DE10057647A1 - Gehäusestruktur für CCD-Chip - Google Patents

Gehäusestruktur für CCD-Chip

Info

Publication number
DE10057647A1
DE10057647A1 DE10057647A DE10057647A DE10057647A1 DE 10057647 A1 DE10057647 A1 DE 10057647A1 DE 10057647 A DE10057647 A DE 10057647A DE 10057647 A DE10057647 A DE 10057647A DE 10057647 A1 DE10057647 A1 DE 10057647A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
substrate
ccd chip
circuit
glass pane
chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE10057647A
Other languages
English (en)
Inventor
Wen Lo Shieh
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Orient Semiconductor Electronics Ltd
Original Assignee
Orient Semiconductor Electronics Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Orient Semiconductor Electronics Ltd filed Critical Orient Semiconductor Electronics Ltd
Publication of DE10057647A1 publication Critical patent/DE10057647A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

Eine Gehäusestruktur für CCD-Chips, die einen CCD-Chip (11), eine Schaltung (121) und eine Glasscheibe (12) umfaßt. Ein Schaltungssubstrat weist eine Öffnung und auf seiner Unterseite die elektrische Schaltung (121) auf und ist an der Unterseite der Glasscheibe (12) so angebracht, daß sich die Öffnung gegenüber der Glasscheibe (12) befindet. Der CCD-Chip (11) ist an der Unterseite des Schaltungssubstrats gegenüber der Öffnung mittels Flipchip-Montage montiert und ist mit der Schaltung (121) elektrisch verbunden. Die Schaltung (121) ist durch Lötmittel (13) an einer Leiterplatte (16) montiert. Die Gehäusestruktur besitzt dadurch eine sehr geringe Bauhöhe. Das Substrat kann ein BT-Substrat, ein Laminat-Substrat, ein PI-Substrat und dergleichen umfassen.

Description

Die Erfindung betrifft das Gebiet der CCD-Chips und insbesondere eine Ge­ häusestruktur für derartige CCD-Chips.
Derzeit werden CCD-Chips in großem Umfang verwendet, da sie die am wei­ testen fortgeschrittene Technik für Bilderzeugungselemente in Kameras bilden und in vielen verschiedenen Gebieten verwendet werden können, etwa im medizinischen Bereich, im industriellen Bereich, im Erziehungsbereich, im Datenverarbeitungsbereich, im Transportbereich und im Bereich der allgemeinen Verwaltung. Wie in Fig. 1 gezeigt ist, ist in einem herkömmlichen CCD-Gehäusemodul 1 ein auf einem Leiterrahmen 11' angebrachtes Substrat 12' mit einem Chip 2' mittels durch Drahtbonden verbunden, wobei um den Chip 2' eine Wand 3' ausgebildet ist. Zur Abdeckung der Wand 3' wird eine Glas­ scheibe 4' verwendet, so daß zwischen der Glasscheibe 4' und dem Chip 2' ein Abstand vorhanden ist und auf dem Chip 2' das durch die Glasscheibe 4' durchgelassene Bild P erzeugt wird. Schließlich ist das gesamte Modul 1 über den Leiterrahmen 11' an einer Leiterplatte 5' angebracht.
Die obenbeschriebene Struktur besitzt den Nachteil, daß die Gesamthöhe des Moduls nicht verringert werden kann. Aus diesem Grund ist die Struktur für Anwendungen in Kleinstvorrichtungen wie etwa in Mikro-Diagnose­ vorrichtungen, in digitalen Kameras und dergleichen, die ein Gehäu­ semodul mit extrem geringer Bauhöhe erfordern, nicht geeignet.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Gehäusestruktur für CCD-Chips zu schaffen, die die obenerwähnten Nachteile des Standes der Technik nicht besitzt.
Diese Aufgabe wird gelöst durch eine Gehäusestruktur nach einem der An­ sprüche 1, 3, 5 und 7. Weiterbildungen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung werden deutlich beim Lesen der folgenden Beschreibung bevorzugter Ausführungsformen, die auf die Zeichnung Bezug nimmt; es zeigen:
Fig. 1 die bereits erwähnte schematische Ansicht eines herkömmlichen CCD-Gehäusemoduls;
Fig. 2 eine schematische Ansicht eines CCD-Gehäusemoduls gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung mit einem Glassub­ strat und einem mittels Flipchip-Montage montierten CCD-Chips;
Fig. 2A eine schematische Ansicht eines CCD-Gehäusemoduls gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung mit einem Glassubstrat und einem mittels Flipchip-Montage montierten CCD-Chips;
Fig. 3 eine schematische Ansicht eines CCD-Gehäusemoduls gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung mit einem BT-Substrat oder einem Metallsubstrat und einem mittels Flipchip-Montage montierten CCD-Chips;
Fig. 3A eine schematische Ansicht eines CCD-Gehäusemoduls gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung mit einem BT-Substrat oder einem Metallsubstrat und einem mittels Flipchip-Montage montierten CCD-Chips;
Fig. 4 eine schematische Ansicht eines CCD-Gehäusemoduls gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung mit einem PI-Legierungssubstrat und einem mittels Flipchip-Montage montierten CCD-Chips;
Fig. 4A eine schematische Ansicht eines CCD-Gehäusemoduls gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung mit einem PI-Legierungssubstrat und einem mittels Flipchip-Montage mon­ tierten CCD-Chips;
Fig. 5 eine schematische Ansicht eines CCD-Gehäusemoduls gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung mit einem Substrat mit nach unten gerichteter Öffnung und einem mittels Flipchip-Montage montierten CCD-Chips, wobei für die Montage an einer Leiterplatte ein Lötmittel verwendet wird;
Fig. 5A eine schematische Ansicht eines CCD-Gehäusemoduls gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung mit einem Substrat mit nach unten gerichteter Öffnung und einem mittels Flipchip-Montage montierten CCD-Chips, wobei für die Montage an einer Leiterplatte ebenfalls ein Lötmittel verwendet wird;
Fig. 6 eine schematische Ansicht eines CCD-Gehäusemoduls gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung mit einem Substrat mit nach unten gerichteter Öffnung und einem mittels Flipchip-Montage montierten CCD-Chips, wobei für die Montage an einer Leiterplatte Metalleitungen verwendet werden; und
Fig. 6A eine schematische Ansicht eines CCD-Gehäusemoduls gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung mit einem Substrat mit nach unten gerichteter Öffnung und einem mittels Flipchip-Montage montierten CCD-Chips, wobei für die Montage an einer Leiterplatte ebenfalls Metalleitungen verwendet werden.
Die Gehäusestruktur für CCD-Chips umfaßt im wesentlichen einen Chip und ein Substrat mit komplexem Entwurf, das für eine Flipchip-Gehäusemontage geeignet ist. Die Erfindung umfaßt mehrere verschiedene Typen von Gehäu­ sestrukturen.
Struktur A (wie in Fig. 2 gezeigt)
Dieses CCD-Gehäusemodul 1 ist im wesentlichen an der unteren Fläche einer Glasscheibe 12 und einer Schaltung 121 ausgebildet, an der ein Chip 11 mit­ tels Flipchip-Gehäusemontage montiert ist, wobei Lötmittel 13 verwendet wird, um die Schaltung 121 an einer Leiterplatte 16 zu montieren.
Struktur A1 (wie in Fig. 2A gezeigt)
Diese Struktur des CCD-Gehäusemoduls 1 ist jener von Fig. 2 ähnlich, wobei jedoch in den Zwischenraum zwischen der Glasscheibe 12 und dem Chip 11 ein lichtdurchlässiger Klebstoff 14 oder eine spezielle Chemikalie 15 gefüllt ist, damit das gesamte CCD-Gehäusemodul 1 stabiler ist. Der Lichtweg P verläuft durch die Glasscheibe 12 und den lichtdurchlässigen Klebstoff 14 oder die spezielle Chemikalie 15 und trifft dann auf dem Chip 11 auf.
Struktur B (wie in Fig. 3 gezeigt)
An der oberen Fläche eines BT-Substrats oder eines Laminat-Substrats mit einer Mittelbohrung ist eine Glasscheibe 22 befestigt, während an der unteren Fläche des BT-Substrats oder Laminat-Substrats 23 eine geeignete Schaltung 231 ausgebildet ist. Der Chip 21 ist mittels eines Flipchip-Montageverfahrens montiert, während die Schaltung 231 am BT-Substrat oder am Laminat-Substrat 23 angebracht ist, wodurch das CCD-Gehäusemodul gebildet wird. Das gesamte CCD-Gehäusemodul 2 ist mit Lötmittel 24 an einer Leiterplatte 27 montiert.
Struktur B1 (wie in Fig. 3A gezeigt)
Die Struktur dieses CCD-Gehäusemoduls 2 ist jener der Struktur B ähnlich, wobei jedoch in den Raum zwischen dem Chip 21 und dem BT-Substrat oder Laminat-Substrat ein lichtdurchlässiger Klebstoff 25 oder eine spezielle Che­ mikalie 23 gefüllt ist und der Lichtweg P durch die Glasscheibe 22 und durch den lichtdurchlässigen Klebstoff 25 oder die spezielle Chemikalie 26 verläuft und auf den Chip 21 auftrifft.
Struktur C (wie in Fig. 4 gezeigt)
Zunächst wird auf die obere Fläche eines PI-Substrats 33 (mit Mittelbohrung) eine Glasscheibe 32 geklebt. Auf der unteren Fläche des PI-Substrats 33 wird eine geeignete Schaltung ausgebildet. Anschließend wird der Chip 31 mittels eines Flipchip-Montageverfahrens am PI-Substrat 33 montiert, um ein CCD-Gehäusemodul 3 zu bilden. Schließlich wird das gesamte CCD-Gehäusemodul 3 mit Lötmittel 34 an einer Leiterplatte 37 angebracht.
Struktur C1 (wie in Fig. 4A gezeigt)
Die Struktur dieses CCD-Gehäusemoduls 3 ist jener von Fig. 4 ähnlich, wobei jedoch in den Zwischenraum zwischen dem PI-Substrat 33 und dem Chip 31 ein lichtdurchlässiger Klebstoff 35 oder eine spezielle Chemikalie 36 gefüllt ist, so daß der Lichtweg P durch das Glas 32 und durch den lichtdurchlässigen Klebstoff 35 oder die spezielle Chemikalie 36 verlaufen kann und dann auf den Chip 31 auftrifft.
Struktur D (wie in Fig. 5 gezeigt)
In einem Substrat 43 ist eine obere Aussparung 431 mit nach unten gerichteter Öffnung ausgebildet, in die eine Glasscheibe 42 eingesetzt ist. In einer unteren Aussparung 432 im Substrat 43 mit nach unten gerichteter Öffnung ist mittels eines Flipchip-Montageverfahrens ein CCD-Chip 41 montiert, um das CCD-Gehäusemodul 4 zu bilden. Das CCD-Gehäusemodul 4 ist mit Lötmittel 44 an einer Leiterplatte 48 angebracht.
Struktur D1 (wie in Fig. 5A gezeigt)
Diese Struktur des CCD-Gehäusemoduls 4 ist jener in Fig. 5 ähnlich, wobei jedoch in den Zwischenraum zwischen dem Substrat 43 und dem Chip 41 ein lichtdurchlässiger Klebstoff 46 oder eine spezielle Chemikalie 47 gefüllt ist, so daß der Lichtweg P durch die Glasscheibe 42 und dann durch den licht­ durchlässigen Klebstoff 46 oder die spezielle Chemikalie 47 verlaufen kann und auf den Chip 41 auftrifft.
Struktur E (wie in Fig. 6 gezeigt)
Diese Struktur ist jener von Fig. 5 ähnlich, die Montage des Gehäusemoduls 4 an der Leiterplatte 48 erfolgt jedoch unter Verwendung von Metalleitern 45.
Struktur E1 (wie in Fig. 6A gezeigt)
Diese Struktur des CCD-Gehäusemoduls 4 ist jener von Fig. 6 ähnlich, wobei jedoch in den Zwischenraum zwischen dem Substrat 43 und dem Chip 41 ein lichtdurchlässiger Klebstoff 46 oder eine spezielle Chemikalie 47 gefüllt ist.

Claims (9)

1. Gehäusestruktur für CCD-Chip, mit einem CCD-Chip (11), einer Schal­ tung (121) und einer Glasscheibe (12), dadurch gekennzeichnet, daß
ein Schaltungssubstrat eine Öffnung und auf seiner Unterseite die elek­ trische Schaltung (121) aufweist und an der Unterseite der Glasscheibe (12) so angebracht ist, daß sich die Öffnung gegenüber der Glasscheibe (12) befindet,
der CCD-Chip (11) an der Unterseite des Schaltungssubstrats gegenüber der Öffnung mittels Flipchip-Montage montiert ist und mit der Schaltung (121) elektrisch verbunden ist, und
die Schaltung (121) durch Lötmittel (13) an einer Leiterplatte (16) mon­ tiert ist.
2. Gehäusestruktur nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in den Zwischenraum zwischen der Glasscheibe (12) und dem CCD-Chip (11) ein lichtdurchlässiger Klebstoff (14) oder eine spezielle Chemikalie (15) gefüllt ist und der Lichtweg durch die Glasscheibe (12) und durch den lichtdurchlässigen Klebstoff (14) oder die spezielle Chemikalie (1 S) verläuft und auf den CCD-Chip (11) auftrifft.
3. Gehäusestruktur für CCD-Chip, mit einem CCD-Chip (21), einem Sub­ strat (23) und einer Glasscheibe (22), dadurch gekennzeichnet, daß
das Substrat (23) eine Öffnung und auf seiner Unterseite eine elektrische Schaltung (231) aufweist und an der Unterseite der Glasscheibe (22) so ange­ bracht ist, daß sich die Öffnung gegenüber der Glasscheibe (22) befindet,
der CCD-Chip (21) an der Unterseite des Substrats (23) gegenüber der Öffnung mittels Flipchip-Montage montiert ist und mit der Schaltung (231) elektrisch verbunden ist, und
die Schaltung (231) durch Lötmittel (24) an einer Leiterplatte (27) mon­ tiert ist.
4. Gehäusestruktur nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß in den Raum zwischen dem Substrat (23) und dem CCD-Chip (21) ein lichtdurchläs­ siger Klebstoff (25) oder eine spezielle Chemikalie (26) gefüllt ist.
5. Gehäusestruktur für CCD-Chip, mit einem. CCD-Chip (31), einem Sub­ strat (33) und einer Glasscheibe (32), dadurch gekennzeichnet, daß
das Substrat (33) eine Öffnung und auf seiner Unterseite eine elektrische Schaltung aufweist und an der Unterseite der Glasscheibe (32) so angebracht ist, daß sich die Öffnung gegenüber der Glasscheibe (32) befindet,
der CCD-Chip (31) an der Unterseite des Substrats (33) gegenüber der Öffnung mittels Flipchip-Montage montiert ist und mit der Schaltung elek­ trisch verbunden ist, und
die Schaltung durch Lötmittel (34) an einer Leiterplatte (37) montiert ist.
6. Gehäusestruktur nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß in den Zwischenraum zwischen dem PI-Substrat (33) und dem CCD-Chip (31) ein lichtdurchlässiger Klebstoff (35) oder eine spezielle Chemikalie (36) gefüllt ist.
7. Gehäusestruktur für CCD-Chip, mit einem CCD-Chip (41), einem Sub­ strat (43) und einer Glasscheibe (42), dadurch gekennzeichnet, daß
das Substrat (43) eine Aussparung (431) und auf seiner Unterseite eine elektrische Schaltung aufweist und die Glasscheibe (42) in die Aussparung (431) des Substrats (43) eingesetzt ist und
der CCD-Chip (11) in eine Aussparung (432) des Substrats (43) unter der Aussparung (431) mittels Flipchip-Montage montiert ist und mit der Schaltung elektrisch verbunden ist, und
das Substrat (43) durch Lötmittel (44) an einer Leiterplatte (48) montiert ist.
8. Gehäusestruktur nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß in den Zwischenraum zwischen der Glasscheibe (42) und dem CCD-Chip (41) ein lichtdurchlässiger Klebstoff (46) oder eine spezielle Chemikalie (47) gefüllt ist und der Lichtweg durch die Glasscheibe (42) und durch den lichtdurchlässigen Klebstoff (46) oder die spezielle Chemikalie (47) verläuft und auf den CCD-Chip (41) auftrifft.
9. Gehäusestruktur nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß für die Montage an der Leiterplatte (48) statt des Lötmittels (44) Metallleiter verwen­ det werden und in den Zwischenraum zwischen der Glasscheibe (42) und dem CCD-Chip (41) ein lichtdurchlässiger Klebstoff (46) oder eine spezielle Che­ mikalie (47) gefüllt ist.
DE10057647A 2000-07-17 2000-11-21 Gehäusestruktur für CCD-Chip Withdrawn DE10057647A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW089114388A TW454309B (en) 2000-07-17 2000-07-17 Package structure of CCD image-capturing chip

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE10057647A1 true DE10057647A1 (de) 2002-01-31

Family

ID=21660456

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10057647A Withdrawn DE10057647A1 (de) 2000-07-17 2000-11-21 Gehäusestruktur für CCD-Chip

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2002043554A (de)
DE (1) DE10057647A1 (de)
FR (1) FR2811809A1 (de)
TW (1) TW454309B (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1391934A3 (de) * 2002-08-23 2006-06-07 Z/I Imaging Ltd. Sensormodul
EP2077581A1 (de) * 2006-10-11 2009-07-08 Hamamatsu Photonics K.K. Halbleiterabbildungseinrichtung
DE102006043016B4 (de) * 2006-09-13 2021-02-04 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung einer optischen Aufnahmevorrichtung

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3801121B2 (ja) 2002-08-30 2006-07-26 松下電器産業株式会社 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
US20040065933A1 (en) * 2002-10-08 2004-04-08 Foong Chee Seng Flip chip optical and imaging sensor device
JP3736516B2 (ja) 2002-11-01 2006-01-18 松下電器産業株式会社 リードフレームおよびその製造方法ならびに樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JP3898666B2 (ja) 2003-04-28 2007-03-28 松下電器産業株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
JP3729817B2 (ja) 2003-04-28 2005-12-21 松下電器産業株式会社 固体撮像装置の製造方法
JP3768972B2 (ja) * 2003-04-28 2006-04-19 松下電器産業株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
JP2005045051A (ja) * 2003-07-23 2005-02-17 Sony Corp 光半導体装置及びその製造方法
JP4106003B2 (ja) 2003-09-03 2008-06-25 松下電器産業株式会社 固体撮像装置の製造方法
US6943423B2 (en) 2003-10-01 2005-09-13 Optopac, Inc. Electronic package of photo-image sensors in cellular phone camera modules, and the fabrication and assembly thereof
US6864116B1 (en) * 2003-10-01 2005-03-08 Optopac, Inc. Electronic package of photo-sensing semiconductor devices, and the fabrication and assembly thereof
JP4170950B2 (ja) 2003-10-10 2008-10-22 松下電器産業株式会社 光学デバイスおよびその製造方法
JP3993862B2 (ja) 2003-10-10 2007-10-17 松下電器産業株式会社 光学デバイスおよびその製造方法
JP4170968B2 (ja) 2004-02-02 2008-10-22 松下電器産業株式会社 光学デバイス
JP2005217337A (ja) * 2004-02-02 2005-08-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学デバイス
JP3910598B2 (ja) 2004-03-04 2007-04-25 松下電器産業株式会社 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
US7122874B2 (en) 2004-04-12 2006-10-17 Optopac, Inc. Electronic package having a sealing structure on predetermined area, and the method thereof
JP4686134B2 (ja) 2004-04-26 2011-05-18 パナソニック株式会社 光学デバイスおよびその製造方法
US6943424B1 (en) * 2004-05-06 2005-09-13 Optopac, Inc. Electronic package having a patterned layer on backside of its substrate, and the fabrication thereof
JP4606063B2 (ja) * 2004-05-14 2011-01-05 パナソニック株式会社 光学デバイスおよびその製造方法
JP4428526B2 (ja) 2004-10-15 2010-03-10 パナソニック株式会社 光学デバイス
KR100498708B1 (ko) 2004-11-08 2005-07-01 옵토팩 주식회사 반도체 소자용 전자패키지 및 그 패키징 방법
JP4324081B2 (ja) 2004-11-22 2009-09-02 パナソニック株式会社 光学デバイス
KR100653645B1 (ko) 2005-12-27 2006-12-05 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법
JP4767699B2 (ja) * 2006-01-17 2011-09-07 パナソニック株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
WO2009148134A1 (ja) * 2008-06-04 2009-12-10 旭化成エレクトロニクス株式会社 量子型赤外線センサおよびそれを用いた量子型赤外線ガス濃度計
JP5045952B2 (ja) * 2009-02-12 2012-10-10 セイコーエプソン株式会社 光デバイス、光モジュール及び電子機器
JP5794020B2 (ja) * 2011-07-27 2015-10-14 ソニー株式会社 固体撮像装置
FR3077283B1 (fr) * 2018-01-30 2021-09-17 Commissariat Energie Atomique Procede d'encapsulation d'un dispositif microelectronique, comprenant une etape d'amincissement du substrat et/ou du capot d'encapsulation

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1391934A3 (de) * 2002-08-23 2006-06-07 Z/I Imaging Ltd. Sensormodul
DE102006043016B4 (de) * 2006-09-13 2021-02-04 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung einer optischen Aufnahmevorrichtung
EP2077581A1 (de) * 2006-10-11 2009-07-08 Hamamatsu Photonics K.K. Halbleiterabbildungseinrichtung
EP2077581A4 (de) * 2006-10-11 2011-05-25 Hamamatsu Photonics Kk Halbleiterabbildungseinrichtung
US8094221B2 (en) 2006-10-11 2012-01-10 Hamamatsu Photonics K.K. Solid-state imaging device

Also Published As

Publication number Publication date
FR2811809A1 (fr) 2002-01-18
JP2002043554A (ja) 2002-02-08
TW454309B (en) 2001-09-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10057647A1 (de) Gehäusestruktur für CCD-Chip
DE69636335T2 (de) Integrierte Schaltungspackung und Verfahren zu ihrem Zusammenbau
EP0083627B1 (de) Opto-elektronisches bauelement
EP1312124B1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zu dessen herstellung, modul und vorrichtung mit einem solchen modul
DE19709295B4 (de) Halbleiterbaugruppe
DE102006038987B4 (de) Bildwandlermodul, Verfahren zur Herstellung eines solchen und Kameramodul zum Betieb eines solchen
DE69031141T2 (de) Integrierte Hybridschaltungsanordnung
EP1174745A2 (de) Optoelektronisches oberflächenmontierbares Modul
DE2701448A1 (de) Elektronische uhr und verfahren zur herstellung einer elektronischen uhr
DE19817359A1 (de) Keramische Mehrlagenschaltung und Verfahren zu ihrer Herstellung
EP0878026B1 (de) Leuchtdiodenmatrix
DE19923960C2 (de) Infrarotsensor
DE19945919A1 (de) Licht ausstrahlende Halbleiter-Vorrichtung mit einem Reflektor
DE4133598C2 (de) Anordnung mit einem auf einem Substrat oberflächenmontierten Chip mit einer integrierten Schaltung und Verfahren zu seiner Herstellung
EP0645953B1 (de) Verfahren zur Herstellung einer zwei- oder mehrlagigen Verdrahtung und danach hergestellte zwei- oder mehrlagige Verdrahtung
DE19643911A1 (de) Schaltungsanordnung mit auf einem mit Leiterbahnen versehenen Substrat angebrachten optoelektronischen Bauelementen
DE19702532A1 (de) Chipkarte
DE10053532A1 (de) Elektronikkomponente und Herstellungsverfahren für eine Elektronikkomponente
DE19830158C2 (de) Zwischenträgersubstrat mit hoher Verdrahtungsdichte für elektronische Bauelemente
DE19546717C2 (de) Oberflächen-Optokoppler und Verfahren zur Herstellung eines solchen
DE4136543A1 (de) Schaltungsplatte und vorrichtung zum erkennen der position einer schaltungsplatte
DE4315847A1 (de) Verbindung zwischen einem Sender und/oder Empfänger sowie einer Antenne
DE10227544A1 (de) Vorrichtung zur optischen und/oder elektrischen Datenübertragung und/oder -verarbeitung
DE10132324A1 (de) Optisches Modul
EP0433742B1 (de) Fotomodul

Legal Events

Date Code Title Description
8139 Disposal/non-payment of the annual fee