DE4130899C2 - Halbleitervorrichtung - Google Patents
HalbleitervorrichtungInfo
- Publication number
- DE4130899C2 DE4130899C2 DE19914130899 DE4130899A DE4130899C2 DE 4130899 C2 DE4130899 C2 DE 4130899C2 DE 19914130899 DE19914130899 DE 19914130899 DE 4130899 A DE4130899 A DE 4130899A DE 4130899 C2 DE4130899 C2 DE 4130899C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- clamp
- semiconductor device
- terminal
- circuit board
- slot
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
- H01L23/49562—Geometry of the lead-frame for devices being provided for in H01L29/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49517—Additional leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01068—Erbium [Er]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1301—Thyristor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Description
Die Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung
gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1. Ein Beispiel für
eine Halbleitervorrichtung ist
ein Transistormodul, in welchem eine innere An
schlußklemme, die durch ein Isolierteil gehalten wird, welches
eine obere Behälterabdeckung bildet, auf eine Schal
tungsverdrahtung, die mit einem Halbleiterelement auf einer
Leiterplatte verbunden ist, hartgelötet wird, wenn das auf
der Schaltungsplatte befestigte Halbleiterelement mit der inneren
Anschlußklemme verbunden wird.
Die Fig. 7 und 8 zeigen einen herkömmlichen Aufbau einer
Halbleitervorrichtung nach dem Stand der Technik. Wie in den
Fig. 7, 8 gezeigt, umfaßt die bekannte Halbleitervorrichtung
eine Leiterplatte 1, Halbleiterelemente
3, eine Herausführklemme (leading-out terminal) 15a, welche
vor dem Herausführen auf ein Schaltungsverdrahtungsmuster 2
gelötet wird, das an die Schaltungsplatte 1 angeklebt ist,
eine Metall-Wärmesenkenplatte 11, einen Behälter 5, der die
Wärmesenkenplatte 11, eine obere Abdeckung 5a und Seitenwände
5b aus Harz kombiniert, eine gelatineartige Silikonharz
schicht 16, eine Epoxidharzschicht 17.
Ein in L-Form gebogenen Lötfuß 15c und ein gekrümmtes Dämp
fungsteil 15b zum Freisetzen thermischer Spannung sind an dem
Hinterende bzw. dem Mittelabschnitt der Herausführklemme 15a
ausgebildet. Das obere Ende dieser Klemme 15a geht durch die
obere Abdeckung 5a durch und ist aus dieser nach außen ge
führt.
Die herkömmliche Halbleitervorrichtung wird folgendermaßen
zusammengesetzt. Zuerst wird das Halbleiterelement 3 mit der
Leiterplatte 1 durch Chipbonden verbunden, wobei die Wärme
senkenplatte 11 vorher durch einen gesonderten Prozeß an der
Unterseite der Leiterplatte befestigt wird. Dann wird die
Herausführklemme 15a, die durch die obere Abdeckung 5a des
Behälters 5 hindurchgeführt und daran befestigt ist, an der
Leiterplatte 1 angebracht. In diesem Zustand wird der Fuß 15c
der Klemme 15a anschließend mit der Schaltungsverdrahtung 2
durch Aufschmelzlöten verbunden. Obwohl in Fig. 7 nur eine
Klemme 15a gezeigt ist, wird in einer tatsächlichen Halblei
tervorrichtung eine Mehrzahl von Herausführklemmen an der
oberen Abdeckung 5a des Behälters 5 befestigt. Diese Heraus
führklemmen ragen von der Leiterplatte 1 aufrecht vor. Nach
dem das Aufschmelzlöten fertiggestellt ist, werden Seiten
wände 5b des Behälters 5 an der Metall-Wärmesenkenplatte 11
befestigt, und dann wird ein leerer Raum in dem Behälter 5
durch den Spalt zwischen der oberen Abdeckung 5a und den Sei
tenwänden 5b mit Silikonharz 16 gefüllt. Ferner wird Epoxid
harz 17 in den verbleibenden Raum auf der oberen Schichtseite
eingespritzt und gehärtet, um den Behälter 5 mit Harz zu ver
siegeln.
Die beschriebene herkömmliche Halbleitervorrichtung, insbe
sondere der Aufbau der Herausführklemmen, bringt die folgenden
Probleme mit sich im Hinblick auf die Montagegenauigkeit,
die Teilehandhabung und dergleichen. Da die Herausführklemme
15a durch Pressen einer Metallplatte hergestellt ist, kann
sie durch äußere Kraft deformiert werden, wenn sie gelagert
oder gehandhabt wird. Wenn die Klemme auch nur wenig deformiert
wird, ist es andererseits schwierig, die Flachheit und
Positionsgenauigkeit des Klemmenfußes 15c durch Löten während
der Montage, wie oben beschrieben, sicherzustellen. Dies bildet
den entscheidenden Grund für mangelhafte Lötung bezüglich
der Leiterplatte 1. In dem Fall einer Halbleitervorrichtung,
in welcher die Position der auf die Schaltungsverdrahtung 2
der Leiterplatte 1 aufgesetzten und aufgelöteten Klemme 15a
und die Position der Herausführung der an der oberen Abdeckung
5a des Behälters 5 angeordneten äußeren Klemme getrennt
sind, aus einer horizontalen Ebene betrachtet, werden einzeln
konstruierte und in der Abmessung und Form unterschiedliche
Herausführklemmen in Verbindung mit der Schaltungsverdrahtung
2 benötigt.
Wenn der herkömmliche Klemmaufbau unversehrt gelassen wird,
ist es schwierig, nicht nur die Konfigurationen und Abmessungen
von Klemmteilen zu standardisieren zur Verwendung in
Halbleitervorrichtung mit mehr als einer Art von Schal
tungsverdrahtungen 2, die im Verdrahtungsmuster verschieden
sind, sondern auch, einen hohen Grad von Dimensionstoleranz
während der Montage zu erhalten, und dies verursacht eine
Kostenerhöhung.
Eine gattungsbildende Halbleitervorrichtung ist beispielsweise
aus der US-PS 42 49 034 bekannt. Die Halbleitervorrichtung be
findet sich in einem abgeschlossenen Gehäuse mit einem wärme
leitfähigen Boden und einer oberen Kammer, in welcher sich
elektrische Anschlußklemmen befinden. Zur Herstellung einer
elektrischen Verbindung zwischen den Anschlußklemmen und der
elektrischen Halbleitervorrichtung erstrecken sich im Inneren
der Kammer flexible Verbindungsdrähte.
Aus der DE-AS 15 64 768 ist eine Halbleitervorrichtung in einem
Gehäuse bekannt mit einem becherförmigen Kontaktkörper. Zur
elektrischen Verbindung mit der Halbleitervorrichtung ist an
dem Kontaktkörper eine elektrische Litze befestigt. Die Litze
wird durch das Gehäuse mittels einer Durchführung geleitet.
Die DE 36 04 311 A1 offenbart ein Leistungshalbleitermodul mit
außenliegenden Anschlüssen, welche mit einer Steckverbinddung
versehen sind. Dadurch ist es möglich, Anschlußelemente für
äußere Anschlüsse erst nach dem Einsetzen eines bestückten
Substrats in ein Gehäuse einzusetzen.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Halbleitervor
richtung der gattungsgemäßen Art so weiterzubilden, daß sie
einfach aufgebaut und mit geringen Kosten herstellbar ist.
Diese Aufgabe wird von einer Halbleitervorrichtung mit den
Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelöst.
Bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung sind Gegenstand mehrerer
Unteransprüche.
Die begleitenden Figuren zeigen
Ausführungsformen der Erfindung und dienen
zusammen mit der Beschreibung dazu, die Vorteile und
Prinzipien der Erfindung zu erläutern. In der Zeichnung zeigen:
Fig. 1 eine Schnittansicht einer Ausführungsform der Er
findung;
Fig. 2(a) eine Schnittansicht des Aufbaus der Klemme;
Fig. 2(b) einen Schnitt entlang der Linie A-A in Fig. 2(a);
Fig. 3 eine vergrößerte Teilansicht von Fig. 2;
Fig. 4 einen anderen Aufbau der inneren Anschlußklemme;
Fig. 5 noch einen anderen Aufbau der inneren Anschluß
klemme;
Fig. 6 eine vergrößerte Teilansicht von Fig. 5;
Fig. 7 eine Schnittansicht einer herkömmlichen Halbleiter
vorrichtung; und
Fig. 8 eine perspektivische Ansicht des inneren Aufbaus
der herkömmlichen Halbleitervorrichtung.
In der erfindungsgemäßen Halbleitervorrichtung sind die innere und die
äußere Klemme so standardisiert, daß sie klein in der Abmessung
und einfach im Aufbau sind. Es besteht nahezu keine Ge
fahr, daß die Teile deformiert werden hinsichtlich Abmessung,
Gestalt, Flachheit und dergleichen, während sie
gelagert und gehandhabt werden. Wenn die innere Klemme von
der äußeren getrennt und direkt über einer Position ange
bracht ist, die zu dem Schaltungsverdrahtungsmuster auf der
Plattenseite hinweist, kann ein hohes Maß an Toleranz bezüg
lich der Platte sichergestellt werden.
Da die innere und die äußere Klemme mit dem flexiblen Zuführ
draht verbunden sind, tritt außerdem keine Störung auf, ob
wohl die auf das Schaltungsverdrahtungsmuster auf der Platte
eingestellte Lötposition gegen die Ziehposition der Klemme
unterhalb der oberen Behälterabdeckung versetzt ist.
Ferner wird dadurch, daß die Klemmenhalterung der oberen Be
hälterabdeckung dazu gebracht wird, irgendeine Stelle des
flexiblen Zuführdrahtes auf halbem Wege nach unten zu halten,
der Zuführdraht daran gehindert, sich unerwartet zu biegen
und aus der Verdrahtungsposition zu verschieben in dem Aus
maß, daß er sich näher zu einem anderen Zuführdraht, einer
Klemme oder einem Schaltungsteil bewegt oder damit in Berührung
kommt, obwohl der Behälter mit Harz gefüllt ist. Eine
daraus resultierende Behinderungsstörung kann auf diese Weise
verhindert werden.
Mehr im einzelnen umfaßt ein Leistungstransistormodul (Fig. 4(a)
und 4(b)) gemäß einer Ausführungsform der Erfindung eine Mehrzahl von
Halbleiterelementen (Chips), die an einer Leiterplatte in
einem Gehäuse befestigt sind, und diese Elemente
sind mittels eines Schaltungsverdrahtungsmusters auf der
Platte verbunden. Eine verbesserte Anschlußklemmeinrichtung
sorgt für die äußere Verbindung
und umfaßt eine innere Klemme, die mit
der Verdrahtung verbunden ist und an eine äußere Klemme ange
schlossen ist. Ein erläutertes Beispiel für eine innere An
schlußklemme als Bestandteil einer solchen Halbleitervorrichtung
wird gezeigt. Fig. 4(a) zeigt den prinzipiellen Teil
der Halbleitervorrichtung, in welcher ein Halbleiterchip 3
ferner befestigt ist an einer Leiterplatte 1 mit auf ihre
beiden Seiten aufgeklebten Schaltungsverdrahtung 2, wobei die
Schaltungsverdrahtung mit Kupferfolie gebildet ist, um eine
gewünschte Schaltung zu bilden, und eine Elektrode an der Un
terseite des Halbleiterchips 3 direkt auf die Verdrahtung 2
hartgelötet ist. Eine Elektrode an der Oberfläche ist durch
(nicht gezeigtes) Dünndrahtbonden verbunden mit dem Schal
tungsverdrahtungsmuster 2, die eine von der oben beschriebenen
hartgelöteten Verdrahtung 2 verschiedene Lage aufweist.
Das hintere Ende der aus Kupfer bestehenden inneren Klemme 4
ist an die Verdrahtung 2 angelötet, wogegen ihr oberer Ab
schnitt an einer aus Harz bestehenden oberen Behälterabdeckung
5 gehalten wird.
Das Halten der Klemme 4 an der oberen Abdeckung 5 wird, wie
in Fig. 4(b) gezeigt, vorgenommen durch Bilden eines An
satzes 41 in dem oberen Teil der Klemme 4, durch Vorsehen
einer Klemmenhalterung 51 unter der oberen Abdeckung 5, wobei
die Klemmenhalterung nach unten vorragt, und durch Hin
einzwängen der Klemme 4 in einen Schlitz 6, der in die Klemmen
halterung 51 eingeschniten ist, wobei der Ansatz 41 ein
wenig verformt wird, der eine etwas größere Breite als der
Schlitz aufweist. Die inneren Klemme 4 ist mit der (nicht ge
zeigten) äußeren Klemme verbunden unter Verwendung eines Zu
führdrahtes 7 in der Weise, daß das Vorderende des Zuführ
drahtes in die Brücke 42 der inneren Klemme hineingepreßt
wird.
In einem anderen Beispiel, das in den Fig. 5(a), 5(b) ge
zeigt ist, sind anstelle des in Fig. 4 gezeigten Ansatzes
angehobene Abschnitte 43, 44 an der inneren Klemme 4 ausge
bildet, um die innere Klemme 4 in den Schlitz 6 hineinzudrücken
und den Zuführdraht 7 mit der inneren Klemme 4 zu verbinden.
Fig. 1 zeigt eine andere Halbleitervorrichtung gemäß der
Erfindung und gleiche Bezugszeichen bezeichnen in
den nachfolgenden Figuren gleiche und entsprechende Teile.
Der Behälter der Halbleitervorrichtung besteht aus einer Bo
denplatte 11 als eine Wärmesenkenplatte aus Kupfer, Seiten
wänder 12 und einer oberen Abdeckung 5, welche aus Harz be
stehen. Bodenplatte ist an einer
Kühlrippe 14 mit Montageschrauben 13 befestigt. Eine
Leiterplatte 1 ist an der Bodenplatte 11 des Behälters befestigt,
und ein Ende einer inneren Anschlußklemme 4 ist an
eine Schaltungsverdrahtung 2 angelötet, die aus Kupferfolie
besteht und an die Leiterplatte 1 angeklebt ist. Die innere
Klemme 4 und eine äußere Klemme 15, die durch die obere Ab
deckung 5 hindurchgeht, sind mittels eines Zuführdrahtes 7
verbunden. Ein Raum in dem Behälter ist mit einem Silikongel
16 und Epoxidharz 17 gefüllt.
Die Fig. 2(a) und 2(b) zeigen einen Aufbau zum Halten der
in der Halbleitervorrichtung verwendeten inneren Anschluß
klemme 4. Da die Breite eines Schlitzes 6, der in einer von
der Behälterabdeckung 5 vorragenden Klemmenhalterung 51
angebracht ist, größer ist als die Dicke der Klemme 4, wird
die Klemme 4 nicht in den Schlitz 6 hineingepreßt, sondern
nur lose darin eingesetzt. Ein in den Schlitz eingesetzter
Abschnitt der inneren Klemme 4 ist so gepreßt, daß er einen
halbkreisförmigen Ansatz 81 bildet, und der Kopf des Ansatzes
81 ist, wie in einer vergrößerten Ansicht in Fig. 3 gezeigt,
in einem kreisförmigen Fenster 9 gelegen, das mit dem Schlitz
in Verbindungkk steht und in die Klemmenhalterung 51 eingeformt ist, welche ein
Teil der oberen Abdeckung 5 ist.
Obwohl die Höhe des Ansatzes 81 größer eingestellt ist als
die Breite des Schlitzes 6, wird die innere Klemme 4 von der
unteren Öffnung des Schlitzes 6 hereingesetzt, wobei der Ansatz
81 den Schlitz zwingt, zu expandieren. Da das Fenster 9
in der Klemmenhalterung 51 der oberen Abdeckung 5 aus Harz
offen ist, ist der Ansatz elastisch deformierbar, so daß die
innere Klemme 4 leicht eingefügt werden kann. Nachdem die innere
Klemme eingefügt ist, kehrt der Ansatz aufgrund seiner
elastischen Wiederherstellkraft in seine ursprüngliche
Gestalt zurück, und die untere Kante des Ansatzes 81 wird durch
die untere Kante des Fensters 9 gefaßt. Die innere Klemme
wird also daran gehindert, während der Montage der Halblei
tervorrichtung wegzurutschen. Folglich wird die innere Klemme
4 aufrecht in dem Schlitz 6 gehalten, und da das hintere Ende
der inneren Klemme 4 so ausgeführt ist, daß es flach an der
Oberfläche des Schaltungsverdrahtungsmusters 2 aus Kupferfolie
auf der Leiterplatte 1 klebt, ist es mit Lötmittel leicht
daran zu befestigen.
Ferner läßt das mit dem Silikongel 16 gefüllte Fenster 9 zu,
daß sich die an der Leiterplatte 1 befestigte innere Klemme 4
frei verschiebt, wie durch einen Pfeil 10 in Fig. 3(a) ge
zeigt. Es ist daher möglich, eine relative Positionsfluktuation
von etwa 300 µm zwischen der inneren Klemme 4 und der
oberen Abdeckung 5 zu absorbieren, wobei die Positionsfluk
tuation herrührt von Expansion aufgrund von Erwährmug bis auf
etwa 150°C während des Betriebs der Halbleitervorrichtung und
ihrer Abkühlungskontraktion. Anders ausgedrückt, kann die
Funktionsstabilität aufrechterhalten werden, da keine Bean
spruchung auf das Lötmittel ausgeübt wird.
Die Fig. 6(a), 6(b) zeigen einen anderen Aufbau zum Halten
der inneren Anschlußklemme einer Halbleitervorrichtung gemäß
der Erfindung. In diesem Fall ist ein zungenförmiger Ansatz
82 von der inneren Klemme 4 ausgebogen und ist in einem
quadratischen Fenster 9 plaziert, das in der Klemmenhalterung
51 der oberen Abdeckung ausgebildet ist und mit dem Schlitz 6
in Verbindung steht, um auf diese Weise die Rolle zu übernehmen,
die innere Klemme am Weggleiten zu hindern. Da dieser
zungenförmige Ansatz 82 so deformierbar ist, daß seine Höhe
vermindert wird, wenn die Klemme 4 in den Schlitz 6 eingefügt
wird, wird die Klemme leicht eingefügt.
Wie in den Fig. 2, 3 und 6 gezeigt, sind ein Paar Fenster
9 quer angeordnet, wodurch die Klemme 4 in den Schlitz 6 ein
gefügt werden kann mit einer Seite, welche die Ansätze 81, 82
umgekehrt aufweist, gemäß dem Muster der Schaltungsverdrah
tung 2.
Die gemäß obiger Beschreibung aufgebaute Halbleitervorrich
tung weist die folgenden Vorteile auf.
(1) Jedes der Klemmstücke ist kleiner in der Abmessung,
einfacher in der äußeren Erscheingung als die herkömmliche
einteilige Klemme und frei von Deformation, so daß es
leicht ist, ihre Lagerung und Handhabung zu steuern. Außerdem
kann ein stabiler Lötvorgang ausgeführt werden, da eine flache
Lötfläche gesichert ist.
(2) Selbst wenn die auf das Schaltungsverdrahtungsmuster der
Leiterplatte aufgesetzte Lötstelle und die Klemmherausführ
position, die an der oberen Behälterabdeckung angeordnet ist,
voneinander entfernt angeordnet sind, von der horizontalen
Ebene aus betrachtet, können die innere und die äußere Klemme
mit standardisierten Abmessungen und Formen zur Lösung dieses
Problems verwendet werden durch Variieren der Verdrahtungs
länge des Zuführdrahtes. Daher werden Beschränkungen hin
sichtlich des Schaltungsverdrahtungsmusters auf der Platte,
der Anordnung der Klemme, die an der oberen Behälterabdeckung
anzubringen ist und aus dieser herauszuführen ist, und der
gleichen gelockert. Infolgedessen trägt eine vergrößerte
Freiheit des Konstruierens zusammen mit der Verwendung solcher
standardisierter Klemmstücke bei zur Erzielung einer
Kostenverminderung.
Ferner ist die innere Anschlußklemme lose in den Schlitz ein
gesetzt, der in der Klemmenhalterung der oberen Behälterab
deckung ausgebildet und zu der Bodenplatte gerichtet ist,
während der an der inneren Klemme ausgebildete Ansatz frei
(lose) in das Fenster eingesetzt ist, welches in die
Klemmenhalterung eingeformt ist um die innere Klemme in der Tiefen
richtung des Schlitzes verschiebbar zu machen. Infolgedessen
werden ungünstig beeinträchtigende Dimensionsschwankungen ab
sorbierbar, die herrühren von Temperaturschwankungen aufgrund
der in der Halbleitervorrichtung erzeugten Wärme. Da der An
satz durch die Kante des Fensters gefangen ist, wird außerdem
die Klemme am Weggleiten gehindert. Der Ansatz kann leicht
ausgebildet werden durch örtliches Prägen oder Aufrichten
einer plattenförmigen inneren Klemme. Das mit Gelmaterial ge
füllte Fenster ermöglicht es der Klemme, sich zu verschieben,
während es das Halbleiterelement schützt.
Claims (7)
1. Halbleitervorrichtung mit einer Leiterplatte (1) mit
einem Schaltungsverdrahtungsmuster (2) für darauf angebrachte Halbleiterelemente (3),
einem Gehäuse, das eine Wärmesenkenplatte (11) zum Tragen der Halbleiterelemente (3) aufweist und ferner Seitenwände und eine obere Abdeckung (5), wobei wenigstens eine Anschlußklemmenein richtung eine äußere Klemme (15) aufweist, die sich durch die obere Abdeckung (5) erstreckt und daran befestigt ist, dadurch gekennzeichnet, daß in der oberen Abdeckung eine Klemmenhalte rung (51) vorgesehen ist, daß die wenigstens eine Anschlußklem meneinrichtung eine von der Leiterplatte (1) aufwärts verlau fende innere Klemme (4) aufweist, deren unteres Ende an einer vorbestimmten Stelle auf der Leiterplatte (1) an die Schal tungsverdrahtung (2) angelötet ist, und das obere Ende der inneren Klemme (4) in der Klemmenhalterung (51) an der Innenseite der oberen Abdeckung (5) gelagert ist, und
daß ein flexibler Draht (7) die innere (4) und die äußere Klemme verbindet.
einem Schaltungsverdrahtungsmuster (2) für darauf angebrachte Halbleiterelemente (3),
einem Gehäuse, das eine Wärmesenkenplatte (11) zum Tragen der Halbleiterelemente (3) aufweist und ferner Seitenwände und eine obere Abdeckung (5), wobei wenigstens eine Anschlußklemmenein richtung eine äußere Klemme (15) aufweist, die sich durch die obere Abdeckung (5) erstreckt und daran befestigt ist, dadurch gekennzeichnet, daß in der oberen Abdeckung eine Klemmenhalte rung (51) vorgesehen ist, daß die wenigstens eine Anschlußklem meneinrichtung eine von der Leiterplatte (1) aufwärts verlau fende innere Klemme (4) aufweist, deren unteres Ende an einer vorbestimmten Stelle auf der Leiterplatte (1) an die Schal tungsverdrahtung (2) angelötet ist, und das obere Ende der inneren Klemme (4) in der Klemmenhalterung (51) an der Innenseite der oberen Abdeckung (5) gelagert ist, und
daß ein flexibler Draht (7) die innere (4) und die äußere Klemme verbindet.
2. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß ein Schlitz (6) in der Klemmenhalterung (51) ausgebildet
ist und das obere Ende der inneren Klemme (4) in dem
Schlitz (6) so angeordnet ist, daß es sich darin aufwärts er
streckt in einer zu der Leiterplatte (1) senkrechten Richtung,
und daß ein Fenster (9) in die Klemmenhalterung (51) eingeformt
ist, derart, daß es mit dem Schlitz (6) in Verbindung steht,
wobei die innere Klemme (4) einen Ansatz (81, 82) aufweist, der
in das Fenster eingesetzt ist.
3. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß die innere Klemme (4) ein plattenförmiges Teil mit
einem geprägten halbkreisförmigen Ansatz (81) ist.
4. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß die innere Klemme (4) ein plattenförmiges Teil mit
einer ausgebogenen Rastzunge (82) ist, welche den Ansatz bildet.
5. Halbleitervorrichtung nach wenigstens einem der Ansprüche 1
bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß eine Einrichtung an der
Innenseite der Abdeckung (5) vorgesehen ist, zum Stützen eines
Mittelabschnitts des flexiblen Zuführdrahtes (7).
6. Halbleitervorrichtung nach wenigstens einem der Ansprüche 1
bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Zuführdraht (7) ein
Draht mit einem Isolierüberzug ist.
7. Halbleitervorrichtung nach wenigstens einem der Ansprüche 1
bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß jedes Halbleiterelement ein
Dioden-, ein Thyristor- oder ein Transistor-Element umfaßt.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1990097377U JPH0749802Y2 (ja) | 1989-12-28 | 1990-09-17 | 半導体装置 |
JP2322146A JP2560914B2 (ja) | 1990-11-26 | 1990-11-26 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4130899A1 DE4130899A1 (de) | 1992-03-19 |
DE4130899C2 true DE4130899C2 (de) | 1997-04-17 |
Family
ID=26438558
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19914130899 Expired - Fee Related DE4130899C2 (de) | 1990-09-17 | 1991-09-17 | Halbleitervorrichtung |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5155660A (de) |
DE (1) | DE4130899C2 (de) |
GB (1) | GB2249869B (de) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0538479U (ja) * | 1991-10-25 | 1993-05-25 | 曙ブレーキ工業株式会社 | ブレーキ制御機構の電磁弁装置 |
JPH06120390A (ja) * | 1992-10-05 | 1994-04-28 | Fuji Electric Co Ltd | 樹脂封止形半導体装置の端子構造 |
DE69321070T2 (de) * | 1992-11-09 | 1999-06-10 | Nec Corp | Struktur zur Kühlung einer integrierten Schaltung |
ES2121226T3 (es) * | 1993-10-07 | 1998-11-16 | Raychem Sa Nv | Proteccion medioambiental. |
EP0706221B8 (de) * | 1994-10-07 | 2008-09-03 | Hitachi, Ltd. | Halbleiteranordnung mit einer Mehrzahl von Halbleiterelementen |
US5801330A (en) * | 1995-02-09 | 1998-09-01 | Robert Bosch Gmbh | Housing for an electrical device having spring means |
JPH09172116A (ja) * | 1995-12-21 | 1997-06-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JPH1120729A (ja) * | 1997-07-02 | 1999-01-26 | Toyota Autom Loom Works Ltd | 車両におけるセンサの取付構造 |
US6147869A (en) * | 1997-11-24 | 2000-11-14 | International Rectifier Corp. | Adaptable planar module |
JP3006585B2 (ja) * | 1998-06-01 | 2000-02-07 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP4121185B2 (ja) * | 1998-06-12 | 2008-07-23 | 新電元工業株式会社 | 電子回路装置 |
DE10014457B4 (de) * | 2000-03-23 | 2005-02-03 | Grauvogel, Ulrich, Dipl.-Ing. | Kühlkörper mit einem Gehäuse für eine wärmeabgebende elektronische Schaltung |
DE102004031623B4 (de) * | 2004-06-30 | 2007-12-13 | Infineon Technologies Ag | Leistungs-Halbleitermodul mit federndem Anschlusskontakt |
DE102004034290A1 (de) * | 2004-07-15 | 2007-01-11 | Siemens Ag | Sensor für Kraftfahrzeuge |
NL1037176C2 (en) * | 2009-08-05 | 2011-02-08 | J M Geluk Beheer B V | Explosion proof electronic device and method of manufacturing such a device. |
US8169781B2 (en) * | 2010-04-06 | 2012-05-01 | Fsp Technology Inc. | Power supply and heat dissipation module thereof |
WO2013047101A1 (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-04 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE629939A (de) * | 1962-03-24 | |||
JPS49135749U (de) * | 1973-03-24 | 1974-11-21 | ||
US4249034A (en) * | 1978-11-27 | 1981-02-03 | General Electric Company | Semiconductor package having strengthening and sealing upper chamber |
DE3143339A1 (de) * | 1981-10-31 | 1983-05-19 | SEMIKRON Gesellschaft für Gleichrichterbau u. Elektronik mbH, 8500 Nürnberg | Halbleiteranordnung |
DE3241508A1 (de) * | 1982-11-10 | 1984-05-10 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | Leistungstransistor-modul |
DE3345285A1 (de) * | 1983-12-14 | 1985-06-27 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Leistungs-halbleiteranordnung |
DE3604313A1 (de) * | 1986-02-12 | 1987-08-13 | Bbc Brown Boveri & Cie | Leistungshalbleitermodul |
JPS6393126A (ja) * | 1986-10-08 | 1988-04-23 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
DE3717489A1 (de) * | 1987-05-23 | 1988-12-01 | Asea Brown Boveri | Leistungshalbleitermodul und verfahren zur herstellung des moduls |
EP0298900A1 (de) * | 1987-07-10 | 1989-01-11 | Richard Ambrose Scott | Verkaufsautomat für Pommes Frites |
DE8808767U1 (de) * | 1988-07-08 | 1989-11-02 | Akyuerek, Altan, Dipl.-Ing., 8560 Lauf, De |
-
1991
- 1991-09-12 GB GB9119472A patent/GB2249869B/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-09-17 US US07/760,906 patent/US5155660A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-09-17 DE DE19914130899 patent/DE4130899C2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB9119472D0 (en) | 1991-10-23 |
US5155660A (en) | 1992-10-13 |
DE4130899A1 (de) | 1992-03-19 |
GB2249869A (en) | 1992-05-20 |
GB2249869B (en) | 1994-10-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE4130899C2 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE112007002446B4 (de) | Elektronische Schaltungsvorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE102006047989B4 (de) | Leistungshalbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung | |
EP0634888B1 (de) | Steckbare Baugruppe, insbesondere Relaismodul für Kraftfahrzeuge | |
DE19921109B4 (de) | Elektronikbauteil und Elektronikkomponente mit einem Keramikbauteilelement | |
DE19928788B4 (de) | Elektronisches Keramikbauelement | |
DE102014104399B4 (de) | Halbleiterchipgehäuse umfassend einen Leadframe | |
DE4241684C2 (de) | Halbleiterbauteilgehäuse | |
DE10392365T5 (de) | Halbleitervorrichtung mit einem Halbleiterchip | |
DE19756345C2 (de) | Anordnung zur Kontaktierung von Leiterplatten | |
DE29825062U1 (de) | Optoelektronisches Bauelement | |
DE102006016775A1 (de) | Elektronische Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen der Gleichen | |
DE2314247B2 (de) | Halbleiteranordnung mit einer biegsamen isolierenden Folie | |
EP0130386B1 (de) | Kunststoffolien-Wickelkondensator | |
DE69737320T2 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE19743537A1 (de) | Halbleitergehäuse für Oberflächenmontage sowie Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE4326506A1 (de) | Elektrisches Gerät, insbesondere Schalt- oder Steuergerät für Kraftfahrzeuge | |
DE2653833A1 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE3805130A1 (de) | Gehaeuse fuer eine halbleiteranordnung | |
DE19605252A1 (de) | Oberflächenmontierbare elektrische Mikrominiatur-Schmelzsicherung | |
DE19709259B4 (de) | Mehrlagiges Bodenanschlussgehäuse | |
DE2111788A1 (de) | Rahmenfoermiger Leitungstraeger fuer eine Halbleitervorrichtung und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE2306288C2 (de) | Träger für einen integrierten Schaltkreis | |
DE3243689C2 (de) | ||
DE2638197A1 (de) | Klemmenkonstruktion fuer elektrische schatungen |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8101 | Request for examination as to novelty | ||
8105 | Search report available | ||
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8320 | Willingness to grant licences declared (paragraph 23) | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: FUJI ELECTRIC SYSTEMS CO., LTD., TOKYO/TOKIO, JP |
|
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |
Effective date: 20110401 |