DE10227515B4 - Lichtdiode mit Keramiksubstrat und Reflektor - Google Patents
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Abstract
ein erstes Keramiksubstrat mit einem Chipmontagebereich auf seiner Oberseite und versehen mit einem vorbestimmten leitenden Muster rund um den Chipmontagebereich,
wenigstens einen Lichtemissionsdioden (LED)-Chip der auf dem genannten Chipmontagebereich des ersten Keramiksubstrats aufsitzt und mit dem leitenden Muster verbunden ist,
ein zweites Keramiksubstrat das auf dem ersten Keramiksubstrat montiert ist und eine Ausnehmung an der Stelle aufweist, die dem wenigstens einen Chipmontagebereich entspricht und
einem Reflektor aus Metall, der innerhalb der Ausnehmung des zweiten keramischen Substrats angeordnet ist, sodass er den LED-Chip umrahmt, wobei der Reflektor an der Oberfläche des zweiten Keramiksubstrats um die Oberkante der genannten Ausnehmung montiert ist.
Description
- Die vorliegende Erfindung bezieht sich im Allgemeinen auf Leuchtdioden mit Reflektoren und insbesondere auf eine Leuchtdiode welche mit einem metallischen Reflektor versehen ist, um einen verbesserten Wärmeverteilungseffekt zu erzielen, in Verbindung mit einer einfachen Kontrolle seiner Lichtabstrahlung und der Winkelverteilung der Lichtabstrahlung.
- Wie Fachleuten wohl bekannt ist, sind Leuchtdioden (die nachfolgend vereinfacht als „LED-Gerät bezeichnet werden) Halbleitervorrichtungen, welche LED-Chips aufweisen, die als Lichtquellen fungieren und die durch Veränderung der physikalischen und chemischen Charakteristika einiger Verbindungshalbleitermaterialien, wie beispielsweise GaAs, AIGaAs, GaN, InGaN und AlGaInP hergestellt worden sind und die farbiges Licht von den LED-Chips abstrahlen, wenn sie elektrisch aktiviert werden.
- Die Charakteristika solcher LED-Geräte werden typischerweise bestimmt in Verbindung mit den Farben des emittierten Lichts, der Lichtstärke und dem Betrachtungswinkel. Derartige Charakteristika von LED-Geräten werden in erster Linie bestimmt durch die physikalischen und chemischen Charakteristika der Verbindungshalbleitermaterialien der LED-Chips und zum zweiten durch die Gehäusestruktur zum Unterbringen der LED-Chips darin. Beim Stand der Technik sind die Charakteristika solcher LED-Geräte wie sie durch die Entwicklung der Verbindungshalbleitermaterialien von LED-Chips erreicht werden, in unerwünschtem Maße begrenzt. Es sind daher verbesserte Strukturen von LED-Geräten in den vergangenen Jahren in großem Umfang untersucht worden, um zusätzlich zum Studium der Halbleitermaterialien der LED-Chips Anstrengungen zu unternehmen, um den Erfordernissen an eine hohe Lichtstärke und einem erwünschten Betrachtungswinkel (man kann sich auch auf eine Winkelverteilung der Lichtstärke beziehen) gerecht zu werden. Dies bedeutet, dass bei der Konstruktion von LED-Gerätn in den vergangenen Jahren es mehr darauf ankam, die Verbindungshalbleitermaterialien der LED-Chips als primären Konstruktionsfaktor zu betrachten und die Struktur des LED-Gehäuses nur als zweitrangigen Designfaktor.
- Insbesondere werden aber sowohl die Lichtstärke als auch eine Winkelverteilung der Lichtstärke von LED-Geräten in erster Linie vom zweiten Designfaktor beeinflusst, das heißt von der Struktur des LED-Gehäuses.
- Zum Beispiel wird ein LED-Gerät vom konventionellen Lampentyp gemäß
1a mit einem konventionellen LED-Gerät mit Oberflächenmontage nach1b in ihrer Geräte- oder Gehäusestruktur wie folgt verglichen: Im Falle des konventionellen LED-Geräts vom Lampentyp10 gemäß1a mit zwei Leitern3a und3b , ist der zweite Leiter3b an seiner Oberseite mit einer Metallelektrodenfläche versehen, die eingedrückt ist, um eine Vertiefung mit geneigten Seitenflächen mit bestimmten Neigungswinkeln zu bilden. Ein LED-Chip5 ist in der Vertiefung der Metallelektrodenoberfläche gehaltert. Die beiden Leiter3a und3b mit dem LED-Chip5 sind in einem halbsphärischen Gehäuse7 aus transparentem Gießharz eingepackt und bilden somit ein lampenartiges LED-Gerät10 . Das LED-Gerät20 vom herkömmlichen Oberflächenmontagetyp gemäß1b besteht aus einem gegossenen Gerätekörper11 aus Epoxidharz und einem auf der Oberfläche dieses Körpers11 an einem Chipmontagebereich befestigten LED-Chip15 . Der LED-Chip15 ist mit einer (nicht gezeigten) Elektrode durch eine Mehrzahl von Drähten13 verbunden. - Beim konventionellen lampenförmigen LED-Gerät
10 wirkt das halbsphärische Gehäuse7 als Linse, die in der Lage ist, die Winkelverteilung der Lichtabstrahlung zu steuern. Insbesondere steuert das hemisphärische Gehäuse7 die Winkelverteilung der Lichtabstrahlung derart, dass die Verteilung schmal wird, wodurch die Lichtintensität bei einem vorbestimmten Winkel zunimmt. Darüber hinaus wird das vom LED-Chip5 abgestrahlte Licht durch die Metallelektrodenoberfläche des zweiten Leiters3b reflektiert, sodass die Lichtintensität des LED-Chips5 dadurch vergrößert wird. Im Vergleich zu einem solchen lampenförmigen LED-Gerät10 weist das oberflächenmontierte LED-Gerät20 eine breitere Winkelverteilung der Strahlung und eine geringere Strahlungsintensität auf. Man erkennt also, dass die Gerätestruktur Strahlungsintensität und die Winkelverteilung der Strahlung solcher LED-Geräte beeinflusst. - Aus diesem Grund ist zur Erreichung der gewünschten Charakteristika von LED-Geräten bereits vorgeschlagen worden, ein oberflächenmontiertes LED-Gerät mit einer zusätzliche Lichtreflexionsfläche zu versehen, die gebildet ist durch Aufbringen eines Metallüberzugs auf eine geneigte Seitenfläche des Chipmontagebereichs des Geräte- und Gehäusekörpers und durch Auswahl eines vorbestimmten Reflexionswinkels.
- Im Gegensatz zu solchen LED-Geräten mit gegossenem Kunststoffkörper ist es nahezu unmöglich, die Luminanz oder den Verteilungswinkel der Strahlung eines anderen Typs vom LED-Geräten in wünschenswerter Weise zu kontrollieren, die nämlich einen Keramikkörper aufweisen, der aus laminierten Keramiksubstraten besteht und in den vergangenen Jahren in großem Umfang eingesetzt wird. Der Chipmontagebereich eines solchen Keramikkörpers – man vergleiche hierzu beispielsweise die
JP 60-262476 A - Die
2 zeigt einen Schnitt durch ein konventionelles LED-Gerät mit einem solchen Keramikkörper. Wie in der Zeichnung dargestellt ist, besteht der Keramikkörper des LED-Geräts30 aus zwei Keramiksubstraten21 und22 , von denen jedes durch Laminieren einer Mehrzahl von Keramikschichten gebildet ist. Von diesen Keramiksubstraten21 und22 ist das untere Substrat21 an seiner Oberseite mit einem Chipmontagebereich zum Aufsetzen eines LED-Chips25 versehen. Eine Elektrode23 erstreckt sich außen an der Kante des Chipmontagebereichs zur unteren Oberfläche des unteren Keramiksubstrats21 , um einen Teil dieser Unterseite zu bedecken, nachdem es die Seitenfläche des unteren Keramiksubstrats21 passiert hat. Der LED-Chip25 ist elektrisch mit der Elektrode23 unter Verwendung einer Mehrzahl von Drähten27 durch ein Drahtverbindungsverfahren verbunden. Das obere keramische Substrat22 ist mit der Oberfläche des unteren Keramiksubstrats21 verbunden und bildet eine vorbestimmte Vertiefung, welche den Chipmontagebereich umgibt. - Die den Chipmontagebereich des Keramikkörpers umgebende Vertiefung wird durch einen Stanz- oder Schneidprozess gebildet, sodass die Innenfläche des Keramikkörpers, welche die Vertiefung begrenzt, als vertikale Fläche ausgebildet ist. Daher ist es – im Gegensatz zu LED-Geräten mit im Wege eines Gießprozesses gebildeten Kunststoffkörpern – schwierig, eine Metallschicht auf der vertikalen Innenfläche des Keramikkörpers aufzubringen. An der vertikalen inneren Fläche des Keramikkörpers kann eine zusätzliche geneigte Fläche aus Kunststoff angebracht werden, mit einer aufgebrachten Metallschicht auf der geneigten Kunststofffläche, um die vorstehend erwähnten Probleme zu überwinden: Eine derartige geneigte Kunststoffoberfläche kann aber leicht deformiert werden und es ist fast unmöglich, eine gewünschte Reflektorfläche am Keramikkörper anzubringen.
- Bei den konventionellen LED-Geräten mit Keramikkörpern ist es nur möglich, die Helligkeit und die Winkelverteilung der Strahlung durch Veränderung der Dimension des Chipmontagebereichs und/oder der Dicke des oberen Keramiksubstrats, der die Höhe der Vertiefung bestimmt, zu steuern. Es ist daher schwierig, LED-Geräte mit Keramikkörpern zu schaffen, die die Anforderungen an hohe Lichtintensität und eine gewünschte Winkelverteilung der Strahlung erfüllen. Die Keramiksubstrate derartiger LED-Geräte haben jedoch eine hohe Wärmeleitfähigkeit und einen höheren Wärmeableiteffekt, und lösen damit das Problem der thermischen Alterung von LED-Geräten und thermischer Spannungen der Gerätekörper, wie sie durch die von den LED-Chips ausgestrahlte Hitze verursacht werden. Es ist daher erwünscht, effektivere LED-Geräte vorzuschlagen, welche derartige Keramiksubstrate mit hoher Wärmeleitfähigkeit und einem hohen Wärmeableiteffekt verwenden und dabei die strukturellen Fehler überwinden, die bisher bei konventionellen LED-Geräten mit Keramikkörpern infolge der vertikalen inneren Flächen des Keramikkörpers auftreten und zu Schwierigkeiten bei der Steuerung der Lichtstärke und der Winkelverteilung der Strahlung von LED-Geräten führen.
- Eine Verbesserung ergibt sich wenn man – wie in der WO 01/24281 A1 vorgeschlagen – einen separaten, in die Ausnehmung einragenden Reflektor benutzt. Die dort gezeigte freistehende Anordnung hat aber erhebliche Nachteile bei der Wärmeabfuhr.
- Demzufolge wurde die vorliegende Erfindung gemacht unter Berücksichtigung der Probleme im Stand der Technik und ein Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, ein LED-Gerät zu schaffen, welches einen Keramikkörper, bestehend aus laminierten Keramiksubstraten, aufweist und der einen Reflektor aus einer dünnen Metallfolie besitzt, der an der vertikalen Innenfläche des Keramikkörpers, die die Vertiefung des Chipmontagebereichs bildet, befestigt ist, und das auf diese Art und Weise eine verbesserte Wärmeverteilung und zusätzlich eine einfache Steuerung der Lichtstärke und der Winkelverteilung der Lichtstärke bewirkt.
- Um diese Ziel zu erreichen, sieht die vorliegende Erfindung ein LED-Gerät vor, umfassend: ein erstes keramisches Substrat mit einem Chipmontagebereich auf der Oberseite davon und mit einem vorgegebenen leitenden Muster, das um den Chipmontagebereich angeordnet ist, wenigstens einem LED-Chip, der auf dem Chipmontagebereich des ersten Keramiksubstrats gehaltert ist und mit dem leitenden Muster verbunden ist, ein zweites Keramiksubstrat, das auf dem ersten Keramiksubstrat montiert ist und eine Ausnehmung in einer Position entsprechend dem Chipmontagebereich aufweist und einen Reflektor aus Metall, der in der Ausnehmung des zweiten Keramiksubstrats angeordnet ist, um den LED-Chip zu umrahmen, wobei der Reflektor an der Oberfläche des zweiten Keramiksubstrats um die Oberkante der genannten Ausnehmung montiert ist.
- In diesem LED-Gerät hat der Reflektor vorzugsweise eine kegelstumpfförmige Struktur, wobei der Durchmesser am oberen Ende größer ist als am unteren Ende.
- In einem solchen Fall kann der Reflektor die Winkelverteilung der Lichtstärke des LED-Chips durch Veränderung des Neigungswinkels der Seitenwand des Reflektors steuern, wobei die Neigung der Seitenwand durch eine Differenz in den Durchmessern zwischen dem oberen Ende und dem unteren Ende des Reflektors bewirkt wird. Zusätzlich kann der Reflektor die Leuchtstärke des LED-Chips durch Veränderung der den LED-Chip umgebenden Fläche steuern. Darüber hinaus kann der Reflektor die Leuchtstärke des LED-Chips dadurch steuern, dass sie aus Metallen ausgewählt wird, die verschiedene Reflektivitäten aufweisen. Die vorliegende Erfindung schafft somit eine Vielzahl von LED-Geräten, die unter Verwendung keramischer Substrate hergestellt werden und eine Leuchtstärke und eine Winkelverteilung der Leuchtstärke besitzen, die jeweils entsprechend den Wünschen des Benutzers gesteuert werden können.
- Da beim erfindungsgemäßen LED-Gerät der Reflektor an der Oberfläthe des zweiten Keramiksubstrats rund um die Oberkante der Ausnehmung montiert ist, wird Wärme wirksam zur Außenseite des LED-Geräts verteilt. Um es dem Reflektor zu erlauben, effektiv Wärme zur Außenseite des Geräts zu leiten, ist die Montage des Reflektors an der Oberseite des zweiten Keramiksubstrats bevorzugt durch ein Bindemittel auf Silikonbasis bewerkstelligt, das eine hohe Wärmeleitfähigkeit aufweist.
- Um den Wärmeableitungseffekt des LED-Geräts zu vergrößern, ist der LED-Chip luftdicht durch ein gegossenes Isolationsteil verpackt, das aus transparentem formbarem Material besteht und mit dem Reflektor verbunden ist. In einem solchen Fall wird die Wärme vom LED-Chip wirksam zum Reflektor verteilt, der eine derart hohe Wärmeleitfähigkeit aufweist. Bei der vorliegenden Erfindung ist das transparente formbare Material des gegossenen oder gespritzten Isolierteils entweder Epoxidharz oder ein Harz auf Silikonbasis. Selbstverständlich ist es auch möglich, andere Kunststoffe mit hoher Leitfähigkeit als transparentes formbares Material des geformten Isolierteils zu verwenden.
- Noch vorteilhafter ist es, die Oberkante der reflektierenden Platte bis zu einer vorgegebenen Position der Oberfläche des zweiten Keramiksubstrats zu erstrecken, um noch wirksamer Wärme vom Reflektor zu verteilen.
- In einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung hat das LED-Gerät eine halbkugelförmige Linse, welche das Oberteil der Ausnehmung des zweiten kera mischen Substrats überdeckt. In diesem Fall ist es möglich, die Winkelverteilung der Lichtstrahlung des LED-Chips durch Verteilung der Krümmung der Linse zu steuern. Die hemisphärische Linse besteht vorzugsweise aus Polymermaterial.
- Erfindungsgemäß besteht das erste Keramiksubstrat vorzugsweise aus einem Keramiksubstratteil, das eine Wärmeverteilöffnung aufweist, die durchgehend angeordnet ist und einer Keramikplatte, welche die Wärmeverteilöffnung an der Oberfläche des Keramiksubstratteils abdeckt. In diesem Fall sind sowohl der Chipmontagebereich als auch das elektrisch leitende Muster auf der Oberfläche der Keramikplatte angeordnet. Die Wärmeverteildurchgangsöffnung des Keramiksubstratteils ist mit Metallpaste ausgefüllt.
- Weitere Vorteile, Merkmale und Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung eines Ausführungsbeispiels sowie anhand der Zeichnung. Dabei zeigen:
-
1a und1b schematische Ansichten der Konstruktion herkömmlicher LED-Geräte, -
2 einen Schnitt durch ein herkömmliches LED-Gerät aus Keramiksubstraten, -
3 eine perspektivische Explosionsdarstellung der Konstruktion eines LED-Geräts mit einem Reflektor entsprechend einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, -
4a und4b Ansicht eines LED-Geräts gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung, -
5 eine perspektivische Explosionsdarstellung der Konstruktion eines LED-Geräts mit einem Reflektor entsprechend einem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, -
6 einen Schnitt durch ein LED-Gerät entsprechend einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, -
7 eine Ansicht eines LED-Geräts entsprechend einer fünften Ausführungsform der Erfindung und -
8 eine perspektivische Ansicht eines LED-Geräts entsprechend einer sechsten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. - Bei der Bezugnahme auf die Zeichnungen ist anzumerken, dass die gleichen Bezugszeichen in den verschiedenen Zeichnungen jeweils gleiche oder ähnliche Komponenten bezeichnen.
- Die
3 ist eine perspektivische Explosionsdarstellung und zeigt die Konstruktion eines LED-Geräts mit einem Reflektor entsprechend einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Diese Zeichnung zeigt das LED-Gehäuse mit einem Reflektor120 , der vom Chipmontagebereich des Gehäusekörpers getrennt ist. - Der Reflektor
120 besteht aus einer dünnen Metallfolie mit hoher Reflektivität und weist eine Kegelstumpfform auf, wie es in der Zeichnung dargestellt ist. Bei dem kegelstumpfförmigen Reflektor120 ist der Durchmesser „R" am oberen Ende vorzugsweise größer als der Durchmesser „r" am unteren Ende. Bei der vorliegenden Erfindung ist es möglich, die Strahlungsintensität des LED-Chips etwas zu erhöhen, indem man einen zylindrischen Reflektor in den Chipmontagebereich einbringt, ohne dass Durchmesserunterschiede am oberen und am unteren Ende bestehen. Es ist jedoch bevorzugt der Reflektor so auszubilden, dass er einen Durchmesserunterschied zwischen den Durchmessern „R" und „r" am oberen und unteren Ende aufweist und eine gewünschte Winkelverteilung der Luminanz und eine gewünschte Erhöhung der Strahlungsintensität durch Steuerung der Differenz „R-r" besitzt. - Der Reflektor
120 wird vorzugsweise in der Weise hergestellt, dass man ein dünnes Kupferblech einem Extrusionsprozess oder einem Formprozess unterwirft. Es soll jedoch angemerkt werden, dass der Reflektor120 auch aus einem anderen Metallblech anstelle des dünnen Kupferblechs hergestellt werden kann, wenn dieses Metallblech eine gewünschte hohe Reflektivität besitzt und so dünn ist, dass das Blech einfach in die gewünschte zylindrische oder kegelstumpfförmige Gestalt durch einen Extrusionsprozess oder eine Formprozess gebracht werden kann. - Während des Herstellverfahrens des Reflektors
120 soll vorteilhafte weise ein Stützflansch120a längs der oberen Kante des Reflektors120 angeformt werden. In dem bevorzugten Ausführungsbeispiel ist ein Stützflansch120a integral und kontinuierlich längs der kreisförmigen oberen Kante des Reflektors120 angeformt. Es sollte aber klar sein, dass es auch möglich ist, eine bestimmte Anzahl von Stützflanschen an gewünschten Sektionen der Oberkante des Reflektors120 anzuformen, ohne dass dabei die Funktionsweise der erfindungsgemäßen Konstruktion berührt wird. Wenn der Reflektor120 mit einem solchen Stützflansch120a in die Ausnehmung oberhalb des Chipmontagebereichs des LED-Geräts bzw. LED-Gehäuses eingesetzt wird, ist es möglich, dass der Reflektor120 an der Oberseite des Keramiksubstrats mit dem Stützflansch120a aufliegt. Der Reflektor120 ist damit stabiler am LED-Gehäuse befestigt. In einem solchen Fall wird bevorzugt ein Bindemittel auf Silikonbasis verwendet, um den Reflektor120 mit dem LED-Gerät zu verbinden, um die Wärmeverteilwirkung des LED-Gehäuses zu erhöhen, wie nachfolgend im Einzelnen näher erläutert werden soll. - Wie in
3 dargestellt ist, kann der Reflektor120 einfach in die Ausnehmung oberhalb des Chipmontagebereichs des LED-Gehäuses eingesetzt werden. Das LED-Gehäuse nach der vorliegenden Erfindung soll im Einzelnen wie folgt beschrieben werden: Das LED-Gehäuse unter Verwendung keramischer Substrate gemäß der vorliegenden Erfindung umfasst ein erstes Keramiksubstrat101 , das einen Chipmontagebereich an seiner Oberfläche zum Haltern des LED-Chips105 darauf aufweist. Eine Elektrode103 ist auf der Oberfläche des ersten Keramiksubstrats101 gebildet und mit dem LED-Chip105 durch eine Mehrzahl von Drähten107 verbunden. Die Elektrode103 wird durch ein leitfähiges Muster gebil det. Ein zweites Keramiksubstrat102 ist auf dem ersten Keramiksubstrat101 montiert und weist eine Ausnehmung an einer Position auf, die dem Chipmontagebereich entspricht. Das erste und das zweite Keramiksubstrat101 und102 können vorzugsweise aus Aluminiumoxid oder SiC bestehen. Der Körper des erfindungsgemäßen LED-Geräts besteht aus den beschriebenen keramischen Substraten101 und102 , sodass die Seitenfläche der Ausnehmung im zweiten keramischen Substrat102 den Chipmontagebereich des ersten keramischen Substrats , 101 umgibt, wobei sie unvermeidlich als vertikale Fläche in gleicher Weise ausgebildet ist, wie dies im Zusammenhang mit dem Stand der Technik bereits beschrieben wurde. Gemäß der vorliegenden Erfindung ist diese vertikale Seitenfläche der Ausnehmung von einem Reflektor120 überdeckt. Im Betrieb des LED-Geräts reflektiert der den LED-Chip umgebende Reflektor120 das vom Chip abgestrahlte Licht, sodass die Lichtintensität des LED-Chips erhöht wird. In einem solchen Fall ist es möglich, eine gewünschte Winkelverteilung der Leuchtdichte des LED-Chips durch Steuerung des Neigungswinkels der Seitenfläche des Reflektors120 beim Herstellungsprozess der Platte120 zu steuern. Um die Reflektivität des Reflektors120 zu erhöhen, kann dieser mit einer Beschichtung aus Sn, SnPb oder Ag versehen sein. - Bei der vorliegenden Erfindung kann der Reflektor als Wärmesenke zum Verteilen von Hitze vom LED-Chip zur Außenseite des LED-Gehäuses wirken, zusätzlich zu seiner Originalfunktion zur Steuerung der Leuchtstärke des LED-Chips und der Winkelverteilung der Strahlung. Der Reflektor, der als Wärmesenke dient, ist in den
4a und4b anhand eines zweiten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung gezeigt. - Die
4a zeigt einen Schnitt durch ein LED-Gerät gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung. In gleicher Weise wie dies im Zusammenhang mit dem ersten Ausführungsbeispiel nach1 beschrieben worden ist, umfasst das LED-Gerät dieser zweiten Ausführungsform zwei Keramiksubstrate: eine erstes Keramiksubstrat151 und ein zweites Keramiksubstrat152 , das auf dem ersten Keramiksubstrat151 montiert ist. Das erste Keramiksubstrat151 hat einen Chipmontagebereich auf seiner Oberfläche zum Aufsetzen eines LED-Chips155 . Auf der Oberfläche des ersten Keramiksubstrats151 ist in einer Position um den Chipmontagebereich ein leitendes Muster aufgebracht, das eine Elektrode153 bildet. Die Elektrode153 ist mit dem LED-Chip155 durch eine Mehrzahl von Drähten157 verbunden, sodass elektrische Ansteuerenergie dem Chip155 zugeführt werden kann. Bei diesem Ausführungsbeispiel erstreckt sich das leitende Muster der Elektrode153 vorzugsweise bis zur Unterseite des ersten keramischen Substrats151 nachdem es über die Seitenfläche des Substrats151 gezogen worden ist, wie dies in der Zeichnung dargestellt ist. Das leitende Muster der Elektrode153 besteht vorzugsweise aus einer Ag/Ni/Au-Schicht. - Das zweite keramische Substrat
152 weist eine Ausnehmung an der Stelle auf, die dem Chipmontagebereich des ersten keramischen Substrats151 entspricht. Das zweite keramische Substrat152 ist auf der Oberseite des ersten keramischen Substrats151 montiert und bildet einen Chipmontageraum zum Haltern des LED-Chips155 darin. In diesem zweiten Ausführungsbeispiel ist ein Wärmeverteilloch H1 durch das erste keramische Substrat151 an einer Stelle eingebracht, die dem Chipmontagebereich entspricht, sodass Wärme vom LED-Chip155 wirkungsvoll zur Außenseite des LED-Gehäuses abgegeben werden kann. In dem LED-Gehäuse mit einem solchen Wärmeverteilloch H1 im ersten keramischen Substrat151 ist es notwendig, die Oberseite dieses Wärmeverteillochs H1 zur Bildung eines Chipmontagebereich abzudecken. Daher besteht das erste keramische Substrat151 dieses LED-Gehäuses nach4a und4b aus einem keramischen Substratteil151a , das das Wärmeverteilloch H1 aufweist und dieses Teil151a durchsetzt und einer keramischen Folie151b , welche die Oberfläche des Keramiksubstratteils151a ebenso wie das Wärmeverteilloch H1 überdeckt. Die Keramikfolie151b schafft somit den gewünschten Chipmontagebereich und überdeckt die Oberseite des Wärmeverteillochs H1. - Wie in
4b dargestellt ist, die eine Aufsicht auf das LED-Gerät gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung darstellt, ist ein Reflektor170 in den Chipmontageraum eingesetzt, der durch die Ausnehmung des zweiten keramischen Substrats152 gebildet wird und umgibt den LED-Chip155 , der auf dem Chipmontagebereich montiert ist. In diesem zweiten Ausführungsbeispiel weist der Reflektor170 einen Stützflansch170a auf, mit dem der Reflektor170 auf der Oberfläche des zweiten keramischen Substrats152 aufsitzt und der mit dem Bereich „A" der Oberfläche des Substrats152 unter Verwendung eines Klebers auf Silikonbasis mit hoher thermischer Leitfähigkeit verbunden ist. Der Stützflansch170a der längs der Oberkante des Reflektors170 angeformt ist, hat eine Breite „l", die es dem Stützflansch170a erlaubt, wirksamer Wärme vom Reflektor170 zur Außenseite des LED-Gehäuses abfließen zu lassen. In einem solchen Fall wird die Wärme primär vom LED-Chip155 zum Reflektor transferiert und sekundär über den Stützflansch170a an die Umgebung des LED-Geräts abgegeben. - Ein Isolierharz ist im Chipmontageraum des LED-Gehäuses gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel angeordnet und bildet somit ein Isolierteil
159 . Dieses Isolierteil159 ist mit dem Reflektor170 verbunden und ermöglicht einen effektiveren Wärmetransfer vom LED-Chip155 zum Reflektor170 . Das Isolierteil159 besteht vorzugsweise aus einem transparenten Epoxidharz oder einem Harz auf Silikonbasis. Es versteht sich aber, dass das Isolierteil159 auch unter Verwendung anderer formbarer Isoliermaterialien hergestellt werden kann, solange dieses Material transparent ist und eine hohe thermische Leitfähigkeit aufweist. - In dem LED-Gerät nach den
4a und4b wird der Reflektor170 gleichzeitig als Wärmeverteileinrichtung benutzt, die die Wärme vom LED-Chip155 durch das Isolierteil159 hindurch erhält und die Wärme an die Umgebung des Geräts über den Stützflansch170a , der auf der Oberfläche des zweiten Keramiksubstrats152 aufsitzt, abgibt. - Die
5 zeigt ein LED-Gerät mit einem Reflektor190 entsprechend einem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Im Unterschied zum kreisförmigen Stützflansch170a des Reflektors170 nach dem zweiten Ausführungsbeispiel hat der Stützflansch190a des Reflektors190 bei diesem dritten Ausführungsbeispiel ein rechteckiges Profil ähnlich zu dem des LED-Gehäuses selbst. Die Oberfläche dieses Stützflansches190a mit Rechteckprofil ist größer als die des Stützflansches120a gemäß3 oder des Stützflansches170a der4a und4b , sodass dieser Wärme effektiver an die Außenseite des Gehäuses verteilen und abgeben kann. In der vorliegenden Erfindung kann die Form des Stützflansches des Reflektors frei entsprechend dem Profil des LED-Gehäuses unter einer benötigten Wärmeverteilwirkung abgeändert werden, ohne die Funktionsweise der Erfindung zu berühren. - Der Reflektor dieser Erfindung kann vorteilhafterweise bei LED-Geräten oder LED-Gehäusen verwendet werden, die unterschiedliche keramische Substratstrukturen aufweisen mit vertikalen Innenflächen zur Bildung eines Chipmontageraums des Gehäuses. Die
6 ist ein Schnitt durch ein LED-Gerät entsprechend einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. - Bei diesem vierten Ausführungsbeispiel nach
6 besitzt das LED-Gehäuse ein erstes Keramiksubstrat dessen Struktur unterschiedlich zu der nach den4a und4b ist. Das zweite Keramiksubstrat202 dieses LED-Gehäuses weist eine Ausnehmung in, der gleichen Weise auf, wie dies für das zweite Ausführungsbeispiel nach den4a und4b beschrieben worden ist. Das erste Keramiksubstrat200 dieses vierten Ausführungsbeispiels besteht jedoch aus einem unteren Keramiksubstratteil201a und einem oberen Keramiksubstratteil201b . Das untere Keramiksubstratteil201a weist eine Wärmeverteilöffnung H2 auf, die durch das Substratteil201a sich hindurch erstreckt und einen relativ großen Durchmesser aufweist. Das obere Keramiksubstratteil201b hat eine Größe, sodass es im Chipmontageraum, der durch die Ausnehmung des zweiten Keramiksubstratteils202 gebildet ist, eingesetzt werden kann. Das obere Keramiksubstratteil201b dient als Keramikschicht oder Keramikfolie, die die Wärmeverteilöffnung H2 oben verschließt und bildet einen Chipmontagebereich zum Aufsetzen eines LED-Chips205 . In diesem vierten Ausführungsbeispiel ist ein kegelstumpfförmiger Reflektor220 in den Chipmontageraum des Gehäuses eingesetzt, sodass er auf der Oberfläche des zweiten Keramiksubstrats202 mit seinem Stützflansch aufliegend montiert ist. Der Durchmesser am oberen Ende des kegelstumpfförmigen Reflektors220 ist größer als am unteren Ende. - Die Gehäusestruktur gemäß der vorliegenden Erfindung kann vorzugsweise und sehr einfach bei jedem Typ eines LED-Geräts verwendet werden, wenn das LED-Gerät einen Chipmontageraum aufweist, der von einem Keramiksubstrat gebildet ist.
- Die
7 ist eine Ansicht eines LED-Geräts entsprechend einem fünften Ausführungsbeispiel der Erfindung. Wie in7 gezeigt ist, bleibt die allgemeine Form des LED-Gehäuses250 dieses fünften Ausführungsbeispiels die gleiche wie sie für das LED-Gehäuse entsprechend dem zweiten Ausführungsbeispiel der4a und4b beschrieben worden ist, jedoch ist die Oberseite des Chipmontageraums mit dem Reflektor270 von einer hemisphärischen Linse280 überdeckt. Diese hemisphärische Linse280 ist unter Berücksichtigung des hemisphärischen Gehäuses gestaltet, wie es bei konventionellen Lampentyp LED-Geräten gemäß1a verwendet wird. Die hemisphärische Linse280 besteht vorzugsweise aus Polymermaterial. Diese hemisphärische Linse280 wird vorzugsweise benutzt als Mittel zur Steuerung des Lichtaustrittswinkels eines LED-Chips des Geräts250 durch Veränderung der Krümmung der Linse280 . - Die Gehäusestruktur gemäß dieser Erfindung kann vorzugsweise bei LED-Geräten benutzt werden, die eine Mehrzahl von LED-Chips aufweisen. Die
8 zeigt eine perspektivische Ansicht eines LED-Geräts mit sowohl einem Reflektor und einer Mehrzahl von LED-Chips entsprechend einem sechsten Ausführungsbeispiel der Erfindung. - Wie in
8 dargestellt besteht das LED-Gerät310 des sechsten Ausführungsbeispiels aus einem ersten Keramiksubstrat301 und einem zweiten Keramiksubstrat302 und es enthält vier LED-Chips in seinem Chipmontageraum, der durch die Keramiksubstrate301 und302 gebildet wird. Die vier LED-Chips305a ,305b ,305c und305d dieses Ausführungsbeispiels sind mit Hilfe einer Mehrzahl von Drähten mit einer Mehrzahl von Elektroden303 verbunden. In gleicher Weise wie es für das fünfte Ausführungsbeispiel beschrieben worden ist, ist auch hier ein Reflektor320 in den Chipmontageraum des Gehäuses310 eingebracht, um die vier LED-Chips305a ,305b ,305c und305d zu umgeben. - Wie vorstehend beschrieben, schafft die vorliegende Erfindung ein LED-Gehäuse, welches aus keramischen Substraten besteht und einen Reflektor aufweist, der in einen Chipmontageraum eingesetzt ist, der durch die Keramiksubstrate gebildet wird. In dem erfindungsgemäßen LED-Gehäuse wird der Chipmontageraum in die Keramiksubstrate des Gehäuses, wobei der Raum vertikale Seitenflächen aufweist, durch ein Stanzverfahren eingebracht. Es ist aber ein Reflektor aus einer dünnen Metallplatte in den Chipmontageraum eingesetzt , sodass es möglich ist die Lichtintensität des LED-Chips und die Winkelverteilung der Strahlung in gewisser Weise frei zu steuern. Der Reflektor gemäß der Erfindung dient gleichzeitig als Wärmesenke und verteilt Wärme vom LED-Chip wirksam in die Umgebung des LED-Geräts.
Claims (20)
- Leuchtdiode, umfassend: ein erstes Keramiksubstrat mit einem Chipmontagebereich auf seiner Oberseite und versehen mit einem vorbestimmten leitenden Muster rund um den Chipmontagebereich, wenigstens einen Lichtemissionsdioden (LED)-Chip der auf dem genannten Chipmontagebereich des ersten Keramiksubstrats aufsitzt und mit dem leitenden Muster verbunden ist, ein zweites Keramiksubstrat das auf dem ersten Keramiksubstrat montiert ist und eine Ausnehmung an der Stelle aufweist, die dem wenigstens einen Chipmontagebereich entspricht und einem Reflektor aus Metall, der innerhalb der Ausnehmung des zweiten keramischen Substrats angeordnet ist, sodass er den LED-Chip umrahmt, wobei der Reflektor an der Oberfläche des zweiten Keramiksubstrats um die Oberkante der genannten Ausnehmung montiert ist.
- Leuchtdiode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Reflektor eine kegelstumpfförmige Gestalt aufweist mit einem Durchmesser am oberen Ende der größer ist als der Durchmesser am unteren Ende.
- Leuchtdiode nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Reflektor die Winkelverteilung der Strahlung des LED-Chips durch Veränderung des Neigungswinkels der Seitenwand der reflektierenden Platte steuert, wobei die Neigung der Seitenwand gebildet wird durch die Differenz im Durchmesser am oberen und unteren Ende des Reflektors.
- Leuchtdiode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Reflektor die Strahlungsintensität des LED-Chips durch Veränderung der den LED-Chip umgebenden Oberfläche steuert.
- Leuchtdiode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Reflektor die Strahlungsintensität des LED-Chips durch Auswahl des Refeltormaterials aus Metallen mit unterschiedlichen Reflektivitäten steuert.
- Leuchtdiode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Reflektor mit einer Überzugsschicht auf der inneren Oberfläche versehen ist.
- Leuchtdiode nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Überzugsschicht aus Sn, SnPb oder Ag besteht.
- Leuchtdiode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Reflektor auf der Oberfläche des zweiten Keramiksubstrats unter Verwendung eines Bindemittels auf Silikonbasis mit hoher Wärmeleitfähigkeit montiert ist.
- Leuchtdiode nach Anspruch 1, umfassend zusätzlich ein geformtes Isolierteil aus transparentem gießbaren Material, das den LED-Chip luftdicht verpackt, wobei das genannte Isolierteil mit dem Reflektor verbunden ist.
- Leuchtdiode nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass das transparente gießbare Material des gießbaren Isolierteils Epoxidharz oder ein Harz auf Silikonbasis ist.
- Leuchtdiode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Reflektor einen Stützflansch am oberen Ende aufweist und an der Oberseite des zweiten Keramiksubstrats mit diesem Stützflansch aufsitzt.
- Leuchtdiode nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass der Stützflansch integral längs der Oberkante des Reflektors angeformt ist.
- Leuchtdiode nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass der Stützflansch sich vom oberen Ende des Reflektors bis zu einer vorbestimmten Position auf der Oberfläche des zweiten Keramiksubstrats erstreckt und dadurch wirksam Wärme von dem Reflektor nach außen verteilt.
- Leuchtdiode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das erste Keramiksubstrat aus einem Keramiksubstratteil mit einer durchgehenden Wärmeverteilöffnung und einer Keramikplatte besteht, welche die Wärmeverteilöffnung auf der Oberseite des Keramiksubstratteils überdeckt und dass sowohl der Chipmontagebereich als auch das leitende Muster auf der Oberseite dieser Keramikplatte angeordnet sind.
- Leuchtdiode nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Wärmeverteilöffnung des Keramiksubstratteils mit Metallpaste ausgefüllt ist.
- Leuchtdiode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Keramiksubstrat aus Aluminiumoxid oder SiC besteht.
- Leuchtdiode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das leitende Muster sich an der Seitenfläche des ersten keramischen Substrats erstreckt.
- Leuchtdiode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das genannte leitende Muster aus einer Ag/Ni/Au-Schicht besteht.
- Leuchtdiode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die darüber hinaus eine hemisphärische Linse umfasst, welche die Oberseite der Ausnehmung des zweiten keramischen Substrats überdeckt.
- Leuchtdiode nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, dass die genannte hemisphärische Linse aus einem Polymermaterial besteht.
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TW546799B (en) * | 2002-06-26 | 2003-08-11 | Lingsen Precision Ind Ltd | Packaged formation method of LED and product structure |
US7244965B2 (en) | 2002-09-04 | 2007-07-17 | Cree Inc, | Power surface mount light emitting die package |
US7264378B2 (en) * | 2002-09-04 | 2007-09-04 | Cree, Inc. | Power surface mount light emitting die package |
US7775685B2 (en) * | 2003-05-27 | 2010-08-17 | Cree, Inc. | Power surface mount light emitting die package |
US7531844B2 (en) | 2002-09-30 | 2009-05-12 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Light emitting element |
TW560697U (en) * | 2002-11-26 | 2003-11-01 | Topson Technology Co Ltd | Surface-mounting type light-emitting diode structure |
US7692206B2 (en) * | 2002-12-06 | 2010-04-06 | Cree, Inc. | Composite leadframe LED package and method of making the same |
US6897486B2 (en) * | 2002-12-06 | 2005-05-24 | Ban P. Loh | LED package die having a small footprint |
US20060113544A1 (en) * | 2002-12-13 | 2006-06-01 | Koji Otsuka | Semiconductor light-emitting device, method for manufacturing same, and linear light source |
EP1605524B1 (de) * | 2003-03-18 | 2010-06-30 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Gehäuse für lichtemittierendes element und verwendendes halbleiterbauteil |
JP4203374B2 (ja) * | 2003-08-06 | 2008-12-24 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
US6788541B1 (en) * | 2003-05-07 | 2004-09-07 | Bear Hsiung | LED matrix moldule |
WO2004102685A1 (en) * | 2003-05-14 | 2004-11-25 | Nano Packaging Technology, Inc. | Light emitting device, package structure thereof and manufacturing method thereof |
US6911731B2 (en) * | 2003-05-14 | 2005-06-28 | Jiahn-Chang Wu | Solderless connection in LED module |
EP1659642A4 (de) | 2003-08-26 | 2011-07-06 | Sumitomo Electric Industries | Halbleiter-lichtemissionsbauelement-anbringglied, leuchtdioden-konstituierungsglied damit und leuchtdiode damit |
US7183587B2 (en) * | 2003-09-09 | 2007-02-27 | Cree, Inc. | Solid metal block mounting substrates for semiconductor light emitting devices |
CN100369278C (zh) * | 2003-09-19 | 2008-02-13 | 松下电器产业株式会社 | 半导体发光装置 |
US20080025030A9 (en) * | 2003-09-23 | 2008-01-31 | Lee Kong W | Ceramic packaging for high brightness LED devices |
US7854535B2 (en) * | 2003-09-23 | 2010-12-21 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Ceramic packaging for high brightness LED devices |
US6942360B2 (en) | 2003-10-01 | 2005-09-13 | Enertron, Inc. | Methods and apparatus for an LED light engine |
JP2005183531A (ja) * | 2003-12-17 | 2005-07-07 | Sharp Corp | 半導体発光装置 |
JP2005191111A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Kyocera Corp | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 |
DE10361650A1 (de) * | 2003-12-30 | 2005-08-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Modul und Verfahren zu dessen Herstellung |
EP1714327A1 (de) * | 2004-01-12 | 2006-10-25 | Asetronics AG | Anordnung mit einem licht emittierenden bauteil auf einem substrat |
KR100583159B1 (ko) * | 2004-02-16 | 2006-05-23 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 |
DE102004014207A1 (de) | 2004-03-23 | 2005-10-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauteil mit mehrteiligem Gehäusekörper |
KR20050099386A (ko) * | 2004-04-09 | 2005-10-13 | 서울반도체 주식회사 | 광 지향각이 향상된 발광 다이오드 렌즈 및 이를 구비하는발광 다이오드 |
US20050225222A1 (en) * | 2004-04-09 | 2005-10-13 | Joseph Mazzochette | Light emitting diode arrays with improved light extraction |
JP2005310935A (ja) * | 2004-04-20 | 2005-11-04 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 発光素子収納用パッケージ |
WO2005109529A1 (en) * | 2004-05-07 | 2005-11-17 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Light-emitting-diode chip package and a collimator |
KR100613065B1 (ko) * | 2004-05-21 | 2006-08-16 | 서울반도체 주식회사 | 고열전도성 반사체를 이용한 발광 다이오드 패키지 및 그제조방법 |
US7456499B2 (en) | 2004-06-04 | 2008-11-25 | Cree, Inc. | Power light emitting die package with reflecting lens and the method of making the same |
US7280288B2 (en) | 2004-06-04 | 2007-10-09 | Cree, Inc. | Composite optical lens with an integrated reflector |
KR101080097B1 (ko) | 2004-08-16 | 2011-11-07 | 서울반도체 주식회사 | 세라믹 본체를 채택하는 발광 다이오드 패키지 |
KR100604469B1 (ko) * | 2004-08-25 | 2006-07-25 | 박병재 | 발광소자와 그 패키지 구조체 및 제조방법 |
DE102004045950A1 (de) * | 2004-09-22 | 2006-03-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Gehäuse für ein optoelektronisches Bauelement, optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements |
US20060097385A1 (en) * | 2004-10-25 | 2006-05-11 | Negley Gerald H | Solid metal block semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and heat sinks, and methods of packaging same |
US7670872B2 (en) * | 2004-10-29 | 2010-03-02 | LED Engin, Inc. (Cayman) | Method of manufacturing ceramic LED packages |
US7772609B2 (en) * | 2004-10-29 | 2010-08-10 | Ledengin, Inc. (Cayman) | LED package with structure and materials for high heat dissipation |
US7473933B2 (en) * | 2004-10-29 | 2009-01-06 | Ledengin, Inc. (Cayman) | High power LED package with universal bonding pads and interconnect arrangement |
US8324641B2 (en) * | 2007-06-29 | 2012-12-04 | Ledengin, Inc. | Matrix material including an embedded dispersion of beads for a light-emitting device |
US8816369B2 (en) * | 2004-10-29 | 2014-08-26 | Led Engin, Inc. | LED packages with mushroom shaped lenses and methods of manufacturing LED light-emitting devices |
US9929326B2 (en) | 2004-10-29 | 2018-03-27 | Ledengin, Inc. | LED package having mushroom-shaped lens with volume diffuser |
US8134292B2 (en) * | 2004-10-29 | 2012-03-13 | Ledengin, Inc. | Light emitting device with a thermal insulating and refractive index matching material |
JP4358092B2 (ja) * | 2004-11-26 | 2009-11-04 | アバゴ・テクノロジーズ・イーシービーユー・アイピー(シンガポール)プライベート・リミテッド | 発光装置およびその製造方法 |
US20060124953A1 (en) * | 2004-12-14 | 2006-06-15 | Negley Gerald H | Semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and cover plates, and methods of packaging same |
US7322732B2 (en) | 2004-12-23 | 2008-01-29 | Cree, Inc. | Light emitting diode arrays for direct backlighting of liquid crystal displays |
US9070850B2 (en) | 2007-10-31 | 2015-06-30 | Cree, Inc. | Light emitting diode package and method for fabricating same |
US7821023B2 (en) | 2005-01-10 | 2010-10-26 | Cree, Inc. | Solid state lighting component |
US9793247B2 (en) * | 2005-01-10 | 2017-10-17 | Cree, Inc. | Solid state lighting component |
US7304694B2 (en) * | 2005-01-12 | 2007-12-04 | Cree, Inc. | Solid colloidal dispersions for backlighting of liquid crystal displays |
EP2286721B1 (de) | 2005-03-01 | 2018-10-24 | Masimo Laboratories, Inc. | Konfidenzmessung physiologischer Parameter |
JP5059739B2 (ja) * | 2005-03-11 | 2012-10-31 | ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド | 直列接続された発光セルのアレイを有する発光ダイオードパッケージ |
KR100593935B1 (ko) * | 2005-03-24 | 2006-06-30 | 삼성전기주식회사 | 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법 |
EP1861876A1 (de) * | 2005-03-24 | 2007-12-05 | Tir Systems Ltd. | Halbleiter-beleuchtungseinrichtungs-gehäuse |
WO2006105638A1 (en) * | 2005-04-05 | 2006-10-12 | Tir Systems Ltd. | Electronic device package with an integrated evaporator |
JP4744178B2 (ja) * | 2005-04-08 | 2011-08-10 | シャープ株式会社 | 発光ダイオード |
KR100827327B1 (ko) * | 2005-05-12 | 2008-05-06 | (주) 아모센스 | 전자부품 패키지 |
KR100616680B1 (ko) * | 2005-05-13 | 2006-08-28 | 삼성전기주식회사 | 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법 |
KR100706958B1 (ko) * | 2005-05-26 | 2007-04-11 | 삼성전기주식회사 | 발광소자용 반사기와 그 반사기를 사용한 발광소자 모듈 및그 제조방법 |
KR100665182B1 (ko) * | 2005-06-03 | 2007-01-09 | 삼성전기주식회사 | 고출력 led 패키지 및 그 제조방법 |
US8669572B2 (en) * | 2005-06-10 | 2014-03-11 | Cree, Inc. | Power lamp package |
US7980743B2 (en) | 2005-06-14 | 2011-07-19 | Cree, Inc. | LED backlighting for displays |
KR100689985B1 (ko) * | 2005-07-19 | 2007-03-08 | 박교양 | Led칩 하우징과 이 led칩 하우징의 반사면 가공방법 |
KR100675217B1 (ko) * | 2005-08-11 | 2007-01-29 | 삼성전기주식회사 | 발광다이오드 패키지의 제조방법 |
KR100621154B1 (ko) * | 2005-08-26 | 2006-09-07 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 제조방법 |
KR100714602B1 (ko) * | 2005-09-29 | 2007-05-07 | 삼성전기주식회사 | 발광다이오드 패키지 |
KR100682325B1 (ko) | 2005-09-30 | 2007-02-15 | 주식회사 우영 | 백라이트 유닛의 방열 코팅제, 방열 코팅층 형성방법, 방열코팅층을 구비한 백라이트 유닛 |
KR100654682B1 (ko) * | 2005-10-04 | 2006-12-08 | (주) 아모센스 | 엘이디 패키지에서의 세라믹과 금속의 접합방법 |
KR100730076B1 (ko) * | 2005-11-29 | 2007-06-20 | 삼성전기주식회사 | 발광 다이오드 패키지 |
KR100769718B1 (ko) * | 2005-11-29 | 2007-10-24 | 삼성전기주식회사 | 발광소자용 반사부재 및 이를 사용한 발광다이오드 패키지 |
DE102005061204A1 (de) * | 2005-12-21 | 2007-07-05 | Perkinelmer Elcos Gmbh | Beleuchtungsvorrichtung, Beleuchtungssteuergerät und Beleuchtungssystem |
KR101144489B1 (ko) * | 2005-12-23 | 2012-05-11 | 엘지이노텍 주식회사 | Led 패키지 |
US8044412B2 (en) | 2006-01-20 | 2011-10-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd | Package for a light emitting element |
KR101283182B1 (ko) | 2006-01-26 | 2013-07-05 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법 |
US20070181897A1 (en) * | 2006-02-03 | 2007-08-09 | Been-Yu Liaw | High heat dissipating package baseplate for a high brightness LED |
TW200737430A (en) * | 2006-03-17 | 2007-10-01 | Elit Fine Ceramics Co Ltd | Method for forming light emitting diode reflector, structure thereof, and light emitting diode mounting device using reflector |
US7675145B2 (en) * | 2006-03-28 | 2010-03-09 | Cree Hong Kong Limited | Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements |
US9335006B2 (en) | 2006-04-18 | 2016-05-10 | Cree, Inc. | Saturated yellow phosphor converted LED and blue converted red LED |
US8748915B2 (en) | 2006-04-24 | 2014-06-10 | Cree Hong Kong Limited | Emitter package with angled or vertical LED |
US11210971B2 (en) | 2009-07-06 | 2021-12-28 | Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited | Light emitting diode display with tilted peak emission pattern |
US7635915B2 (en) * | 2006-04-26 | 2009-12-22 | Cree Hong Kong Limited | Apparatus and method for use in mounting electronic elements |
KR100796670B1 (ko) * | 2006-04-27 | 2008-01-22 | (주)루멘스 | 발광다이오드 및 그 제조방법 |
KR100755086B1 (ko) * | 2006-05-03 | 2007-09-03 | 삼화콘덴서공업주식회사 | 발광다이오드 패키지 |
WO2007139781A2 (en) * | 2006-05-23 | 2007-12-06 | Cree Led Lighting Solutions, Inc. | Lighting device |
EP2034528A1 (de) * | 2006-06-15 | 2009-03-11 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Elektronische komponente |
US7906794B2 (en) * | 2006-07-05 | 2011-03-15 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Light emitting device package with frame and optically transmissive element |
US8735920B2 (en) | 2006-07-31 | 2014-05-27 | Cree, Inc. | Light emitting diode package with optical element |
JP4937845B2 (ja) * | 2006-08-03 | 2012-05-23 | 日立マクセル株式会社 | 照明装置および表示装置 |
US8367945B2 (en) * | 2006-08-16 | 2013-02-05 | Cree Huizhou Opto Limited | Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements |
KR100851194B1 (ko) * | 2006-08-24 | 2008-08-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 장치 및 그 제조방법, 백 라이트 장치 |
TW200816508A (en) * | 2006-09-18 | 2008-04-01 | Univ Nat Central | Fabrication methods of patterned sapphire substrate and light emitting diode |
JP4846498B2 (ja) * | 2006-09-22 | 2011-12-28 | 株式会社東芝 | 光半導体装置及び光半導体装置の製造方法 |
US8265723B1 (en) | 2006-10-12 | 2012-09-11 | Cercacor Laboratories, Inc. | Oximeter probe off indicator defining probe off space |
CN101536179B (zh) * | 2006-10-31 | 2011-05-25 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 照明设备封装 |
US10295147B2 (en) | 2006-11-09 | 2019-05-21 | Cree, Inc. | LED array and method for fabricating same |
EP1923922A1 (de) * | 2006-11-15 | 2008-05-21 | Lemnis Lighting IP GmbH | Verbesserte Leuchtdioden-Beleuchtungsvorrichtung |
TW200824142A (en) * | 2006-11-22 | 2008-06-01 | Lighthouse Technology Co Ltd | High power diode holder and thereof package is described |
JP2008186802A (ja) * | 2007-01-04 | 2008-08-14 | Toshiba Corp | バックライト装置、液晶表示装置 |
US9711703B2 (en) * | 2007-02-12 | 2017-07-18 | Cree Huizhou Opto Limited | Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements |
US8421088B2 (en) * | 2007-02-22 | 2013-04-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Surface mounting type light emitting diode |
US8604506B2 (en) * | 2007-02-22 | 2013-12-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Surface mounting type light emitting diode and method for manufacturing the same |
TWI378580B (en) * | 2007-03-07 | 2012-12-01 | Everlight Electronics Co Ltd | Socket led device |
EP2139383B1 (de) * | 2007-03-27 | 2013-02-13 | Masimo Laboratories, Inc. | Optischer sensor mit mehreren wellenlängen |
KR100901618B1 (ko) | 2007-04-19 | 2009-06-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 및 제조방법 |
US8374665B2 (en) | 2007-04-21 | 2013-02-12 | Cercacor Laboratories, Inc. | Tissue profile wellness monitor |
US7967476B2 (en) * | 2007-07-04 | 2011-06-28 | Nichia Corporation | Light emitting device including protective glass film |
US20090008662A1 (en) * | 2007-07-05 | 2009-01-08 | Ian Ashdown | Lighting device package |
TWM327545U (en) * | 2007-07-09 | 2008-02-21 | Everlight Electronics Co Ltd | Improved light-emitting diode packaging structure |
US7621752B2 (en) * | 2007-07-17 | 2009-11-24 | Visteon Global Technologies, Inc. | LED interconnection integrated connector holder package |
CN101388161A (zh) * | 2007-09-14 | 2009-03-18 | 科锐香港有限公司 | Led表面安装装置和并入有此装置的led显示器 |
US7670021B2 (en) | 2007-09-27 | 2010-03-02 | Enertron, Inc. | Method and apparatus for thermally effective trim for light fixture |
US10256385B2 (en) | 2007-10-31 | 2019-04-09 | Cree, Inc. | Light emitting die (LED) packages and related methods |
US8866169B2 (en) | 2007-10-31 | 2014-10-21 | Cree, Inc. | LED package with increased feature sizes |
USD615504S1 (en) | 2007-10-31 | 2010-05-11 | Cree, Inc. | Emitter package |
TWI401820B (zh) * | 2007-11-07 | 2013-07-11 | Ind Tech Res Inst | 發光元件及其製作方法 |
US8946987B2 (en) | 2007-11-07 | 2015-02-03 | Industrial Technology Research Institute | Light emitting device and fabricating method thereof |
US7524087B1 (en) * | 2007-11-16 | 2009-04-28 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Optical device |
USD633631S1 (en) | 2007-12-14 | 2011-03-01 | Cree Hong Kong Limited | Light source of light emitting diode |
KR100966744B1 (ko) * | 2007-12-14 | 2010-06-29 | 유니썸테크놀로지 주식회사 | 세라믹 패키지 및 이의 제조 방법 |
USD634863S1 (en) | 2008-01-10 | 2011-03-22 | Cree Hong Kong Limited | Light source of light emitting diode |
US7855398B2 (en) * | 2008-02-28 | 2010-12-21 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Ceramic light emitting device package |
US8049230B2 (en) * | 2008-05-16 | 2011-11-01 | Cree Huizhou Opto Limited | Apparatus and system for miniature surface mount devices |
TWM353308U (en) * | 2008-06-09 | 2009-03-21 | qiu-shuang Ke | LED illumination device |
US20100059783A1 (en) * | 2008-09-08 | 2010-03-11 | Harry Chandra | Light Emitting Chip Package With Metal Leads For Enhanced Heat Dissipation |
US9252336B2 (en) * | 2008-09-26 | 2016-02-02 | Bridgelux, Inc. | Multi-cup LED assembly |
US7871842B2 (en) * | 2008-10-03 | 2011-01-18 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Production process for surface-mounting ceramic LED package, surface-mounting ceramic LED package produced by said production process, and mold for producing said package |
US8075165B2 (en) * | 2008-10-14 | 2011-12-13 | Ledengin, Inc. | Total internal reflection lens and mechanical retention and locating device |
US9425172B2 (en) * | 2008-10-24 | 2016-08-23 | Cree, Inc. | Light emitter array |
CN101728469B (zh) * | 2008-10-27 | 2012-03-28 | 富准精密工业(深圳)有限公司 | 发光二极管及其晶粒 |
US8791471B2 (en) * | 2008-11-07 | 2014-07-29 | Cree Hong Kong Limited | Multi-chip light emitting diode modules |
US20100117106A1 (en) * | 2008-11-07 | 2010-05-13 | Ledengin, Inc. | Led with light-conversion layer |
US7841747B2 (en) * | 2008-12-11 | 2010-11-30 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Light emitting device |
US8507300B2 (en) * | 2008-12-24 | 2013-08-13 | Ledengin, Inc. | Light-emitting diode with light-conversion layer |
US8368112B2 (en) | 2009-01-14 | 2013-02-05 | Cree Huizhou Opto Limited | Aligned multiple emitter package |
US20110037083A1 (en) * | 2009-01-14 | 2011-02-17 | Alex Chi Keung Chan | Led package with contrasting face |
JP2010212508A (ja) * | 2009-03-11 | 2010-09-24 | Sony Corp | 発光素子実装用パッケージ、発光装置、バックライトおよび液晶表示装置 |
US8598793B2 (en) | 2011-05-12 | 2013-12-03 | Ledengin, Inc. | Tuning of emitter with multiple LEDs to a single color bin |
US8384097B2 (en) | 2009-04-08 | 2013-02-26 | Ledengin, Inc. | Package for multiple light emitting diodes |
US7985000B2 (en) * | 2009-04-08 | 2011-07-26 | Ledengin, Inc. | Lighting apparatus having multiple light-emitting diodes with individual light-conversion layers |
US8220143B2 (en) * | 2009-05-22 | 2012-07-17 | Kuang Hong Precision Co., Ltd | Method for a plastic lead frame with reflective and conductive layer |
US8415692B2 (en) * | 2009-07-06 | 2013-04-09 | Cree, Inc. | LED packages with scattering particle regions |
JP5612355B2 (ja) * | 2009-07-15 | 2014-10-22 | 株式会社Kanzacc | メッキ構造及び電気材料の製造方法 |
US8598809B2 (en) * | 2009-08-19 | 2013-12-03 | Cree, Inc. | White light color changing solid state lighting and methods |
KR100965120B1 (ko) * | 2009-09-29 | 2010-06-23 | 주식회사 드림 | 고신뢰성의 led 패키지용 리드프레임 |
US8101962B2 (en) * | 2009-10-06 | 2012-01-24 | Kuang Hong Precision Co., Ltd. | Carrying structure of semiconductor |
USD661262S1 (en) | 2009-10-26 | 2012-06-05 | Nichia Corporation | Light emitting diode |
US9839381B1 (en) | 2009-11-24 | 2017-12-12 | Cercacor Laboratories, Inc. | Physiological measurement system with automatic wavelength adjustment |
DE112010004682T5 (de) | 2009-12-04 | 2013-03-28 | Masimo Corporation | Kalibrierung für mehrstufige physiologische Monitore |
US8303141B2 (en) * | 2009-12-17 | 2012-11-06 | Ledengin, Inc. | Total internal reflection lens with integrated lamp cover |
US8511851B2 (en) | 2009-12-21 | 2013-08-20 | Cree, Inc. | High CRI adjustable color temperature lighting devices |
US9468070B2 (en) | 2010-02-16 | 2016-10-11 | Cree Inc. | Color control of light emitting devices and applications thereof |
US8858022B2 (en) | 2011-05-05 | 2014-10-14 | Ledengin, Inc. | Spot TIR lens system for small high-power emitter |
US9345095B2 (en) | 2010-04-08 | 2016-05-17 | Ledengin, Inc. | Tunable multi-LED emitter module |
US9080729B2 (en) * | 2010-04-08 | 2015-07-14 | Ledengin, Inc. | Multiple-LED emitter for A-19 lamps |
US9012938B2 (en) | 2010-04-09 | 2015-04-21 | Cree, Inc. | High reflective substrate of light emitting devices with improved light output |
US8354745B2 (en) | 2010-04-20 | 2013-01-15 | Intellectual Discovery Co., Ltd. | Electronic assembly |
US9373606B2 (en) * | 2010-08-30 | 2016-06-21 | Bridgelux, Inc. | Light-emitting device array with individual cells |
US8455882B2 (en) | 2010-10-15 | 2013-06-04 | Cree, Inc. | High efficiency LEDs |
CN102110762B (zh) * | 2010-11-26 | 2012-12-19 | 陕西科技大学 | 一种集散热板与电极于一体的散热器件及其制备方法 |
US8772817B2 (en) | 2010-12-22 | 2014-07-08 | Cree, Inc. | Electronic device submounts including substrates with thermally conductive vias |
US9786811B2 (en) | 2011-02-04 | 2017-10-10 | Cree, Inc. | Tilted emission LED array |
US8314566B2 (en) | 2011-02-22 | 2012-11-20 | Quarkstar Llc | Solid state lamp using light emitting strips |
KR20120108437A (ko) | 2011-03-24 | 2012-10-05 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지 |
JP2012238830A (ja) * | 2011-05-09 | 2012-12-06 | Lumirich Co Ltd | 発光ダイオード素子 |
TWI408838B (zh) * | 2011-05-09 | 2013-09-11 | Univ Chang Gung | 具靜電放電保護能力之光電半導體封裝結構 |
US8513900B2 (en) | 2011-05-12 | 2013-08-20 | Ledengin, Inc. | Apparatus for tuning of emitter with multiple LEDs to a single color bin |
US10842016B2 (en) | 2011-07-06 | 2020-11-17 | Cree, Inc. | Compact optically efficient solid state light source with integrated thermal management |
US8816512B2 (en) * | 2011-07-28 | 2014-08-26 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device module |
CN103000794B (zh) * | 2011-09-14 | 2015-06-10 | 展晶科技(深圳)有限公司 | Led封装结构 |
KR101348097B1 (ko) | 2012-09-04 | 2014-01-08 | 주식회사 루멘스 | 발광소자 패키지 |
US8564004B2 (en) | 2011-11-29 | 2013-10-22 | Cree, Inc. | Complex primary optics with intermediate elements |
US11032884B2 (en) | 2012-03-02 | 2021-06-08 | Ledengin, Inc. | Method for making tunable multi-led emitter module |
US9897284B2 (en) | 2012-03-28 | 2018-02-20 | Ledengin, Inc. | LED-based MR16 replacement lamp |
KR20140039740A (ko) | 2012-09-25 | 2014-04-02 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 |
JP2014082453A (ja) * | 2012-09-25 | 2014-05-08 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置の製造方法 |
US9234801B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-01-12 | Ledengin, Inc. | Manufacturing method for LED emitter with high color consistency |
DE102013207111B4 (de) * | 2013-04-19 | 2021-07-01 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches Bauelement |
USD735683S1 (en) | 2013-05-03 | 2015-08-04 | Cree, Inc. | LED package |
US9461024B2 (en) | 2013-08-01 | 2016-10-04 | Cree, Inc. | Light emitter devices and methods for light emitting diode (LED) chips |
JP2015032740A (ja) * | 2013-08-05 | 2015-02-16 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
USD758976S1 (en) | 2013-08-08 | 2016-06-14 | Cree, Inc. | LED package |
US9406654B2 (en) | 2014-01-27 | 2016-08-02 | Ledengin, Inc. | Package for high-power LED devices |
US9601670B2 (en) | 2014-07-11 | 2017-03-21 | Cree, Inc. | Method to form primary optic with variable shapes and/or geometries without a substrate |
US10622522B2 (en) | 2014-09-05 | 2020-04-14 | Theodore Lowes | LED packages with chips having insulated surfaces |
CN104362132B (zh) * | 2014-09-28 | 2015-10-28 | 四川广义微电子股份有限公司 | 芯片封装件 |
USD790486S1 (en) | 2014-09-30 | 2017-06-27 | Cree, Inc. | LED package with truncated encapsulant |
JP6256700B2 (ja) * | 2014-11-11 | 2018-01-10 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
JP6563495B2 (ja) | 2014-11-26 | 2019-08-21 | エルイーディエンジン・インコーポレーテッド | 穏やかな調光及び色調整可能なランプ用のコンパクトなledエミッタ |
US9530943B2 (en) | 2015-02-27 | 2016-12-27 | Ledengin, Inc. | LED emitter packages with high CRI |
USD777122S1 (en) | 2015-02-27 | 2017-01-24 | Cree, Inc. | LED package |
USD783547S1 (en) | 2015-06-04 | 2017-04-11 | Cree, Inc. | LED package |
TWI568031B (zh) * | 2015-06-29 | 2017-01-21 | 光寶光電(常州)有限公司 | 發光二極體封裝結構及晶片承載座 |
US10219345B2 (en) | 2016-11-10 | 2019-02-26 | Ledengin, Inc. | Tunable LED emitter with continuous spectrum |
KR101885511B1 (ko) * | 2017-04-28 | 2018-08-06 | 엑센도 주식회사 | 광소자 어셈블리 장치 |
CN107369741A (zh) * | 2017-07-13 | 2017-11-21 | 东莞市凯昶德电子科技股份有限公司 | 带一体式金属围坝的led支架模组及其制备方法 |
KR101987627B1 (ko) * | 2017-08-21 | 2019-09-30 | 주식회사 옵티맥 | 발광 패키지 |
US10575374B2 (en) | 2018-03-09 | 2020-02-25 | Ledengin, Inc. | Package for flip-chip LEDs with close spacing of LED chips |
JPWO2020045604A1 (ja) * | 2018-08-31 | 2021-08-12 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 半導体素子搭載用パッケージ及び半導体装置 |
US11444227B2 (en) | 2019-10-01 | 2022-09-13 | Dominant Opto Technologies Sdn Bhd | Light emitting diode package with substrate configuration having enhanced structural integrity |
DE112020004042T5 (de) * | 2019-11-25 | 2022-08-18 | Electronic Theatre Controls, Inc. | Lichtmodulöffnung zur leiterplattenintegration |
US11444225B2 (en) | 2020-09-08 | 2022-09-13 | Dominant Opto Technologies Sdn Bhd | Light emitting diode package having a protective coating |
US11329206B2 (en) | 2020-09-28 | 2022-05-10 | Dominant Opto Technologies Sdn Bhd | Lead frame and housing sub-assembly for use in a light emitting diode package and method for manufacturing the same |
CN112992811B (zh) * | 2021-02-22 | 2022-11-08 | 同辉电子科技股份有限公司 | 一种多层透明导电、增透薄膜led芯片 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60262476A (ja) * | 1984-06-08 | 1985-12-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光素子 |
WO2001024281A1 (de) * | 1999-09-30 | 2001-04-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg | Optoelektronisches bauelement mit reflektor und verfahren zur herstellung desselben |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4013915A (en) * | 1975-10-23 | 1977-03-22 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Light emitting device mounting arrangement |
JPS57114293A (en) * | 1981-01-06 | 1982-07-16 | Sanyo Electric Co Ltd | Manufacture of light emitting diode substrate |
JPS60257184A (ja) * | 1984-06-01 | 1985-12-18 | Hamamatsu Photonics Kk | 反射形光センサ |
US4826271A (en) * | 1984-08-31 | 1989-05-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Rotational polygon mirror and method of manufacturing the same |
US4935665A (en) * | 1987-12-24 | 1990-06-19 | Mitsubishi Cable Industries Ltd. | Light emitting diode lamp |
JPH0343750U (de) * | 1989-09-04 | 1991-04-24 | ||
JPH0584861A (ja) * | 1991-09-30 | 1993-04-06 | Japan Gore Tex Inc | シリコーン樹脂を使用した複合材料 |
DE4242842C2 (de) * | 1992-02-14 | 1999-11-04 | Sharp Kk | Lichtemittierendes Bauelement zur Oberflächenmontage und Verfahren zu dessen Herstellung |
US5226723A (en) * | 1992-05-11 | 1993-07-13 | Chen Der Jong | Light emitting diode display |
US5534718A (en) * | 1993-04-12 | 1996-07-09 | Hsi-Huang Lin | LED package structure of LED display |
JP3832877B2 (ja) * | 1995-07-26 | 2006-10-11 | 日亜化学工業株式会社 | セラミックスledパッケージおよびその製造方法 |
US6274890B1 (en) * | 1997-01-15 | 2001-08-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and its manufacturing method |
JP3316838B2 (ja) * | 1997-01-31 | 2002-08-19 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
KR200177515Y1 (ko) * | 1997-06-28 | 2000-04-15 | 이택렬 | 발광 다이오드 |
US6121637A (en) * | 1997-10-03 | 2000-09-19 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device with increased luminous power |
US6548832B1 (en) * | 1999-06-09 | 2003-04-15 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Hybrid integrated circuit device |
US6429464B1 (en) * | 2001-02-16 | 2002-08-06 | Para Light Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode |
US6984934B2 (en) * | 2001-07-10 | 2006-01-10 | The Trustees Of Princeton University | Micro-lens arrays for display intensity enhancement |
US6483161B1 (en) * | 2001-08-14 | 2002-11-19 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Submount with filter layers for mounting a bottom-incidence type photodiode |
US6501103B1 (en) * | 2001-10-23 | 2002-12-31 | Lite-On Electronics, Inc. | Light emitting diode assembly with low thermal resistance |
-
2001
- 2001-12-24 KR KR10-2001-0083876A patent/KR100439402B1/ko active IP Right Grant
-
2002
- 2002-06-18 US US10/173,120 patent/US6707069B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-06-19 DE DE10227515A patent/DE10227515B4/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-06-20 JP JP2002179684A patent/JP2003197974A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60262476A (ja) * | 1984-06-08 | 1985-12-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光素子 |
WO2001024281A1 (de) * | 1999-09-30 | 2001-04-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg | Optoelektronisches bauelement mit reflektor und verfahren zur herstellung desselben |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6707069B2 (en) | 2004-03-16 |
JP2003197974A (ja) | 2003-07-11 |
KR100439402B1 (ko) | 2004-07-09 |
KR20030053853A (ko) | 2003-07-02 |
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US20030116769A1 (en) | 2003-06-26 |
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