DE4241684C2 - Halbleiterbauteilgehäuse - Google Patents

Halbleiterbauteilgehäuse

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Description

Die vorliegende Erfindung betrifft Halbleiterbauteilgehäuse und insbesondere ein Halbleiterbauteilgehäuse gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 (JP 2-153 557 A), bei dem nicht nur die Gehäusegrundfläche verringert werden kann, sondern auch wahlweise die Ober- oder Unterseite verdichtet werden kann.
Ein relativ kompaktes Halbleiterbauteilgehäuse ist aus der JP 2- 153 557 A bekannt. Bei diesem Gehäuse stehen Anschlußleitungen seitlich weg. Es ist nur eine Anschlußseite vorgesehen.
Ebenfalls nur eine Anschlußseite ist bei einer Halbleitervor­ richtung in einem Gehäuse vorgesehen, die aus der JP 63-258 050 A bekannt ist. Die Anschlußleitungen sind Leitun­ gen, die auf einer Seite des Gehäuses freiliegen.
In JP 2-303 056 A wird ein Verfahren zur Herstellung eines inte­ grierten Halbleiterschaltkreises vorgestellt. Aus dem Verfahren geht ein Element hervor, bei dem ebenfalls eine Leitung auf der Unterseite freiliegt. Zusätzlich ragt eine Leitung seitlich aus der Umhüllung heraus.
In JP 2-78 263 A ist ein Gehäuse für einen integrierten Schalt­ kreis vorgestellt, bei dem die Anschlußleitungen alternativ nach oben oder nach unten gebogen sein können. Die entsprechende Bie­ gung erfolgt bei der Herstellung des Gehäuses. Es werden also zwei spiegelsymmetrische Bauteiltypen hergestellt.
In einem herkömmlichen Halbleiterbauteilgehäuse, wie es in Fig. 1 veranschaulicht ist, ist ein Halbleiterbauteil 2 auf einen Träger 1 eines Anschlußrahmens aufgebracht, der in der Mitte des Gehäuses ausgebildet ist, und die Anschlußflächen 2a des Halbleiterbauteils 2 sind mit auf beiden Seiten des Trägers 1 ausgebildeten inneren Anschlußleitungen 3 durch Drähte 4 ver­ bunden, so daß ein Gehäuse 5 durch Verbundvergießen der inne­ ren Anschlußleitungen 3 mit dem Halbleiterbauteil 2 gebildet ist. Dabei ist der Träger 1 tieferliegend als die inneren Anschlußleitungen 3 angeordnet, um die Drahtverbindung zwi­ schen ihnen zu erleichtern und die äußeren Anschlußleitungen 6, die von den inneren Anschlußleitungen 3 wegführen, sind nach außen geführt und (um-)gebogen. Ein derartiges Gehäuse 7 wird mit den Verbindungsleitungen auf einer gedruckten Leiter­ platte (PCB) 8 durch Löten verbunden.
Bei diesem herkömmlichen Halbleiterbauteilgehäuse 7 wird die Größe des Gehäuses 7 durch die herausragenden äußeren Anschlußleitungen 6 vergrößert, die einen großen Teil der Gehäusefläche benötigen, da die äußeren Anschlußleitungen zur Oberflächenmontage auf der gedruckten Leiterplatte 8 nach außen ragen. Außerdem ist die Höhe des Halbleiterbauteilge­ häuses 7 durch die Dicke des Vergußmaterials zum Schutz des Halbleiterbauteils 2 und des Drahtes 4 erhöht. Dementsprechend ist dieses herkömmliche Halbleiterbauteilgehäuse nicht geeignet, um eine höhere Bauteildichte auf der Leiterplatte zu erzielen, so daß die Geräte, die ein derartiges Halbleiterbau­ teil verwenden, nicht miniaturisiert werden können.
Die vorliegende Erfindung dient dazu, diese Probleme zu über­ winden und ein Halbleiterbauteilgehäuse bereitzustellen, welches mit nur einem Bauelement-Typ auskommt, wenn unterschiedliche Kontaktierungsmöglichkeiten benötigt werden.
Die vorliegende Erfindung stellt auch ein Halbleiterbauteil­ gehäuse bereit, mit dem eine hohe Packungsdichte erziel­ bar ist und es gestattet, Geräte dadurch kleiner bauend zu gestalten, daß die Dicke der Vergußmasse verringert wird, so daß sich die Gesamtdicke reduziert.
Die vorliegende Erfindung stellt des weiteren ein Halbleiter­ bauteilgehäuse bereit, bei dem wahlweise eine Seite mon­ tiert werden kann, wodurch sich die Packungsdichte erhöht.
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird ein Halbleiterschal­ tungsgehäuse mit den Merkmalen des Anspruchs 1 bereitgestellt.
Fig. 1 ist eine Darstellung eines herkömmlichen Halbleiter­ bauteilgehäuses im Querschnitt.
Fig. 2 und 3 zeigen Ausführungsformen von Halbleiterbauteil­ gehäusen gemäß der vorliegenden Erfindung im Quer­ schnitt.
Die vorliegende Erfindung wird nachstehend unter Bezugnahme auf die beifgefügten Zeichnungen im einzelnen erläutert.
Die Fig. 2 und 3 zeigen Halbleiterbauteilgehäuse gemäß der vorliegen­ den Erfindung in einer Querschnittsdarstellung, bei denen eine innere Anschlußleitung 12 so nach unten gebogen ist, daß das vordere Ende 12a unter der inneren Anschlußleitung 12 angeord­ net ist. An dem vorderen Ende 12a der inneren Anschlußleitung 12 ist ein isolierender Film 13 angeklebt, um eine Bewegung der inneren Anschlußleitungen zu verhindern und einen gleich­ mäßigen Abstand zwischen ihnen zu gewährleisten. Weiterhin ist ein Halbleiterbauteil 14 auf dem isolierenden Film 13 angebracht und die inneren Anschlußleitungen 12 sind mit den Anschlußflächen des Halbleiterbauteils 14 durch Drähte 15 verbunden. Weiterhin ist ein Gehäuse durch Verbundvergießen (compound molding) gebildet, um das Halbleiterbauteil 14 und die Drähte 15 zu schützen. In dem Verbundvergußprozeß wir die Unterseite der vorderen Enden 12a der inneren Anschlußleitun­ gen 12 um eine vorbestimmte Dicke freigelegt, und die äußeren Anschlußleitungen 17, die von beiden Seiten des Gehäuses 18 nach außen stehen, sind nach oben gebogen. Bei der vorliegen­ den Erfindung ist die Dicke des Verbundgehäuses 16 um die freiliegende Dicke verringert, da das vordere Ende 12a der inneren Anschlußleitungen 12 durch das Vergießen teilweise freigelegt ist. Da das Gehäuse direkt auf die (in den Darstel­ lungen) nicht veranschaulichten Verbindungsleitungen der gedruckten Leiterplatte angebracht bzw. mit ihnen kontaktiert werden kann, indem die vorderen Enden 12a der inneren An­ schlußleitungen 12 verwendet werden, verringert sich die Höhe des Halbleiterbauteilgehäuses 19. Da das Gehäuse auf der gedruckten Leiterplatte mit den äußeren Anschlußleitungen 17 montiert werden kann, die an beiden Seiten, wie in Fig. 3 veranschaulicht, nach außen ragen, kann das Halbleiterbauteil­ gehäuse 19 wahlweise an einem der vorderen Enden der äußeren und der inneren Anschlußleitungen 17 bzw. 12 kon­ taktiert werden. Außerdem kann das Halbleiterbauteilgehäuse 19 auf der gedruckten Leiterplatte 18 an den vorderen Enden 12a der inneren Anschlußleitungen 12 montiert werden, obwohl die äußeren Anschlußleitungen 17, die aus beiden Seiten des Gehäuses 16 herausragen, entfernt werden, wodurch sich die Montagefläche des Halbleiterbauteilgehäuses 19 verringert. Wie vorstehend beschrieben ist, kann gemäß der vorliegenden Erfindung das Halbleiterbauteilgehäuse dünn gestaltet wer­ den, indem die vorderen Enden der inneren Anschlußleitungen beim Vergußformen des Gehäuses freigelegt werden. Außerdem wird die Montageeffizienz erhöht, da wahlweise die Kontaktie­ rung über die äußeren Anschlußleitungen oder die vorderen Enden der inneren Anschlußleitungen erfolgen kann. Des wei­ teren kann, wenn die äußeren Anschlußleitungen entfernt werden, die Packungsdichte des Halbleiterbauteilgehäuses erhöht werden.

Claims (2)

1. Halbleiterbauteilgehäuse, wobei
ein Halbleiterbauteil (14) mit Anschlußflächen (14a) in der inneren Mitte eines verbundvergossenen Gehäuses (16) angeordnet ist,
innenliegende Anschlußleitungen (12) in eine erste von zwei Richtungen gebogen sind,
äußere Anschlußleitungen (17), die mit den innenliegenden Anschlußleitungen (12) verbunden sind, aus dem Halbleiter­ bauteilgehäuse seitlich nach außen ragen,
das Halbleiterbauteil (14) am Ende (12a) der innenliegen­ den Anschlußleitungen (12) auf diesen angeordnet ist,
die Elektroden (14a) des Halbleiterbauteils (14) mit der Mitte der innenliegenden Anschlußleitungen (12) durch Drähte (15) verbunden sind,
dadurch gekennzeichnet, daß
eine Seite der Enden (12a) der innenliegenden Anschluß­ leitungen (12) freigelegt ist, damit diese direkt mit Ver­ bindungsleitungen auf einer gedruckten Leiterplatte (18) verbunden und kontaktiert werden können, so daß das Halb­ leiterbauteilgehäuse der gedruckten Leiterplatte (18) mit einer von zwei einander gegenüberliegenden Seiten zuge­ wandt ist, und
die äußeren Anschlußleitungen (17) in die zweite, der ersten Richtung entgegengesetzte Richtung gebogen sind, um mit Verbindungsleitungen auf einer gedruckten Leiterplatte (18) montiert und kontaktiert werden zu können, so daß das Halbleiterbauteilgehäuse der gedruckten Leiterplatte (18) mit seiner zweiten, der ersten Seite gegenüberliegen­ den Seite zugewandt ist.
2. Halbleiterbauteilgehäuse nach Anspruch 1, bei dem das Halbleiterbauteil auf einem isolierenden Film (13) angeord­ net ist, der auf das Ende (2a) der innenliegenden Anschluß­ leitungen (12) geklebt ist.
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Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR940007757Y1 (ko) * 1991-11-14 1994-10-24 금성일렉트론 주식회사 반도체 패키지
JPH0794539A (ja) 1993-09-20 1995-04-07 Fujitsu Ltd 半導体装置
US5656550A (en) * 1994-08-24 1997-08-12 Fujitsu Limited Method of producing a semicondutor device having a lead portion with outer connecting terminal
US5594234A (en) * 1994-11-14 1997-01-14 Texas Instruments Incorporated Downset exposed die mount pad leadframe and package
AU5417096A (en) 1995-02-24 1996-09-11 Lucas Novasensor Pressure sensor with transducer mounted on a metal base
JPH08306853A (ja) * 1995-05-09 1996-11-22 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法及びリードフレームの製造方法
KR0179803B1 (ko) * 1995-12-29 1999-03-20 문정환 리드노출형 반도체 패키지
JPH09199645A (ja) * 1996-01-17 1997-07-31 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置および半導体モジュール
US6159764A (en) * 1997-07-02 2000-12-12 Micron Technology, Inc. Varied-thickness heat sink for integrated circuit (IC) packages and method of fabricating IC packages
US5986209A (en) * 1997-07-09 1999-11-16 Micron Technology, Inc. Package stack via bottom leaded plastic (BLP) packaging
JP2954110B2 (ja) * 1997-09-26 1999-09-27 九州日本電気株式会社 Csp型半導体装置及びその製造方法
DE19745648A1 (de) * 1997-10-15 1998-11-26 Siemens Ag Trägerelement für einen Halbleiterchip zum Einbau in Chipkarten
US5929514A (en) * 1998-05-26 1999-07-27 Analog Devices, Inc. Thermally enhanced lead-under-paddle I.C. leadframe
US6541872B1 (en) 1999-01-11 2003-04-01 Micron Technology, Inc. Multi-layered adhesive for attaching a semiconductor die to a substrate
US6265761B1 (en) * 1999-05-07 2001-07-24 Maxim Integrated Products, Inc. Semiconductor devices with improved lead frame structures
US6225683B1 (en) * 1999-05-14 2001-05-01 Analog Devices, Inc. Die size-increasing integrated circuit leads and thermally enhanced leadframe
US6762502B1 (en) * 2000-08-31 2004-07-13 Micron Technology, Inc. Semiconductor device packages including a plurality of layers substantially encapsulating leads thereof
US6639305B2 (en) * 2001-02-02 2003-10-28 Stratedge Corporation Single layer surface mount package
US7190060B1 (en) 2002-01-09 2007-03-13 Bridge Semiconductor Corporation Three-dimensional stacked semiconductor package device with bent and flat leads and method of making same
US6891276B1 (en) 2002-01-09 2005-05-10 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor package device
US6936495B1 (en) 2002-01-09 2005-08-30 Bridge Semiconductor Corporation Method of making an optoelectronic semiconductor package device
US6987034B1 (en) 2002-01-09 2006-01-17 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a semiconductor package device that includes singulating and trimming a lead
TW560023B (en) * 2002-06-20 2003-11-01 Advanced Semiconductor Eng Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor package
JP2004095572A (ja) * 2002-08-29 2004-03-25 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
US6921860B2 (en) 2003-03-18 2005-07-26 Micron Technology, Inc. Microelectronic component assemblies having exposed contacts
US8829685B2 (en) * 2009-03-31 2014-09-09 Semiconductor Components Industries, Llc Circuit device having funnel shaped lead and method for manufacturing the same
US8482109B2 (en) 2011-09-22 2013-07-09 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit packaging system with dual connection and method of manufacture thereof

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3877064A (en) * 1974-02-22 1975-04-08 Amp Inc Device for connecting leadless integrated circuit packages to a printed-circuit board
US4539472A (en) * 1984-01-06 1985-09-03 Horizon Technology, Inc. Data processing card system and method of forming same
JPH01128887A (ja) * 1987-11-14 1989-05-22 Matsushita Electric Works Ltd 半導体ic装置
US4937656A (en) * 1988-04-22 1990-06-26 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device
JPH02308563A (ja) * 1989-05-23 1990-12-21 Shinko Electric Ind Co Ltd リードフレーム
KR910008832A (ko) * 1989-10-20 1991-05-31 다니이 아끼오 면실장형 네트워어크 전자부품
US5157480A (en) * 1991-02-06 1992-10-20 Motorola, Inc. Semiconductor device having dual electrical contact sites

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP 2-153557 A2., In: Pat. Abstr. of JP, E-972, 4.9.1990, Vol. 14, Nr. 408 *
JP 2-303056 A2, In: Pat. Abstr. of JP, -1040, 5.3.1991, Vol. 15, No. 90 *
JP 2-78263 A2, In: Pat. Abstr. of JP, E-936, 4.6.1990, Vol. 14, No. 257 *
JP 63-258050 A2, In: Pat. Abstr. of JP, E-718, 22.2.1989, Vol. 13, No. 78 *

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JPH05251613A (ja) 1993-09-28
KR930014916A (ko) 1993-07-23
DE4241684A1 (en) 1993-07-01

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