats 2 ange
bracht wird, können dadurch die Abmessungen der Einheit
weiter verringert werden.
D. h., da bei diesem Ausführungsbeispiel das Beleuchtungs
licht durch das durchlässige Trägersubstrat hindurch gelei
tet wird, ist der Freiheitsgrad hinsichtlich der Lageanord
nung der Lichtquelle verbessert, d. h., die Lichtquelle kann
an der Unterseite des durchlässigen Trägersubstrats angeord
net werden. Infolgedessen kann ein mit diesem fotoelektri
schen Wandler ausgestattetes Gerät kompakter gestaltet
werden.
Da das Informationslicht nicht durch das Trägersubstrat und
das Sensorsubstrat hindurchgeleitet wird, tritt weder ein
Lichtmengenverlust noch eine Streuung des Informationslichts
auf. Daher ist der Störabstand verbessert, so daß ein hohes
Sensorausgangssignal erreicht wird.
Bei diesem Ausführungsbeispiel werden für das Trägersubstrat
und das Sensorsubstrat Grundmaterialien mit nahe aneinander
liegenden Wärmeausdehnungskoeffizienten verwendet. Da daher
bei dem Verbinden der beiden Substrate entstehende mechani
sche Spannungen vermindert werden können, werden die Sub
strate kaum verworfen oder gespalten.
Da darüberhinaus der Leiterteil an dem durchlässigen Träger
substrat 2 ausgebildet wird, kann der Wandler kompakt ge
staltet werden. Falls der Leiterteil zwischen dem Trägersub
strat und dem Sensorsubstrat gebildet wird, kann der Wandler
noch kompakter gestaltet werden.
Die Fig. 10A und 10B sind eine auseinandergezogen darge
stellte perspektivische Ansicht des Wandlers gemäß diesem
Ausführungsbeispiel bzw. eine Schnittansicht des Hauptteils
desselben. In Fig. 10A ist eine an Abschnitten nahe den
beiden Enden des Wandlers gebildete Klebemittelschicht 5
nicht dargestellt.
Gemäß Fig. 10A und 10B ist zwischen einem lichtdurchlässigen
Trägersubstrat 2 und einem lichtdurchlässigen Sensorsubstrat
1 eine Lichtabfangschicht 7 gebildet. Die Lichtabfangschicht
7 ist um einen schlitzförmigen bzw. spaltförmigen Fensterbe
reich 7A herum angeordnet, der einem optischen Weg L ent
sprechend auf geeignete Weise festgelegt ist. Die Lichtab
fangschicht 7 kann im gleichen Prozeß und unter Verwendung
des gleichen metallischen Materials wie ein Leiterteil 4
oder in einem Siebdruckverfahren, einem Auftrageverfahren
oder dergleichen unter Verwendung eines lichtundurchlässigen
leitenden Harzes geformt werden. Alternativ kann ein licht
undurchlässiges leitendes Material als Klebemittel für das
Zusammenkleben des Trägersubstrats 2 mit dem Sensorsubstrat
1 verwendet werden, wodurch die Lichtabfangschicht 7 gebil
det wird. In diesem Fall erübrigt sich ein Schritt zum
Bilden der Klebemittelschicht 5.
Die Lichtabfangschicht 7 gemäß der vorstehenden Beschreibung
wird auf dem Bereich des Trägersubstrats 2 außerhalb des
optischen Weges des Beleuchtungslichts L gebildet und umfaßt
den schlitzförmigen Fensterbereich 7A für das Durchlassen
des Lichts. Dieser schlitzförmige Fensterbereich kann als
ein Spalt belassen werden oder mit einem lichtdurchlässigen
Harz gefüllt werden. Alternativ kann in dem schlitzförmigen
Fensterbereich ein Klebemittel mit Lichtdurchlässigkeit für
das Zusammenkleben der beiden Substrate 1 und 2 aufgebracht
werden. In diesem Fall wird als Klebemittel vorzugsweise ein
Material mit einem optischen Brechungsindex verwendet, der
nahe an demjenigen der Substrate 1 und 2 liegt.
In einem jeden Fall kann mit der in den Fig. 10A und 10B
gezeigten Gestaltung zusätzlich zu den vorstehend anhand der
Fig. 9 beschriebenen grundlegenden Wirkungen die Auflösung
bzw. Trennschärfe eines Ausgangssignals verbessert werden,
da die Lichtabfangschicht 7 von dem Beleuchtungslicht aus
der Lichtquelle das Streulicht, das Störsignale in einem
ausgegebenen Signal hervorrufen würde, wie beispielsweise
ungleichmäßige Reflexionskomponenten aus dem Trägersubstrat
2 abfängt.
Gemäß der nachfolgenden Beschreibung kann eine aus einem
leitenden Material gebildete Lichtabfangschicht 7 auch als
elektrische Abschirmung gegen Störsignale dienen.
Der Querschnittsaufbau des Substrats 1 des fotoelektrischen
Wandlers gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel ist dem in
Fig. 4 gezeigten gleichartig.
Nach Fig. 4 werden an einem Substrat 1' aus Glas oder der
gleichen mit Lichtdurchlässigkeit ein Matrixleiterteil 9,
ein Beleuchtungsfenster 10, ein Lichtempfangselement 11, ein
Ladungsspeicherteil bzw. Kondensatorteil 12 und ein Dünn
film-Schalttransistor 13 für das Übertragen von gespeicher
ter Ladung unter einer gewählten Zeitsteuerung integriert
ausgebildet, die zusammen einen Fotosensor bilden. Das
durchlässige Sensorsubstrat 1 mit dieser Gestaltung wird
über eine Klebemittelschicht und/oder eine Lichtabfang
schicht (mit einem Fenster im Lichtwegbereich) an einem
durchlässigen Trägersubstrat 2 festgelegt. Diese Teile
können im gleichen Herstellungsprozeß geformt werden. Ein
jeder Abschnitt ist aus einer unteren Elektrode 15 als
Lichtabfangschicht des Sensorteils, die aus Cr auf dem
Grundmaterial gebildet ist, einer darauf gebildeten Isolier
schicht 16 aus hydriertem Siliciumnitrid (SiNx: H), einer
darauf gebildeten Halbleiterschicht 17 aus hydriertem amor
phem Silicium (a-Si: H), einer darauf gebildeten ohmschen
Schicht 18 aus n+-a-Si: H und einer darauf gebildeten oberen
Elektrode 19 aus Al oder dergleichen zusammengesetzt.
Der Fotosensorteil mit dem vorstehend beschriebenen Aufbau
ist durch eine Passivierungsschicht 20 abgedeckt, auf der
mittels einer Klebemittelschicht 21 eine dünne Glasplatte 14
in einer Dicke von beispielsweise 50 µm angebracht ist. An
der Glasplatte 14 wird in Gleitberührung hierzu eine Vorlage
6 vorbeigeführt. Die Glasplatte 14 dient als Abstandshalte
schicht für das Konstanthalten eines Abstands zwischen dem
Lichtempfangselement 11 und der Vorlage 6 sowie auch als
Abriebschutzschicht.
Bei dieser Anordnung wird das von der Unterseite des Träger
substrats 2 her aufgestrahlte Beleuchtungslicht L durch das
Trägersubstrat 2 und das Sensorsubstrat 1 durchgelassen und
damit durch das Beleuchtungsfenster 10 hindurch die Vorlage
6 an der Glasplatte 14 ausgeleuchtet. Das von der Vorlage 6
reflektierte Informationslicht L' fällt auf das Lichtemp
fangselement 11.
Eine Darstellung, die ausführlich den Aufbau des fotoelek
trischen Wandlers als eine Einheit mit der vorstehend
beschriebenen grundlegenden Gestaltung zeigt, ist die glei
che wie die in Fig. 5 und Fig. 6A bis 6E gezeigte.
Gemäß den Fig. 5 und 6A bis 6E wird ein Sensorsubstrat 1 an
einem Trägersubstrat 2 angeklebt und festgelegt, welches an
einer Grundplatte 22 befestigt und mittels einer Integrati
onsschaltungs-Abdeckung 23 angedrückt wird. An der Untersei
te der Grundplatte 22 wird eine Lichtquelle 3 befestigt. Ein
Bildsignal kann aus der Einheit über eine flexible Leitung
24 und einen Verbindungsstecker 25 ausgegeben werden.
Die Fig. 11A und 11B sind Ansichten zur Erläuterung der
Funktion der ein Merkmal des zweiten Ausführungsbeispiels
darstellenden Lichtabfangschicht 7 aus leitendem Material
als elektrische Abschirmschicht.
Die Lichtabfangschicht 7 kann auf das durchlässige Träger
substrat 2 als Dünnfilm aus beispielsweise Al, Cr, Ta oder
Ti oder als leitende Paste aus beispielsweise Ag oder Koh
lenstoff aufgebracht werden. Ein Abschirmungseffekt kann
dadurch erreicht werden, daß die leitfähige Lichtabfang
schicht 7 auf einem konstanten Potential gehalten wird. Als
Lichtquelle 3 kann eine Leuchtdiode, eine Entladungsröhre
wie eine EX-Röhre, eine Elektroluminiszenzröhre, eine Fluo
reszenzröhre oder dergleichen verwendet werden. Insbesondere
dann, wenn eine Entladungsröhre verwendet wird, werden von
der Lichtquelle Strahlungsstörkomponenten erzeugt, da die
Röhre mit einer hohen Hochfrequenzspannung betrieben wird.
Die Abschirmung gemäß diesem Ausführungsbeispiel ist auch in
diesem Fall wirksam. Gemäß Fig. 11A und 11B wird mittels
einer Masseleitung 26 die Spannung an der Lichtabfangschicht
7 auf Massepotential herabgesetzt.
Mit der Gestaltung gemäß diesem Ausführungsbeispiel kann
eine gute Abschirmwirkung ohne Berücksichtigung einer Ein
wirkung auf eine Grundplatte bei dem Vorbeilauf von Papier
erreicht werden. Bei der Anordnung gemäß diesem Ausführungs
beispiel muß das Material der Grundplatte nicht leitend
sein, sondern kann isolierend sein. Daher ist der Bereich
für ein wählbares Grundplattenmaterial erweitert, so daß ein
isolierendes Harz oder dergleichen gewählt werden kann.
Mit der Sensoreinheit 100 mit der vorstehend beschriebenen
Gestaltung können verschiedenartige Geräte wie Faksimilege
räte und Bildlesegeräte aufgebaut werden. Ein Bildverarbei
tungsgerät wie beispielsweise ein Faksimilegerät mit der
Sensoreinheit 100 gemäß diesem Ausführungsbeispiel ist dem
in Fig. 7 gezeigten gleichartig. Bei diesem Ausführungsbei
spiel ist jedoch die Masseleitung 26 mit einer Masseleitung
des Hauptgehäuses gemeinsam elektrisch verbunden und geer
det.
Bezüglich eines solchen Potentialhalteverfahrens kann die
Masseleitung 26 elektrisch mit einer Masseleitung einer
integrierten Schaltung für die Ansteuerung oder Signalverar
beitung, mit einem Abschirmleiter eines fotoelektrischen
Wandlerelements und dergleichen und mit der Masseleitung am
Hauptgehäuse verbunden sein.
Alternativ kann zum Erden eines unter der dünnen Glasplatte
14 des Sensorsubstrats 1 gebildeten lichtdurchlässigen lei
tenden Films zum Abschirmen von statischer Elektrizität die
Masseleitung 26 über die Integrationsschaltungs-Abdeckung 23
geerdet werden.
Gemäß der vorstehenden Beschreibung wird bei diesem Ausfüh
rungsbeispiel das Beleuchtungslicht durch das durchlässige
Trägersubstrat hindurch geleitet. Daher ist der Freiheits
grad hinsichtlich der Anordnung der Lichtquelle verbessert,
d. h., die Lichtquelle kann an der Unterseite des durchsich
tigen Trägersubstrats angeordnet werden. Infolgedessen kann
ein mit diesem fotoelektrischen Wandler ausgestattetes Gerät
kompakter gestaltet werden.
Da das Informationslicht nicht durch das Trägersubstrat und
das Sensorsubstrat hindurch gelangt, tritt weder ein Licht
mengenverlust noch eine Streuung des Informationslichts auf.
Daher ist der Störabstand verbessert und es wird ein hohes
Sensorausgangssignal erzielt.
Bei diesem Ausführungsbeispiel fängt die Lichtabfangschicht
von dem Beleuchtungslicht aus der Lichtquelle das Streu
licht, das Störsignale in einem Ausgangssignal hervorrufen
könnte, wie beispielsweise ungleichmäßige Reflexionskompo
nenten aus dem durchlässigen Trägersubstrat ab, wodurch die
Auflösung bzw. Trennschärfe des Ausgangssignals verbessert
ist.
Außerdem wird die Lichtabfangschicht an dem Trägersubstrat
aus einem leitenden Material gebildet, so daß sie auch als
elektrische Abschirmung wirkt. Daher kann eine brauchbare
Abschirmwirkung ohne Berücksichtigung einer Einwirkung von
statischer Elektrizität erzielt werden, die durch das Vor
beilaufen von Papier an der Grundplatte entsteht.
Da darüberhinaus die Grundplatte nicht leitend sein muß,
sondern isolierend sein kann, ist der Bereich von für die
Grundplatte wählbarem Material erweitert.
Der fotoelektrische Wandler gemäß dem dritten Ausführungs
beispiel ist der gleiche wie der in Fig. 9 dargestellte.
Daher bezeichnen gleiche Bezugszeichen wie in Fig. 9 die
gleichen Teile, deren ausführliche Beschreibung sich erüb
rigt.
Bei diesem Ausführungsbeispiel ist an einem Substrat 2 ein
Lichteinstellmuster bzw. Lichteinstellabschnitt ausgebildet, das bzw. der nachfolgend anhand der
Fig. 12A, 12H, 13A und 13B beschrieben wird.
Eine auseinandergezogen dargestellte perspektivische Ansicht
und eine Schnittansicht des fotoelektrischen Wandlers gemäß
diesem Ausführungsbeispiel sind die gleichen wie die in Fig.
3A und 3B gezeigten. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist
jedoch zwischen einem lichtdurchlässigen Trägersubstrat 2
und einem lichtdurchlässigen Sensorsubstrat 1 eine Lichtab
fangschicht 7 gebildet.
Die Lichtabfangschicht 7 ist um einen schlitzförmigen Fen
sterbereich 7A herum angeordnet, der auf geeignete Weise
entsprechend einem optischen Weg L festgelegt wird. Die
Lichtabfangschicht 7 kann in dem gleichen Prozeß und aus dem
gleichen metallischen Material wie ein Leiterteil 4 oder
nach einem Siebdruckverfahren oder Auftrageverfahren aus
einem lichtundurchlässigen Harz geformt sein. Alternativ
kann als Lichtabfangschicht 7 ein undurchlässiges Klebemit
tel für das Zusammenkleben des Trägersubstrats 2 mit dem
Sensorsubstrat 1 verwendet werden. In diesem Fall erübrigt
sich ein Schritt zum zusätzlichen Aufbringen eines Klebemit
tels.
Die vorstehend beschriebene Lichtabfangschicht 7 wird an
einem Bereich des Trägersubstrats 2 außerhalb des optischen
Weges für Beleuchtungslicht L gebildet und umfaßt einen
schlitzförmigen Fensterbereich für das Durchlassen von
Licht. Dieser schlitzförmige Fensterbereich kann als Spalt
belassen werden oder mit einem lichtdurchlässigen Harz
gefüllt werden. An einem dem Fensterbereich entsprechenden
Bereich des Trägersubstrats 2 wird ein Lichteinstellabschnitt
zur Abschattungskorrektur und dergleichen gebildet, wie es
nachfolgend anhand der Fig. 12A bis 13B beschrieben ist.
In einem jeden Fall wird zusätzlich zu den vorstehend be
schriebenen Funktionen von der Lichtabfangschicht 7 aus dem
Licht der Lichtquelle das Streulicht, das Störsignale in
einem Ausgangssignal hervorrufen würde, nämlich das durch
die ungleichmäßige Reflexion durch das Trägersubstrat 2
hervorgerufene Komponentenlicht ausgeblendet, wodurch die
Auflösung bzw. Trennschärfe des Ausgangssignals verbessert
wird.
Der Querschnittsaufbau des Wandlers gemäß diesem Ausfüh
rungsbeispiel ist im einzelnen dem in Fig. 4 gezeigten
gleichartig, so daß sich eine ausführliche Beschreibung
erübrigt.
Bei dieser Anordnung wird Beleuchtungslicht L von der Unter
seite eines durchlässigen Trägersubstrats 2 her aufge
strahlt, durch das Trägersubstrat 2 und ein Sensorsubstrat 1
hindurchgelassen und durch ein Beleuchtungsfenster 10 hin
durch auf eine Vorlage 6 an einer dünnen Glasplatte 14
gerichtet. Von der Vorlage 6 reflektiertes Informationslicht
L' fällt auf ein Lichtempfangselement 11. Der fotoelektri
sche Wandler wird gemäß der Beschreibung anhand der Fig. 5
und 6A bis 6E zu einer Einheit zusammengebaut.
Die Fig. 12A und 12B zeigen ausführlich eine Anordnung eines
Lichteinstellabschnitteils, die bei der Gestaltung dieses
Ausführungsbeispiels angewandt werden kann. Bei dieser
Anordnung ist an einem lichtdurchlässigen Trägersubstrat 2
in einem Bereich 26 im optischen Weg des Beleuchtungslichts
ein Lichtabgleichmuster bzw. Lichteinstelabschnitt 26A gebil
det, während zugleich aus dem gleichen Material ein Leiter
teil 4 geformt wird. Der Lichteinstellmuster-Teil 26 wird
dadurch gebildet, daß ein Dünnfilm aus beispielsweise Al,
Cr, Ta oder Ti oder ein Dickfilm-Elektrodendruckmaterial
einer leitenden Paste (z. H. Ag oder Kohlenstoff) verwendet
wird und auf angepaßte Weise die Dichte, das Format, der
Teilungsabstand und dergleichen des Musters entsprechend
Lichtmengenabweichungen einer Lichtquelle 3 (z. B. einer
Leuchtdiode, einer EX-Röhre, einer Fluoreszenzröhre, einer
Elektroluminiszenzröhre oder dergleichen) derart festgelegt
wird, daß die Beleuchtungsverteilung an der Vorlagenfläche
gleichförmig wird. Bei dieser Gestaltung werden kreisförmi
ge Muster derart angeordnet, daß an den Endbereichen kleine
Kreise liegen, während im mittleren Bereich große Kreise
angeordnet sind.
Die Fig. 13A und 13B zeigen ausführlich eine andere Gestal
tung des Lichteinstellabschnitts. Bei dieser Gestaltung er
streckt sich ein Leiterteil 4 an einem lichtdurchlässigen
Trägersubstrat 2 quer zum optischen Weg für das Beleuch
tungslicht, während an dem Lichtwegbereich des Leiterteils 4
ein Lichteinstellabschnitt 46 durch Festlegen seiner Linien
breite entsprechend einer Lichtmengenverteilung einer Licht
quelle gebildet ist. Ein Lichteinstellmuster bzw. -abschnitt 27 ist als
Blind-Leitermuster an dem Lichtwegbereich außerhalb des
Lichteinstellmuster-Bereichs 46 des Leiterteils 4 ausgebil
det.
Die Fig. 14 zeigt eine Lichtmengenverteilung, die nach dem
Abschatten erzielt wird, wenn der Lichteinstellabschnitt gemäß
Fig. 12A und 12B oder 13A und 13B gebildet wird, und eine
Lichtmengenverteilung, die vor dem Abschatten erzielt wird,
wenn kein derartiges Muster gebildet wird.
Aus der Fig. 14 ist ersichtlich, daß dann, wenn der Licht
einstellabschnitt gebildet wird, über den ganzen Bereich der
Anordnung des fotoelektrischen Wandlerelements (der Senso
renbits) eine sehr gleichförmige Lichtmengenverteilung
erzielt wird. Daher wird die Vorlagenfläche mit gleichförmi
gem Beleuchtungslicht ausgeleuchtet, wodurch die Qualität
eines gelesenen Bilds verbessert wird.
Die Sensoreinheit 100 mit diesem Aufbau kann in verschiede
nartigen Geräten wie Faksimilegeräten oder Bildlesegeräten
eingesetzt werden.
Die Gestaltung eines Bildverarbeitungsgeräts wie beispiels
weise eines Faksimilegeräts mit der Sensoreinheit 100 gemäß
diesem Ausführungsbeispiel ist im einzelnen die gleiche wie
die in Fig. 7 gezeigte.
Bei dem vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispiel ist
zwischen den fotoelektrischen Wandler und die Vorlage 6 kein
optisches System eingefügt, so daß die Vorlage in Berührung
mit dem Wandler bzw. nahe an diesem gelesen wird. Die glei
che Gestaltung kann jedoch auf zweckdienliche Weise auch bei
einer Anordnung angewandt werden, bei der das Informations
licht, nämlich das von der Vorlagenfläche reflektierte Licht
durch ein optisches System auf dem Lichtempfangselement
abgebildet wird.
Gemäß der vorstehenden Beschreibung wird bei diesem Ausfüh
rungsbeispiel das Beleuchtungslicht durch das lichtdurchläs
sige Trägersubstrat hindurch geleitet. Daher ist der Frei
heitsgrad hinsichtlich der Anordnung der Lichtquelle verbes
sert, d. h., die Lichtquelle kann an der Unterseite des
durchlässigen Trägersubstrats angeordnet werden. Infolgedes
sen kann ein mit diesem fotoelektrischen Wandler ausgestat
tetes Gerät kompakter gestaltet werden.
Da das Informationslicht nicht durch das Trägersubstrat und
das Sensorsubstrat hindurch geführt wird, tritt weder ein
Lichtmengenverlust noch eine Streuung des Informationslichts
auf. Daher wird der Störabstand verbessert und ein höheres
Sensorausgangssignal erzielt.
Bei dem Ausführungsbeispiel wird der Lichteinstellabschnitteil
an dem durchlässigen Substrat im gleichen Schritt und mit
dem gleichen Material wie der Leiterteil gebildet. Daher muß
kein Lichtfänger als zusätzlicher Teil geformt bzw. kein
Schritt zum Zusammenbauen für diesen Zweck ausgeführt wer
den. Infolgedessen können die Abmessungen und die Herstel
lungskosten des Wandlers verringert werden.
Da der Lichteinstellabschnitt an dem lichtdurchlässigen Träger
substrat unter Nutzung des Leiterteils ausgebildet werden
kann, kann der Wandler kompakter gestaltet werden und zu
gleich der Freiheitsgrad hinsichtlich der Auslegung der
Anordnung eines integrierten Schaltungsbausteins oder der
gleichen verbessert werden.
Bei diesem Ausführungsbeispiel ist zwischen den fotoelektri
schen Wandler und die Vorlage 6 kein optisches System einge
fügt, so daß die Vorlage in Berührung mit oder nahe an dem
Wandler gelesen wird. Die beschriebene Gestaltung kann
jedoch auch auf wirkungsvolle Weise bei einer Anordnung
angewandt werden, bei der das Informationslicht, nämlich das
von der Vorlagenfläche reflektierte Licht über ein optisches
System auf dem Lichtempfangselement abgebildet wird.
D. h., die Gestaltung kann auf einfache
Weise bei einer Anordnung angewandt werden, bei der gemäß
der vorangehend beschriebenen Fig. 8 oder gemäß Fig. 15
zwischen ein lichtdurchlässiges Sensorsubstrat 1 und eine
Vorlage 6 ein optisches System 8 wie eine fokussierende
Lichtleiterzeile oder eine Faserplatte gesetzt ist.
Gemäß der vorstehenden Beschreibung wird das
Beleuchtungslicht durch das Trägersubstrat mit Lichtdurch
lässigkeit hindurchgeführt. Daher ist der Freiheitsgrad
hinsichtlich der Anordnung der Lichtquelle verbessert, d. h.,
die Lichtquelle kann an der unteren Fläche des lichtdurch
lässigen Trägersubstrats angeordnet werden. Infolgedessen
kann ein mit diesem fotoelektrischen Wandler versehenes
Gerät kompakter gestaltet werden.
Da das Informationslicht nicht durch das Trägersubstrat und
das Sensorsubstrat hindurch geleitet wird, entsteht weder
ein Lichtmengenverlust noch eine Streuung des Informations
lichts. Daher ist das Nutzsignal/Störsignal-Verhältnis bzw.
der Störabstand verbessert, um ein hohes Sensorausgangssig
nal zu erreichen.
Ein fotoelektrischer Wandler enthält ein lichtdurchlässiges
Substrat mit einem fotoelektrischen Wandlerelement an der
Fläche, die einer Vorlage für das Lesen von Bildinformatio
nen zugewandt ist, einen lichtdurchlässigen Träger für das
Halten des Substrats und eine Lichtquelle an der der Sub
strathaltefläche gegenüberliegenden Fläche des Trägers. Das
von der Lichtquelle abgegebene Licht wird durch den Träger
und das Substrat hindurch auf die Vorlage gestrahlt und das
reflektierte Licht wird von dem fotoelektrischen Wandlerele
ment aufgenommen.
Claims (18)
1. Fotoelektrischer Wandler bestehend aus
- a) einer Wandlervorrichtung mit
einem ersten Substrat (1), das transparent und isolierend ist;
einem zweiten Substrat (2), das transparent, isolierend und größer als das erste Substrat (1) ist, und sich an der Unterseite des ersten Substrats (1) befindet; und
fotoelektrischen Wandlerelementen (11), die sich auf der Oberseite des ersten Substrats (1) befinden; - b) einer unterhalb einer Unterseite des zweiten Substrats (2) angeordneten Lichtquelle (3), die Licht (L) durch das erste und zweite Substrat (1, 2) auf ein Original (6) abstrahlt, wobei ein an der Oberfläche des Originals (6) reflektiertes Licht (L') auf die fotoelektrischen Wandlerelemente (11) fällt; und
- c) ein auf einer Oberseite des zweiten Substrats (2) ausgebildetes Leiterteil (4), das mit den fotoelektrischen Wandlerelementen (11) und mit einer externen Schaltung (54, 55) elektrisch verbunden ist, wobei das Leiterteil (4) zum Festlegen eines Strahlengangs für das Licht (L) einen Lichteinstellabschnitt (46) aufweist.
2. Wandler nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
an dem zweiten Substrat (2) ein Leiterteil für das elek
trische Verbinden des fotoelektrischen Wandlerelementes
(11) mit einer Schaltung für die Ansteuerung des Wandler
elementes gebildet ist.
3. Wandler nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet, daß
zumindest ein Teil des Leiterteils an dem zweiten Sub
strat (2) zwischen dem ersten und dem zweiten Substrat
(1, 2) angeordnet ist.
4. Wandler nach Anspruch 2 oder 3,
dadurch gekennzeichnet, daß
die fotoelektrische Wandlervorrichtung einen Lichtein
stellteil (26) aufweist, der zumindest zum Teil unter
Verwendung des gleichen Materials wie das Leiterteil ge
bildet ist.
5. Wandler nach Anspruch 4,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Lichteinstellteil (26) im gleichen Schritt wie das
Leiterteil zu einem Muster geformt ist.
6. Wandler nach Anspruch 4 oder 5,
dadurch gekennzeichnet, daß
zumindest ein Teil des Leiterteils zugleich als Lichtein
stellteil (26) verwendet ist.
7. Wandler nach einem der Ansprüche 4 bis 6,
dadurch gekennzeichnet, daß
zwischen dem ersten und dem zweiten Substrat (1, 2) außer
an dem Lichtwegbereich für das von der Lichtquelle (3)
abgegebene Licht ein Lichtabfangteil (7) gebildet ist.
8. Wandler nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
zwischen dem ersten und dem zweiten Substrat (1, 2) ein
sowohl als Lichtabfangtell (7) als auch als Lichtein
stellteil (26) dienendes Element gebildet ist.
9. Wandler nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
zwischen dem ersten und dem zweiten Substrat (1, 2) ein
Lichteinstellteil gebildet ist.
10. Wandler nach Anspruch 1,
gekennzeichnet durch
einen Lichtabschirmteil und einen Lichteinstellteil, die
aus dem gleichen Material gebildet sind.
11. Wandler nach Anspruch 10,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Lichteinstellteil zu einem Muster für das Ausgleichen
von Lichtmengenabweichungen geformt ist.
12. Wandler nach einem der Ansprüche 1 bis 11,
dadurch gekennzeichnet, daß
in einem Lichtwegbereich für das von der Lichtquelle (3)
abgegebene Licht zwischen dem ersten und dem zweiten
Substrat (1, 2) ein Spalt (5A; 7A) gebildet ist.
13. Wandler nach Anspruch 12,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Spalt (5A) durch das Einfügen einer Klebeschicht (5)
zwischen das erste und das zweite Substrat (1, 2) außer
an dem Lichtwegbereich gebildet ist.
14. Wandler nach Anspruch 12,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Spalt (7A) durch einen Lichtabfangtell (7) gebildet
ist.
15. Wandler nach einem der Ansprüche 1 bis 14,
dadurch gekennzeichnet, daß
auf dem fotoelektrischen Wandlerelemente (11) eine Ab
standshalteschicht (14) gebildet ist, mit deren Oberflä
che die Vorlage (6) in Berührung gehalten wird.
16. Wandler nach einem der Ansprüche 1 bis 15,
dadurch gekennzeichnet, daß
auf dem zweiten Substrat (2) eine integrierte Halbleiter
schaltung für die Ansteuerung des fotoelektrischen Wand
lerelementes (11) gebildet ist.
17. Wandler nach Anspruch 16,
dadurch gekennzeichnet, daß
die integrierte Halbleiterschaltung ein Signal für das
Ansteuern eines Treiberschalters für das
fotoelektrische Wandlerelemente abgibt.
18. Wandler nach Anspruch 16 oder 17,
dadurch gekennzeichnet, daß
die integrierte Halbleiterschaltung an einem Randbereich
des zweiten Substrats (2) gebildet ist.
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1039365A JP2854593B2 (ja) | 1989-02-21 | 1989-02-21 | 光電変換装置および画像処理装置 |
JP1039364A JPH02219358A (ja) | 1989-02-21 | 1989-02-21 | 光電変換装置 |
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---|---|---|---|---|
US5517329A (en) * | 1990-06-29 | 1996-05-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Contact-type image sensor having an adhesive elastic layer therein |
JP3118016B2 (ja) * | 1990-07-06 | 2000-12-18 | 株式会社リコー | 画像読み取り装置 |
EP0520430B1 (de) * | 1991-06-27 | 1996-12-18 | Rohm Co., Ltd. | Bildlaser |
JP3190454B2 (ja) * | 1992-10-15 | 2001-07-23 | キヤノン株式会社 | インクジェット記録ヘッドおよびインクジェット記録装置 |
KR0137398B1 (ko) * | 1992-10-23 | 1998-04-29 | 모리시타 요이찌 | 완전밀착형 이미지센서 및 유닛 그리고 그 제조방법 |
DE69421434T2 (de) * | 1993-04-07 | 2000-06-08 | Mitsui Chemicals, Inc. | Leiterplatte für optische Elemente |
JP3805031B2 (ja) | 1995-10-20 | 2006-08-02 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
US6268938B1 (en) * | 1997-12-05 | 2001-07-31 | Mustek Systems Inc. | Scanner with a groove in its scanning surface for reducing sticking effect |
US6878977B1 (en) | 1999-02-25 | 2005-04-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device, and image sensor and image input system making use of the same |
JP4916101B2 (ja) | 2004-09-01 | 2012-04-11 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、固体撮像装置及び固体撮像システム |
JP4971586B2 (ja) * | 2004-09-01 | 2012-07-11 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
JP5089017B2 (ja) * | 2004-09-01 | 2012-12-05 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び固体撮像システム |
JP2006073736A (ja) * | 2004-09-01 | 2006-03-16 | Canon Inc | 光電変換装置、固体撮像装置及び固体撮像システム |
JP4459099B2 (ja) * | 2005-03-18 | 2010-04-28 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びカメラ |
JP4677258B2 (ja) | 2005-03-18 | 2011-04-27 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びカメラ |
JP4794877B2 (ja) * | 2005-03-18 | 2011-10-19 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びカメラ |
JP4459098B2 (ja) * | 2005-03-18 | 2010-04-28 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びカメラ |
JP5274166B2 (ja) * | 2008-09-10 | 2013-08-28 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び撮像システム |
JP5478905B2 (ja) * | 2009-01-30 | 2014-04-23 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
JP5780711B2 (ja) | 2010-04-06 | 2015-09-16 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
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JP2014175553A (ja) | 2013-03-11 | 2014-09-22 | Canon Inc | 固体撮像装置およびカメラ |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2856540A1 (de) * | 1977-12-28 | 1979-07-05 | Olympus Optical Co | Beleuchtungsvorrichtung fuer kopierer, faksimilegeraete u.dgl. |
DE3544182A1 (de) * | 1985-12-13 | 1987-06-19 | Heimann Gmbh | Kontaktbildsensorzeile |
JPS63310262A (ja) * | 1987-06-11 | 1988-12-19 | Canon Inc | 画像読取装置 |
US4805032A (en) * | 1987-04-20 | 1989-02-14 | Ricoh Company, Ltd. | Total contact type photoelectric conversion device and optical reader using the same |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4376888A (en) * | 1978-04-20 | 1983-03-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion type information processing device |
US4369372A (en) * | 1979-06-18 | 1983-01-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Photo electro transducer device |
GB2056172B (en) * | 1979-07-25 | 1983-04-27 | Rca Corp | Manufacture of thinned substrate imagers |
US4593152A (en) * | 1982-11-24 | 1986-06-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device |
JPS59160374A (ja) * | 1983-03-02 | 1984-09-11 | Canon Inc | 光電変換装置 |
JPS60132452A (ja) * | 1983-12-20 | 1985-07-15 | Fuji Xerox Co Ltd | 長尺イメ−ジセンサおよびその製造方法 |
JPS60191548A (ja) * | 1984-03-12 | 1985-09-30 | Hitachi Ltd | イメ−ジセンサ |
US4758734A (en) * | 1984-03-13 | 1988-07-19 | Nec Corporation | High resolution image sensor array using amorphous photo-diodes |
US4675534A (en) * | 1984-04-16 | 1987-06-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical reader with two substrates |
US4746989A (en) * | 1984-05-04 | 1988-05-24 | Energy Conversion Devices, Inc. | Contact-type imager for scanning moving image-bearing members |
DE3524811A1 (de) * | 1984-07-14 | 1986-01-23 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Bildabtastvorrichtung |
US4680644A (en) * | 1984-07-23 | 1987-07-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for reading an image |
JPS6139771A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-25 | Canon Inc | 画像読取装置 |
JPH0741249Y2 (ja) * | 1984-08-30 | 1995-09-20 | キヤノン株式会社 | 画像読取り装置 |
US4763189A (en) * | 1984-08-31 | 1988-08-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Color image sensor with three line sensors on different layers separated by electrically-insulating layers |
JPS61218167A (ja) * | 1985-03-25 | 1986-09-27 | Canon Inc | ラインセンサ |
JPH0746823B2 (ja) * | 1985-04-24 | 1995-05-17 | キヤノン株式会社 | イメ−ジセンサ |
JPS6297370A (ja) * | 1985-10-24 | 1987-05-06 | Seiko Epson Corp | イメ−ジセンサ |
JPS62172859A (ja) * | 1986-01-27 | 1987-07-29 | Canon Inc | 画像読取り装置 |
EP0263497B1 (de) * | 1986-10-07 | 1994-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Bildablesesystem |
JP2702131B2 (ja) * | 1987-06-12 | 1998-01-21 | キヤノン株式会社 | 画像読取装置及び該装置を有する画像情報読取装置 |
JPS63310261A (ja) * | 1987-06-12 | 1988-12-19 | Canon Inc | 密着型画像読取装置 |
JPS6415970A (en) * | 1987-07-09 | 1989-01-19 | Canon Kk | Image reading equipment |
US4942481A (en) * | 1987-07-17 | 1990-07-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Contact-type image sensor |
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1990
- 1990-02-19 GB GB9003730A patent/GB2228366B/en not_active Expired - Fee Related
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2856540A1 (de) * | 1977-12-28 | 1979-07-05 | Olympus Optical Co | Beleuchtungsvorrichtung fuer kopierer, faksimilegeraete u.dgl. |
DE3544182A1 (de) * | 1985-12-13 | 1987-06-19 | Heimann Gmbh | Kontaktbildsensorzeile |
US4805032A (en) * | 1987-04-20 | 1989-02-14 | Ricoh Company, Ltd. | Total contact type photoelectric conversion device and optical reader using the same |
JPS63310262A (ja) * | 1987-06-11 | 1988-12-19 | Canon Inc | 画像読取装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB9003730D0 (en) | 1990-04-18 |
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NL194486C (nl) | 2002-05-03 |
NL9000418A (nl) | 1990-09-17 |
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