DE19945919A1 - Licht ausstrahlende Halbleiter-Vorrichtung mit einem Reflektor - Google Patents

Licht ausstrahlende Halbleiter-Vorrichtung mit einem Reflektor

Info

Publication number
DE19945919A1
DE19945919A1 DE1999145919 DE19945919A DE19945919A1 DE 19945919 A1 DE19945919 A1 DE 19945919A1 DE 1999145919 DE1999145919 DE 1999145919 DE 19945919 A DE19945919 A DE 19945919A DE 19945919 A1 DE19945919 A1 DE 19945919A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
light emitting
emitting semiconductor
reflector
semiconductor device
epoxy resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE1999145919
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroki Ishinaga
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Publication of DE19945919A1 publication Critical patent/DE19945919A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item

Abstract

Ein Licht ausstrahlende Halbleiter-Vorrichtung beinhaltet ein Substrat 12. Dieses Substrat ist mit einem Paar Elektroden- Bahnen 14, 16 darauf gebildet. Eine der Elektroden-Bahnen hat einen rechteckigen Leitungsbereich, auf dem ein Licht ausstrahlender Halbleiter-Chip 25 formverbunden ist. Der Licht ausstrahlende Halbleiter-Chip ist auf der anderen Seite mit der anderen Elektroden-Bahn kraftverbunden. Ein Reflektor ist auf dem Substrat über ein Spritz-Formen eines flüssigen kristallinen Polymers gebildet. Der Reflektor hat einen Durchgangs-Ausschnitt, der an seinem zentralen Bereich gebildet ist, und der eine innere Fläche aufweist, die mit einem Metall beschichtet ist. Der Licht ausstrahlende Halbleiter-Chip ist innerhalb des Durchgangs-Ausschnittes angeordnet, und ein lichtdurchlässiges Epoxidharz 36 mit einer Glas-Übergangs-Temperatur von 60 DEG C oder darunter wird in den Durchgangs-Ausschnitt eingefüllt, um dadurch einen Ummantelungskörper zu bilden.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG Gebiet der Erfindung
Diese Erfindung bezieht sich auf Licht ausstrahlende Halbleiter-Vorrichtungen, und insbesondere auf eine Licht ausstrahlende Halbleiter-Vorrichtung, mit ver­ besserter Helligkeit, die einen Licht ausstrahlenden Halbleiter-Chip aufweist, der innerhalb eines Reflektor-Durchgangs-Ausschnittes angeordnet ist, welcher mit einem lichtdurchlässigen Epoxidharz aufgefüllt wird, und in einem Ummante­ lungs-Körper gebildet ist.
Beschreibung des Standes der Technik
Der vorliegende Erfinder hat bereits früher einen leitungslosen Typen einer Licht ausstrahlenden Halbleiter-Vorrichtung 1 vorgeschlagen, wie in der Fig. 1 gezeigt ist, z. B. in dem offengelegten Japanischen Patent No. H 8-314395 [G09F/33 H01L33/00], offengelegt am 29. November 1969. Die Licht aus­ strahlende Halbleiter-Vorrichtung 1 gemäß dieses Standes der Technik weist einen Licht ausstrahlenden Halbleiter-Chip 3 auf, der mit einem Substrat 2 ver­ bunden ist. Der Licht ausstrahlende Halbleiter-Chip 3 ist in einem Durchgangs- Ausschnitt positioniert, der in einem Reflektor 4 gebildet ist, und in diesem Zus­ tand wird der Durchgangs-Ausschnitt mit einem Epoxidharz gefüllt, wodurch ein Kapsel-Körper bzw. Ummantelungs-Körper 5 gebildet wird, der den Chip 3 kapselt. Bei der Licht ausstrahlenden Halbleiter-Vorrichtung nach diesem Stand der Technik ist der Durchgangs-Ausschnitt des Reflektors 4 in einer konischen Form gebildet, um einen Durchmesser zu erhalten, der an dem Boden kleiner ist und an der Oberseite größer ist. Aufgrund dessen wird das von dem Licht ausstrahlenden Halbleiter-Chip abgegebene Licht vorwärtig wirkungsvoll gesammelt, wodurch die zentrale Lichtintensität erhöht wird und dadurch eine höhere Helligkeit vorgesehen wird.
Der leitungslose Typ einer Licht ausstrahlenden Halbleiter-Vorrichtung dieser Art wird durch einen Rückflußofen wärmebehandelt, wenn er auf einer gedruck­ ten Schaltungsplatte oder dergleichen oberflächenmontiert ist. Während der Wärmebehandlung durch den Rückflußofen wird die Umgebungstemperatur der Licht ausstrahlenden Halbleiter-Vorrichtung bis zu 230 bis 250°C erhöht. Auf­ grund dessen ist die Glas-Übergangs-Temperatur des Epoxidharzes, das für den Ummantelungs-Körper 5 verwendet wird, herkömmlich zu einer vergleichweise hohen Temperatur, z. B. 100 bis 120°C, festgelegt worden. Folglich verbleibt das Epoxidharz in einen festen Zustand, wenn während der Wärmebehandlung durch den Rückflußofen die Umgebungstemperatur der Licht ausstrahlenden Halbleiter-Vorrichtung schnell erhöht wird.
In der Zwischenzeit ist dort ein Unterschied in dem linearen thermischen Aus­ dehnungskoeffizienten zwischen dem Epoxidharz Ummantelungs-Körper 5 und dem flüssigen, kristallinen Polymer-Reflektor 4. Der lineare thermische Ausdehnungskoeffizient von Epoxidharz ist z. B. 5 bis 7 × 10-5 (deg-1), während der lineare thermische Ausdehnungskoeffizient von flüssigem, kristallinem Polymer z. B. 1,2 bis 2,0 × 105 (deg-1) ist. Deshalb wird, wenn die Umgebungstemperatur in dem Rückflußofen stark erhöht wird, eine nach außen gerichtete große Kraft möglicherweise den Ummantelungs-Körper 5 angreifen, und zwar aufgrund von thermischer Ausdehnung wie durch den Pfeil T in Fig. 1 gezeigt ist. Im Gegen­ satz dazu ist die Kraft, die an den Reflektor 4 angreift, schwach und wenig aus­ gedehnend. Dadurch wird eine Deformationskraft (thermische Beanspruchung) durch eine Differenz in der Ausdehnungskraft zwischen dem Ummantelungs- Körper 5 und dem Reflektor 4 hervorgerufen. Solch thermische Beanspruchun­ gen erhöhen die Bildung von Rissen, wie bei den Bezugszeichen A1 oder A2 in Fig. 1 gezeigt ist. Es ist dadurch ein Problem entstanden, daß der Umman­ telungs-Körper 5 eine Alterung erleidet, und zwar bezüglich der mechanischen Festigkeit.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Es ist deshalb eine erste Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Licht aus­ strahlende Halbleiter-Vorrichtung 1 zu schaffen, die dazu dient, ein Auftreten von Rillen in einem Ummantelungs-Körper während einer Wärmebehandlung als einen späteren Prozeß zu verhindern.
Eine Licht ausstrahlende Halbleiter-Vorrichtung gemäß der vorliegenden Er­ findung umfaßt folgendes: einen Licht ausstrahlenden Halbleiter-Chip, der elek­ trisch mit einem Paar Elektroden verbunden ist; einen Reflektor mit einem Re­ flektor-Ausschnitt, der den Licht ausstrahlenden Halbleiter-Chip umgibt, wobei der Reflektor-Ausschnitt dazu dient, das von dem Licht ausstrahlenden Hal­ bleiter-Chip abgegebene Licht sammeln, und zwar vorwärtig zu dem Reflektor- Ausschnitt; und einen Kapsel-Körper bzw. Ummantelungs-Körper, der in den Reflektor-Ausschnitt eingefüllt wird, und der den Licht ausstrahlenden Halbleiter-Chip einkapselt, wobei der Ummantelungs-Körper aus einem Epoxidharz gebildet ist, mit einer Glas-Übergangs-Temperatur von 60°C oder darunter.
Weil der in den Reflexions-Ausschnitt des Reflektors eingefüllte Epoxidharz zu einem Glas-Übergangs-Punkt von 60°C oder darunter gesetzt ist, wird, wenn die Umgebungstemperatur ungefähr 100°C aufgrund der Temperaturerhöhung in dem Rückflußofen während der Wärmebehandlung erreicht, das Epoxidharz einen gummiähnlichen erweichten Zustand erhalten. Aufgrund dessen wird die thermische Ausdehnung des Epoxidharzes absorbiert, wodurch die thermische Beanspruchung von nach außen sich ausdehnenden Epoxidharz reduziert wird.
Gemäß der vorliegenden Erfindung ist es möglich, ein Auftreten von Rissen in dem Epoxidharz zu verhindern, und zwar weil die thermische Beanspruchung, die von dem Epoxidharz während der Wärmebehandlung verursacht wird, reduz­ iert werden kann.
Insbesondere ist die lichtausstrahlende Halbleitervorrichtung mit einem Substrat versehen, auf welchem Substrat ein Paar Elektroden ausgebildet ist, um den Reflektor auf dem Substrat anzuordnen.
Auch der Reflektor kann einen Durchgangsausschnitt aufweisen, der durch Harz-Spritzguß oder Ziehen einer Metallplatte gebildet ist.
Die oben beschriebene Aufgabe und andere Aufgaben, Merkmale, Aspekte und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden nach einem Nachvollziehen der detaillierten Beschreibung der vorliegenden Erfindung verständlicher, die in Zusammenhang mit den dazugehörigen Zeichnungen zu sehen ist.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
Fig. 1 ist eine Querschnittsansicht, die ein Beispiel einer Ausführung nach dem Stand der Technik zeigt;
Fig. 2 ist eine teilweise durchsichtige perspektivische Ansicht, die eine erste Ausführungsform gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt;
Fig. 3 ist eine Querschnittansicht entlang der Linie III-III der Fig. 2;
Fig. 4 ist eine explosionsartig dargestellte perspektivische Ansicht, die die Beziehung zwischen dem Substrat und dem Reflektor dieser Aus­ führungsform zeigt;
Fig. 5 ist eine teilweise durchsichtige perspektivische Ansicht, die eine andere Ausführungsform gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt, und
Fig. 6 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie VI-VI in Fig. 5.
DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
Bezugnehmend auf die Fig. 2 weist eine Licht ausstrahlende Halbleiter-Vorrich­ tung 10 gemäß einer Ausführungsform der Erfindung ein Substrat 12 auf, das aus einem weißen BT-Harzglasgewebematerial gebildet ist. Dieses Substrat 12 hat auf seiner Fläche ein Paar Elektrodenbahnen 14 und 16, die aus einem leitenden Material gebildet sind, wie in der Fig. 4 deutlich zu erkennen ist. Das Substrat 12 hat zwei gegenüberliegende kürzere Seiten, in denen entsprechende halbkreisförmige Ausschnitte zentral gebildet sind. Der halbkreisförmige Ausschnitt hat eine innere Umfangsfläche, die einen leitenden Film 18, 20 auf­ weist, der über ein Beschichten oder ähnliches gebildet ist. Daraus folgend sind die Elektrodenbahnen 12 und 16 der Fläche des Substrates 12 entsprechend in elektrischer Verbindung zu Verbindungselektroden 22 und 24, die auf der Rück­ seite des Substrates 12 gebildet sind. Durch die Verbindungselektroden 22 und 24 ist die Licht ausstrahlende Halbleiter-Vorrichtung 10 auf einer Ver­ bindungsbahn einer gedruckten Schaltungsplatte (nicht gezeigt) oberflächen­ montiert.
Die erste Elektrodenbahn 16 ist mit einem rechteckigen Leitungsbereich 26 an einem Kopf von dieser gebildet. Auf dem Leitungsbereich 26 ist der Licht aus­ strahlende Halbleiter-Chip 28 an seiner rückwärtigen Elektrode (nicht gezeigt) formverbunden. Der Licht ausstrahlende Halbleiter-Chip 28 hat eine oberseitige Elektrode (nicht gezeigt), um zu der anderen Elektrodenbahn 14 über einen Metalldraht 30, wie aus Gold, drahtverbunden zu werden. Nach dem der Licht ausstrahlende Halbleiter-Chip 28 auf diese Weise auf dem Substrat 12 befestigt worden ist, wird der Reflektor 32 an dem Substrat 2 angebracht.
Der Reflektor 32 ist durch Spritz-Formung in einer flachen Blatt-Form gebildet, z. B. einem weißen flüssigen kristallinen Polymer. Der Reflektor 32 ist in einem zentralen Bereich mit einem Durchgangs-Ausschnitt 34 ausgebildet. Dieser Durchgangs-Ausschnitt 34 hat die Form eines kreisförmigen konischen Kegelstumpfes, dessen oberer Enddurchmesser 34a größer ist als der untere Enddurchmesser 34b. Dieses ist so, weil der Durchgangs-Ausschnitt 34 eine konische Form hat. Ein Reflexionsfilm (nicht gezeigt) ist an der inneren Um­ fangsfläche des Durchgangs-Ausschnittes 34 über ein Beschichten z. B. mit Nickel oder Silber ausgebildet. Der Reflektor 32 ist auf dem Substrat 12 ange­ bracht, so daß der Licht ausstrahlende Halbleiter-Chip 28 innerhalb dieses Durchgangs-Ausschnittes oder Reflexions-Ausschnittes 34 angeordnet ist. Mit einem solchen Vorgehen wird das von dem Licht ausstrahlenden Halbleiter-Chip 28 abgebene Licht auf den Reflexionsfilm des Durchgangs-Ausschnittes oder Reflexions-Ausschnittes 34 reflektiert. Dadurch wird das reflektierte Licht in effizienter Weise an einer Stelle vor der Vorrichtung gesammelt.
Es ist zu beachten, daß alternativ zu dem harz-gebildeten Reflektor es auch möglich ist, einen Reflektor zu verwenden, der eine Reflexionsfläche oder einen Reflexions-Ausschnitt besitzt, der durch das Tiefziehen einer Metallplatte, wie einer rostfreien, in eine konische Form, gebildet wird.
Nach dem Anbringen des Reflektors 34 auf dem Substrat 12 auf diese Weise wird eine lichtdurchlässiger Epoxidharz in den Durchgangs-Ausschnitt 32 des Reflek­ tors 34 eingefüllt, wodurch ein Ummantelungs-Körper 36 gebildet wird. Der Ummantelungs-Körper 36 ist, wie insbesondere der Fig. 3 zu entnehmen ist, in einer Form, die nicht nur den Durchgangs-Ausschnitt oder Reflexionsausschnitt 34 auffüllt, sondern auch die Fläche eines Reflektors 32 abdeckt.
Das Epoxidharz, das den Ummantelungs-Körper 36 bildet, hat eine Festigkeit derart, um in Abhängigkeit einer Glas-Übergangs-Temperatur zu variieren. Die Glas-Übergangs-Temperatur resultiert, wenn sie zu niedrig ist, in einer un­ zureichenden Festigkeit und erzeugt dadurch eine Deformation des Ummante­ lungs-Körpers 36. Demgemäß wird bei der vorliegenden Erfindung die Glas- Übergangs-Temperatur für das Epoxidharz zu 60°C oder darunter gesetzt, um die Festigkeit etwas zu erhöhen und zu vermeiden, daß der Ummantelungs-Kör­ per 9 deformiert wird, und weiterhin um Risse zu verhindern, die aufgrund von durch einen Wärmevorgang erzeugten Deformierungen auftreten.
Weil die Glas-Übergangs-Temperatur zu etwas unter 60°C oder darunter gesetzt ist, wird der Ummantelungs-Körper 36 oder das Epoxidharz in eine gummiähnli­ che Form weich werden, wenn die Umgebungstemperatur um die Licht aus­ strahlende Halbleiter-Vorrichtung 10 herum z. B. etwa 100°C erreicht, und die Glas-Übergangs-Temperatur überschreitet, und zwar aufgrund einer abrupten Temperaturerhöhung während der Rückflußofenwärmebehandlung. Dies unter­ drückt eine Kraft T in einer sich nach außen ausdehnenden Richtung (Fig. 1) aufgrund von thermischer Ausdehnung. Aufgrund dessen ist es möglich, die thermische Beanspruchung, die zwischen dem Ummantelungs-Körper 36 und dem Reflektor 32 verursacht wurde zu reduzieren. Demgemäß werden keine Risse in dem Ummantelungs-Körper 36 während einer Wärmebehandlung auf­ treten.
Die Fig. 5 und 6 zeigen eine Licht ausstrahlende Halbleiter-Vorrichtung 10 gemäß einer anderen Ausführungsform nach der Erfindung, die unterschiedliche Elektrodenbahnen 14' und 16' gegenüber denen der obigen Ausführungsform aufweist. Dies ist dadurch erreicht, daß die vorliegende Ausführungsform Elek­ trodenbahnen 14' bzw. 16' aufweist, die an zwei kürzeren gegenüberliegenden Seiten des Substrates 12 und um dieses herum angeordnet sind, in einer solchen Weise, daß sie sich entlang der gesamten Weite der kürzeren Seite erstrecken. Die Elektrodenbahnen 14' und 16' erstrecken sich jeweils über eine seitliche Fläche der kürzeren Seite zu einer Rückseite des Substrates 12 hinaus. Es ist zu beachten, daß die vorliegende Erfindung mit der oben beschriebenen Aus­ führungsform gemeinsam hat, daß das Epoxidharz eine Glas-Übergangs-Tem­ peratur von 60°C oder darunter aufweist, die verwendet wird, um den Ummante­ lungs-Körper 36 vorzusehen.
In jeder der obigen Ausführungsformen war der Licht ausstrahlende Halbleiter- Chip zu einem der Paare Elektrodenbahnen formverbunden, die auf dem Sub­ strat gebildet sind. Diese Erfindung ist allerdings nicht auf eine solche Struktur beschränkt, sondern ebenfalls anwendbar für eine Licht ausstrahlende Hal­ bleiter-Vorrichtung einer Art, bei der der Licht ausstrahlende Halbleiter-Chip mit einem Führungsrahmen verbunden ist.
Obwohl die vorliegende Erfindung im Detail beschrieben und veranschaulicht worden ist, ist es eindeutig zu verstehen, daß dies nur im Wege der Veranschaulichung und eines Beispieles geschieht, und nicht im Wege einer Einschränkung, der Geist und der Umfang der vorliegenden Erfindung werden nur durch die Be­ griffe der anhängigen Ansprüche eingeschränkt.
Zusammengefaßt, umfaßt eine Licht ausstrahlende Halbleiter-Vorrichtung ein Substrat. Dieses Substrat ist ferner mit einem Paar Elektroden-Bahnen darauf gebildet. Einer der Elektroden-Bahnen hat einen rechteckigen Leitungsbereich, auf dem ein Licht ausstrahlender Halbleiter-Chip formverbunden ist. Der Licht ausstrahlende Halbleiter-Chip ist auf der anderen Seite mit der anderen Elektroden-Bahn kraftverbunden. Ein Reflektor ist auf dem Substrat über ein Spritz-Formen eines flüssigen kristallinen Polymeres gebildet. Der Reflektor hat einen Durchgangs-Ausschnitt, der an seinem zentralen Bereich gebildet ist, und der eine innere Fläche aufweist, die mit einem Metall beschichtet ist. Der Licht ausstrahlende Halbleiter-Chip ist innerhalb des Durchgangs-Ausschnittes angeordnet, und ein lichtdurchlässiges Epoxidharz mit einer Glas-Übergangs- Temperatur von 60°C oder darunter wird in den Durchgangs-Ausschnitt eingefüllt, um dadurch einen Ummantelungskörper zu bilden.

Claims (4)

1. Licht ausstrahlende Halbleiter-Vorrichtung, die folgendes umfaßt:
einen Licht ausstrahlenden Halbleiter-Chip, der elektrisch mit einem Paar Elektroden verbunden ist;
einen Reflektor mit einem Reflektor-Ausschnitt, der den Licht ausstrahlen­ den Halbleiter-Chip umgibt, wobei der Reflektor-Ausschnitt dazu dient, das von dem Licht ausstrahlenden Halbleiter-Chip ausgegebene Licht zu sammeln, und zwar vorderseitig zu dem Reflektor-Ausschnitt; und
einen Kapsel-Körper, der in den Reflektor-Ausschnitt eingefüllt ist, und der den Licht ausstrahlenden Halbleiter-Chip kapselt, wobei der Kapsel-Körper aus einem Epoxidharz gebildet ist, der eine Glas-Übergangs-Temperatur von 60°C oder weniger aufweist.
2. Licht ausstrahlende Halbleiter-Vorrichtung gemaß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sie weiterhin ein Substrat umfaßt, wobei das Paar Elektroden auf diesem Substrat gebildet ist und der Reflektor auf dem Substrat angeordnet ist.
3. Licht ausstrahlende Halbleiter-Vorrichtung gemaß Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Reflektor derart ausgebildet ist, daß er einen durch Spritz-Gießen eines Harzes gebildeten Durchgangs-Ausschnitt aufweist, und einen Reflektorfilm umfaßt, der an einer inneren Umfangsfläche des Durchgangs-Ausschnittes gebildet ist.
4. Licht ausstrahlende Halbleiter-Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Reflektor durch Ziehen einer Metallplatte gebildet ist.
DE1999145919 1998-09-25 1999-09-24 Licht ausstrahlende Halbleiter-Vorrichtung mit einem Reflektor Withdrawn DE19945919A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10270790A JP2000101149A (ja) 1998-09-25 1998-09-25 半導体発光素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE19945919A1 true DE19945919A1 (de) 2000-03-30

Family

ID=17491047

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1999145919 Withdrawn DE19945919A1 (de) 1998-09-25 1999-09-24 Licht ausstrahlende Halbleiter-Vorrichtung mit einem Reflektor

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP2000101149A (de)
DE (1) DE19945919A1 (de)

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10139723A1 (de) * 2001-08-13 2003-03-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender Chip und strahlungsemittierendes Bauelement
EP1193773A3 (de) * 2000-09-29 2005-03-02 Omron Corporation Optische Vorrichtung für eine optischesElement und diese Vorrichtung verwendendes Gerät
EP1521313A2 (de) * 2003-10-03 2005-04-06 LumiLeds Lighting U.S., LLC Integrierter Reflektor für eine Leuchtdioden-Montageplatte
EP1537603A2 (de) * 2002-09-04 2005-06-08 Cree, Inc. Lichtemissionschipkapselung mit leistungsoberflachenanbringung
WO2005093862A2 (en) 2004-03-26 2005-10-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Led mounting module, led module, manufacturing method of led mounting module, and manufacturing method of led module
WO2006045287A2 (de) * 2004-10-25 2006-05-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektromagnetische strahlung emittierendes halbleiterbauelement und bauelementgehäuse
DE102004058917A1 (de) * 2004-12-07 2006-06-08 Harvatek Corp. Gehäuseanordnung für einen Halbleiter
DE102006046301A1 (de) * 2006-09-29 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optisches Element, strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optischen Elements
WO2008040324A1 (de) * 2006-09-29 2008-04-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein optoelektronisches bauelement, optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines gehäuses für ein optoelektronisches bauelement
WO2009124937A1 (en) * 2008-04-08 2009-10-15 Led Go Srl Lighting device and relative method of production
US7659551B2 (en) 2003-05-27 2010-02-09 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
US7980743B2 (en) 2005-06-14 2011-07-19 Cree, Inc. LED backlighting for displays
US8188488B2 (en) 2003-05-27 2012-05-29 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
WO2012080014A1 (de) * 2010-12-15 2012-06-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse und verfahren zur herstellung eines gehäuses für ein optoelektronisches bauelement

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002299699A (ja) 2001-03-30 2002-10-11 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光装置およびその製造方法
JP3659635B2 (ja) * 2001-04-10 2005-06-15 株式会社東芝 光半導体装置
KR100567550B1 (ko) * 2002-05-29 2006-04-05 서울반도체 주식회사 핑크색 발광 다이오드 및 그 제조 방법
JP4085917B2 (ja) * 2003-07-16 2008-05-14 松下電工株式会社 高熱伝導性発光素子用回路部品及び高放熱モジュール
CN100459191C (zh) 2004-03-17 2009-02-04 日本奥亚特克斯股份有限公司 发光体用电路基板的制造方法、发光体用电路基板前体及发光体用电路基板以及发光体
WO2019045549A1 (ko) * 2017-09-04 2019-03-07 서울반도체주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법

Cited By (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1193773A3 (de) * 2000-09-29 2005-03-02 Omron Corporation Optische Vorrichtung für eine optischesElement und diese Vorrichtung verwendendes Gerät
US7196359B2 (en) 2001-08-13 2007-03-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Radiation-emitting chip and radiation-emitting component
DE10139723A1 (de) * 2001-08-13 2003-03-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender Chip und strahlungsemittierendes Bauelement
EP1537603A2 (de) * 2002-09-04 2005-06-08 Cree, Inc. Lichtemissionschipkapselung mit leistungsoberflachenanbringung
US8710514B2 (en) 2002-09-04 2014-04-29 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
US8622582B2 (en) 2002-09-04 2014-01-07 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
US8608349B2 (en) 2002-09-04 2013-12-17 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
US8530915B2 (en) 2002-09-04 2013-09-10 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
EP1953825A3 (de) * 2002-09-04 2008-09-17 Cree, Inc. Oberflächenmontiertes Gehäuse für lichtemittierenden Leistungschip
EP1537603A4 (de) * 2002-09-04 2006-09-20 Cree Inc Lichtemissionschipkapselung mit leistungsoberflachenanbringung
US8167463B2 (en) 2002-09-04 2012-05-01 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
US8188488B2 (en) 2003-05-27 2012-05-29 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
US7976186B2 (en) 2003-05-27 2011-07-12 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
US7659551B2 (en) 2003-05-27 2010-02-09 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
US7775685B2 (en) 2003-05-27 2010-08-17 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
EP1521313A3 (de) * 2003-10-03 2010-12-29 Philips Lumileds Lighting Company LLC Integrierter Reflektor für eine Leuchtdioden-Montageplatte
EP1521313A2 (de) * 2003-10-03 2005-04-06 LumiLeds Lighting U.S., LLC Integrierter Reflektor für eine Leuchtdioden-Montageplatte
US7621654B2 (en) 2004-03-26 2009-11-24 Panasonic Corporation LED mounting module, LED module, manufacturing method of LED mounting module, and manufacturing method of LED module
WO2005093862A2 (en) 2004-03-26 2005-10-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Led mounting module, led module, manufacturing method of led mounting module, and manufacturing method of led module
WO2005093862A3 (en) * 2004-03-26 2006-04-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd Led mounting module, led module, manufacturing method of led mounting module, and manufacturing method of led module
WO2006045287A3 (de) * 2004-10-25 2006-06-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektromagnetische strahlung emittierendes halbleiterbauelement und bauelementgehäuse
US7897977B2 (en) 2004-10-25 2011-03-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Semiconductor component emitting electromagnetic radiation and component housing
WO2006045287A2 (de) * 2004-10-25 2006-05-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektromagnetische strahlung emittierendes halbleiterbauelement und bauelementgehäuse
DE102004058917A1 (de) * 2004-12-07 2006-06-08 Harvatek Corp. Gehäuseanordnung für einen Halbleiter
DE102004058917B4 (de) * 2004-12-07 2007-01-04 Harvatek Corp. Gehäuseanordnung für einen Halbleiter
US7980743B2 (en) 2005-06-14 2011-07-19 Cree, Inc. LED backlighting for displays
US8308331B2 (en) 2005-06-14 2012-11-13 Cree, Inc. LED backlighting for displays
US8476114B2 (en) 2006-09-29 2013-07-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Housing for an optoelectronic component, optoelectronic component, and method for producing a housing for an optoelectronic component
US8071987B2 (en) 2006-09-29 2011-12-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Housing for an optoelectronic component, optoelectronic component, and method for producing a housing for an optoelectronic component
DE102006046301A1 (de) * 2006-09-29 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optisches Element, strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optischen Elements
WO2008040324A1 (de) * 2006-09-29 2008-04-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein optoelektronisches bauelement, optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines gehäuses für ein optoelektronisches bauelement
EP2057695B1 (de) * 2006-09-29 2018-08-15 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Gehäuse für ein optoelektronisches bauelement, optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines gehäuses für ein optoelektronisches bauelement
WO2009124937A1 (en) * 2008-04-08 2009-10-15 Led Go Srl Lighting device and relative method of production
WO2012080014A1 (de) * 2010-12-15 2012-06-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse und verfahren zur herstellung eines gehäuses für ein optoelektronisches bauelement
DE102010054591B4 (de) 2010-12-15 2023-03-30 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Gehäuse und Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses für ein optoelektronisches Bauelement

Also Published As

Publication number Publication date
JP2000101149A (ja) 2000-04-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19945919A1 (de) Licht ausstrahlende Halbleiter-Vorrichtung mit einem Reflektor
DE10227515B4 (de) Lichtdiode mit Keramiksubstrat und Reflektor
DE102006047989B4 (de) Leistungshalbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
DE19829197C2 (de) Strahlungsaussendendes und/oder -empfangendes Bauelement
DE19709295B4 (de) Halbleiterbaugruppe
DE102012215705B4 (de) Gehäuse für ein optisches bauelement, baugruppe, verfahren zum herstellen eines gehäuses und verfahren zum herstellen einer baugruppe
DE102006004406B4 (de) Leuchtdiode mit elektrisch leitenden elastischen Elementen und zugehöriges Gerät
DE112006000694B4 (de) Gehäuse für Lichtemissionsvorrichtung, lichtemittierende Vorrichtung und Beleuchtungsvorrichtung
DE69735361T2 (de) Harzverkapselte halbleiteranordnung und herstellungsverfahren dafür
EP2054949B1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement
DE102004046994A1 (de) Lichtemittierende Diode
EP1547166B1 (de) Lichtquellenmodul sowie verfahren zu dessen herstellung
DE202010017509U1 (de) Lichtemittierende Vorrichtung und Beleuchtungssystem
EP1435118B1 (de) Gehäuse für ein oberflächenmontierbares strahlungsemittierendes bauelement, oberflächenmontierbares strahlungsemittierendes bauelement und anordnung mit einer mehrzahl von oberflächenmontierbaren strahlungsemittierenden bauelementen
DE29825022U1 (de) Optoelektronisches Bauelement
WO2004051757A2 (de) Optoelektronisches bauelement
DE60319939T2 (de) Verfahren zum Fliess-Glätten leitender Anschlüsse
DE102004034536A1 (de) Hochleistungs-LED-Anordnung
WO2008083672A2 (de) Gehäuse für optoelektronisches bauelement und anordnung eines optoelektronischen bauelementes in einem gehäuse
DE102006033470A1 (de) Leuchtdioden-Gehäusestruktur
DE102006003137A1 (de) Elektronikpackung und Packungsverfahren
DE4130899C2 (de) Halbleitervorrichtung
DE102017111706A1 (de) Lichtemissionsvorrichtung
DE4316639A1 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE19603444A1 (de) LED-Vorrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
8128 New person/name/address of the agent

Representative=s name: GROSSE, BOCKHORNI, SCHUMACHER, 81476 MUENCHEN

8110 Request for examination paragraph 44
8130 Withdrawal